KR20210071973A - 기판의 제조 방법, 조성물 및 중합체 - Google Patents
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Abstract
금속 기판의 표면에 금속 함유층을 갖는 기판을 간편하게 제조할 수 있는 기판의 제조 방법, 조성물 및 중합체의 제공을 목적으로 한다. 본 발명은 금속 기판 상에 조성물을 도공하는 공정과, 상기 도공 공정에 의해 형성된 도공막 상의 적어도 일부에 금속 함유층을 형성하는 공정을 구비하는 기판의 제조 방법이며, 상기 조성물이 용매와 동일 분자 상에 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조를 갖는 중합체를 함유하고, 상기 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조가 각각 하기 식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 식 (2)로 표시되는 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 한다. 하기 식 (1) 중, A1은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. 하기 식 (2) 중, L2는 -S-, -NR- 또는 -NA22-이다. A2 및 A22는 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다.
Description
본 발명은 기판의 제조 방법, 조성물 및 중합체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 시 등에, 금속 기판의 표면에 여러가지 층을 형성하는 것이 행해지고 있다. 이러한 층을 형성하는 방법으로서, 예를 들어 미세한 영역을 표층에 갖는 기판을 선택적으로 수식하는 방법이 검토되도록 되어 오고 있다. 이 수식 방법에는 간편하게 표면 영역을 수식할 수 있는 재료가 필요하며, 다양한 것이 검토되고 있다(일본 특허 공개 제2016-25315호 공보; 일본 특허 공개 제2003-76036호 공보; ACS Nano, 9, 9, 8710, 2015; ACS Nano, 9, 9, 8651, 2015; Science, 318, 426, 2007; 및 Langmuir, 21, 8234, 2005 참조).
ACS Nano, 9, 9, 8710, 2015
ACS Nano, 9, 9, 8651, 2015
Science, 318, 426, 2007
Langmuir, 21, 8234, 2005
근년에는, 금속 기판의 표면에 형성하는 층으로서, 금속 원자를 포함하는 금속 함유층을 형성하는 것이 요구되고 있다. 그러나, 상기 종래의 재료로는 금속 함유층의 형성에 사용하기는 어렵고, 금속 함유층을 용이하게 형성시킬 수 있는 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 금속 기판의 표면에 금속 함유층이 형성된 기판을 간편하게 제조할 수 있는 기판의 제조 방법, 조성물 및 중합체를 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 발명은, 금속 기판의 적어도 한쪽 표면에 조성물을 도공하는 공정과, 상기 도공 공정에 의해 형성된 도공막의 상기 금속 기판과는 반대측의 표면의 적어도 일부에 금속 함유층을 형성하는 공정을 구비하는 기판의 제조 방법이며, 상기 조성물이, 동일 분자 상에 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조를 갖는 중합체와 용매를 함유하고, 상기 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조가, 하기 식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 식 (2)로 표시되는 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 한다.
(식 (1) 중, L1은 탄소수 1 내지 20의 3가의 기이다. A1은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. X는 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기, -SH 또는 -S-A11이다. A11은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. n은 (-L1(-A1)-)n으로 표시되는 블록을 구성하는 구조 단위의 수를 나타내고, 2 이상의 정수이다. 복수의 A1은 동일해도 되고 상이해도 되고, A1 및 A11은 동일해도 되고 상이해도 된다. *는, 상기 중합체에 있어서의 상기 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.
식 (2) 중, L2는 -S-, -NR- 또는 -NA22-이다. A2 및 A22는 각각 독립적으로, 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. m은 0 또는 1이다. *는, 상기 중합체에 있어서의 상기 식 (2)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.)
상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 다른 발명은, 금속 기판과 이 금속 기판의 적어도 한쪽 면측에 형성된 금속 함유층을 구비하는 기판의 제조 방법에 사용되는 조성물이며, 동일 분자 상에 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조를 갖는 중합체와 용매를 함유하고, 상기 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조가, 상기 식 (1)로 표시되는 구조 및 상기 식 (2)로 표시되는 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 또 다른 발명은, 동일 분자 상에 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조를 갖고, 상기 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조가 상기 식 (1)로 표시되는 구조, 및 상기 식 (2)로 표시되는 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 중합체이다.
여기서 「금속 기판」이란, 표층의 적어도 일부에 금속 원자를 포함하는 기판을 말한다.
본 발명의 기판의 제조 방법에 따르면, 금속 기판의 표면에 금속 함유층이 형성된 기판을 간편하게 제조할 수 있다. 본 발명의 조성물은, 당해 기판의 제조 방법에 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 중합체는, 당해 조성물의 중합체 성분으로서 적합하게 사용할 수 있다. 따라서, 이들은 금후 점점 미세화가 진행될 것으로 예상되는 반도체 디바이스의 가공 프로세스 등에 적합하게 사용할 수 있다.
이하, 당해 기판의 제조 방법의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
<기판의 제조 방법>
당해 기판의 제조 방법은, 금속 기판(이하, 「금속 기판(X)」이라고도 함)의 적어도 한쪽 표면에 조성물(이하, 「조성물(S)」이라고도 함)을 도공하는 공정(이하, 「도공 공정」이라고도 함)과, 상기 도공 공정에 의해 형성된 도공막(이하, 「도공막(P)」이라고도 함)의 상기 금속 기판(X)과는 반대측의 표면의 적어도 일부에 금속 함유층(이하, 「금속 함유층(Y)」이라고도 함)을 형성하는 공정(이하, 「금속 함유층 형성 공정」이라고도 함)을 구비한다. 당해 기판의 제조 방법은 상기 조성물(S)로서, 동일 분자 상에 제1 말단 구조(이하, 「말단 구조(I)」라고도 함) 및 제2 말단 구조(이하, 「말단 구조(II)」라고도 함)를 갖는 중합체(이하, 「[A] 중합체」라고도 함)와 용매(이하, 「[B] 용매」라고도 함)를 함유하고, 상기 말단 구조(I) 및 말단 구조(II)가 하기 식 (1)로 표시되는 구조(이하, 「구조(1)」라고도 함) 및 하기 식 (2)로 표시되는 구조(이하, 「구조(2)」라고도 함)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 사용한다.
상기 식 (1) 중, L1은 탄소수 1 내지 20의 3가의 기이다. A1은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. X는 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기, -SH 또는 -S-A11이다. A11은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. n은 (-L1(-A1)-)n으로 표시되는 블록을 구성하는 구조 단위의 수를 나타내고, 2 이상의 정수이다. 복수의 A1은 동일해도 되고 상이해도 되고, A1 및 A11은 동일해도 되고 상이해도 된다. *는, 상기 [A] 중합체에 있어서의 상기 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.
상기 식 (2) 중, L2는 -S-, -NR- 또는 -NA22-이다. A2 및 A22는 각각 독립적으로, 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. m은 0 또는 1이다. *는, 상기 [A] 중합체에 있어서의 상기 식 (2)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.
당해 기판의 제조 방법에 의해, 금속 기판(X)과 이 금속 기판(X)의 적어도 한쪽 면측에 형성된 금속 함유층(Y)을 구비하는 기판이 제조된다. 당해 기판의 제조 방법에 따르면, 상기 각 공정을 구비하고, 조성물(S)이 [A] 중합체를 함유함으로써, 금속 기판의 표면에 금속 함유층이 형성된 기판을 간편하게 제조할 수 있다. 당해 기판의 제조 방법이 상기 구성을 구비함으로써 상기 효과를 발휘하는 이유에 대해서는 반드시 명확하지만은 않지만, 예를 들어 이하와 같이 추정할 수 있다. 즉, [A] 중합체는 양쪽 말단에, 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 말단 구조를 갖고 있다. 금속 기판의 표면에 조성물(S)을 도공함으로써, [A] 중합체는 한쪽 말단 구조 중의 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기가 금속 기판(X) 중의 금속 원자와 화학 결합함으로써 금속 기판(X)의 표면에 배치된다. 이 배치된 [A] 중합체의 다른 쪽 말단 구조 중의 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 사용함으로써, 용이하게 금속 함유층을 형성할 수 있다. 이와 같이, 당해 기판의 제조 방법에 따르면, 금속 기판의 표면에 금속 함유층이 형성된 기판을 간편하게 제조할 수 있다.
