KR101879549B1

KR101879549B1 - 임프린트 장치, 임프린트 방법, 검출 방법 그리고 디바이스를 제조하는 방법

Info

Publication number: KR101879549B1
Application number: KR1020170121858A
Authority: KR
Inventors: 히로시 사토
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2013-09-13
Filing date: 2017-09-21
Publication date: 2018-07-17
Also published as: KR101783081B1; US20180292748A1; JP2015056589A; KR20150031202A; TW201518068A; TWI625219B; US10042249B2; JP6282069B2; US20150076724A1; US10303050B2; KR20170115010A

Abstract

본 발명은, 기판 상의 임프린트 재료 그리고 몰드의 패턴을 서로 접촉시킴으로써 임프린트 재료에 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치에 있어서, 임프린트 재료와 몰드의 패턴의 일부를 접촉시키고 그 다음에 몰드의 패턴과 임프린트 재료 사이의 접촉 표면적이 증가되도록 임프린트 재료와 패턴을 접촉시키는 구동 유닛과; 몰드의 패턴으로부터의 반사 광 그리고 기판으로부터의 반사 광에 의해 발생되는 간섭 프린지를 검출하는 간섭 프린지 검출 유닛과; 간섭 프린지를 기초로 하여 몰드의 패턴과 임프린트 재료 사이의 접촉 상태를 검출하는 상태 검출 유닛을 포함하는 임프린트 장치를 제공한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법, 검출 방법 그리고 디바이스를 제조하는 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, DETECTING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE}

본 발명은 임프린팅(imprinting)에 사용되는 몰드(mold)와 기판 상으로 공급된 임프린트 재료 사이의 접촉 상태를 검출하도록 구성되는 임프린트 장치, 임프린트 방법 그리고 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.

임프린트 기술은 기판 상으로 공급된 임프린트 재료로 몰드 상에 형성된 패턴을 전사하는 기술이고, 반도체 디바이스 또는 자기 기억 매체를 제조하는 리소그래피 기술(lithography technique)들 중 하나로서 제안된다. 임프린트 장치는 기판 상의 임프린트 재료(예컨대, 광경화 수지) 그리고 몰드를 서로 접촉시키고 접촉 상태에서 임프린트 재료가 경화되게 하도록 구성된다. 경화된 임프린트 재료와 몰드 사이의 거리가 증가되어 몰드가 임프린트 재료로부터 분리되고, 그에 의해 몰드 패턴이 기판 상의 임프린트 재료로 전사된다.

기포가 임프린트 재료와 접촉된 몰드 패턴의 오목부 내에 잔존할 수 있다. 공기가 오목부 내에 잔존한 상태로 임프린트 재료가 경화되면, 임프린트 재료가 오목부의 형상과 상이한 형상으로 성형된다. 그러므로, 요구된 패턴이 기판 상에 형성되지 않는다. 그러므로, 패턴의 오목부 내로의 임프린트 재료의 충전을 용이하게 하기 위해, 기판을 향해 돌출되도록 몰드의 패턴 표면을 만곡(변형)시키고 임프린트 재료와 만곡된 돌출부를 접촉시키는 방법이 공지되어 있다(PCT 일본 번역 특허 공개 제2009-536591호). 패턴의 중심 부분으로부터 외부측을 향해 임프린트 재료와 몰드를 접촉시킴으로써, 임프린트 재료가 몰드의 패턴의 오목부 내에 쉽게 충전될 수 있고, 기포의 잔존 가능성이 감소될 수 있다.

몰드 및 임프린트 재료(또는 기판)가 서로 접촉될 때의 접촉 상태가 패턴 전사의 결과에 영향을 미친다는 것이 공지되어 있다. 접촉 상태는 몰드의 자세(경사) 그리고 몰드와 기판 사이의 먼지의 존재 또는 부존재를 포함한다. 몰드 및 임프린트 재료는 바람직하게는 몰드와 임프린트 재료 사이의 접촉 부분이 동심 방식으로 패턴의 중심으로부터 주변 부분을 향해 확장되도록 서로 접촉된다. 그러므로, 몰드와 임프린트 재료 사이의 접촉 상태를 관찰하는 기술이 요구된다. PCT 일본 번역 특허 공개 제2006-514428호는 몰드 및 임프린트 재료가 서로 접촉될 때에 기판 상으로 공급된 복수개의 개별 액적[비드(bead)]이 전개되는 방식을 관찰함으로써 몰드와 임프린트 재료 사이의 접촉 상태를 파악하는 방법을 제안하고 있다.

임프린트 기술에서 사용되는 많은 임프린트 재료가 낮은 점도를 갖는다. 기판 상으로 공급된 임프린트 재료의 액적이 기판 위로 전개되어 서로 합체되고, 그에 의해 임프린트 재료의 층이 기판 상에 형성된다. 그러므로, 실제로, 몰드 및 임프린트 재료가 서로 접촉될 때에 임프린트 재료의 개별 액적이 전개되는 방식이 검출될 수 없다.

본 발명은, 기판 상의 임프린트 재료와 몰드의 패턴을 서로 접촉시킴으로써 임프린트 재료에 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치에 있어서, 임프린트 재료와 몰드의 패턴의 일부를 접촉시킨 다음에 몰드의 패턴과 임프린트 재료 사이의 접촉 표면적이 증가되도록 임프린트 재료와 패턴을 접촉시키도록 구성되는 구동 유닛과; 몰드의 패턴으로부터의 반사 광 및 기판으로부터의 반사 광에 의해 발생되고 몰드의 패턴과 임프린트 재료 사이의 접촉 표면적이 증가됨에 따라 변화되는 간섭 프린지(interference fringe)를 검출하도록 구성되는 간섭 프린지 검출 유닛과; 간섭 프린지를 기초로 하여 몰드의 패턴과 임프린트 재료 사이의 접촉 상태를 검출하도록 구성되는 상태 검출 유닛을 포함하는 임프린트 장치를 제공한다.

본 발명의 추가 특징이 첨부 도면을 참조한 다음의 예시 실시예의 설명으로부터 명확해질 것이다.

