JP6282069B2 - インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6282069B2
JP6282069B2 JP2013190477A JP2013190477A JP6282069B2 JP 6282069 B2 JP6282069 B2 JP 6282069B2 JP 2013190477 A JP2013190477 A JP 2013190477A JP 2013190477 A JP2013190477 A JP 2013190477A JP 6282069 B2 JP6282069 B2 JP 6282069B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
pattern
substrate
imprint material
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013190477A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015056589A (ja
JP2015056589A5 (enExample
Inventor
佐藤　浩司
浩司 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2013190477A priority Critical patent/JP6282069B2/ja
Priority to TW103129554A priority patent/TWI625219B/zh
Priority to US14/482,426 priority patent/US10042249B2/en
Priority to KR1020140120855A priority patent/KR101783081B1/ko
Publication of JP2015056589A publication Critical patent/JP2015056589A/ja
Publication of JP2015056589A5 publication Critical patent/JP2015056589A5/ja
Priority to KR1020170121858A priority patent/KR101879549B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of JP6282069B2 publication Critical patent/JP6282069B2/ja
Priority to US16/003,723 priority patent/US10303050B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
    • G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
    • G01J2009/0234—Measurement of the fringe pattern

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
JP2013190477A 2013-09-13 2013-09-13 インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法 Active JP6282069B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013190477A JP6282069B2 (ja) 2013-09-13 2013-09-13 インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法
TW103129554A TWI625219B (zh) 2013-09-13 2014-08-27 壓印設備、壓印方法、偵測方法及製造裝置的方法
US14/482,426 US10042249B2 (en) 2013-09-13 2014-09-10 Imprint apparatus to detect a contact state between a mold and a substrate
KR1020140120855A KR101783081B1 (ko) 2013-09-13 2014-09-12 임프린트 장치, 임프린트 방법, 검출 방법 그리고 디바이스를 제조하는 방법
KR1020170121858A KR101879549B1 (ko) 2013-09-13 2017-09-21 임프린트 장치, 임프린트 방법, 검출 방법 그리고 디바이스를 제조하는 방법
US16/003,723 US10303050B2 (en) 2013-09-13 2018-06-08 Imprint apparatus, imprint method, detecting method, and method of manufacturing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013190477A JP6282069B2 (ja) 2013-09-13 2013-09-13 インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015056589A JP2015056589A (ja) 2015-03-23
JP2015056589A5 JP2015056589A5 (enExample) 2016-10-20
JP6282069B2 true JP6282069B2 (ja) 2018-02-21