이하, 각 공정에 대하여 설명한다.
<도공 공정>
본 공정에서는, 금속 기판(X)의 적어도 한쪽 표면에 조성물(S)을 도공한다.
금속 기판(X)이 포함하는 금속 원자(제1 금속 원자, 이하 「금속 원자(A)」라고도 함)로서는, 금속 원소의 원자라면 특별히 한정되지 않는다. 규소 및 붕소는 금속 원자(A)에 포함되지 않는다. 금속 원자(A)로서는, 예를 들어 구리, 철, 아연, 코발트, 알루미늄, 주석, 텅스텐, 지르코늄, 티타늄, 탄탈, 게르마늄, 몰리브덴, 루테늄, 금, 은, 백금, 팔라듐, 니켈 등을 들 수 있다. 이들 중에서 구리 또는 코발트가 바람직하다.
금속 기판(X)에 있어서의 금속 원자(A)의 함유 형태로서는, 예를 들어 금속 단체, 합금, 금속 질화물, 금속 산화물, 실리사이드 등을 들 수 있다.
금속 단체로서는, 예를 들어 구리, 코발트, 알루미늄, 텅스텐 등의 금속의 단체 등을 들 수 있다.
합금으로서는, 예를 들어 니켈-구리 합금, 코발트-니켈 합금, 금-은 합금 등을 들 수 있다.
금속 질화물로서는, 예를 들어 질화티타늄, 질화탄탈, 질화철, 질화알루미늄 등을 들 수 있다.
금속 산화물로서는, 예를 들어 산화탄탈, 산화알루미늄, 산화철, 산화구리 등을 들 수 있다.
실리사이드로서는, 예를 들어 철 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드 등을 들 수 있다.
이들 중에서 금속 단체가 바람직하고, 구리 또는 코발트가 더 바람직하다.
금속 기판(X)은 표층 중에, 금속 원자(A)를 포함하는 영역(이하, 「영역(I)」이라고도 함) 이외에도, 예를 들어 실질적으로 비금속 원자(이하, 「비금속 원자(C)」라고도 함)만으로 이루어지는 영역(이하, 「영역(II)」이라고도 함) 등을 갖고 있어도 된다. 비금속 원자(C)로서는, 예를 들어 규소, 붕소, 탄소, 산소, 질소, 수소 등을 들 수 있다.
영역(II) 중에 있어서의 비금속 원자(C)의 함유 형태로서는, 예를 들어 비금속 단체, 비금속 산화물, 비금속 질화물, 비금속 산질화물, 비금속 탄화산화물 등을 들 수 있다.
비금속 단체로서는, 예를 들어 규소, 붕소, 탄소 등의 비금속의 단체 등을 들 수 있다.
비금속 산화물로서는, 예를 들어 이산화규소(SiO2), 테트라에톡시실란(TEOS) 등의 테트라알콕시실란 등의 가수분해성 실란의 가수분해 축합물, 산화붕소 등을 들 수 있다.
비금속 질화물로서는, 예를 들어 질화규소, 질화붕소 등을 들 수 있다.
비금속 질산화물로서는, 예를 들어 질산화규소, 질산화붕소 등을 들 수 있다.
비금속 탄화산화물로서는, 예를 들어 탄화산화규소(SiOC) 등을 들 수 있다.
금속 기판(X)이 영역(I) 및 영역(II)을 갖는 경우, 금속 기판(X)의 표층에 있어서의 영역(I) 및 영역(II)의 존재 형상으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 평면에서 보아 면상, 점상, 스트라이프상 등을 들 수 있다. 영역(I) 및 영역(II)의 크기는 특별히 한정되지 않고, 적절히 원하는 크기의 영역으로 할 수 있다.
금속 기판(X)의 형상으로서는, 특별히 한정되지 않고 판상(기판), 구상 등, 적절히 원하는 형상으로 할 수 있다.
금속 기판(X)은, 예를 들어 5질량% 정도의 옥살산 수용액으로 표면을 세정해 두는 것이 바람직하다.
조성물(S)의 도공 방법으로는, 예를 들어 스핀 코트법 등을 들 수 있다. 상기 도공 후에 가열해도 된다. 이 가열 온도의 하한으로서는 50℃가 바람직하고, 80℃가 더 바람직하다. 상기 온도의 상한으로서는 200℃가 바람직하고, 150℃가 더 바람직하다. 상기 가열 시간의 하한으로서는 10초가 바람직하고, 30초가 더 바람직하다. 상기 시간의 상한으로서는 1시간이 바람직하고, 10분이 더 바람직하다. 상기 가열 후에, 금속 기판(X)의 표면에 화학 결합되어 있지 않은 [A] 중합체를, 예를 들어 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 등의 용매를 사용하여 세정해서 제거하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하여, 도공막(P)이 형성된다.
도공막(P)의 표면에 있어서의 물의 접촉각의 하한으로서는 70°가 바람직하고, 80°가 보다 바람직하고, 85°가 더욱 바람직하다. 상기 접촉각의 상한으로서는 예를 들어 100°이다.
이하, 조성물(S)에 대하여 설명한다.
<조성물(S)>
조성물(S)은, 금속 기판(X)과 이 금속 기판(X)의 적어도 한쪽 면측에 형성된 금속 함유층(Y)을 구비하는 기판의 제조 방법에 사용된다. 조성물(S)은, [A] 중합체 및 [B] 용매를 함유한다. 조성물(S)은, [A] 중합체 및 [B] 용매 이외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 성분을 함유하고 있어도 된다. 이하, 각 성분에 대하여 설명한다.
[[A] 중합체]
[A] 중합체는, 동일 분자 상에 말단 구조(I) 및 말단 구조(II)를 갖는 중합체이다. [A] 중합체는 통상 말단 구조(I) 및 말단 구조(II) 사이에, 단량체(이하, 「단량체(a)」라고도 함)에서 유래하는 구조 단위(이하, 「구조 단위(A)」라고도 함)를 갖는다.
(말단 구조)
말단 구조(I) 및 말단 구조(II)는, 구조(1) 및 구조(2)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이다.
구조(1)에 있어서의 상기 식 (1) 중의 A1, 상기 식 (1)의 X가 -S-A11인 경우의 A11, 구조(2)에 있어서의 상기 식 (2) 중의 A2, 및 상기 식 (2)의 L2가 -NA22-인 경우의 A22는, 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기(이하, 「관능기(M)」라고도 함)를 포함하는 1가의 기(이하, 「기(I)」라고도 함)이다.
관능기(M)는 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기이다. 관능기(M)와 화학 결합 가능한 금속 원자로서는, 예를 들어 금속 기판(X)이 포함하는 금속 원자(A), 후술하는 금속 함유층(Y)이 포함하는 금속 원자(제2 금속 원자, 이하 「금속 원자(B)」라고도 함) 등을 들 수 있다. 금속 원자-관능기(M)간의 화학 결합으로서는, 예를 들어 공유 결합, 이온 결합, 배위 결합 등을 들 수 있다. 이들 중에서 금속 원자-관능기(M)간의 결합력이 보다 큰 관점에서, 배위 결합이 바람직하다.