도 1은 제1 실시예의 임프린트 장치를 도시하는 도면.
도 2는 제1 실시예의 검출 유닛을 도시하는 도면.
도 3은 제1 실시예의 몰드의 보정 기구를 도시하는 도면.
도 4는 몰드 및 임프린트 재료를 서로 접촉시키는 상태를 도시하는 단면도.
도 5의 (a) 내지 (f)는 몰드와 임프린트 재료 사이의 접촉 영역 그리고 그 주위의 간섭 프린지를 도시하는 도면.
도 6은 간섭 프린지가 접촉 영역의 주위에서 관찰되는 현상을 도시하는 설명도.
도 7의 (a) 내지 (d)는 제1 실시예의 검출된 간섭 프린지, 몰드 및 기판 사이의 접촉 상태를 도시하는 도면.
도 8은 제2 실시예의 검출 유닛을 도시하는 도면.
도 9의 (a) 및 (b)는 몰드 및 평판의 단면도 그리고 제3 실시예의 접촉 상태를 도시하는 도면.

본 발명의 실시예가 상세하게 도면을 참조하여 아래에서 설명될 것이다. 각각의 도면에서, 동일한 부재는 동일한 도면 부호에 의해 표시되어 있고, 중복 설명이 생략되어 있다.

<제1 실시예>

도 1은 제1 실시예의 임프린트 장치(IMP)를 도시하고 있다. 제1 실시예의 임프린트 장치(IMP)는 기판(W)을 보유하도록 구성되는 기판 척(1)(기판 보유 부분) 그리고 몰드(M)를 보유하도록 구성되는 몰드 척(3)(다이 보유 유닛)을 포함한다. 임프린트 장치(IMP)는 몰드 척(3)을 지지하고 이동시키도록 구성되는 몰드 스테이지(4)(몰드 구동 유닛) 그리고 몰드 스테이지(4)에 고정되어 기판(W) 상에 형성된 얼라인먼트 마크[기판측 마크(6)] 그리고 몰드(M) 상에 형성된 얼라인먼트 마크[몰드측 마크(7)]를 검출하도록 구성되는 얼라인먼트 스코프(5)를 추가로 포함한다. 임프린트 장치(IMP)는 기판 척(1)을 지지하고 이동시키도록 구성되는 기판 스테이지(2) 그리고 임프린트 동작을 제어하도록 구성되는 제어 유닛(CNT)을 추가로 포함한다.

얼라인먼트 스코프(5)는 기판(W) 상의 샷 영역 내에 형성된 기판측 마크(6) 그리고 몰드(M)의 패턴(P) 상에 형성된 몰드측 마크(7)를 검출한다. 제어 유닛(CNT)의 계산 유닛(CAL)(상태 검출 유닛)이 얼라인먼트 스코프(5)에 의해 검출된 기판측 마크(6) 및 몰드측 마크(7)의 검출 결과로부터 몰드(M)와 기판(W) 사이의 상대 위치 편차를 얻는다. 제어 유닛(CNT)은 얻어진 상대 위치 편차의 결과를 기초로 하여 기판 스테이지(2) 및 몰드 스테이지(4)를 구동시키고, 몰드(M)와 기판(W) 사이의 상대 위치 편차를 보정한다. 상대 위치 편차는 시프트 성분에 제한되지 않고, 배율 및 회전 성분의 오차를 포함한다. 몰드(M)의 패턴(P)(패턴 영역)의 형상이 기판(W) 상에 형성된 샷 영역과 정합되도록 보정될 수 있다. 기판측 마크(6) 및 몰드측 마크(7)를 검출하는 방법으로서, 2개의 마크 사이의 상대 위치를 반영하는 무아레 신호(moire signal)가 사용될 수 있다. 2개의 마크의 상대 위치는 마크의 각각의 상을 검출함으로써 얻어질 수 있다.

임프린트 장치(IMP)에는 기판(W) 상으로 임프린트 재료(11)를 공급하도록 구성되는 공급 유닛(D)[디스펜서(dispenser)]가 제공된다. 제1 실시예에서, UV-광이 조사됨으로써 경화되는 UV-경화 수지가 임프린트 재료(11)로서 사용되는 경우가 설명될 것이다. 임프린트 장치(IMP)와 상이한 외부 장치로써 임프린트 재료(11)가 공급되는 기판(W)이 임프린팅을 수행하도록 반입되는 경우에, 공급 유닛(D)이 임프린트 장치(IMP) 내에 제공되지 않아도 된다.

임프린트 장치(IMP)는 미러(9), 노광 광(UV-선)(8)을 방사하도록 구성되는 광원(S) 그리고 노광 광과 상이한 파장을 갖는 검출 광(예컨대, 가시 광)을 사용함으로써 샷 영역[패턴(P)]을 관찰하도록 구성되는 검출 유닛(10)을 추가로 포함한다. 미러(9)는 이색성 미러이고, 노광 광(8)을 반사하여 검출 광이 그를 통과하게 하는 성질을 포함한다. 광원(S)으로부터의 노광 광(8)은 미러(9)에 의해 반사되고, 임프린트 재료(11)를 조사한다. 검출 유닛(10)(간섭 프린지 검출 유닛)으로부터의 검출 광(가시 광)은 미러(9), 몰드 스테이지(4) 및 몰드 척(3)을 통과하고, 기판(W) 상의 샷 영역을 조사한다. 샷 영역을 조사하는 가시 광은 기판(W)의 표면 그리고 몰드(M)의 패턴의 표면에 의해 반사되고, 서로 중첩되는 기판(W)으로부터의 반사 광 그리고 몰드(M)로부터의 반사 광을 포함하는 검출 광(간섭 광)으로서 검출 유닛(10)에 의해 검출된다. 검출 광은 간섭 프린지로서 검출 유닛(10)에 의해 검출된다. 임프린트 장치(IMP)는 검출된 간섭 프린지를 사용함으로써 몰드(M)와 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 상태를 관찰한다. 기판 상으로 공급될 임프린트 재료의 액적의 양은 수 pl고, 액적의 직경은 수 ㎛이다. 기판 상으로 공급된 임프린트 재료의 개별 액적이 관련 기술에서와 같이 전개되는 방식을 검출하기 위해, 높은 광학 성능을 갖는 광학 시스템이 스코프(검출 시스템)에 요구된다. 그러므로, 임프린트 장치의 비용 상승이 관련 기술의 구성으로써 초래된다. 그러나, 제1 실시예의 광학 유닛(10)은 간섭 프린지를 검출하는 광학 시스템을 갖기만 하면 되고, 높은 광학 성능을 갖는 높은 비용의 광학 시스템이 요구되지 않는다.

