JP5145052B2 - 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 91
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 266
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 266
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 222
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 178
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 128
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 102
- HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L copper;diformate Chemical compound [Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 101
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 92
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 67
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 52
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 40
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 11
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 11
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 claims description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 154
- 239000010408 film Substances 0.000 description 148
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 107
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 6
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- -1 cupric formate Chemical class 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- FSGSLHGEFPNBBN-UHFFFAOYSA-M copper(1+);formate Chemical compound [Cu+].[O-]C=O FSGSLHGEFPNBBN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- TZNFGOYNQQEGJT-UHFFFAOYSA-L copper;diformate;dihydrate Chemical compound O.O.[Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O TZNFGOYNQQEGJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NOHDJXFJXJZYGO-UHFFFAOYSA-L copper;diformate;hydrate Chemical compound O.[Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O NOHDJXFJXJZYGO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- COUNCWOLUGAQQG-UHFFFAOYSA-N copper;hydrogen peroxide Chemical compound [Cu].OO COUNCWOLUGAQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 1
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Description
2Cu(OCHO)2 → 2Cu(OCHO)+CO+CO2+H2O……(1)
第一蟻酸銅は、非特許文献3に報告されているように、非常に熱分解しやすい物質であるため、低温で以下の(2)式に示す反応式により第一蟻酸銅から容易にCu薄膜が成膜される。
2Cu(OCHO) → 2Cu +2CO2 + H2 ……(2)
この方法によれば、配位子であるフォルメート基(OCHO)はCO2やH2に熱分解して排気されやすいためにCu膜中に取り込まれ難い。そのため不純物を含まない、高純度のCu膜が生成されやすい。しかし、一般に固体原料から気化させたものをキャリアガスで運ぶ方法は、減圧下での固体原料容器内部の熱伝導状態に大きく影響され、安定した供給が難しい。また、固体原料容器内部で原料の第二蟻酸銅が熱分解してしまい、そこでCuが成膜されてしまう。つまり、原料の劣化が起こりやすい。
また、このような方法を実行させるプログラムが記憶された記憶媒体を提供することを目的とする。
まず、本発明の第1の実施形態に係る成膜方法について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る成膜方法の概念を説明するための模式図である。
このときエネルギーとしては典型的には熱エネルギーを用いる。熱エネルギーは通常の成膜装置に用いられている抵抗発熱体や加熱ランプ等により与えることができるので適用が容易である。
まず、上記第1の実施形態の具体例について説明する。ここでは、2価のカルボン酸金属塩とカルボン酸から1価のカルボン酸金属塩を形成する典型例として、第二蟻酸銅と蟻酸とを用いて第一蟻酸銅を形成する例を挙げ、これを基板としての半導体ウエハに供給し、エネルギーを与えて金属膜として銅膜を形成する場合について説明する。
図5に示す成膜装置は、例えばアルミニウムなどにより円筒状あるいは箱状に成形されたチャンバ11を有しており、チャンバ11の内部には、被処理体である半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)Wを水平に支持するためのサセプタ12がその中央下部に設けられた円筒状の支持部材13により支持された状態で配置されている。サセプタ12にはヒーター14が埋め込まれており、このヒーター14はヒーター電源15から給電されることにより被処理基板であるウエハWを所定の温度に加熱する。なお、サセプタ12はセラミックス例えばAlNで構成することができる。
2Cu(II)(HCOO)2+HCOOH→2Cu(I)(HCOO)+2H2+3CO2…(3)
なお、第二蟻酸銅の結晶水を除去せずに、反応容器35へ蟻酸ガスを供給するようにしてもよい。また、蟻酸の供給に関しては、液体状の蟻酸を気化器に供給し、そこでガス状にしてもよいし、蟻酸を液体状のまま反応室に供給して上記反応を生じさせることもできる。
まず、ゲートバルブ28を開にして、ウエハWを搬入出口27からチャンバ11内に搬入し、サセプタ12上に載置する。排気装置26により排気口24および排気管25を介してチャンバ11内を排気することによりチャンバ11内を所定の圧力にする。
この成膜装置は、サセプタ上のウエハを加熱する機構および排気経路が図5の装置と異なっており、その他の構成は基本的に図5の装置と同じであるので、同じ部材については同じ符号を付して説明を省略する。
図7に示す成膜装置は、図5の成膜装置において、サセプタ12にヒーターを設ける代わりにチャンバ11の上部にランプ加熱ユニット50を設け、シャワーヘッドを設ける代わりにチャンバ11の天壁にガス導入口71を設け、その内面にヒーター71aを設けている。その他の構成は基本的に図5と同じであり、図5と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
この成膜装置は、反応容器35内に装入される原料が図5の装置と異なっており、また、蟻酸の供給機構が設けられていない点が図5の装置と異なっているが、その他の構成は基本的に図5の装置と同じであるので、同じ部材については同じ符号を付して説明を省略する。
Cu(II)(HCOO)2+Cu→2Cu(I)(HCOO)…(4)
なお、第二蟻酸銅の結晶水を除去せずに、このような反応が生じる温度に上昇させるようにしてもよい。
2;1価のカルボン酸金属塩膜
3;金属膜
11;チャンバ
12;サセプタ
14;ヒーター
19;冷媒流路
20;シャワーヘッド
20a,35a,37a,71a;ヒーター
22;シャワープレート
31;蟻酸貯留容器
32,37,41;配管
35;反応容器
36;第二蟻酸銅粉末
50;ランプ加熱ユニット
61;混合粉末(第二蟻酸銅粉末+銅粉末)
80;プロセスコントローラ