Family

ID=52667279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013190477A Active JP6282069B2 (ja) 2013-09-13 2013-09-13 インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10042249B2 (enExample)
JP (1) JP6282069B2 (enExample)
KR (2) KR101783081B1 (enExample)
TW (1) TWI625219B (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016042501A (ja) * 2014-08-14 2016-03-31 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6674218B2 (ja) * 2014-12-09 2020-04-01 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
US10747106B2 (en) * 2014-12-09 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus
US10248018B2 (en) * 2015-03-30 2019-04-02 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP6553926B2 (ja) * 2015-04-09 2019-07-31 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6403627B2 (ja) * 2015-04-14 2018-10-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP6562707B2 (ja) * 2015-05-13 2019-08-21 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2016225542A (ja) 2015-06-02 2016-12-28 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法
JP6282298B2 (ja) * 2015-06-10 2018-02-21 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US10642171B2 (en) 2015-06-10 2020-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and method for producing article
US10386737B2 (en) 2015-06-10 2019-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method for producing article
JP6799397B2 (ja) 2015-08-10 2020-12-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6541518B2 (ja) * 2015-09-04 2019-07-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6643022B2 (ja) * 2015-09-28 2020-02-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、異物検出方法および物品製造方法
JP2017152673A (ja) * 2015-11-05 2017-08-31 ボード・オブ・リージェンツ， ジ・ユニバーシティー・オブ・テキサス・システム ジェット・アンド・フラッシュ・インプリントリソグラフィにおけるマルチフィールドオーバーレイ制御
JP6655988B2 (ja) * 2015-12-25 2020-03-04 キヤノン株式会社 インプリント装置の調整方法、インプリント方法および物品製造方法
JP6942491B2 (ja) * 2016-03-15 2021-09-29 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
WO2018056995A1 (en) * 2016-09-23 2018-03-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device and particle detector
US11454883B2 (en) * 2016-11-14 2022-09-27 Canon Kabushiki Kaisha Template replication
JP6978859B2 (ja) * 2017-06-15 2021-12-08 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
US11175598B2 (en) * 2017-06-30 2021-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP7043199B2 (ja) * 2017-08-03 2022-03-29 キヤノン株式会社 インプリント方法、プログラム、インプリント装置及び物品の製造方法
JP7015147B2 (ja) * 2017-11-06 2022-02-02 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
JP7022615B2 (ja) * 2018-02-26 2022-02-18 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法
JP7262939B2 (ja) 2018-07-20 2023-04-24 キヤノン株式会社 クリーニング装置、インプリント装置、リソグラフィ装置、および、クリーニング方法
JP7225030B2 (ja) * 2019-05-31 2023-02-20 キヤノン株式会社 インプリント方法、及び、物品の製造方法
JP7041699B2 (ja) * 2020-01-31 2022-03-24 キヤノン株式会社 インプリント装置の情報出力方法、インプリント装置、情報出力方法および装置
JP7433949B2 (ja) * 2020-02-06 2024-02-20 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP7401396B2 (ja) * 2020-06-04 2023-12-19 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品の製造方法、及びインプリント装置のための測定方法
US20220197134A1 (en) * 2020-12-23 2022-06-23 Canon Kabushiki Kaisha System and Method of Determining Shaping Parameters Based on Contact Line Motion
JP7361831B2 (ja) * 2021-07-30 2023-10-16 キヤノン株式会社 情報処理装置、成形装置、成形方法及び物品の製造方法
US12194671B2 (en) 2021-07-30 2025-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Information processing apparatus, molding apparatus, molding method, and article manufacturing method
JP7721736B1 (ja) * 2024-05-14 2025-08-12 キヤノン株式会社 平坦化装置、平坦化方法、および物品の製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW337255U (en) * 1997-08-20 1998-07-21 Wen-Nan Guo Improved structure of an extruding machine mold
US6204982B1 (en) * 1997-11-12 2001-03-20 Iomega Corporation Method and apparatus for cartridge ejection and overwrite protection
EP2264522A3 (en) * 2000-07-16 2011-12-14 The Board of Regents of The University of Texas System Method of forming a pattern on a substrate
JP2003316016A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版の露光装置及び感光性平版印刷版と原画の密着度判定方法
US20080160129A1 (en) 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US6871558B2 (en) * 2002-12-12 2005-03-29 Molecular Imprints, Inc. Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries
JP4183245B2 (ja) 2003-05-12 2008-11-19 キヤノン株式会社 アライメント方法、該アライメント方法を用いた露光方法
JP4721393B2 (ja) * 2003-08-15 2011-07-13 キヤノン株式会社 近接場露光方法
JP4574240B2 (ja) * 2004-06-11 2010-11-04 キヤノン株式会社 加工装置、加工方法、デバイス製造方法
US7309225B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-18 Molecular Imprints, Inc. Moat system for an imprint lithography template
US7522263B2 (en) * 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8945444B2 (en) * 2007-12-04 2015-02-03 Canon Nanotechnologies, Inc. High throughput imprint based on contact line motion tracking control
NL1036307A1 (nl) * 2007-12-21 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method for levelling an object, and lithographic projection method.
JP2009200345A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Canon Inc 加工装置
JP5127785B2 (ja) * 2009-07-21 2013-01-23 株式会社東芝 インプリント装置およびインプリント方法
JP5455583B2 (ja) * 2009-11-30 2014-03-26 キヤノン株式会社 インプリント装置
JP5451450B2 (ja) * 2010-02-24 2014-03-26 キヤノン株式会社 インプリント装置及びそのテンプレート並びに物品の製造方法
KR101388805B1 (ko) 2011-04-19 2014-04-23 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 그것을 사용한 물품의 제조 방법
JP6039222B2 (ja) 2011-05-10 2016-12-07 キヤノン株式会社 検出装置、検出方法、インプリント装置及びデバイス製造方法
JP5759303B2 (ja) * 2011-08-11 2015-08-05 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP6004738B2 (ja) * 2011-09-07 2016-10-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
WO2013064298A1 (en) * 2011-11-01 2013-05-10 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2013110162A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016042501A (ja) * 2014-08-14 2016-03-31 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10303050B2 (en) 2019-05-28
US20180292748A1 (en) 2018-10-11
KR20170115010A (ko) 2017-10-16
US10042249B2 (en) 2018-08-07
TW201518068A (zh) 2015-05-16
US20150076724A1 (en) 2015-03-19
KR101879549B1 (ko) 2018-07-17
TWI625219B (zh) 2018-06-01
KR101783081B1 (ko) 2017-09-28
JP2015056589A (ja) 2015-03-23
KR20150031202A (ko) 2015-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6282069B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法
JP6931408B2 (ja) 未硬化の材料を硬化させる装置、未硬化の材料が吐出されているか否かを判定する方法及び未硬化の材料を硬化させる物品の製造方法
US10901324B2 (en) Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method using the same
JP5932859B2 (ja) 検出装置、インプリント装置、および物品の製造方法
JP6549834B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
US10228616B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP6403627B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
KR101573572B1 (ko) 임프린트 장치, 물품 제조 방법 및 패턴 전사 방법
TWI629709B (zh) 壓印設備、壓印方法及製造產品的方法
CN107924817A (zh) 检测设备、压印装置、制造物品的方法、照明光学系统以及检测方法
US10416551B2 (en) Imprinting apparatus, imprinting method, and article manufacturing method
KR102026503B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
JP5936373B2 (ja) インプリント装置、インプリント装置の制御方法、及びデバイス製造方法
JP6590598B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160905

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160905

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170419

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170509

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180123

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6282069

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151