도 2는 제1 실시예의 검출 유닛(10)을 도시하고 있다. 검출 유닛(10)으로부터의 조사 광 그리고 검출 유닛(10)에 의해 검출되는 검출 광이 각각 도 1에서 미러(9), 몰드 스테이지(4) 및 몰드 척(3)을 통과한다. 그러나, 몰드 척(3), 몰드 스테이지(4) 및 미러(9)는 도 2에서 생략되어 있다. 검출 유닛(10)은 몰드(M)[또는 패턴(P)]와 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 상태를 관찰할 수 있는 스코프이다. 검출 유닛(10)은 몰드(M)의 패턴(P)이 전사되는 샷 영역의 전체 또는 일부를 관찰하도록 설계된다. 검출 유닛(10)에는 몰드(M) 및 기판(W)에 가시 광을 조사하도록 구성되는 광원(13)이 제공된다. 광원(13)으로부터의 가시 광은 광학 소자(17)(빔 스플리터)에 의해 반사되고, 렌즈(15)를 통과하고, 조사 광으로서 기판(W)을 조사한다. 기판(W)에 의해 반사된 조사 광은 검출 광으로서 렌즈(15) 및 광학 소자(17)를 통과하고, 촬상 소자(19)(촬상 유닛)에 의해 검출된다. 검출 광에 의해 촬상 소자(19) 상에 형성되는 상을 기초로 하여, 몰드(M)와 기판(W) 사이의 접촉 상태가 관찰될 수 있다.

촬상 소자(19)의 수광면은 임프린트 재료(11)와 접촉된 몰드(M)의 패턴(P) 그리고 기판(W)의 표면에 대해 광학적으로 공역된 표면이고, 렌즈(15)는 수광면 상에 몰드(M)의 패턴(P) 그리고 기판(W)의 표면의 상을 형성하도록 구성된다.

광원(13)으로부터의 조사 광은 가시 광인 것으로 설명되었다. 그러나, 조사 광은 가시 광에 제한되지 않는다. 제1 실시예에서, 검출 유닛(10)은 추후에 설명되는 것과 같이 몰드(M)[의 패턴(P)의 표면]와 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 상태를 관찰하기 위해 간섭 프린지를 검출한다. 그러므로, 간섭 프린지가 광원(13)으로부터 방사될 조사 광으로서 좁은 파장 범위를 갖는 광(단색 광)을 사용함으로써 더 쉽게 검출될 수 있다. 그러나, 검출 광이 좁은 파장 범위를 갖는 것으로 고정될 때에, 검출 광의 가시성이 몰드(M) 또는 기판(W)에서의 간섭 조건으로 인해 손상될 수 있다. 그러므로, 파장이 바람직하게는 변동 가능한 것으로 남겨진다. 촬상 소자(19)에 의해 검출될 수 있는 간섭 프린지가 넓은 파장 범위를 갖는 광(큰 대역폭을 갖는 광)으로써 발생될 수 있으면, 넓은 파장 범위를 갖는 광이 사용될 수 있다.

예컨대, 광원(13)으로부터 방사될 광의 파장은 상이한 파장을 갖는 광을 방사하도록 구성되는 복수개의 LED를 배열하고 간섭 프린지가 최적으로 관찰 가능하게 하는 파장을 갖는 광을 방사하는 LED를 선택함으로써 결정될 수 있다. 넓은 파장 범위를 갖는 광을 방사하도록 구성되는 램프 광으로부터의 광이 추출될 수 있다. 간섭 프린지를 검출하는 데 최적인 파장 범위를 갖는 광이 상이한 대역 주파수를 갖는 복수개의 파장 절단 필터를 제공하고 필요에 따라 파장 절단 필터들 사이에서 스위칭됨으로써 발생된다.

도 3은 몰드(M)의 형상을 보정하(부재를 변형시키)도록 구성되는 보정 기구(16)(변형 유닛)를 도시하고 있다. 보정 기구(16)는 몰드(M)의 패턴의 표면에 평행한 방향으로부터 힘을 가하여 패턴(P)[패턴(P)의 표면]을 변형시키도록 구성된다. 예컨대, 보정 기구(16)의 각각은 몰드(M)의 측면 표면과 접촉되도록 구성되는 접촉 부분(16a) 그리고 도 3에 도시된 것과 같이 몰드(M)의 측면 표면을 향한 또는 몰드(M)의 측면 표면으로부터 멀어지는 방향으로 접촉 부분(16a)을 구동시키도록 구성되는 작동기(16b)를 포함한다. 보정 기구(16)는 각각 몰드(M) 또는 기판(W)에 열을 제공하도록 구성되는 가열 장치를 가질 수 있고, 패턴(P)은 가열 장치를 각각 포함하는 보정 기구(16)에 의해 몰드(M)의 온도를 제어함으로써 변형될 수 있다. 대체예에서, 기판(W)의 샷 영역이 기판(W)의 온도를 제어함으로써 변형될 수 있다. 접촉 부분(16a)은 몰드(M)의 측면 표면을 흡착하는 흡착 기구일 수 있다.

도 4는 몰드(M)(패턴의 표면)가 기판(W)을 향해 돌출되도록 만곡된 상태를 도시하고 있다. 몰드(M)(패턴의 표면)를 만곡시키는 방법으로서, 몰드(M)를 보유하는 몰드 척(3)으로부터 몰드(M)로 압력을 가하는 방법이 예시되어 있다. 몰드(M)와 몰드 척(3) 사이의 공간은 폐쇄 공간이고, 몰드 척(3)에는 공간 내의 압력(공기 압력)을 변동시키도록 구성되는 기구가 제공된다. 제1 실시예의 임프린트 장치는 몰드(M)가 도 4에 도시된 것과 같이 만곡된 상태에서 기판 상의 임프린트 재료(11)와 패턴(P)의 일부를 접촉시킨다. 패턴(P)의 일부가 임프린트 재료(11)와 접촉된 후에, 임프린트 재료(11)가 볼록 형상으로 만곡된 몰드(M)를 평탄화하면서(그 만곡을 해소하면서) 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 표면적을 증가시키도록 패턴(P)의 전체 표면과 접촉된다. 만곡 상태에서 임프린트 재료(11)와 몰드(M)를 접촉시킴으로써, 기포가 패턴(P)의 오목부 내에 거의 잔존될 수 없다.

도 5의 (a) 내지 (f)는 몰드(M)가 만곡 상태에서 임프린트 재료(11)와 접촉된 접촉 상태를 도시하는 도면이다. 도 5의 (a) 내지 (f)는 이물(파티클)이 몰드(M)와 기판(W) 사이에 존재하지 않는 상태를 도시하고 있다. 도 5의 (a), (c) 및 (e)는 각각 임프린트 재료(11)와 패턴(P)을 접촉시킬 때에 검출 유닛(10)의 촬상 소자(19)에 의해 검출되는 관찰 상을 도시하고 있다. 도 5의 (b), (d) 및 (f)는 각각 패턴(P) 및 기판(W)의 단면을 도시하고 있다.