81;ユーザーインターフェース
82;記憶部
101;吸着処理ユニット
102;アニールユニット
103;冷却ユニット
119;制御部
W;半導体ウエハ(基板)
Claims (34)
- 2価のカルボン酸金属塩とカルボン酸とを反応させて1価のカルボン酸金属塩ガスを生成する工程と、
基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給する工程と、
基板にエネルギーを与え、基板上に供給された前記金属のカルボン酸塩を分解して金属膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。 - 前記2価のカルボン酸金属塩は粉末状であり、これにカルボン酸ガスまたは液体状のカルボン酸を供給することにより1価のカルボン酸金属塩ガスを得ることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 2価のカルボン酸金属塩とカルボン酸とを反応させる際に加熱することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜方法。
- 前記基板は真空に保持された処理容器内に配置され、前記2価のカルボン酸金属塩とカルボン酸とが反応して生成された1価のカルボン酸金属塩ガスを前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給することにより基板上に前記カルボン酸塩を堆積させ、
前記1価のカルボン酸金属塩が堆積された基板にエネルギーを与えることにより基板上のカルボン酸塩を分解することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給しながら、基板にエネルギーを与えることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記金属は銅、銀、コバルト、ニッケルからなる群から選択されるものであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記カルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸から選択されたものであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記2価のカルボン酸金属塩は第2蟻酸銅であり、前記カルボン酸は蟻酸であり、前記1価のカルボン酸金属塩ガスは第1蟻酸銅であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 2価のカルボン酸金属塩と当該金属とを反応させて1価のカルボン酸金属塩ガスを生成する工程と、
基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給する工程と、
基板にエネルギーを与え、基板上に供給された前記金属のカルボン酸塩を分解して金属膜を形成する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。 - 2価のカルボン酸金属塩と当該金属とを共存させた状態で加熱することにより1価のカルボン酸金属塩ガスを得ることを特徴とする請求項10に記載の成膜方法。
- 前記基板は真空に保持された処理容器内に基板に配置され、前記2価のカルボン酸金属塩と当該金属とが反応して生成された1価のカルボン酸金属塩ガスを前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項10または請求項11に記載の成膜方法。
- 基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給することにより基板上に前記カルボン酸塩を堆積させ、
前記カルボン酸塩が堆積された基板にエネルギーを与えることにより基板上のカルボン酸塩を分解することを特徴とする請求項10から請求項12のいずれか1項に記載の成膜方法。 - 基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給しながら、基板にエネルギーを与えることを特徴とする請求項10から請求項12のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記金属は銅、銀、コバルト、ニッケルからなる群から選択されるものであることを特徴とする請求項10から請求項14のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記2価のカルボン酸金属塩を構成するカルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸から選択されたものであることを特徴とする請求項10から請求項15のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記2価のカルボン酸金属塩は第2蟻酸銅であり、前記1価のカルボン酸金属塩ガスは第1蟻酸銅であることを特徴とする請求項10から請求項16のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 真空に保持され、基板が配置される処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する基板支持部材と、
2価のカルボン酸金属塩とカルボン酸とを反応させて1価のカルボン酸金属塩ガスを生成するガス生成手段と、
前記処理容器内の基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給するガス供給手段と、
前記基板支持部材上の基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、
前記処理容器内を排気する排気手段と
を具備し、
前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって第1カルボン酸塩が分解して基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス生成手段は、カルボン酸ガスを生成するカルボン酸ガス生成機構と、前記2価のカルボン酸金属塩が配置され、前記カルボン酸ガス生成機構で生成されたカルボン酸と前記2価のカルボン酸金属塩との反応により1価のカルボン酸金属塩を生成する反応部と、前記1価のカルボン酸ガスを前記反応部に供給するカルボン酸ガス供給配管とを有し、前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給する手段は、生成された1価のカルボン酸金属塩ガスを前記処理容器に導くカルボン酸金属塩導入部を有することを特徴とする請求項18に記載の成膜装置。
- 前記反応部は、前記2価のカルボン酸金属塩粉末を貯留する反応容器を有することを特徴とする請求項19に記載の成膜装置。
- 前記カルボン酸金属塩導入部は、前記1価のカルボン酸金属塩ガスをシャワー状に導くシャワーヘッドを有することを特徴とする請求項19または請求項20に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給手段により基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスが供給されて前記1価のカルボン酸金属塩が堆積し、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって基板上に堆積したカルボン酸塩が分解することを特徴とする請求項18から請求項21のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給手段により基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスが供給されながら、前記エネルギー付与手段により基板にエネルギーが付与されることを特徴とする請求項18から請求項21のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記金属は銅、銀、コバルト、ニッケルからなる群から選択されるものであることを特徴とする請求項18から請求項23のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ガス生成手段で用いられるカルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸から選択されたものであることを特徴とする請求項18から請求項24のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 真空に保持され、基板が配置される処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する基板支持部材と、
2価のカルボン酸金属塩と当該金属とを反応させて1価のカルボン酸金属塩ガスを生成するガス生成手段と、
前記処理容器内の基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給するガス供給手段と、
前記基板支持部材上の基板にエネルギーを与えるエネルギー付与手段と、
前記処理容器内を排気する排気手段と
を具備し、