관능기(M)로서는, 예를 들어 인산기, 니트릴기, 카르복시기, 에스테르기, 히드록시기 등을 들 수 있다. 인산기란, -PO(OH)2로 표시되는 기를 말한다. 에스테르기란, -COOR(R은 1가의 유기기)로 표시되는 기를 말한다.
기(I)로서는, 예를 들어 하기 식 (i)로 표시되는 기(이하, 「기(i)」라고도 함) 등을 들 수 있다.
상기 식 (i) 중, E는 단결합, -COO-, -CO-, -O-, -NH-, -NHCO- 또는 -CONH-이다. Q는 단결합 또는 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기이다. R1은 1가의 관능기(M)이다. p는 0 내지 10의 정수이다. 단, p가 1 이상인 경우, Q가 단결합인 경우는 없다. *는, 상기 식 (1)에 있어서의 L1에 결합하는 부위를 나타낸다.
E로서는 단결합 또는 -COO-가 바람직하고, 단결합이 더 바람직하다.
Q로 표시되는 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기로서는, 예를 들어 알칸디일기, 시클로알칸디일기, 아렌디일기, 아렌디일알칸디일기 등을 들 수 있다.
Q로서는, 단결합 또는 알칸디일기가 바람직하고, 단결합이 더 바람직하다.
R1로 표시되는 1가의 관능기(M)로서는, 상기 관능기(M)로서 예시한 기 중 1가의 것 등을 들 수 있다.
p로서는 0 내지 2가 바람직하고, 0 또는 1이 보다 바람직하고, 0이 더욱 바람직하다.
기(i)로서는, 인산기, 시아노알킬기, 카르복시기, 카르복시알킬기, 에스테르기, 히드록시기 또는 히드록시알킬기가 바람직하다. 시아노알킬기로서는, 예를 들어 1-시아노-1-메틸에틸기 등을 들 수 있다. 카르복시알킬기로서는, 예를 들어 2-카르복시에틸기 등을 들 수 있다. 에스테르기로서는, 예를 들어 메톡시카르보닐기 등을 들 수 있다. 히드록시알킬기로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸기 등을 들 수 있다.
상기 식 (1)에 있어서의 A1로서는, 인산기가 바람직하다. 또한, 상기 식 (2)에 있어서의 A2로서는, 니트릴기, 카르복시기, 에스테르기 및 히드록시기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.
상기 식 (1)에 있어서의 L1은 [A] 중합체의 주쇄의 일부를 구성하는 기이다. 「주쇄」란, [A] 중합체의 원자쇄 중 가장 긴 것을 말한다. L1로 표시되는 탄소수 1 내지 20의 3가의 기로서는, 예를 들어 탄소-탄소 이중 결합 함유기에서 유래하는 기, 옥시알킬렌기에서 유래하는 기 등을 들 수 있다.
상기 식 (1)의 X로 표시되는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기로서는, 예를 들어 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기, 이 탄화수소기의 탄소-탄소 사이에 2가의 헤테로 원자 함유기를 포함하는 기, 상기 탄화수소기 및 상기 2가의 헤테로 원자 함유기를 포함하는 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부를 1가의 헤테로 원자 함유기로 치환한 기 등을 들 수 있다. 「유기기」란, 적어도 하나의 탄소 원자를 포함하는 기를 말한다.
「탄화수소기」란, 쇄상 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기가 포함된다. 이 「탄화수소기」는 포화 탄화수소기여도 되고 불포화 탄화수소기여도 된다. 「쇄상 탄화수소기」란, 환상 구조를 포함하지 않고, 쇄상 구조만으로 구성된 탄화수소기를 말하고, 직쇄상 탄화수소기 및 분지상 탄화수소기의 양쪽을 포함한다. 「지환식 탄화수소기」란, 환 구조로서는 지환 구조만을 포함하고, 방향환 구조를 포함하지 않는 탄화수소기를 말하고, 단환의 지환식 탄화수소기 및 다환의 지환식 탄화수소기의 양쪽을 포함한다. 단, 지환 구조만으로 구성되어 있을 필요는 없고, 그의 일부에 쇄상 구조를 포함하고 있어도 된다. 「방향족 탄화수소기」란, 환 구조로서 방향환 구조를 포함하는 탄화수소기를 말한다. 단, 방향환 구조만으로 구성되어 있을 필요는 없고, 그의 일부에 쇄상 구조나 지환 구조를 포함하고 있어도 된다. 「환원수」란, 지환 구조, 방향환 구조, 지방족 복소환 구조 및 방향족 복소환 구조의 환을 구성하는 원자수를 말하며, 다환의 경우에는, 이 다환을 구성하는 원자수를 말한다.
탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기로서는, 탄소수 1 내지 20의 1가의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다.
탄소수 1 내지 20의 1가의 쇄상 탄화수소기로서는, 예를 들어
메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기 등의 알킬기;
에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등의 알케닐기;
에티닐기, 프로피닐기, 부티닐기 등의 알키닐기 등을 들 수 있다.
탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들어
시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 단환의 지환식 포화 탄화수소기;
시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기 등의 단환의 지환식 불포화 탄화수소기;
노르보르닐기, 아다만틸기, 트리시클로데실기 등의 다환의 지환식 포화 탄화수소기;
노르보르네닐기, 트리시클로데세닐기 등의 다환의 지환식 불포화 탄화수소기 등을 들 수 있다.
탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들어
페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기, 안트릴기 등의 아릴기;
벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 안트릴메틸기 등의 아르알킬기 등을 들 수 있다.
2가 또는 1가의 헤테로 원자 함유기를 구성하는 헤테로 원자로서는, 예를 들어 산소 원자, 황 원자, 인 원자, 규소 원자, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
2가의 헤테로 원자 함유기로서는, 예를 들어 -O-, -CO-, -S-, -CS-, 이들 중의 2개 이상을 조합한 기 등을 들 수 있다. 이들 중에서 -O-이 바람직하다.
1가의 헤테로 원자 함유기로서는, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
상기 식 (1)의 X로서는 수소 원자 또는 -SH가 바람직하고, 수소 원자가 더 바람직하다.
상기 식 (1)의 n의 상한으로서는 10이 바람직하고, 5가 더 바람직하다.
상기 식 (1) 중의 (-L1(-A1)-)로 표시되는 구조 단위의 함유 비율의 하한으로서는, [A] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0.1몰%가 바람직하고, 0.5몰%가 보다 바람직하고, 1몰%가 더욱 바람직하고, 2몰%가 특히 바람직하다. 상기 함유 비율의 상한으로서는 30몰%가 바람직하고, 20몰%가 보다 바람직하고, 10몰%가 더욱 바람직하고, 7몰%가 특히 바람직하다.
상기 식 (2)의 L2의 -NR-에 있어서의 R로 표시되는 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기로서는, 예를 들어 상기 식 (1)의 X로서 예시한 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기와 동일한 기 등을 들 수 있다. L2로서는 -S- 또는 -NR-이 바람직하고, -NR- 중에서는 -NH-가 바람직하다.
m으로서는, 0이 바람직하다.
말단 구조(I)로서는, 예를 들어 비닐인산에서 유래하는 블록을 포함하는 구조, (메트)아크릴산에서 유래하는 블록을 포함하는 구조, (-CH2-CH(OH)-)의 블록을 포함하는 구조 등을 들 수 있다.
말단 구조(II)로서는, 시아노알킬기, 카르복시알킬기, 히드록시알킬기 등을 들 수 있다.
