JP2016025315A5 - 有機単分子膜形成方法 - Google Patents
有機単分子膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016025315A5 JP2016025315A5 JP2014150833A JP2014150833A JP2016025315A5 JP 2016025315 A5 JP2016025315 A5 JP 2016025315A5 JP 2014150833 A JP2014150833 A JP 2014150833A JP 2014150833 A JP2014150833 A JP 2014150833A JP 2016025315 A5 JP2016025315 A5 JP 2016025315A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monomolecular film
- organic monomolecular
- organic
- film material
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 claims description 4
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 2
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
Description
本発明は、自己組織化単分子膜に代表される有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法に関する。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、少なくとも表面部分がＳｉとＯのネットワーク構造を有する被処理体の表面に有機単分子膜を高密度で形成することができる有機単分子膜形成方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、少なくとも表面部分がＳｉとＯとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、前記被処理体に対し、その表面状態が、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する状態となるような表面処理を行う工程と、前記表面処理後の被処理体に前記有機単分子膜材料を供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程とを有し、前記表面処理により、第１の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域と第２の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第１の有機単分子膜材料を供給して１回目の有機単分子膜を形成し、引き続き第２の有機単分子膜材料を供給して２回目の有機単分子膜を形成することを特徴とする有機単分子膜形成方法を提供する。
本発明の第２の観点は、少なくとも表面部分がＳｉとＯとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、前記被処理体に対し、その表面状態が、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する状態となるような表面処理を行う工程と、前記表面処理後の被処理体に前記有機単分子膜材料を供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程とを有し、前記表面処理により、第１の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域と第２の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第１の有機単分子膜材料と前記第２の有機単分子膜材料を一度に供給して有機単分子膜を形成することを特徴とする有機単分子膜形成方法を提供する。
Claims (6)
- 少なくとも表面部分がＳｉとＯとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、
前記被処理体に対し、その表面状態が、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する状態となるような表面処理を行う工程と、
前記表面処理後の被処理体に前記有機単分子膜材料を供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程と
を有し、
前記表面処理により、第１の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域と第２の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第１の有機単分子膜材料を供給して１回目の有機単分子膜を形成し、引き続き第２の有機単分子膜材料を供給して２回目の有機単分子膜を形成することを特徴とする有機単分子膜形成方法。 - 少なくとも表面部分がＳｉとＯとのネットワーク構造である被処理体の表面に有機単分子膜を形成する有機単分子膜形成方法であって、
前記被処理体に対し、その表面状態が、用いようとする有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する状態となるような表面処理を行う工程と、
前記表面処理後の被処理体に前記有機単分子膜材料を供給して前記被処理体の表面に有機単分子膜を形成する工程と
を有し、
前記表面処理により、第１の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域と第２の有機単分子膜材料の結合サイトが高密度で存在する領域とが形成され、前記有機単分子膜を形成する工程は、前記第１の有機単分子膜材料と前記第２の有機単分子膜材料を一度に供給して有機単分子膜を形成することを特徴とする有機単分子膜形成方法。 - 前記有機単分子膜は、自己組織化単分子膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機単分子膜形成方法。
- 前記表面処理を行う工程は、水素を含むプラズマにより、用いようとする有機単分子膜材料に応じて被処理体表面のＨの量およびＯの量を制御することを特徴とする請求項３に記載の有機単分子膜形成方法。
- 前記第１の有機単分子膜材料および前記第２の有機単分子材料のいずれかは、末端にＣの二重結合を有する化合物であり、前記表面処理は、水素を含み酸素を含まないプラズマを用いて行われ、このプラズマにより、被処理体表面に、前記末端にＣの二重結合を有する化合物の結合サイトとして機能するＳｉ−Ｈ結合が形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機単分子膜形成方法。
- 前記第１の有機単分子膜材料および前記第２の有機単分子材料のいずれかは、シランカップリング剤であり、前記表面処理は、水素および酸素を含むプラズマを用いて行われ、このプラズマにより、被処理体表面にシランカップリング剤の結合サイトとして機能するＳｉ−Ｈ結合およびＯ−Ｈ結合が形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機単分子膜形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014150833A JP6263450B2 (ja) | 2014-07-24 | 2014-07-24 | 有機単分子膜形成方法 |
| KR1020177001824A KR20170034892A (ko) | 2014-07-24 | 2015-05-01 | 유기 단분자막 형성 방법 및 표면 처리 방법 |
| PCT/JP2015/063102 WO2016013270A1 (ja) | 2014-07-24 | 2015-05-01 | 有機単分子膜形成方法および表面処理方法 |
| US15/411,435 US20170133608A1 (en) | 2014-07-24 | 2017-01-20 | Method for forming organic monomolecular film and surface treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014150833A JP6263450B2 (ja) | 2014-07-24 | 2014-07-24 | 有機単分子膜形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016025315A JP2016025315A (ja) | 2016-02-08 |
| JP2016025315A5 true JP2016025315A5 (ja) | 2017-03-16 |
| JP6263450B2 JP6263450B2 (ja) | 2018-01-17 |
Family
ID=55162809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014150833A Active JP6263450B2 (ja) | 2014-07-24 | 2014-07-24 | 有機単分子膜形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170133608A1 (ja) |
| JP (1) | JP6263450B2 (ja) |
| KR (1) | KR20170034892A (ja) |
| WO (1) | WO2016013270A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10358715B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-07-23 | Applied Materials, Inc. | Integrated cluster tool for selective area deposition |
| TWI816676B (zh) | 2017-06-14 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於達成無缺陷自組裝單層的晶圓處理 |
| TWI772516B (zh) * | 2017-09-12 | 2022-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 藉由化學蝕刻去除選擇性沉積缺陷 |
| WO2019139043A1 (ja) | 2018-01-10 | 2019-07-18 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