도 5의 (a)는 몰드(M)가 만곡(변형)되고 패턴(P)이 임프린트 재료(11)와 제1 접촉된 상태를 도시하고 있다. 볼록 형상에서의 패턴(P)의 최고 지점이 임프린트 재료(11)와 접촉된다. 이 때에, 검출 유닛(10)에 의해 관찰되는 관찰 상은 패턴(P) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉되는 영역(중심에서의 중실 영역) 그리고 그 주위에서의 광의 간섭에 의해 유발되는 간섭 프린지를 포함한다. 도 5의 (b)는 이 때의 패턴(P) 및 기판(W)의 단면을 도시하고 있다.

패턴(P) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉된 후에 평탄 표면으로 점차로 몰드(M)를 평탄화함으로써, 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 표면적이 증가된다. 도 5의 (c) 및 (e)는 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 표면적이 증가된 상태를 도시하고 있다. 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 표면적이 패턴 부분의 중심으로부터 주변 부분을 향해 균일하게(동심으로) 증가된 상태가 도시되어 있다.

도 5의 (d) 및 (f)는 각각 도 5의 (c) 및 (e)에 대응하는 패턴(P) 및 기판(W)의 단면을 도시하고 있다. 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 표면적은 몰드(M)[패턴(P)]의 만곡이 점차로 평탄화됨에 따라 증가된다는 것이 이해되어야 한다. 패턴(P) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉된 영역의 주위에서 관찰되는 간섭 프린지가 또한 접촉 표면적의 증가에 대응하여 확장된다. 간섭 프린지는 패턴(P)의 표면으로부터 반사된 광과 기판(W)의 표면으로부터 반사된 광 사이의 간섭에 의해 발생된다. 마지막으로, 패턴(P) 및 임프린트 재료(11)는 임프린트 영역(샷 영역)의 전체 표면에 걸쳐 서로 접촉되고, 간섭 프린지는 더 이상 관찰되지 않는다. 패턴(P) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉될 때에, 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 굴절률의 차이가 작으므로, 광이 패턴(P)의 표면에 의해 반사되지 않고, 그에 따라 간섭 프린지가 더 이상 관찰될 수 없다.

광의 간섭으로 인한 간섭 프린지가 접촉 영역의 주위에서 관찰되는 현상이 도 6을 참조하여 설명될 것이다. 몰드(M)가 기판(W)에 대해 만곡되고 임프린트 재료(11)와 접촉(그 상에 압인)될 때에, 검출 유닛(10)으로부터 몰드(M) 및 기판(W)으로 방사되는 조사 광이 기판(W)의 표면에 의해 반사되고, 몰드(M)[패턴(P)]의 기판(W)에 대향되는 표면에 의해 반사된다. 간섭 프린지는 기판(W)으로부터의 반사 광과 몰드(M)로부터의 반사 광 사이의 간섭에 의해 발생된다. 기판 및 몰드(M)의 중심으로부터 그 주변부를 향한 범위 내의 각각의 위치에서의 거리가 d에 의해 표현되고 검출 유닛(10)에서 사용되는 검출 광의 파장이 λ에 의해 표현되고 기판(W)과 몰드(M) 사이의 매체의 굴절률이 n에 의해 표현될 때에, 간섭 프린지의 발생 조건이 다음의 표현식에 의해 표현된다:

[표현식 1]

몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉된 부분에서, 임프린트 재료는 몰드(M)와 기판(W) 사이에 존재한다. 위에서 설명된 것과 같이, 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 굴절률의 차이가 작으므로, 광이 패턴(P)의 표면에 의해 반사되지 않는다. 그러므로, 간섭 프린지가 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉된 영역 내에서 발생되지 않는다. 여러 개의 밝은 링 및 어두운 링이 동심 방식으로 반복되는 뉴턴의 링(Newton's ring)과 유사한 밝은 링 및 어두운 링이 몰드(M)와 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 부분의 주위에서 나타난다. 기판(W)과 몰드(M) 사이의 접촉 상태는 간섭 프린지를 사용함으로써 관찰된다.

접촉 상태의 차이가 도 7의 (a) 내지 (d)를 참조하여 설명될 것이다. 도 7의 (a) 내지 (d)에서의 각각의 도면은 검출 유닛(10)에 의해 촬상된 접촉 영역 그리고 그 주위의 간섭 프린지의 상을 도시하고 있고, 접촉 상태가 임의의 사건으로 인해 도 5의 (a) 내지 (f)에 도시된 접촉 상태(이상적인 접촉 상태)와 상이한 경우를 도시하고 있다.

도 7의 (a)는 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉될 때에 관찰되는 접촉 영역 그리고 그 주위의 간섭 프린지가 타원으로 형성되는 경우를 도시하고 있다. 이것은 만곡된 몰드(M)의 만곡이 수직 방향과 측면 방향 사이에서 상이한 경우를 도시하고 있다. 도 3과 연계하여 설명된 보정 기구(16)에 의한 몰드(M)의 보정량이 수직 방향과 측면 방향 사이에서 상당히 상이하면, 수직 방향으로의 몰드(M)의 곡면의 만곡이 수직 방향과 측면 방향 사이에서 상이할 수 있다. 도 5의 (a), (c) 및 (e)에 도시된 것과 같이, 접촉 영역 그리고 그 주위의 간섭 프린지는 바람직하게는 원에 근접한다. 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 수직 방향 및 측면 방향으로 동일한 만곡으로써 몰드(M)를 가압함으로써 방향에 따라 차이 없이 서로 접촉될 수 있으므로, 패턴의 오목부에는 수지가 쉽게 충전될 수 있다.

따라서, 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉될 때에, 장변(A) 및 단변(B)의 길이가 검출 유닛(10)에 의해 촬상된 타원 간섭 프린지의 상으로부터 얻어진다. 따라서, 타원 형상이 검출될 수 있다. 예컨대, 타원율은 아래에서 주어지는 표현식과 같이 장변(A)에 대한 단변(B)의 비율로부터 얻어질 수 있다. 편평률 및 이심률이 장변 및 단변의 수치로부터 얻어질 수 있다.

[표현식 2]

[표현식 3]

[표현식 4]

몰드(M)의 변형량(만곡량)과 타원 형상 사이의 관계가 미리 얻어지고, 검출 유닛(10)에 의해 검출된 타원 형상과 비교되고, 그에 의해 몰드(M)의 변형량이 얻어질 수 있다. 보정 기구(16)의 보정량은 얻어진 변형량을 기초로 하여 최적화되고, 변형량의 조정이 성취된다. 접촉 상태는 몰드(M)의 변형량을 조정함으로써 보정된다. 기판(W)을 향해 돌출되도록 몰드(M)를 만곡시키기 위해, 몰드(M)의 패턴(P)이 형성되는 표면에 대향된 측면 상의 공간 내에 존재하는 가스의 압력이 조정을 위해 상승된다. 이것은 보정 기구(16)에 의해 가해지는 힘의 차이가 측면 방향과 수직 방향 사이에서 상당하면 몰드(M)의 변형량의 차이가 일어나기 때문이다. 그러므로, 몰드(M)의 변형량의 차이가 2개의 방향으로부터의 보정 기구(16)의 힘을 조정함으로써 조정된다. 그러나, 보정 기구(16)가 조정되면, 중첩의 정밀도(패턴 전사 정밀도)가 영향을 받을 수 있다. 그러므로, 보정 기구(16)에 의한 패턴(P)의 보정량 그리고 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 접촉 시의 만곡량 중 패턴 전사에 더 큰 영향을 미치는 것이 간섭 프린지의 타원율 등에 따라 조정될 수 있다.

도 7의 (b)는 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉될 때에 관찰되는 접촉 영역 그리고 그 주위에서 발생되는 간섭 프린지의 중심이 패턴(P)(샷 영역)의 중심으로부터 이탈된 예를 도시하고 있다. 이것은 몰드(M)의 패턴(P) 그리고 기판(W) 상의 샷 영역이 이탈되거나 몰드(M)가 경사 방식으로 임프린트 재료(11)와 접촉되기 때문일 수 있다. 패턴(P) 그리고 기판(W) 상의 샷 영역이 이탈된 경우에, 접촉 상태는 몰드(M) 및 기판(W) 상의 얼라인먼트 마크를 재차 측정하고 얼라인먼트를 재차 수행함으로써 보정될 수 있다. 몰드(M)가 얼라인먼트 후에도 경사져 있고 간섭 프린지의 중심이 이탈된 경우에, 몰드(M)와 기판(W) 사이의 상대 경사 방향 및 상대 경사량이 간섭 프린지의 중심의 위치 편차의 방향 및 위치 편차량을 기초로 하여 검출된다. 몰드(M) 또는 기판(W)의 경사는 간섭 프린지의 중심이 패턴(P)[또는 기판(W) 상의 샷 영역]의 중심과 정렬되도록 조정된다.

검출 유닛(10)은 접촉 영역 그리고 그 주위의 간섭 프린지와 동시에 샷 영역을 포위하는 스크라이브 라인(scribe line) 또는 몰드(M)의 패턴(P)이 형성되는 영역의 단부의 상을 촬상하도록 구성된다. 샷 영역은 그 상이 촬상되는 스크라이브 라인 또는 몰드(M)의 패턴(P)이 형성되는 영역의 단부로부터 얻어질 수 있다. 샷 영역에 대한 접촉 위치를 특정하는 방법으로서, 접촉 영역을 표시하는 동심 패턴을 갖는 패턴 정합이 검출 유닛(10)에 의해 촬상된 상의 결과를 기초로 하여 수행되고, 그에 의해 접촉 영역의 중심(접촉 위치)이 샷 영역의 중심으로부터 얻어질 수 있다.

간섭 프린지의 중심의 경사량과 위치 편차량 사이의 관계가 계산 또는 실험에 의해 미리 얻어질 수 있고, 그에 의해 보정이 그 관계를 기초로 하여 수행될 수 있다. 몰드(M)를 보유하도록 구성되는 몰드 척(3)에는 몰드(M)의 경사를 조정하도록 구성되는 경사 조정 기구가 제공되고, 그에 의해 경사가 검출 유닛에 의해 촬상된 상의 결과 그리고 미리 얻어진 경사량으로부터 얻어진 중심의 위치 편차량과 간섭 프린지의 중심의 위치 편차량 사이의 관계로부터 보정될 수 있다.

패턴이 도 7의 (c)에 도시된 것과 같이 기판의 주변 부분(모서리를 포함하는 샷 영역)으로 전사될 때에, 부분적으로 누락된 패턴이 기판으로 전사된다. 이러한 경우에, 샷 영역의 중심 또는 그 무게 중심의 위치(도 7의 (c)에서, 위치 C), 또는 기판의 중심 근처의 부분(도 7의 (c)에서, 위치 C') 등의 특정 위치로부터 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉되게 하기 위해 몰드(M)가 일부러 경사져 있는 경우가 있다. 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 특정 위치에서 먼저 서로 접촉되는 지는 간섭 프린지가 발생되는 위치로부터 점검될 수 있다. 이러한 방식으로, 검출 유닛(10)이 접촉 영역 그리고 그 주위에서 발생되는 간섭 프린지의 중심의 위치(간섭 프린지의 위치)를 검출하고, 그에 의해 접촉 상태로서의 접촉 위치의 보정이 가능해진다.

도 7의 (d)에서, 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)가 서로 접촉될 때에 관찰되는 접촉 영역 그리고 그 주위에서 발생되는 간섭 프린지는 원 형상으로부터 변형된 형상(변형 형상)을 갖는다. 이것은 기포 또는 이물(파티클)이 몰드(M)와 기판(W) 사이에 존재하기 때문일 수 있다. 통상적으로, 기판(W)과 몰드(M) 사이의 거리 d(도 6)는 몰드(M)의 경사(변형량)에 의해 연속적으로 결정된다. 그러므로, 접촉 영역 그리고 그 주위의 간섭 프린지가 도 5의 (a) 내지 (f)에 도시된 것과 같이 동심 방식으로 샷 영역의 중심으로부터 주변 부분으로 확장된다. 그러나, 간섭 프린지는 몰드(M)와 기판(W) 사이에 존재하는 기포 또는 이물로 인해 동심원 형상을 가질 수 없다.

동심원 형상으로부터 변형된 간섭 프린지를 검출하는 방법은 몰드(M) 및 임프린트 재료(11)를 서로 접촉시킬 때에 검출 유닛(10)에 의해 검출되는 접촉 영역 또는 간섭 프린지의 상으로부터 경계부 상의 접선의 경사를 얻는 방법을 포함한다. 도 5의 (a) 내지 (f)에 도시된 통상의 상태에서, 접촉 영역을 표시하는 원 형상 그리고 간섭 프린지의 형상의 접선의 경사는 변화되지 않는다. 접촉 영역 또는 간섭 프린지의 일부가 도 7의 (d)에 도시된 것과 같이 동심원 형상으로부터 변형된 때에, 얻어진 접선의 경사가 그에 따라 변화된다. 변화가 적용된 부분이 간섭 프린지의 변형으로서 인식될 수 있다. 도 5의 (a) 내지 (f)에 도시된 것과 같은 통상의 패턴 전사 시의 간섭 프린지의 변화를 미리 얻고 모든 패턴 전사 시의 변화를 비교하는 것이 또한 가능하다. 동심원 형상으로부터의 간섭 프린지의 변형이 감지되므로, 통상의 샷에서 얻어진 간섭 프린지로부터의 차이의 계산이 가능하다. 모든 패턴 전사 시의 패턴과의 비교에 의해, 접촉 상태 즉 임프린트 재료가 패턴이 제1 접촉으로부터 형성되는 영역에 걸쳐 전개되는 데 요구되는 시간(전개 시간)이 얻어질 수 있다. 도 5의 (a) 내지 (f)에 도시된 통상의 패턴 전사 시의 접촉의 시작으로부터 소정의 시간이 경과된 후의 접촉 영역의 크기가 미리 얻어질 수 있다. 그러므로, 제1 접촉 후에 소정의 시간이 경과된 때에 검출 유닛에 의해 촬상된 상의 결과 그리고 미리 얻어진 패턴이 비교되고, 접촉 영역이 확장되는 데 요구되는 시간이 짧은 지 또는 긴 지가 통상의 패턴 전사 시의 시간에 대한 크기의 차이로부터 얻어질 수 있다. 기포가 몰드와 기판 사이에 잔존하면, 불량 전사 패턴이 초래된다. 그러므로, 대응 샷 영역이 불량 샷으로 된다. 불량 샷의 가능성이 미리 지적될 수 있으므로, 대응 샷 영역이 임프린트 공정 후의 불량 검사에서 집중적으로 검사될 수 있다. 이물이 이들 사이에 존재하면, 몰드(M)가 손상될 수 있고, 예컨대, 패턴(P)이 몰드(M)에 부착된 이물에 의해 파손될 수 있다. 이물이 몰드(M)에 부착된 상태로 패턴이 또 다른 샷 영역으로 전사되면, 불량 전사 패턴이 반복적으로 일어날 수 있다.

그러므로, 검출 유닛(10)에 의해 검출된 접촉 영역 그리고 그 주위의 간섭 프린지가 도 7의 (d)에 도시된 것과 같이 동심원 형상으로부터 변형된 때에, 임프린트 공정이 바람직하게는 몰드(M) 또는 기판(W)에 대한 손상을 피하기 위해 바로 정지된다. 그러나, 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 접촉으로부터 임프린트 재료(11)로써의 패턴(P)의 전체 표면의 충전까지의 공정이 매우 짧은 시간 내에 수행되므로, 임프린트 공정이 정지될 수 없는 경우가 있을 수 있다.

그러므로, 임프린트 공정이 접촉 도중에 정지될 수 없을 때에, 이물이 몰드(M)를 교체하고 패턴 전사 후에 세정됨으로써 제거될 것이 필요하다. 몰드(M)의 패턴(P)이 파손될 가능성이 있으므로, 패턴(P)의 검사가 또한 요구된다. 검출 유닛(10)에 의해 접촉 상태를 검출함으로써, 위에서 설명된 것과 같은 몰드(M)의 세정 또는 패턴(P)의 검사의 필요성이 발견될 수 있다.

경우에 따라, 몰드(M) 또는 기판(W)이 이물의 존재에 의해 국부적으로 만곡될 수 있고 간섭 프린지가 이물 주위에서 발생될 수 있으므로, 이물이 이러한 현상을 사용함으로써 검출될 수 있다. 나아가, 기판 상으로 공급(도포)된 임프린트 재료의 상태는 간섭 프린지가 확장되는 방식을 관찰함으로써 검출될 수 있다. 임프린트 재료의 공급량이 클 때에, 몰드(M)와 기판(W) 사이의 거리가 증가되고, 임프린트 재료의 공급량이 작을 때에, 몰드(M)와 기판(W) 사이의 거리가 작다. 발생된 간섭 프린지는 몰드(M)와 기판(W) 사이의 거리에 따라 상이하다. 그러므로, 간섭 프린지의 차이를 관찰함으로써, 기판(W) 상으로 공급된 임프린트 재료(11)의 양이 크거나 작은 경우가 검출되어 임프린트 재료(11)의 공급량 또는 공급(분포) 위치를 조정할 수 있다.

위에서 설명된 동작으로부터, 몰드(M)와 기판(W) 사이의 접촉 상태가 패턴(P)과 임프린트 재료(11) 사이의 접촉과 관련하여 발생될 수 있는 간섭 프린지를 검출함으로써 검출될 수 있다. 검출될 수 있는 접촉 상태의 예는 몰드(M)의 만곡량, 몰드(M)와 기판(W) 사이의 상대 위치, 이들 사이의 접촉 위치, 이물의 존재 또는 부존재, 임프린트 재료의 공급량 그리고 공급 위치를 포함한다.

<제2 실시예>

이물이 몰드(M)와 기판(W) 사이에 존재할 때의 검출 방법으로서, 또 다른 실시예가 설명될 것이다. 제2 실시예에서, 편광 광이 접촉 상태를 관찰하는 조사 광으로서 사용되는 경우가 설명될 것이다.

제2 실시예가 도 8을 참조하여 설명될 것이다. 도 8은 검출 유닛(20) 그리고 몰드(M) 및 기판(W)의 단면을 도시하고 있다. 광원(13)으로부터의 광(조사 광)이 광학 소자(17)[하프 미러(half mirror)]에 의해 반사되고 렌즈(15)를 통과하여 몰드(M) 그리고 기판(W)의 패턴(P)을 조사한다. 이 때에, 광원(13)으로부터의 광(투과 광)은 편광 소자(14)를 통과하고, 그에 의해 종이 표면에 평행한 편광 방향을 갖는 광만이 그에 통과될 수 있다. 몰드(M) 또는 기판(W)으로부터 반사된 광(검출 광)이 렌즈(15)를 통과하고, 광학 소자(17)를 통과하고, 촬상 소자(19)에 의해 검출된다.

제2 실시예에서, 촬상 소자(19)는 편광 소자(18)를 통과하는 광학 소자(17)를 통과한 검출 광의 일부만을 검출한다. 편광 소자(18)는 편광 소자(14)를 통과하는 광의 편광 방향에 직교하는 방향으로 광을 편광시키도록 배열된다. 편광 소자(14)를 통과한 광의 편광 방향이 변화를 갖지 않으면, 검출 광이 편광 소자(18)를 통과하지 못하고, 그에 따라 촬상 소자(19)에 의해 검출되지 않는다.

이물이 기판(W)과 몰드(M) 사이에 존재하면, 응력 복굴절(stress birefringence)이 몰드(M)의 변형(strain)에 따라 일어날 수 있다. 몰드(M)의 복굴절의 발생에 의해, 몰드를 통과하는 편광 광이 산란된다(편광 방향이 변화된다). 그러므로, 몰드(M)의 변형이 조사 광으로서 편광 광을 사용함으로써 검출될 수 있다.

이물이 기판(W)과 몰드(M) 사이에 존재하지 않고 변형이 몰드(M) 상에서 발생되지 않으면, 편광 소자(14)를 통과한 후의 광의 편광 방향이 변화되지 않는다. 편광 소자(18)가 검출 광의 편광에 직교하므로, 검출 광이 편광 소자(18)를 통과하지 못하고, 촬상 소자(19) 내로 진입하지 못한다.

그러나, 이물이 기판(W)과 몰드(M) 사이에 존재하면, 몰드(M)가 변형되고, 응력 복굴절이 일어나고, 그에 의해 편광 소자(14)를 통과한 광의 편광 방향이 변화된다. 복굴절에 의해 변화된 편광 방향을 갖는 광이 편광 소자(18)를 통과하므로, 몰드(M)로부터의 검출 광이 촬상 소자(19)에 의해 관찰될 수 있다. 몰드(M)와 기판(W) 사이의 접촉 상태가 편광 광을 사용함으로써 검출될 수 있고, 이물이 몰드(M)와 기판(W) 사이에 존재하는 지가 검출될 수 있다.

광학 소자(17) 및 편광 소자(18)는 일체로 형성될 수 있다. 광학 소자(17)로서 소위 편광 빔 스플리터를 배열함으로써, 편광 소자(18)의 기능이 제공될 수 있고, 위에서-설명된 편광 방향을 기초로 하는 반사 및 투과의 관계가 구축될 수 있다.

<제3 실시예>

기판(W) 상에 부착된 이물을 검출하는 방법이 도 9의 (a) 및 (b)를 참조하여 설명될 것이다. 기판(W) 상에 부착된 이물이 제3 실시예에서 임프린트 공정 전에 기판(W)에 대해 그 상에 형성된 패턴을 갖지 않는 평판(21)[검사 보드(inspection board)]을 가압함으로써 검출된다.

임프린트 공정에서, 이물이 몰드(M)와 기판(W) 사이에 존재하면, 몰드(M) 상에 형성된 패턴의 파손 또는 몰드(M)의 오염이 일어날 수 있다. 그러므로, 이물이 임프린트 공정 시에 기판(W) 상에 존재하지 않는 것이 바람직하다. 그러므로, 도 9의 (a)에 도시된 것과 같이, 그 상에 형성된 패턴을 갖지 않는 평판(21)이 임프린트 공정 전에 기판(W)에 대해 가압된다. 이 때에, 제1 실시예 및 제2 실시예와 동일한 방식으로, 평판(21)이 만곡된 형상으로 기판(W)과 접촉되고, 만곡된 평판(21)이 평판(21)을 평탄 형상으로 회복되게 하면서(그 만곡을 해소하면서) 평판(21)과 기판(W) 사이의 접촉 표면적을 증가시키도록 기판(W)과 접촉된다. 평판(21)은 기판(W)과 접촉되기 전에 세정이 수행되도록 기판과 접촉될 표면 상의 이물로부터 자유로울 것이 필요하다.

이러한 방식으로, 이물이 기판 상에 존재하는 지가 기판(W)과 평판(21)을 접촉시키고 간섭 프린지를 검출함으로써 검출될 수 있다. 도 9의 (b)는 이물이 기판(W) 상에 부착된 때에 검출 유닛(10)에 의해 검출되는 간섭 프린지의 상태를 도시하고 있다. 이물이 평판(21)과 기판(W) 사이에 부착되어 있으므로, 접촉 영역이 동심 방식으로 확장되지 않는다. 접촉 영역의 주위의 간섭 프린지가 또한 동심원 형상으로부터 변형된다.

이물이 기판(W) 상에 존재하는 것으로 가정하면, 패턴이 평판(21)(검사 보드) 상에 형성되지 않으므로, 평판(21)이 쉽게 변화될 수 있다. 기판(W)이 평판(21)과 기판(W) 사이의 직접 접촉에 의해 손상될 수 있을 때에, 평판(21)이 기판(W) 상으로 적절한 액체를 공급한 후에 기판(W)과 접촉될 수 있다.

제3 실시예에서 설명된 것과 같이, 기판(W) 상으로의 이물의 부착이 평판(21)을 사용함으로써 평판(21)과 기판(W) 사이의 접촉 영역 또는 그 주위의 간섭 프린지를 검출함으로써 임프린트 공정 전에 검출될 수 있다.

위에서 설명된 실시예들 중 임의의 실시예에서, 기판(W) 상에 부착된 이물의 존재가 발견될 때에, 기판(W) 상의 이물을 제거하는 공정이 수행될 수 있거나, 기판(W) 상의 이물의 위치가 기억될 수 있다. 기판 상의 이물의 제거가 실패되면, 임프린트 공정은 이물이 부착된 기판(W) 상의 영역과 몰드(M)의 패턴(P)을 접촉시키지 않도록 수행된다.

위에서 설명된 실시예들 중 임의의 실시예에서, 임프린트 재료가 광(UV-광)을 조사함으로써 경화되는 임프린트 방법인 광경화 방법이 설명되었다. 그러나, 본 발명은 광경화 방법을 기초로 하는 임프린트 방법에 제한되지 않는다. 공지된 임프린트 방법의 예는 광경화 방법에 추가하여 열 사이클 방법을 포함한다. 열-사이클 방법에서, 열가소성 수지가 유리-전이 온도 이상의 온도까지 가열되고, 몰드가 수지의 유동성이 상승된 상태에서 수지의 개재에 의해 기판에 대해 가압되고, 몰드가 냉각된 후의 수지로부터 분리되고, 그에 의해 패턴이 형성된다. 본 발명에서, 기판 및 몰드로 공급된 임프린트 재료가 서로 접촉되는 접촉 영역 또는 그 주위에서 발생되는 간섭 프린지가 임프린트 공정 중에 검출 유닛(10)에 의해 검출될 수 있기만 하면, 열 사이클 방법을 사용하는 임프린트 방법이 또한 적용 가능하다.

