JP6987172B2 - エッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents
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Description
(m=10〜20) ・・・(1)
3 基板保持部
4 原料ガス供給部
6 排気部
10 エッチング装置
41 ガス生成容器
42 有機化合物収容容器
44 原料ガス供給管
51 基板加熱部
90 照射部
91 ガスソース
92 マスフローコントローラ
93 ガス供給管
100 制御部
L 成膜材料
L1 分子層
P1 メタル層
P2 絶縁膜
S 基板
Claims (3)
- エッチングの対象となる基板に、CFxを含む直鎖型の分子を蒸着させて自己組織化単分子膜を成膜する工程と、
前記自己組織化単分子膜が成膜された基板に対して、CFxを活性化する活性化ガスを
照射する工程と、を有し、
前記分子は、CF 3 −(CF 2 −CF 2 −CF 2 −O−) m −CH 2 −CH 2 −Si−(OCH 3 ) 3 (m=10〜20)である
ことを特徴とするエッチング方法。 - 前記活性化ガスは、Arガスである
ことを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。 - 処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、エッチングの対象となる基板を保持する基板保持部と、
請求項1または2に記載のエッチング方法を実行する制御部と、
を有することを特徴とするエッチング装置。
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