말단 구조(I) 중의 관능기(M)와, 말단 구조(II) 중의 관능기(M)는 서로 다른 것이 바람직하다. 말단 구조(I)와 말단 구조(II)에서 관능기(M)를 다른 것으로 하면, 금속 기판(X)의 금속 원자(A)와는 다른 금속 원자를 포함하는 금속 함유층(Y)을 형성하는 것이 보다 용이하게 된다.
말단 구조(I)가 구조(1)이며, 말단 구조(II)가 구조(2)인 것이 바람직하다. 각 말단 구조를 상기 각 구조로 하면, 금속 기판(X)의 금속 원자(A)와는 다른 금속 원자를 포함하는 금속 함유층(Y)을 형성하는 것이 보다 용이하게 된다.
(구조 단위(A))
구조 단위(A)는, 단량체(a)에서 유래하는 구조 단위이다. [A] 중합체는, 구조 단위(A)를 말단 구조(I) 및 말단 구조(II) 사이에 통상 갖고 있다.
구조 단위(A)를 부여하는 단량체(a)로서는, 예를 들어 비닐 방향족 화합물, (메트)아크릴산 또는 (메트)아크릴산에스테르, 치환 또는 비치환된 에틸렌, 가교성기를 갖는 중합성 화합물 등을 들 수 있다. 「가교성기」란, 가열 조건 하, 활성 에너지선 조사 조건 하, 산성 조건 하 등에 있어서의 반응에 의해, 가교 구조를 형성하는 기를 말한다. 단량체(a)로서, 이들의 화합물을 1종 또는 2종 이상 사용하고 있어도 된다.
비닐 방향족 화합물로서는, 예를 들어
스티렌;
α-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-tert-부틸스티렌, 2,4,6-트리메틸스티렌, p-메톡시스티렌, p-tert-부톡시스티렌, o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, m-클로로메틸스티렌, p-클로로메틸스티렌, p-클로로스티렌, p-브로모스티렌, p-요오도스티렌, p-니트로스티렌, p-시아노스티렌 등의 치환 스티렌;
비닐나프탈렌;
비닐메틸나프탈렌, 비닐클로로나프탈렌 등의 치환 비닐나프탈렌;
비닐안트라센;
비닐메틸안트라센, 비닐클로로안트라센 등의 치환 비닐안트라센;
비닐피렌;
비닐메틸피렌, 비닐클로로피렌 등의 치환 비닐피렌 등을 들 수 있다.
(메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어
(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르;
(메트)아크릴산시클로펜틸, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산1-메틸시클로펜틸, (메트)아크릴산2-에틸아다만틸, (메트)아크릴산2-(아다만탄-1-일)프로필 등의 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르;
(메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산3-히드록시아다만틸, (메트)아크릴산3-글리시딜프로필, (메트)아크릴산3-트리메틸실릴프로필 등의 (메트)아크릴산 치환 알킬에스테르 등을 들 수 있다.
치환 에틸렌으로서는, 예를 들어
프로펜, 부텐, 펜텐 등의 알켄;
비닐시클로펜탄, 비닐시클로헥산 등의 비닐시클로알칸;
시클로펜텐, 시클로헥센 등의 시클로알켄;
비닐인산, 4-히드록시-1-부텐, 비닐글리시딜에테르, 비닐트리메틸실릴에테르 등을 들 수 있다.
가교성기를 갖는 중합성 화합물에 있어서의 가교성기로서는, 예를 들어
비닐기, 비닐옥시기, 알릴기, (메트)아크릴로일기, 스티릴기 등의 중합성 탄소-탄소 이중 결합 함유기;
옥시라닐기, 옥시라닐옥시기, 옥세타닐기, 옥세타닐옥시기 등의 환상 에테르기;
시클로부탄환이 축환된 페닐기, 시클로부탄환이 축환된 나프틸기 등의 시클로부탄환이 축환된 아릴기;
아세톡시페닐기, t-부톡시페닐기 등의 아실기 또는 열해리성기로 보호된 방향족성 히드록시기가 결합된 아릴기;
아세톡시메틸페닐기, 메톡시메틸페닐기 등의 아실기 또는 열해리성기으로 보호된 메틸올기(-CH2OH)가 결합된 아릴기;
술파닐메틸페닐기, 메틸술파닐메틸페닐기 등의 치환 또는 비치환된 술파닐메틸기(-CH2SH)가 결합된 아릴기 등을 들 수 있다.
시클로부탄환이 축환된 아릴기끼리는, 가열 조건 하, 공유 결합을 형성한다.
「아실기」란, 카르복실산으로부터 OH를 제거한 기이며, 방향족성 히드록시기 또는 메틸올기의 수소 원자를 치환하여 보호하는 기를 말한다. 「열해리성기」란, 방향족성 히드록시기, 메틸올기 또는 술파닐메틸기의 수소 원자를 치환하는 기이며, 가열에 의해 해리되는 기를 말한다.
보호된 방향족성 히드록시기, 메틸올기 또는 술파닐메틸기가 결합된 아릴기에 있어서의 아실기로서는, 예를 들어 포르밀기, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 벤조일기 등을 들 수 있다.
보호된 방향족성 히드록시기가 결합된 아릴기에 있어서의 열해리성기로서는, 예를 들어 t-부틸기, t-아밀기 등의 3급 알킬기 등을 들 수 있다. 보호된 메틸올기 또는 술파닐메틸기가 결합된 아릴기에 있어서의 열해리성기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기 등을 들 수 있다.
가교성기를 포함하는 중합성 화합물로서는, 예를 들어 가교성기를 갖는 스티렌 등의 가교성기를 갖는 비닐 화합물, 가교성기를 갖는 (메트)아크릴 화합물 등을 들 수 있다.
구조 단위(A)로서는, 탄화수소기 치환 또는 비치환된 스티렌에서 유래하는 구조 단위(이하, 「구조 단위(A-1)」라고도 함)가 바람직하다. 구조 단위(A)를, 관능기(M)를 포함하지 않는 구조 단위(A-1)로 하면, 더 효과적으로 금속 함유층(Y)을 형성할 수 있다.
구조 단위(A-1)을 부여하는 단량체(a)로서는, 예를 들어
스티렌, α-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-tert-부틸스티렌, 2,4,6-트리메틸스티렌 등을,
또한, 가교성기를 갖는 중합성 화합물 중, o-비닐스티렌, m-비닐스티렌, p-비닐스티렌, 4-비닐벤조시클로부텐 등을 들 수 있다.
구조 단위(A)가 비닐 방향족 화합물에서 유래하는 구조 단위, (메트)아크릴산 또는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래하는 구조 단위, 및 치환 또는 비치환된 에틸렌에서 유래하는 구조 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 경우, 구조 단위(A) 중의 이들의 구조 단위의 합계 함유 비율의 하한으로서는 50몰%가 바람직하고, 80몰%가 보다 바람직하고, 90몰%가 더욱 바람직하고, 95몰%가 특히 바람직하다. 상기 합계 함유 비율은 100몰%여도 된다.
구조 단위(A)가 가교성기를 갖는 중합성 화합물에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 경우, 구조 단위(A) 중의 이들의 구조 단위의 함유 비율의 하한으로서는 0.1몰%가 바람직하고, 0.5몰%가 보다 바람직하고, 1몰%가 더욱 바람직하고, 2몰%가 특히 바람직하고, 상기 함유 비율의 상한으로서는 30몰%가 바람직하고, 20몰%가 보다 바람직하고, 10몰%가 더욱 바람직하고, 5몰%가 특히 바람직하다.
[A] 중합체의 수 평균 분자량(Mn)의 하한으로서는 1,000이 바람직하고, 2,000이 보다 바람직하고, 3,000이 더욱 바람직하고, 4,000이 특히 바람직하다. 상기 Mn의 상한으로서는 100,000이 바람직하고, 50,000이 보다 바람직하고, 30,000이 더욱 바람직하고, 10,000이 특히 바람직하다. [A] 중합체의 Mn을 상기 범위로 함으로써, 더 효과적으로 금속 함유층(Y)을 형성하는 것이 가능해진다.
[A] 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)의 Mn에 대한 비(분산도)의 상한으로서는 5가 바람직하고, 2가 보다 바람직하고, 1.5가 보다 바람직하고, 1.3이 특히 바람직하다. 상기 비의 하한으로서는 통상 1이며, 1.05가 바람직하다.
[A] 중합체의 함유량의 하한으로서는, 조성물(S)에 있어서의 전체 고형분에 대하여 60질량%가 바람직하고, 80질량%가 보다 바람직하고, 90질량%가 더욱 바람직하고, 95질량%가 특히 바람직하다. 상기 함유량은 100질량%여도 된다. 「전체 고형분」이란, 조성물(S)에 있어서의 [B] 용매 이외의 전체 성분을 말한다.
(중합체의 합성 방법)
[A] 중합체는, 말단 구조(I)가 구조(1)이며, 말단 구조(II)가 구조(2)인 중합체의 경우, 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 등의 구조(2)를 부여하는 중합 개시제를 사용하고, 우선, 스티렌, tert-부틸스티렌, 4-비닐벤조시클로부텐 등의 구조 단위(A)를 부여하는 단량체(a)를 중합시키고, 이어서, 비닐인산 등의 구조(1)를 부여하는 단량체를 중합시켜 블록을 형성시킴으로써 합성할 수 있다.
상기 중합에 있어서, 2-시아노-2-프로필도데실트리티오카르보네이트, 디벤질트리티오카르보네이트 등의 트리티오카르보네이트 화합물, 시아노메틸-N-메틸-N-페닐디티오카르바메이트 등의 디티오카르바메이트 화합물, 2-시아노-2-프로필벤조디티오네이트 등의 디티오벤조에이트 화합물, 크산트산-O-에틸-S-시아노메틸 등의 크산테이트 화합물 등을 RAFT제로서 사용하고, RAFT 중합을 행해도 된다. 또한, 상기 RAFT제를 사용하는 RAFT 중합에서 얻어진 중합체에, AIBN 등의 라디칼 발생제와, tert-도데칸티올 등의 티올 화합물을 첨가하고, 트리티오카르보네이트 말단 등의 말단의 분리 반응을 행하여, [A] 중합체의 주쇄의 말단을 수소 원자 등으로 할 수 있다. 이 분리 반응에 있어서, 라디칼 발생제 및 티올 화합물에 더하여, 프로톤 공급원으로서 알코올 등의 프로톤성 용매를 사용하는 것이 바람직하다.
상술한 중합체 이외의 [A] 중합체에 대해서도 공지된 방법에 의해 합성할 수 있다.
[[B] 용매]
[B] 용매로서는, 적어도 [A] 중합체 및 다른 성분 등을 용해 또는 분산 가능한 용매라면 특별히 한정되지 않는다.
[B] 용매로서는, 예를 들어 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르계 용매, 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다.
알코올계 용매로서는, 예를 들어
메탄올, 에탄올 등의 모노알코올계 용매;
에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜 등의 다가 알코올계 용매;
에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 다가 알코올 부분 에테르계 용매;
락트산메틸, 락트산에틸, 락트산n-부틸, 락트산n-아밀 등의 락트산에스테르계 용매 등을 들 수 있다.
에테르계 용매로서는, 예를 들어
디에틸에테르 등의 디알킬에테르계 용매;
테트라히드로푸란 등의 환상 에테르계 용매;
아니솔 등의 방향환 함유 에테르계 용매 등을 들 수 있다.
케톤계 용매로서는, 예를 들어
부타논, 메틸-iso-부틸케톤 등의 쇄상 케톤계 용매;
시클로펜타논, 시클로헥사논 등의 환상 케톤계 용매 등을 들 수 있다.
아미드계 용매로서는, 예를 들어
N,N'-디메틸이미다졸리디논, N-메틸피롤리돈 등의 환상 아미드계 용매;
N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 쇄상 아미드계 용매 등을 들 수 있다.
에스테르계 용매로서는, 예를 들어
아세트산에틸, 아세트산n-부틸 등의 아세트산에스테르계 용매;
에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 다가 알코올 부분 에테르카르복실레이트계 용매;
γ-부티로락톤, 발레로락톤 등의 락톤계 용매;
에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트 등의 카르보네이트계 용매 등을 들 수 있다.
탄화수소계 용매로서는, 예를 들어
n-헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매;
톨루엔 등의 방향족 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다.
이들 중에서 에스테르계 용매가 바람직하고, 다가 알코올 부분 에테르카르복실레이트계 용매가 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 더욱 바람직하다. 조성물(S)은, [B] 용매를 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 된다.
[다른 성분]
다른 성분으로서는, 예를 들어 산 발생제 또는 염기 발생제, 가교제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.
(산 발생제 또는 염기 발생제)
산 발생제는, 열이나 방사선의 작용에 의해 산을 발생시키는 성분이다. 염기 발생제는, 열이나 방사선의 작용에 의해 염기를 발생시키는 성분이다. 조성물(S)이 산 발생제 또는 염기 발생제를 함유하는 경우, 방사선의 조사나 가열 공정 등에 있어서의 가열에 의해 산 또는 염기가 발생하므로, [A] 중합체 등에 있어서의 가교 반응 등을 촉진할 수 있다. 조성물(S)은 산 발생제 또는 염기 발생제를 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 된다.
산 발생제로서는, 예를 들어 오늄염 화합물, N-술포닐옥시이미드 화합물 등을 들 수 있다.
상기 오늄염 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 술포늄염, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 테트라히드로티오페늄염, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 요오도늄염, 트리에틸암모늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 암모늄염 등을 들 수 있다. N-술포닐옥시이미드 화합물로서는, 예를 들어 N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드 등을 들 수 있다.
염기 발생제로서는, 예를 들어 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모르폴리노에탄, (4-모르폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논, N-(2-니트로벤질옥시카르보닐)피롤리딘, 1-(안트라퀴논-2-일)에틸이미다졸카르복실레이트, 2-니트로벤질시클로헥실카르바메이트, [[(2,6-디니트로벤질)옥시]카르보닐]시클로헥실아민, 비스[[(2-니트로벤질)옥시]카르보닐]헥산-1,6-디아민, 트리페닐메탄올, o-카르바모일히드록실아미드, o-카르바모일옥심, 헥사암민코발트(III)트리스(트리페닐메틸보레이트) 등을 들 수 있다.
조성물(S)이 산 발생제 또는 염기 발생제를 함유하는 경우, 산 발생제 또는 염기 발생제의 함유량의 하한으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부가 바람직하고, 1질량부가 더 바람직하다. 상기 함유량의 상한으로서는 20질량부가 바람직하고, 5질량부가 더 바람직하다.
(가교제)
가교제는 열이나 산의 작용에 의해, [A] 중합체 등의 성분끼리의 가교 결합을 형성하거나, 또는 스스로가 가교 구조를 형성하는 성분이다. 조성물(S)이 가교제를 함유하면, 형성되는 도공막(P)의 경도를 높일 수 있고, 그 결과, 더 효과적으로 금속 함유층(Y)을 형성할 수 있다. 조성물(S)은 가교제를 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 된다.
가교제로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물, 노볼락형 에폭시 수지 등의 에폭시 화합물, 2-히드록시메틸-4,6-디메틸페놀 등의 히드록시메틸기 치환 페놀 화합물, 4,4'-(1-(4-(1-(4-히드록시-3,5-비스(메톡시메틸)페닐)-1-메틸에틸)페닐)에틸리덴)비스(2,6-비스(메톡시메틸)페놀 등의 알콕시알킬기 함유 페놀 화합물, (폴리)메틸올화 멜라민 등의 알콕시알킬화된 아미노기를 갖는 화합물, 아세나프틸렌과 히드록시메틸아세나프틸렌의 랜덤 공중합체 등을 들 수 있다.
조성물(S)이 가교제를 함유하는 경우, 가교제의 함유량의 하한으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여 1질량부가 바람직하고, 5질량부가 더 바람직하다. 상기 함유량의 상한으로서는 100질량부가 바람직하고, 30질량부가 더 바람직하다.
(계면 활성제)
계면 활성제는, 조성물(S)의 금속 기판(X)에 대한 도공성을 향상시킬 수 있는 성분이다.
조성물(S)이 계면 활성제를 함유하는 경우, 계면 활성제의 함유량의 상한으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여 10질량부가 바람직하고, 2질량부가 더 바람직하다. 상기 함유량의 하한으로서는 예를 들어 0.1질량부이다.
[조성물의 조제 방법]
조성물(S)은, 예를 들어 [A] 중합체, [B] 용매 및 필요에 따라 다른 성분을 소정의 비율로 혼합하고, 바람직하게는 구멍 직경 0.45㎛ 정도의 세공을 갖는 고밀도 폴리에틸렌 필터 등으로 여과함으로써 조제할 수 있다. 조성물(S)의 고형분 농도의 하한으로서는 0.1질량%가 바람직하고, 0.5질량%가 보다 바람직하고, 0.7질량%가 더욱 바람직하다. 상기 고형분 농도의 상한으로서는 30질량%가 바람직하고, 10질량%가 보다 바람직하고, 3질량%가 더욱 바람직하다.
<금속 함유층 형성 공정>
본 공정에서는, 상기 도공 공정에 의해 형성된 도공막(P)의 상기 금속 기판(X)과는 반대측의 표면의 적어도 일부에 금속 함유층(Y)을 형성한다.
금속 함유층(Y)이 포함하는 금속 원자(B)로서는, 상술한 금속 기판(X)이 포함하는 금속 원자(A)로서 예시한 금속 원자 등을 들 수 있다. 이들 중에서 구리 또는 코발트가 바람직하다.
금속 함유층(Y)을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 도공막(P)이 형성된 금속 기판(X)을 금속 원자(B)를 함유하는 액에 침지하는 방법, 화학 증착(CVD)법 또는 원자층 퇴적(ALD)법에 의해, 금속 기판(X)에 형성된 도공막(P)의 표면에 금속 원자(B)를 부착시키는 방법 등을 들 수 있다.
상기 침지하는 방법에 있어서, 사용하는 금속 원자(B)를 함유하는 액으로서는, 예를 들어 황산구리, 염화코발트 등의 금속염의 수용액 등을 들 수 있다. 이 금속염의 수용액에 있어서의 금속염의 농도로서는, 예를 들어 0.01몰/L 이상 3몰/L 이하이고, 0.1몰/L 이상 1몰/L 이하가 바람직하다. 상기 침지의 시간으로서는, 예를 들어 1분 이상 1일 이하이고, 1시간 이상 100시간 이하가 바람직하다.
상기 침지 후에, 도공막(P) 중의 관능기(M)에 화학 결합되어 있지 않은 금속 원자(B)를 초순수 등을 사용하여 세정해서 제거하는 것이 바람직하다.
CVD법으로서는, 열 CVD, 플라스마 CVD, 광 CVD, 감압 CVD, 레이저 CVD, 유기 금속 CVD(MOCVD) 등의 다양한 방법을 들 수 있다.
ALD법으로서는, 열 ALD법, 플라스마 ALD법 등을 들 수 있다.
형성되는 금속 함유층(Y)의 평균 두께의 하한으로서는 0.1㎚가 바람직하고, 1㎚가 보다 바람직하고, 2㎚가 더욱 바람직하다. 상기 평균 두께의 상한으로서는 500㎚가 바람직하고, 100㎚가 보다 바람직하고, 50㎚가 더욱 바람직하다.
금속 함유층(Y)이 포함하는 금속 원자(B)로서는, 금속 기판(X)이 포함하는 금속 원자(A)와 다른 것이 바람직하다. 금속 원자(B)와 금속 원자(A)를 다른 것으로 하면, 더 효과적으로 금속 함유층(Y)을 형성할 수 있다.
또한, 금속 기판(X)이 금속 원자(A)를 포함하고, 금속 함유층(Y)이 금속 원자(A)와는 상이한 금속 원자(B)를 포함하는 경우, [A] 중합체의 말단 구조(I)가 금속 원자(A)와 화학 결합 가능한 관능기를 갖고, 말단 구조(II)가 금속 원자(B)와 화학 결합 가능한 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 금속 기판(X), 금속 함유층(Y) 및 [A] 중합체의 구조를 상기 조합으로 하면, 금속 기판(X)의 표면에 금속 함유층(Y)을 보다 용이하게 형성할 수 있다.
이 경우, 금속 원자(A)와 화학 결합 가능한 관능기로서는, 인산기가 바람직하다. 또한, 금속 원자(B)와 화학 결합 가능한 관능기로서는, 니트릴기, 카르복시기, 에스테르기 및 히드록시기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하다. 관능기(M)를 상기의 것으로 하면, 각 관능기(M)와 금속 원자의 결합력의 대소에서 기인하여, 금속 기판(X)의 표면의 금속 함유층(Y)의 형성을 더 효과적으로 행할 수 있다.
당해 금속 기판의 제조 방법에 따르면, 금속 기판(X)의 표면에 금속 함유층(Y)을 용이하게 형성할 수 있다. 당해 금속 기판의 제조 방법에 있어서, 금속 기판(X)으로서 코발트, 구리 등의 금속의 기판의 표면에 폴리실록산 등의 패턴을 형성시킨 트렌치를 갖는 기판을 사용함으로써, 트렌치의 저부의 금속의 표면에 금속 함유층(Y)을 형성시킬 수 있다. 이러한 트렌치의 저부에 금속 함유층(Y)이 형성된 기판에 따르면, 도금 처리를 행할 때의 도금층의 성장이 촉진된다고 생각된다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 각 물성값의 측정 방법을 하기에 나타낸다.
[Mw 및 Mn]
중합체의 Mw 및 Mn은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 도소사의 GPC 칼럼(「G2000HXL」 2개, 「G3000HXL」 1개 및 「G4000HXL」1개)을 사용하여, 이하의 조건에 의해 측정하였다.
용리액: 테트라히드로푸란(와코 쥰야쿠 고교사)
유량: 1.0mL/분
시료 농도: 1.0질량%
시료 주입량: 100μL
칼럼 온도: 40℃
검출기: 시차 굴절계
표준 물질: 단분산 폴리스티렌
[13C-NMR 분석]
13C-NMR 분석은 핵자기 공명 장치(니혼 덴시사의 「JNM-EX400」)를 사용하고, 측정 용매로서 DMSO-d6을 사용하여 행하였다. 중합체에 있어서의 각 구조 단위의 함유 비율은, 13C-NMR으로 얻어진 스펙트럼에 있어서의 각 구조 단위에 대응하는 피크의 면적비로부터 산출하였다.
<[A] 중합체의 합성>
[합성예 1]
200mL의 삼구 플라스크 반응 용기에, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.098g, 스티렌 10.63g, 2-시아노-2-프로필도데실트리티오카르보네이트 0.83g 및 아니솔 20g을 가하고, 질소 분위기 하에서, 80℃에서 5시간 가열 교반하였다. 이어서, 비닐인산 0.68g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 1.0g을 가하고, 80℃에서 3시간 가열 교반하였다. 이 중합 반응액을 메탄올 300g에 투입하여 침전 정제하고, 얻어진 황색의 점성물을 회수하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 20g에 용해시키고, AIBN 0.49g 및 tert-도데칸티올 2.03g을 가하고, 80℃에서 2시간 교반하고, 트리티오카르보네이트 말단의 분리 반응을 행하였다. 얻어진 중합 반응액을 감압 농축하고, 얻어진 농축물을 메탄올 1,000g에 투입하여 침전 정제하고, 옅은 황색의 고체를 얻었다. 이어서, 이 고체를 60℃에서 감압 건조시킴으로써 중합체(A-1) 10.5g을 얻었다. 이 중합체(A-1)는, Mw가 5,600, Mn이 4,800, Mw/Mn이 1.17이었다.
[합성예 2]
200mL의 삼구 플라스크 반응 용기에, AIBN 0.098g, 2-시아노-2-프로필도데실트리티오카르보네이트 0.83g, tert-부틸스티렌 17.6g, 4-비닐벤조시클로부텐 0.78g 및 아니솔 20g을 가하고, 질소 분위기 하에서, 80℃에서 5시간 가열 교반하였다. 이어서, 비닐인산 0.68g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 1.0g을 가하고, 80℃에서 3시간 가열 교반하였다. 이 중합 반응액을 메탄올 300g에 투입하여 침전 정제하고, 얻어진 황색의 점성물을 회수하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 20g에 용해시키고, AIBN 0.49g 및 tert-도데칸티올 2.03g을 가하고, 80℃에서 2시간 교반하여, 트리티오카르보네이트 말단의 분리 반응을 행하였다. 얻어진 중합 반응액을 감압 농축하고, 얻어진 농축물을 메탄올 1,000g에 투입하여 침전 정제하고, 옅은 황색의 고체를 얻었다. 이어서, 이 고체를 60℃에서 감압 건조시킴으로써 중합체(A-2) 14.6g을 얻었다. 이 중합체(A-2)는, Mw가 6,300, Mn이 4,900, Mw/Mn이 1.29였다.
[합성예 3]
500mL의 플라스크 반응 용기를 감압 건조시킨 후, 질소 분위기 하에서, 증류 탈수 처리를 행한 테트라히드로푸란(THF) 120g 및 0.5N 염화리튬 THF 용액 9.2mL를 주입하고, -78℃까지 냉각하였다. 이어서, 이 THF 용액에 sec-부틸리튬(sec-BuLi)의 1N 시클로헥산 용액 2.38mL를 주입하고, 이어서, 중합 금지제 제거를 위해 실리카 겔에 의한 흡착 여과 분리와 증류 탈수 처리를 행한 스티렌 13.3mL를 30분에 걸쳐 적하 주입하고, 중합계가 주황색인 것을 확인하였다. 이 적하 주입 시, 반응 용액의 내온이 -60℃ 이상이 되지 않도록 주의하였다. 적하 종료 후에 30분간 숙성하였다. 이후, 3-브로모프로피오니트릴 0.19mL를 주입하고, 중합 말단의 정지 반응을 행하였다. 이 반응 용액을 실온까지 승온시키고, 얻어진 반응 용액을 농축하여 메틸이소부틸케톤(MIBK)으로 치환하였다. 그 후, 옥살산 2질량% 수용액 1,000g을 주입 교반하고, 정치 후, 하층의 수층을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하고, Li염을 제거하였다. 그 후, 초순수 1,000g을 주입 교반하고, 하층의 수층을 제거하였다. 이 조작을 3회 반복하고, 옥살산을 제거한 후, 용액을 농축하여 메탄올 500g 중에 적하함으로써 중합체를 석출시키고, 뷰흐너 깔때기로 고체를 회수하였다. 이 고체를 60℃에서 감압 건조시킴으로써 백색의 중합체(A-3) 11.9g을 얻었다. 이 중합체(A-3)는, Mw가 5,600, Mn이 5,200, Mw/Mn이 1.08이었다.
<조성물(S)의 조제>
[조제예 1]
[A] 중합체로서의 (A-1) 1.20g에, [B] 용매로서의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 98.80g을 가하고, 교반한 후, 0.45㎛의 세공을 갖는 고밀도 폴리에틸렌 필터로 여과함으로써, 조성물(S-1)을 조제하였다.
[조제예 2 및 비교 조제예 1]
하기 표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 사용한 것 이외에는, 상기 조제예 1과 마찬가지로 하여 조성물(S-2) 및 (S-3)을 조제하였다.
<기판의 제조>
[실시예 1 및 2 그리고 비교예 1]
[조성물의 도공]
8인치 코발트 기판을 옥살산 5질량% 수용액에 침지시킨 후, 질소 플로에서 건조시키고, 표면의 산화 피막을 제거하였다. 또한, 구리 기판에 대하여 마찬가지의 처리를 행하였다. 실리콘옥사이드(SiO2) 기판에 대해서는, 이소프로판올에 의해 표면 처리를 행하였다.
다음에, 트랙(도쿄 일렉트론사의 「TELDSA ACT8」)을 사용하여, 하기 표 2에 나타내는 조성물(S)을 1500rpm으로 스핀 코팅하고, 100℃에서 180초간 소성하였다.
얻어진 조성물(S)을 도공한 기판의 표면의 물의 접촉각 값을, 접촉각계(교와 가이멘 가가쿠사의 「Drop master DM-501」)를 사용하여 측정하였다. 접촉각의 측정값을 하기 표 2에 나타낸다.
[조성물의 도공 및 금속 함유층의 형성]
[실시예 1 및 2 그리고 비교예 1]
코발트 기판 및 구리 기판을 3㎝×3㎝의 쿠폰상으로 재단하고, 각각의 기판의 표면에 하기 표 3 및 표 4에 나타내는 조성물(S)을 1500rpm으로 스핀 코팅하고, 100℃에서 180초간 소성하였다. 이어서, 금속 기판의 표면과 화학 결합되어 있지 않은 [A] 중합체를 PGMEA에 의해 제거하고, 질소 블로에서 건조시켰다.
다음에, 얻어진 코발트 기판을 1M의 황산구리 수용액에, 얻어진 구리 기판을 1M 염화코발트 수용액에, 각 금속염 수용액 20g을 넣은 샤알레 중에서 72시간 침지한 후, [A] 중합체와 화학 결합되어 있지 않은 황산구리 또는 염화코발트를 초순수에 의해 제거하고, 질소 블로에서 건조시켰다.
얻어진 각각의 기판의 표면을 주사형 X선 광전자 분광 장치(ULVAC-PHI사의 「Quantum 2000」)(측정 조건: 100㎛φ)로 해석하고, 각 원소의 정성 및 정량을 행하였다. 평가 결과에 대하여 표 3 및 표 4에 함께 나타낸다. ESCA(XPS) 표면 데이터에 있어서의 「기타」에는, 무가공(bare) Si, 열 산화물, TiN, Co 다층상의 Ti, N, Si 등이 포함된다.
표 3의 결과로부터, 코발트 기판에 조성물(S)을 실시하고, 1M 황산구리 수용액에 침지ㆍ흡착한 것으로부터는 Cu 성분이 검출된 것을 알 수 있고, 또한 표 4의 결과로부터, 구리 기판에 조성물(S)을 실시하고, 1M 염화코발트 수용액에 침지ㆍ흡착한 것으로부터 Co 성분이 검출된 것을 알 수 있었다. 이와 같이, 실시예의 기판의 제조 방법에 따르면, 금속 기판의 표면에 금속 함유층이 형성된 기판을 간편하게 제조할 수 있다.
본 발명의 기판의 제조 방법에 따르면, 금속 기판의 표면에 금속 함유층이 형성된 기판을 간편하게 제조할 수 있다. 본 발명의 조성물은, 당해 기판의 제조 방법에 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 중합체는, 당해 조성물의 중합체 성분으로서 적합하게 사용할 수 있다. 따라서, 이들은 금후 점점 미세화가 진행될 것으로 예상되는 반도체 디바이스의 가공 프로세스 등에 적합하게 사용할 수 있다.
Claims (9)
- 금속 기판 상에 조성물을 도공하는 공정과,
상기 도공 공정에 의해 형성된 도공막 상의 적어도 일부에 금속 함유층을 형성하는 공정
을 구비하는 기판의 제조 방법이며,
상기 조성물이, 동일 분자 상에 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조를 갖는 중합체와, 용매를 함유하고,
상기 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조가, 각각 하기 식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 식 (2)로 표시되는 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는, 기판의 제조 방법.
(식 (1) 중, L1은 탄소수 1 내지 20의 3가의 기이다. A1은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. X는 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기, -SH 또는 -S-A11이다. A11은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. n은 (-L1(-A1)-)n으로 표시되는 블록을 구성하는 구조 단위의 수를 나타내고, 2 이상의 정수이다. 복수의 A1은 동일해도 되고 상이해도 된다. A1 및 A11은 동일해도 되고 상이해도 된다. *는, 상기 중합체에 있어서의 상기 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.
식 (2) 중, L2는 -S-, -NR- 또는 -NA22-이다. A2 및 A22는 각각 독립적으로, 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. m은 0 또는 1이다. *는, 상기 중합체에 있어서의 상기 식 (2)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.) - 제1항에 있어서, 상기 중합체에 있어서의 제1 말단 구조 중의 금속 원자와 화학 결합 가능한 상기 관능기와, 제2 말단 구조 중의 금속 원자와 화학 결합 가능한 상기 관능기가 서로 다른, 기판의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중합체에 있어서의 제1 말단 구조가 상기 식 (1)로 표시되는 구조이며, 제2 말단 구조가 상기 식 (2)로 표시되는 구조인, 기판의 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식 (1)에 있어서의 A1이 인산기이며, 상기 식 (2)에 있어서의 A2가 니트릴기, 카르복시기, 에스테르기 및 히드록시기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 기판의 제조 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중합체가, 탄화수소기 치환 또는 비치환된 스티렌에서 유래하는 구조 단위를 갖는, 기판의 제조 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 기판이 제1 금속 원자를 포함하고, 상기 금속 함유층이 상기 제1 금속 원자와는 다른 제2 금속 원자를 포함하고 있고,
상기 중합체에 있어서의 제1 말단 구조의 상기 관능기가 상기 제1 금속 원자와 화학 결합 가능한 것이며, 제2 말단 구조의 상기 관능기가 상기 제2 금속 원자와 화학 결합 가능한 것인, 기판의 제조 방법. - 제6항에 있어서, 상기 제1 말단 구조의 관능기가 인산기이며, 상기 제2 말단 구조의 상기 관능기가 니트릴기, 카르복시기, 에스테르기 및 히드록시기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 기판의 제조 방법.
- 금속 기판과 이 금속 기판 상에 형성된 금속 함유층을 구비하는 기판의 제조 방법에 사용되는 조성물이며,
동일 분자 상에 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조를 갖는 중합체와, 용매를 함유하고,
상기 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조가, 각각 하기 식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 식 (2)로 표시되는 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는, 조성물.
(식 (1) 중, L1은 탄소수 1 내지 20의 3가의 기이다. A1은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. X는 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기, -SH 또는 -S-A11이다. A11은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. n은 (-L1(-A1)-)n으로 표시되는 블록을 구성하는 구조 단위의 수를 나타내고, 2 이상의 정수이다. 복수의 A1은 동일해도 되고 상이해도 된다. A1 및 A11은 동일해도 되고 상이해도 된다. *는, 상기 중합체에 있어서의 상기 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.
식 (2) 중, L2는 -S-, -NR- 또는 -NA22-이다. A2 및 A22는 각각 독립적으로, 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. m은 0 또는 1이다. *는, 상기 중합체에 있어서의 상기 식 (2)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.) - 동일 분자 상에 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조를 갖고, 상기 제1 말단 구조 및 제2 말단 구조가 각각 하기 식 (1)로 표시되는 구조 및 하기 식 (2)로 표시되는 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 중합체.
(식 (1) 중, L1은 탄소수 1 내지 20의 3가의 기이다. A1은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. X는 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기, -SH 또는 -S-A11이다. A11은 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. n은 (-L1(-A1)-)n으로 표시되는 블록을 구성하는 구조 단위의 수를 나타내고, 2 이상의 정수이다. 복수의 A1은 동일해도 되고 상이해도 된다. A1 및 A11은 동일해도 되고 상이해도 된다. *는, 상기 중합체에 있어서의 상기 식 (1)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.
식 (2) 중, L2는 -S-, -NR- 또는 -NA22-이다. A2 및 A22는 각각 독립적으로, 금속 원자와 화학 결합 가능한 관능기를 포함하는 1가의 기이다. R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. m은 0 또는 1이다. *는, 상기 중합체에 있어서의 상기 식 (2)로 표시되는 구조 이외의 부분에 결합하는 부위를 나타낸다.)
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003076036A (ja) | 2001-09-03 | 2003-03-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機分子自己組織化膜のパターン形成方法 |
JP2016025315A (ja) | 2014-07-24 | 2016-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機単分子膜形成方法および表面処理方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4423584B2 (ja) | 2001-09-04 | 2010-03-03 | ヤマハ株式会社 | 電子音楽装置 |
JP4903528B2 (ja) * | 2006-10-23 | 2012-03-28 | 富士フイルム株式会社 | 金属膜付基板の作製方法、金属膜付基板、金属パターン材料の作製方法、金属パターン材料 |
EP2087942A1 (en) * | 2006-10-23 | 2009-08-12 | FUJIFILM Corporation | Process for producing metal-film-coated substrate, metal-film-coated substrate, process for producing metallic-pattern material, and metallic-pattern material |
JP2009263703A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 表面金属膜材料の作製方法、表面金属膜材料、金属パターン材料の作製方法、金属パターン材料、及びポリマー層形成用組成物 |
JP2012084640A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Fujifilm Corp | 積層体の製造方法 |
JP5734670B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2015-06-17 | 富士フイルム株式会社 | 被めっき層形成用組成物、金属膜を有する積層体の製造方法 |
-
2019
- 2019-09-30 WO PCT/JP2019/038636 patent/WO2020071339A1/ja active Application Filing
- 2019-09-30 JP JP2020550435A patent/JP7184092B2/ja active Active
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-
2021
- 2021-03-09 US US17/196,006 patent/US11578230B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003076036A (ja) | 2001-09-03 | 2003-03-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機分子自己組織化膜のパターン形成方法 |
JP2016025315A (ja) | 2014-07-24 | 2016-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機単分子膜形成方法および表面処理方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
ACS Nano, 9, 9, 8651, 2015 |
ACS Nano, 9, 9, 8710, 2015 |
Langmuir, 21, 8234, 2005 |
Science, 318, 426, 2007 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11578230B2 (en) | 2023-02-14 |
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