<물품 제조 방법>

물품으로서 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액정 디스플레이 소자 등)를 제조하는 방법은 위에서 설명된 임프린트 장치를 사용함으로써 기판(웨이퍼, 유리 판 및 필름 웨이퍼) 상에 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 추가로, 위에서 설명된 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 식각하는 공정을 포함할 수 있다. 패터닝된 매체(기록 매체), 광학 소자 등의 다른 물품을 제조하는 경우에, 제조 방법은 식각 공정 대신에 패턴이 형성된 기판을 기계 가공하는 다른 공정을 포함할 수 있다. 본 실시예의 물품을 제조하는 방법은 관련 기술의 방법에 비해 물품의 성능, 품질, 생산성 및 제조 비용 중 적어도 하나 면에서 유리하다.

본 발명이 예시 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시 실시예에 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 다음의 특허청구범위의 범주는 모든 이러한 변형 그리고 등가의 구조 및 기능을 망라하도록 가장 넓은 해석과 일치되어야 한다.

M: 몰드
P: 패턴
W: 기판
10: 검출 유닛
11: 임프린트 재료
13: 광원
15: 렌즈
17: 광학 소자
19: 촬상 소자

Claims

몰드가 기판에 대하여 볼록한 형상으로 변형된 상태에서 상기 몰드와 상기 기판을 서로 접근시키고, 상기 기판 상의 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴을 서로 접촉시킴으로써 임프린트 재료의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 방법으로서,
상기 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴의 일부를 접촉시킨 다음에 상기 몰드의 패턴과 상기 임프린트 재료 사이의 접촉 표면적이 증가되도록 상기 임프린트 재료와 상기 패턴을 접촉시키는 단계와;
상기 기판에 대향하는 상기 몰드의 표면으로부터의 반사 광 및 상기 기판으로부터의 반사 광에 의해 발생되고, 상기 몰드와 상기 임프린트 재료가 서로 접촉하는 영역의 주위에 생성되는 간섭 프린지를 검출하는 단계와;
상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간에 따라 변하는 상기 간섭 프린지의 타원형 간섭 프린지의 장변 및 단변의 각각의 길이를 취득하고, 장변의 길이 및 단변의 길이로부터 타원율, 편평률 및 이심률 중 하나 이상을 취득함으로써 상기 몰드의 변형을 검출하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
기판 상의 임프린트 재료와 몰드의 패턴을 서로 접촉시킴으로써 임프린트 재료의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 방법으로서,
상기 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴의 일부를 접촉시킨 다음에 상기 몰드의 패턴과 상기 임프린트 재료 사이의 접촉 표면적이 증가되도록 상기 임프린트 재료와 상기 패턴을 접촉시키는 단계와;
상기 기판에 대향하는 상기 몰드의 표면으로부터의 반사 광 및 상기 기판으로부터의 반사 광에 의해 발생되고, 상기 몰드와 상기 임프린트 재료가 서로 접촉하는 영역의 주위에 생성되는 간섭 프린지를 검출하는 단계와;
상기 간섭 프린지의 형상의 동심원 형상으로부터의 변형을 검출함으로써 상기 몰드와 상기 기판 사이의 파티클(particle)을 검출하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
제2항에 있어서,
상기 몰드와 상기 기판 사이에 상기 파티클이 존재한다는 사실을 검출할 때에, 상기 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시키는 동작을 정지하는, 임프린트 방법.
제2항에 있어서,
상기 몰드가 상기 기판을 향해 돌출되는 볼록 형상으로 변형된 상태에서 상기 몰드 및 상기 기판을 서로를 향해 이동시킴으로써 상기 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴의 일부를 접촉시키는, 임프린트 방법.
기판 상의 임프린트 재료와 몰드의 패턴을 서로 접촉시킴으로써 임프린트 재료의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 방법으로서,
상기 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴의 일부를 접촉시킨 다음에 상기 몰드의 패턴과 상기 임프린트 재료 사이의 접촉 표면적이 증가되도록 상기 임프린트 재료와 상기 패턴을 접촉시키는 단계와;
상기 몰드의 패턴으로부터의 반사 광 및 상기 기판으로부터의 반사 광에 의해 발생되고, 상기 몰드의 패턴과 상기 임프린트 재료 사이의 접촉 표면적이 증가됨에 따라 변화되는 간섭 프린지를 검출하는 단계와;
상기 몰드의 패턴의 일부 및 상기 임프린트 재료가 샷 영역과 접촉되도록 상기 몰드가 경사진 상태에서, 상기 몰드의 패턴의 일부가 전사되고 상기 기판의 모서리를 포함하는 상기 기판 상의 상기 샷 영역으로 패턴을 전사할 때에, 상기 간섭 프린지에 기초하여 상기 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴이 접촉하는 위치를 검출하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
기판 상의 임프린트 재료와, 몰드의 패턴을 서로 접촉시킴으로써 임프린트 재료의 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 방법으로서,
상기 임프린트 재료와 상기 몰드의 패턴의 일부를 접촉시킨 다음에 상기 몰드의 패턴과 상기 임프린트 재료 사이의 접촉 표면적이 증가되도록 상기 임프린트 재료와 상기 패턴을 접촉시키는 단계와;
상기 몰드에 편광 광을 조사하는 단계와;
상기 몰드의 패턴과 상기 임프린트 재료를 서로 접촉시킬 때에 상기 몰드를 통과한 편광 광을 검출하는 단계와;
상기 기판과 상기 몰드 사이에 파티클이 존재하는 경우 상기 몰드의 변형에 의한 복굴절의 생성에 의해 발생되는 상기 편광 광의 편광 방향의 변화를 검출함으로써 상기 몰드와 상기 기판 사이의 파티클을 검출하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
제6항에 있어서,
상기 몰드와 상기 기판 사이에 상기 파티클이 존재한다는 사실을 검출할 때에, 상기 임프린트 재료와 상기 몰드를 접촉시키는 동작을 정지하는, 임프린트 방법.
디바이스 제조 방법으로서,
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 방법을 사용함으로써 기판 상의 임프린트 재료 상에 패턴을 형성하는 단계와;
상기 디바이스를 제조하기 위하여 상기 임프린트 재료 상에 형성된 패턴을 사용함으로써 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.