JP6263450B2 - 有機単分子膜形成方法 - Google Patents
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Description
前記被処理体に対し、その表面に、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトを存在させる表面処理を行う工程と、
前記表面処理後の被処理体の近傍に前記有機単分子膜材料を含むガスを供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程と
を有し、
前記有機単分子膜は、自己組織化単分子膜であり、
前記表面処理により、第1の有機単分子膜材料の結合サイトが存在する領域と第2の有機単分子膜材料の結合サイトが存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第1の有機単分子膜材料を含むガスを供給して1回目の有機単分子膜を形成し、引き続き第2の有機単分子膜材料を含むガスを供給して2回目の有機単分子膜を形成し、前記表面処理を行う工程は、水素を含むプラズマにより、用いようとする有機単分子膜材料の官能基の種類に基づいて被処理体表面のHの量およびOの量を制御することを特徴とする有機単分子膜形成方法を提供する。
前記被処理体に対し、その表面に、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトを存在させる表面処理を行う工程と、
前記表面処理後の被処理体の近傍に前記有機単分子膜材料を含むガスを供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程と
を有し、
前記有機単分子膜は、自己組織化単分子膜であり、
前記表面処理により、第1の有機単分子膜材料の結合サイトが存在する領域と第2の有機単分子膜材料の結合サイトが存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第1の有機単分子膜材料を含むガスと前記第2の有機単分子膜材料を含むガスを一度に供給して有機単分子膜を形成し、
前記表面処理を行う工程は、水素を含むプラズマにより、用いようとする有機単分子膜材料の官能基の種類に基づいて被処理体表面のHの量およびOの量を制御することを特徴とする有機単分子膜形成方法を提供する。
<有機単分子膜形成装置>
最初に、本発明の一実施形態に係る有機単分子膜の形成方法を実施するための有機単分子膜形成装置の一例について説明する。
次に、上記有機単分子膜形成装置を用いた有機単分子膜形成方法について説明する。図4は、本実施形態に係る有機単分子膜形成方法を示すフローチャートである。
次に、上記有機単分子膜形成方法の中で特に重要な基板の表面処理について詳細に説明する。
SAMを形成するに当たっては、SAM材料として、基板の表面と化学結合を形成する結合サイトを有する有機分子からなるものを用いる。
R′−Si(O−R)3+H2O⇒R′−Si(OH)3+ROH (1)
R′−Si(OH)3+SiO(表面)⇒R′−SiO+Si(表面)+H2O (2)
R′−CH=CH2+Si−H⇒R′−CH2−CH−Si (3)
超高真空(1×10−6Pa以下)の真空チャンバに水素ガスを1×10−4Pa程度供給し、熱電子あるいはプラズマで水素分子を水素原子に解離させて水素原子を基板表面に吸着させる。
真空引きの際に、水素をキャリアガスとして流すことでチャンバの大気を水素ガスに置換して水素雰囲気の真空状態を作成し、この雰囲気中で基板を400℃程度に加熱し、水素を基板表面に吸着させる。
次に、実験例について説明する。
ここでは、少なくとも表面部分がSiとOとのネットワーク構造を有する基板としてSiO2基板(ガラス基板)を準備し、このSiO2基板に、Ar/H2ガスのプラズマを照射して基板の表面処理を行った。このプラズマ処理の有無による表面状態をTOF−SIMSマススペクトルにて確認した。図9は、その際のTOF−SIMSマススペクトルのマスナンバー30付近を示す図であり、(a)は未処理のもの、(b)はプラズマ処理を行ったものである。(a)のように未処理では、Siの同位体である30Siのピークだけが見られるが、(b)のようにプラズマ処理後では30Siの他にSiH2(29.99amu)の信号が見られる。これらのスペクトルから、水素を含むプラズマを照射することにより、基板表面部分にSi−H結合が形成されたことがわかる。
次に、実験例1の表面処理を施した基板に、SAM材料として、末端にCの二重結合を有する化合物であるCH2=CH−(OCF2CF2)nを用いてSAMを形成した(サンプルA)。−(OCF2CF2)nはパーフルオロエーテル(PFE)であり、防汚膜として利用されるものである。比較のため、プラズマ処理を行わずに、希フッ酸(DHF)洗浄を行っただけのSiO2基板に、SAM材料として、シランカップリング剤である(OCH3)3−Si−(OCF2CF2)nを用いてSAMを形成した(サンプルB)。(OCH3)3−Si−(OCF2CF2)nは、分子中にPFEを含み、防汚膜形成用として従来から用いられているものである。
ここでは、種々の表面処理を行ったSiO2基板に対し、SAM材料として、シランカップリング剤であるダイキン工業株式会社性のオプツールを用いてSAMを形成し、サンプルC〜Hを作製した。サンプルC〜Hの作製に用いた基板は以下のとおりである。
サンプルC:表面をDHF洗浄したSiO2基板
サンプルD:Arガスのみで生成されたプラズマにより表面処理したSiO2基板
サンプルE:ArガスとH2ガスを用いて生成されたプラズマにより表面処理したSiO2基板
サンプルF:ArガスとO2ガスを用いて生成されたプラズマにより表面処理したSiO2基板
サンプルG:ArガスとH2ガスとO2ガスを用いて生成されたプラズマにより表面処理したSiO2基板
サンプルH:ArガスとH2ガスとO2ガスを用いて生成されたプラズマにより表面処理したSiO2基板(サンプルGよりもO2ガス流量を増加)
次に、SiO2基板にDHF洗浄のみを行ってプラズマ処理を行わずに、SAM材料として、シランカップリング剤であるオプツールを用いてSAMを形成したサンプル(サンプルI)と、SiO2基板にArガスとH2ガスとO2ガスを用いてチャンバー内圧力を6.7Paとした条件でプラズマ処理(処理A)した後、同様にSAMを形成したサンプル(サンプルJ)と、SiO2基板にArガスとH2ガスとO2ガスを用いて処理Aとは異なり、チャンバー内圧力を100Paとした条件でプラズマ処理(処理B)した後、同様にSAMを形成したサンプル(サンプルK)とについて、上記SWテストにより摩耗耐久性試験を行った。その結果を図11に示す。この図に示すように、未処理のサンプルIでは、イニシャルの接触角が70degと不十分であったのに対し、ArガスとH2ガスとO2ガスによるプラズマ処理を施したサンプルJ、Kは、摩耗耐久性が極めて高いことが把握され、高密度のSAMが得られていることを示唆している。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、基板の表面処理として主に水素を含むプラズマ処理を用い、膜形成材料としてシランカップリング剤および末端に炭素の二重結合を有する化合物を用いた例について説明したが、基板の表面処理および膜形成材料は、基板の表面状態が、用いる膜形成材料との結合サイトが高密度で存在するような状態となるものであれば、特に限定されない。
200;表面処理部
201;チャンバ
202;基板ホルダ
203;プラズマ生成部
204;排気機構
300;有機単分子膜形成部
301;チャンバ
302;基板ホルダ
303;SAM材料供給系
304;排気系
400;基板搬送部
500;基板搬入出部
600;制御部
S;基板
Claims (5)
- 少なくとも表面部分がSiとOとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、
前記被処理体に対し、その表面に、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトを存在させる表面処理を行う工程と、
前記表面処理後の被処理体の近傍に前記有機単分子膜材料を含むガスを供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程と
を有し、
前記有機単分子膜は、自己組織化単分子膜であり、
前記表面処理により、第1の有機単分子膜材料の結合サイトが存在する領域と第2の有機単分子膜材料の結合サイトが存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第1の有機単分子膜材料を含むガスを供給して1回目の有機単分子膜を形成し、引き続き前記第2の有機単分子膜材料を含むガスを供給して2回目の有機単分子膜を形成し、
前記表面処理を行う工程は、水素を含むプラズマにより、用いようとする有機単分子膜材料の官能基の種類に基づいて被処理体表面のHの量およびOの量を制御することを特徴とする有機単分子膜形成方法。 - 少なくとも表面部分がSiとOとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、
前記被処理体に対し、その表面に、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトを存在させる表面処理を行う工程と、
前記表面処理後の被処理体の近傍に前記有機単分子膜材料を含むガスを供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程と
を有し、
前記有機単分子膜は、自己組織化単分子膜であり、
前記表面処理により、第1の有機単分子膜材料の結合サイトが存在する領域と第2の有機単分子膜材料の結合サイトが存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第1の有機単分子膜材料を含むガスと前記第2の有機単分子膜材料を含むガスを一度に供給して有機単分子膜を形成し、
前記表面処理を行う工程は、水素を含むプラズマにより、用いようとする有機単分子膜材料の官能基の種類に基づいて被処理体表面のHの量およびOの量を制御することを特徴とする有機単分子膜形成方法。 - 前記第1の有機単分子膜材料および前記第2の有機単分子膜材料のいずれかは、末端にCの二重結合を有する化合物であり、前記表面処理は、水素を含み酸素を含まないプラズマを用いて行われ、このプラズマにより、被処理体表面に、前記末端にCの二重結合を有する化合物の結合サイトとして機能するSi−H結合が形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機単分子膜形成方法。
- 前記第1の有機単分子膜材料および前記第2の有機単分子膜材料のいずれかは、シランカップリング剤であり、前記表面処理は、水素および酸素を含むプラズマを用いて行われ、このプラズマにより、被処理体表面にシランカップリング剤の結合サイトとして機能するSi−H結合およびO−H結合が形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機単分子膜形成方法。
- 前記表面処理を行う工程は、前記有機単分子膜を形成する工程により形成される前記有機単分子膜における水の接触角が100deg以上となる程度の密度となるように前記有機単分子膜材料の結合サイトが形成されるように行われることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の有機単分子膜形成方法。
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