| JP7081377B2 (ja) | 2018-08-01 | 2022-06-07 | Jsr株式会社 | 組成物及び基板表面の修飾方法 |
| KR20210071973A (ko) | 2018-10-03 | 2021-06-16 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 기판의 제조 방법, 조성물 및 중합체 |
| JP7257949B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2023-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP7123100B2 (ja) * | 2020-09-24 | 2022-08-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| KR20230158462A (ko) * | 2021-03-23 | 2023-11-20 | 토레 엔지니어링 가부시키가이샤 | 적층체 제조 장치 및 자기 조직화 단분자막의 형성 방법 |
| JP2023007137A (ja) * | 2021-07-01 | 2023-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0775229B2 (ja) * | 1990-06-26 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | プラズマ処理方法 |
| AU2003299508A1 (en) * | 2002-05-14 | 2004-06-07 | Nanosphere, Inc. | Electrical detection of dna hybridization and specific binding events |
| JP2005074413A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Purex:Kk | 電子工業用基板の清浄化法 |
| JP2005086147A (ja) | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Sony Corp | 金属単層膜形成方法、配線形成方法、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP4892810B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2012-03-07 | ソニー株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
| US20060138392A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-06-29 | Bowden Ned B | Mild methods for generating patterned silicon surfaces |
| WO2006112408A1 (ja) * | 2005-04-15 | 2006-10-26 | National University Corporation Nagoya University | 自己組織化単分子膜の作製方法とその利用 |
| JP2008141204A (ja) * | 2007-11-30 | 2008-06-19 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2009259855A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Sony Corp | 有機半導体素子及びその製造方法 |
| US8293658B2 (en) * | 2010-02-17 | 2012-10-23 | Asm America, Inc. | Reactive site deactivation against vapor deposition |
| US20130217241A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-08-22 | Applied Materials, Inc. | Treatments for decreasing etch rates after flowable deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing layers |
| JP5715664B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2015-05-13 | 日本化薬株式会社 | 有機半導体組成物 |
-
2014
- 2014-07-24 JP JP2014150833A patent/JP6263450B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-01 KR KR1020177001824A patent/KR20170034892A/ko unknown
- 2015-05-01 WO PCT/JP2015/063102 patent/WO2016013270A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-01-20 US US15/411,435 patent/US20170133608A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016025315A5 (ja) | 有機単分子膜形成方法 | |
| EP4358119A3 (en) | Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure | |
| WO2017119779A8 (ko) | 고분자-그래핀 복합체 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 고분자-그래핀 복합체 조성물 | |
| EA033251B1 (ru) | Способ получения подложки, покрытой функциональным слоем при помощи жертвенного слоя | |
| PL2161316T3 (pl) | Kompozycja powłoki przeciwporostowej, sposób wytwarzania tej kompozycji, cienka powłoka przeciwporostowa utworzona przez tę kompozycję, element powlekany zawierający na powierzchni tę cienką powłokę oraz sposób obróbki przeciwporostowej dzięki wytworzeniu cienkiej powłoki | |
| WO2015116297A3 (en) | Sequential processing with vapor treatment of thin films of organic-inorganic perovskite materials | |
| EP4293706A3 (en) | Direct and sequential formation of monolayers of boron nitride and graphene on substrates | |
| WO2018037204A8 (en) | A cem switching device | |
| EA200801383A1 (ru) | Получение наноразмерных материалов | |
| WO2006122645A8 (de) | Vorrichtung und verfahren zum herstellen eines dreidimensionalen objekts mit einem beheitzen beschichter für pulverförmiges aufbaumaterial | |
| PH12015502250A1 (en) | Release film for green sheet production | |
| JP2015513609A5 (ja) | ||
| WO2020197606A3 (en) | Laser-induced graphene composites and sensors and methods of use thereof | |
| MX341207B (es) | Produccion de moldes para uso en fundicion. | |
| JP2016065297A5 (ja) | ||
| EP3577069A4 (en) | PROCESS FOR GRAPH FUNCTIONALIZATION FOR THE PRESERVATION OF CHARACTERISTIC ELECTRONIC PROPERTIES SUCH AS QUANTUM HALL EFFECT AND ENABLING NANOPARTICLE DEPOSITION | |
| MX2017010882A (es) | Un producto de concreto fotocatalitico y un metodo para generar un producto de concreto fotocatalitico. | |
| WO2008134575A3 (en) | Coating sleeve | |
| JP2015196267A5 (ja) | 積層造形物の製造方法、及びスラリー | |
| WO2016040913A3 (en) | Photonic curing of nanocrystal films for photovoltaics | |
| JP2014509907A5 (ja) | ||
| WO2015082408A3 (en) | A method for coating an aged coating layer on a substrate, and a coating composition suitable for use in this method | |
| JP2016092169A5 (ja) | ||
| JP2008244447A5 (ja) | ||
| EP3702049A4 (en) | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A FILM FORMING SUBSTRATE, FILM FORMING SUBSTRATE, AND SURFACE TREATMENT AGENT |