前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって前記第1カルボン酸金属塩が分解して基板上に金属膜が形成されることを特徴とする成膜装置。 - 前記ガス生成手段は、2価のカルボン酸金属塩と当該金属とが配置され、加熱によりこれらを反応させる反応部を有し、前記1価のカルボン酸金属塩ガスを供給する手段は、生成された1価のカルボン酸金属塩ガスを前記処理容器に導くカルボン酸金属塩導入部を有することを特徴とする請求項26に記載の成膜装置。
- 前記カルボン酸金属塩導入部は、前記1価のカルボン酸金属塩ガスをシャワー状に導くシャワーヘッドを有することを特徴とする請求項27に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給手段により基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスが供給されて前記1価のカルボン酸金属塩が堆積し、前記エネルギー付与手段によるエネルギーによって基板上に堆積したカルボン酸塩が分解することを特徴とする請求項26から請求項28のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給手段により基板上に前記1価のカルボン酸金属塩ガスが供給されながら、前記エネルギー付与手段により基板にエネルギーが付与されることを特徴とする請求項26から請求項28のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記金属は銅、銀、コバルト、ニッケルからなる群から選択されるものであることを特徴とする請求項26から請求項30のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記2価のカルボン酸金属塩を構成するカルボン酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、吉草酸、酪酸から選択されたものであることを特徴とする請求項26から請求項31のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記エネルギー付与手段は、前記基板に熱エネルギーを与えることを特徴とする請求項18から請求項32のいずれか1項に記載の成膜装置。
- コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項17のいずれかの成膜方法が実施されるようにコンピュータに成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008000680A JP5145052B2 (ja) | 2008-01-07 | 2008-01-07 | 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
KR1020107011265A KR101237634B1 (ko) | 2008-01-07 | 2008-12-25 | 성막 방법 및 성막 장치 |
CN2008801234038A CN101910459B (zh) | 2008-01-07 | 2008-12-25 | 成膜方法及成膜装置 |
US12/811,185 US8551565B2 (en) | 2008-01-07 | 2008-12-25 | Film forming method and film forming apparatus |
PCT/JP2008/073546 WO2009087906A1 (ja) | 2008-01-07 | 2008-12-25 | 成膜方法および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008000680A JP5145052B2 (ja) | 2008-01-07 | 2008-01-07 | 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009161814A JP2009161814A (ja) | 2009-07-23 |
JP5145052B2 true JP5145052B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=40853030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008000680A Expired - Fee Related JP5145052B2 (ja) | 2008-01-07 | 2008-01-07 | 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8551565B2 (ja) |
JP (1) | JP5145052B2 (ja) |
KR (1) | KR101237634B1 (ja) |
CN (1) | CN101910459B (ja) |
WO (1) | WO2009087906A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5792438B2 (ja) * | 2010-08-12 | 2015-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
WO2018179999A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 日立金属株式会社 | 気化器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0137370B1 (ko) | 1988-11-07 | 1998-04-27 | 니시가와 레이치 | 구리 도금된 수지 제품의 제조방법 |
JP2745677B2 (ja) | 1989-05-18 | 1998-04-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅張基板の製造法 |
US5371258A (en) | 1991-12-31 | 1994-12-06 | Phillips Petroleum Company | Methods of preparing cuprous and cupric carboxylates |
EP1461345B1 (en) * | 2001-12-12 | 2006-05-31 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Copper deposition using copper formate complexes |
JP3771882B2 (ja) | 2002-04-30 | 2006-04-26 | 三菱重工業株式会社 | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 |
DE10360046A1 (de) | 2003-12-18 | 2005-07-21 | Basf Ag | Kupfer(l)formiatkomplexe |
CN100523287C (zh) * | 2005-03-23 | 2009-08-05 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和成膜方法 |
JP4936928B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
-
2008
- 2008-01-07 JP JP2008000680A patent/JP5145052B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-25 WO PCT/JP2008/073546 patent/WO2009087906A1/ja active Application Filing
- 2008-12-25 KR KR1020107011265A patent/KR101237634B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-12-25 US US12/811,185 patent/US8551565B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-25 CN CN2008801234038A patent/CN101910459B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101910459A (zh) | 2010-12-08 |
JP2009161814A (ja) | 2009-07-23 |
US8551565B2 (en) | 2013-10-08 |
US20100316799A1 (en) | 2010-12-16 |
KR101237634B1 (ko) | 2013-02-27 |
WO2009087906A1 (ja) | 2009-07-16 |
KR20100072089A (ko) | 2010-06-29 |
CN101910459B (zh) | 2012-06-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151130 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |