JP6148311B2 - 電子装置 - Google Patents
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Description
タリングターゲットに関する。
体特性を利用することで機能しうる半導体装置も含まれる。また、半導体特性を利用しな
いような装置であっても、電気的な物性を利用する装置(例えば、コンデンサ、コイル、
各種電子管等)は電子装置に含まれる。したがって、電気光学装置、半導体回路および電
子機器は全て電子装置である。
があり、それらの物性に応じて様々な用途に用いられる。例えば、酸化珪素は代表的な絶
縁性酸化物であり、特に集積回路において、素子分離や配線間の絶縁等の目的で広く使用
されている。また、酸化タンタル、チタン酸バリウム等は絶縁性と高い比誘電率とを利用
して、コンデンサ(キャパシタ)の誘電体として用いられる。
たもの)が挙げられる。適度な導電性と高い可視光の透過性を生かした透明導電膜の材料
とされる。そのほかにも、イットリウムバリウム銅酸化物あるいはビスマス鉛ストロンチ
ウム銅酸化物等は、窒素の沸点以上の温度で超伝導特性を示す材料として知られている。
)としては、例えば、酸化タングステン、酸化錫、インジウム−ガリウム−亜鉛系の酸化
物(In−Ga−Zn系酸化物)などがあり、このような半導体性酸化物をチャネル形成
領域とする薄膜トランジスタが既に知られている(特許文献1及び特許文献2)。また、
特に、In−Ga−Zn系酸化物に関しては、その物性面での研究も進められている(非
特許文献1)。
は、スパッタリング法が用いられる。導電性酸化物膜に関しては、ターゲットも十分な導
電性を有するので、マイクロ波プラズマスパッタリング法(周波数100MHz以上のマ
イクロ波を用いるスパッタリング法)、RFスパッタリング法(周波数1kHz以上10
0MHz未満の電磁波を用いるスパッタリング法)は言うまでもなく、ACスパッタリン
グ法(周波数1kHz未満、典型的には100Hz以下の交流を用いるスパッタリング法
、サイクルスパッタリング法とも言う)やDCスパッタリング法(直流を用いるスパッタ
リング法、電圧をパルス状に印加するパルスDCスパッタリング法を含む)においても何
ら問題なく成膜できる。
よりもDCスパッタリング法やACスパッタリング法が好まれる。これらの方法では、大
面積の均質なプラズマを発生させることができるため、大面積基板を処理することができ
、量産性が高まるためである。特に表示装置等の大面積を必要とする電子装置の作製に関
しては、DCスパッタリング法やACスパッタリング法を用いることが好ましく、かつ、
実用的である。
グ法を用いることが困難となる。これらの方式では、ターゲットの導電性が十分に高くな
いと安定したプラズマを発生できないためである。
酸素欠損を増加させて、酸化物中のキャリア濃度を高め、よって、導電率を高めるもので
ある。この方式は、例えば、酸化インジウム等では有効である。しかしながら、酸化ガリ
ウムでは、酸素欠損を導入することが困難であるため、有効な手段ではない。
により導電率を高めるものである。しかしながら、この方式では、作製される膜中に水素
が持ち込まれることとなる。水素を含有する半導体性酸化物は電子特性が不安定であり、
特にトランジスタ等の半導体装置を作製する上では、信頼性の面で大きな問題となる。
有する酸化物膜を量産性よく得ることを課題とする。また、本発明の一は、新規の電子装
置(特に、半導体装置)を提供することを課題とする。さらに、本発明の一は、新規の電
子装置の作製方法(特に、半導体装置の作製方法)を提供することを課題とする。
する酸化物よりなるターゲットを用いてスパッタリング法により酸化物膜を形成する工程
と、酸化物膜を加熱処理する工程と、酸化物膜の表面をエッチングして、絶縁性酸化物膜
を得る工程とを有し、絶縁性酸化物膜中の第1の金属元素の濃度はターゲット中の第1の
金属元素の濃度の50%以下であることを特徴とする電子装置の作製方法である。
する酸化物よりなるターゲットを用いてスパッタリング法により酸化物膜を形成する工程
と、酸化物膜を加熱処理する工程と、酸化物膜の表面をエッチングして、絶縁性酸化物膜
を得る工程とを有し、ターゲットの導電率は、絶縁性酸化物膜の導電率よりも高いことを
特徴とする電子装置の作製方法である。
する酸化物よりなるターゲットを用いてスパッタリング法により酸化物膜を形成する工程
と、酸化物膜を加熱処理することにより、酸化物膜中の第1の金属元素の濃度を低下させ
て絶縁性酸化物膜を得る工程とを有することを特徴とする電子装置の作製方法である。
する酸化物よりなるターゲットを用いてスパッタリング法により酸化物膜を形成する工程
と、酸化物膜を加熱処理することにより、第1の金属元素の濃度の高い領域を形成する工
程と、酸化物膜に接して半導体性酸化物膜を形成する工程とを有し、半導体性酸化物膜に
含まれる金属元素に対する第2の金属元素の比率は0.2以上であることを特徴とする電
子装置の作製方法である。
する導電性酸化物よりなるスパッタリング法で成膜する装置に用いられるスパッタリング
ターゲットである。ここで、第2の金属元素の酸化物自体は絶縁性酸化物である。
法を含む)やACスパッタリング法でもよい。
れた半導体性酸化物膜とを有し、酸化物膜は少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素
を有し、酸化物膜における第1の金属元素の濃度は、基板に面する部分よりも、半導体性
酸化物膜に接する部分の方が高く、一方、第2の金属元素の濃度は、基板に面する部分よ
りも、半導体性酸化物膜に接する部分の方が低いことを特徴とする電子装置である。
であってもよい。さらに、上記において半導体性酸化物膜はアモルファス状態であっても
よい。また、半導体性酸化物膜は結晶を有していてもよい。さらには、単結晶状態であっ
てもよい。また、その結晶は基板に垂直な面にc軸が配向する構造を有してもよい。
00℃以上700℃未満でおこなうとよい。また、加熱処理の雰囲気に関しては、酸素も
しくは窒素を含む雰囲気とするとよい。さらに、圧力は10Pa以上1気圧以下とすると
よい。
や水素導入によって導電率を高めることができない、あるいは望ましくない材料である。
しかしながら、比誘電率が高い(10程度)ため、コンデンサの誘電体やMISFET(
金属絶縁体半導体構造の電界効果トランジスタ)のゲート絶縁物として用いることが想定
される。また、半導体性酸化物との界面にトラップ準位を作らないことから、そのような
半導体層と接して設けられる絶縁膜(ゲート絶縁物を含む)として用いることが想定され
る。特にIn−Ga−Zn系酸化物との界面は良好なものとなる。
ころで、酸化亜鉛は導電性が高く、例えば、酸化亜鉛にアルミニウムを添加した物質はA
ZOという名称で知られている。そして、酸化亜鉛と酸化ガリウムを50対50で合成し
た物質は、非特許文献1の図12の記載から、アモルファス状態で5×10−3Ω−1c
m−1の導電率が得られることがわかる。一方、酸化亜鉛と酸化ガリウムを25対75で
合成した物質は十分な絶縁性が示される。
が偏析する現象を見出した。すなわち、当初、膜中に均一に分布していた亜鉛は、加熱処
理により、表面に偏析し、その他の部分では、亜鉛濃度が十分に低く、十分な絶縁性が得
られる。
板に面する部分、あるいは表面近傍以外の適切な部分の亜鉛の濃度を当初(すなわち、タ
ーゲット中の濃度)の50%以下とすれば、そのような部分では上記に示したように十分
な絶縁性が得られ、絶縁膜として使用できる。
して、亜鉛あるいは酸化亜鉛の蒸気圧が高いため生じる。したがって、ガリウムと亜鉛に
限らず、他の2以上の金属元素の組み合わせであっても、そのような条件を満たすもので
あれば、起こりえるものである。例えば、ガリウムと亜鉛の酸化物の代わりにガリウムと
アルミニウムと亜鉛を有する酸化物を用いてもよい。
を除いても、表面に向かって増加する傾向がある。その一方、ガリウムの濃度は表面に向
かって低下する傾向がある。このような現象もガリウムあるいは酸化ガリウムの蒸気圧に
比して、亜鉛あるいは酸化亜鉛の蒸気圧が高いため生じる。
性を有する膜とすることができる。このような処置により、ターゲットの導電率よりも、
最終的に得られる酸化物膜の導電率を小さくすることができる。
残しておいてもよい。
物膜から亜鉛が蒸発しやすい傾向があり、酸化物膜中の亜鉛の濃度が低下することが明ら
かとなった。このような加熱処理により、酸化物膜中のガリウムの濃度、Ga/(Ga+
Zn)を高めて、0.7以上、好ましくは0.8以上とすると、十分な絶縁性酸化物とな
り、各種電子装置に用いることができる。
化物をターゲットとして用いてスパッタリング法をおこなうという技術思想はなかった。
混入した金属元素を取り出すために現実的な方法がなかったからである。上記の方法は、
この点で、画期的なものである。
パッタ法やACスパッタ法を用いて絶縁性の高い酸化物膜が得られる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。ゆえに本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
においても適宜、組み合わせることができる。なお、以下に説明する構成において、同様
のものを指す符号は異なる図面間で共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を
有する部分の詳細な説明は省略することもある。
技術思想を適用した例を示すが、本発明の技術思想は表示装置に適用することに限られな
いことは容易に理解される。また、以下の実施の形態で用いるゲート、ソース、ドレイン
等の用語は、説明を簡略におこなうために用いるものであり、それらの意味を限定的に解
釈すべきではない。
うに設けられた導電性領域およびそれと一体のもの」と表現すべきものを、本明細書では
、単に「ゲート電極」と呼ぶこともある。また、ソースとドレインは本明細書では特に区
別せず、一方をソースと呼んだ場合に他方をドレインと呼ぶ。
語については、絶対的な意味がないことを注意すべきである。同じ組成で同じ物性を示す
酸化物であっても、用途によって、その呼び名が異なることがある。例えば、DCスパッ
タのターゲットとして用いる場合には、導電性酸化物と呼ぶが、トランジスタの半導体層
として用いる場合は半導体性酸化物と呼ぶことがある。
、フッ素、硫黄、セレン、塩素、臭素、テルル、ヨウ素の占める割合(モル比)が全体の
25%以上で、かつ、以上の元素に対する酸素の割合(モル比)が70%以上のものをい
う。
酸素等)、17族元素(フッ素等)、珪素、燐、ゲルマニウム、砒素、アンチモン以外の
全ての元素のことである。
物質中に金属元素が複数ある中で、当該金属元素が金属元素全体の50%以上を占める場
合を言う。また、n種の金属元素M1、M2、・・、Mnを主たる金属成分とするとは、
金属元素M1、M2、・・、Mnのそれぞれの占める比率の総和が金属元素全体の{(1
−2−n)×100}[%]以上を占める場合を言う。
ない限り、二次イオン質量分析法により決定する。一般に、二次イオン質量分析法により
、単層あるいは多層の膜の深さ方向の元素の濃度の分析をおこなうと、特に微量元素の場
合、基板と膜あるいは膜と膜の界面では元素濃度が異常に高くなる傾向があるが、このよ
うな部分の濃度は正確な値ではない上、測定ごとのばらつきも大きい。
安定した部分を膜の正確な濃度の指標とすることが望まれる。そのため、本明細書では、
二次イオン質量分析法により決定される濃度は、分析対象を分析して得られた値の最低値
を用いるものとする。
本実施の形態では上記の技術思想を用いてトランジスタを有する表示装置を作製する例を
示す。図1(A)乃至(F)に本実施の形態の表示装置の作製工程断面を示す。本実施の
形態に示すトランジスタは、半導体として半導体性酸化物を用いるものであり、ゲート電
極が基板側に位置するボトムゲート型で、かつ、ソース電極とドレイン電極がともに半導
体層の上面にコンタクトするトップコンタクト型である。
1上に、ゲート電極102、酸化珪素あるいは酸化窒化珪素等の第1のゲート絶縁物10
3および酸化物膜104を形成する。第1のゲート絶縁物103は設けなくともよい。ま
た、酸化物膜104は、本実施の形態ではガリウムと亜鉛の酸化物で、その比率、Ga/
(Ga+Zn)は、0.2乃至0.6、好ましくは0.3乃至0.5とするとよい。
ある。例えば、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板
を用いるとよいが、これに限られず、石英、サファイヤ等の絶縁体、あるいは炭化珪素の
ように十分に絶縁性の高い半導体を用いてもよい。さらには、シリコン、ゲルマニウム、
ガリウム砒素等のそれほど絶縁性の高くない半導体あるいはドーピングによって導電性を
高めた半導体や銅、アルミニウム等の表面に絶縁膜を形成したものを用いてもよい。
をブロッキングする機能を有する絶縁性の材料(例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミ
ニウム、窒化珪素等)の膜を表面に設けることが望ましい。なお、本実施の形態では、同
様な機能を第1のゲート絶縁物103に持たせることもできる。
ウム、銅等の金属元素またはこれらを主たる金属元素とする合金材料を用いて、単層また
は積層して形成することができる。ゲート電極102に用いる材料の仕事関数により、得
られるトランジスタのしきい値等が変化するので、それに応じた選択をする必要がある。
要がある。そのことについては後述する。また、第1のゲート絶縁物103は公知のスパ
ッタリング法、CVD法等で形成すればよい。
スパッタリング法を用いる際には、異常アーク放電を防止するために、パルス的に電圧を
印加するパルスDCスパッタリング法を用いてもよい。ACスパッタリング法では、異常
アーク放電を防止する必要がないため、パルスDCスパッタリング法に比較すると、プラ
ズマ発生時間の割合が2倍以上高く、さらに量産性がよい。
調整した酸化物とすればよい。なお、スパッタリングの際に、雰囲気や成膜面の温度によ
っては、ターゲットの組成と得られる膜の組成が異なることは一般に知られている。例え
ば、ターゲットは導電性であっても、得られる膜の亜鉛の濃度が低下して、絶縁性もしく
は半導体性となることがある。
℃以上での蒸気圧がガリウムあるいは酸化ガリウムよりも高いので、基板101を200
℃以上に加熱すると酸化物膜104の亜鉛の濃度はターゲットの亜鉛の濃度よりも低くな
る。したがって、そのことを考慮して、ターゲットの亜鉛の濃度は高めに決定する必要が
ある。一般に亜鉛の濃度が増加すると、酸化物の導電率が向上するので、DCスパッタリ
ング法を適用するには好ましい。
、成型し、焼成して得ることができる。あるいは、粒径100nm以下の酸化ガリウムと
酸化亜鉛の粉末を十分に混合し、成型しただけのものでもよい。
雰囲気は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または、希ガスと酸
素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物膜104への水素、水、水酸基、水素
化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除去さ
れた高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。
ることによっても、上記の不純物の混入を防止できる。加えて、排気手段として、クライ
オポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプ、あ
るいは、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものを用いるとよい。
原子を含む化合物などが(より好ましくは炭素原子を含む化合物とともに)除去されてい
るため、当該成膜室で成膜した酸化物膜104に含まれる不純物の濃度を低減できる。
とし、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において
、400℃乃至700℃で10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図1(B)に
示すように、酸化物膜104が変質し、表面付近に亜鉛の濃度の高い半導体性酸化物層1
04aが形成され、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層104bとなる。
aと絶縁性酸化物層104bとの境界は明確なものではない。また、加熱時間が長いほど
、かつ、加熱温度が高いほど、さらには、加熱時の圧力が低いほど、亜鉛が蒸発しやすく
、半導体性酸化物層104aが薄くなる傾向がある。
には、ドライエッチングあるいはウェットエッチングをおこなえばよい。その際、半導体
性酸化物層104aだけでなく、絶縁性酸化物層104bのうち、半導体性酸化物層10
4aに近接する部分も同時にエッチングしてもよい。例えば、絶縁性酸化物層104bと
みなされる部分のうち半導体性酸化物層104aに近接する部分を、絶縁性酸化物層10
4bの厚さの10%乃至50%エッチングしてもよい。
継続して、半導体性酸化物層104aを気化させることにより除去してもよい。
おけるガリウムの比率、Ga/(Ga+Zn)が0.7以上、好ましくは、0.8以上と
なるようにするとよい。なお、絶縁性酸化物層104bにおけるガリウムの比率は表面付
近が最も低く、基板に向かって高くなる。
%以下となるようにすることが好ましい。当然のことながら、絶縁性酸化物層104bの
抵抗率はターゲットの抵抗率よりも高くなる。
体性酸化物層104aの表面付近に偏析し、あるいは蒸発するため、絶縁性酸化物層10
4bではその濃度が十分に低くなる。これらは、トランジスタにおいては好ましくない元
素であるので、トランジスタを構成する材料には可能な限り含まれないようにすることが
好ましい。これらのアルカリ金属は亜鉛以上に蒸発しやすいので、加熱処理工程は、これ
らを除去する上でも有効である。
下、好ましくは1×1016cm−3以下、さらに好ましくは1×1015cm−3以下
とするとよい。同じく、リチウムの濃度は5×1015cm−3以下、好ましくは1×1
015cm−3以下、カリウムの濃度は5×1015cm−3以下、好ましくは1×10
15cm−3以下とするとよい。
機能する。すなわち、トランジスタのゲート絶縁物の厚さは、第1のゲート絶縁物103
の厚さと絶縁性酸化物層104bの厚さの和である。したがって、第1のゲート絶縁物1
03の厚さは、絶縁性酸化物層104bを考慮して決定する必要がある。
含まれる亜鉛の比率にも依存する。一般に、亜鉛の比率が高いほど、絶縁性酸化物層10
4bは薄くなる。したがって、上述のとおり、第1のゲート絶縁物103の厚さは、酸化
物膜104の組成と厚さに応じて決定される必要がある。
るトランジスタの場合、ゲート絶縁物の厚さは50nm乃至1μmである。例えば、酸化
物膜104の厚さを200nm、酸化物膜104中のガリウムの比率、Ga/(Ga+Z
n)を0.5とした場合、得られる絶縁性酸化物層104bの厚さは、100nm乃至1
50nmである。なお、絶縁性酸化物層104bは、ガリウムを主たる金属元素とするた
め、その比誘電率は、酸化珪素の約2.5倍である。
ト絶縁物103と絶縁性酸化物層104b)の厚さを酸化珪素換算で200nmとするの
であれば、第1のゲート絶縁物103の厚さは、140nm乃至160nmとすればよい
。
れるものである。一般に、印加される電圧が低ければ、ゲート絶縁物は薄く設定され、印
加される電圧が高ければ、ゲート絶縁物は厚く設定される。
り、化学式ではGaxZn1−xOy(ただしX≧0.7)と表現されるが、ここで、x
/2+1<y<x/2+1.5となるように、すなわち、酸素が化学量論比よりも過剰と
なることが好ましい。そのために、図1(C)に示すように、絶縁性酸化物層104bの
表面を露出させた後、酸素雰囲気で加熱処理をしてもよいし、酸素プラズマ雰囲気にさら
してもよい。
アルミニウムなどの13族元素などの不純物元素を含ませることで、後に得られる絶縁性
酸化物層104bのエネルギーギャップを拡大させて絶縁性を高めても良い。これらの不
純物を含まない酸化ガリウムのエネルギーギャップは4.9eVであるが、上述の不純物
を、例えば0を超えて20原子%以下程度含ませることで、そのエネルギーギャップを6
eV程度まで拡大することができる。
膜105に用いる材料としては、少なくともインジウム(In)あるいは亜鉛(Zn)を
含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該半導体性酸化物を
用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それら
に加えてガリウム(Ga)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ(
Sn)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム(Hf)を有す
ることが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム(Al)を有することが好
ましい。
Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム
(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホル
ミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ル
テチウム(Lu)のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg
系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属
の酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Z
n系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn
系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系
酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸
化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化
物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物
、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、
四元系金属の酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系
酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−S
n−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を用いることができる。
成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、
InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。
る。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、Sn及びInから選ばれた一または複数の金属元
素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びSn、またはGa及びInな
ど2種類の金属を用いてもよい。
比は、原子数比で、In:Zn=50:1〜1:2(モル数比に換算するとIn2O3:
ZnO=25:1〜1:4)、好ましくはIn:Zn=1:1〜1:20(モル数比に換
算するとIn2O3:ZnO=10:1〜1:2)、さらに好ましくはIn:Zn=1.
5:1〜15:1(モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=3:4〜15:2)とす
る。例えば、In−Zn系酸化物の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:
O=1:1:Xのとき、X>1、好ましくはX>1.5とする。
:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5)の原子比のIn−Ga−Zn系酸化物
やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:1
:1(=1/3:1/3:1/3)、In:Sn:Zn=2:1:3(=1/3:1/6
:1/2)あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5(=1/4:1/8:5/8)の原子
比のIn−Sn−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キ
ャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離、密度
等を適切なものとすることが好ましい。
ら、In−Ga−Zn系酸化物でも、バルク内欠陥密度を低減することにより移動度を上
げることができる。
c=1)である酸化物の組成が、原子数比がIn:Ga:Zn=A:B:C(A+B+C
=1)の酸化物の組成の近傍であるとは、a、b、cが、(a―A)2+(b―B)2+
(c―C)2≦r2、を満たすことをいい、rは、例えば、0.05とすればよい。他の
酸化物でも同様である。
晶でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファ
スでもよい。
なわち、In−Ga−Zn系の酸化物をターゲットとしてスパッタリング法により形成す
る。酸化物ターゲットの充填率は、90%以上100%以下、好ましくは95%以上99
%以下とする。充填率の高い酸化物ターゲットを用いることにより、得られる半導体性酸
化物膜を緻密な膜とすることができる。
できる。なお、ターゲットの材料および組成をこれに限定する必要はない。例えば、In
:Ga:Zn=1:1:0.5[モル比]、In:Ga:Zn=2:1:3[モル比]、
In:Ga:Zn=3:1:2[モル比]の組成比の酸化物ターゲットを用いることもで
きる。
ガリウムの比率(モル比)が0.2以上であるものが好ましい。例えば、In:Ga:Z
n=1:1:1である場合は、ガリウムの比率は0.33であり、In:Ga:Zn=1
:1:0.5の場合は、0.4である。
。成膜時の雰囲気は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または、
希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、半導体性酸化物膜105への水素
、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不
純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。
半導体性酸化物膜を厚くしすぎると(例えば、膜厚を50nm以上)、トランジスタがノ
ーマリーオンとなってしまうおそれがあるためである。
ることによっても、上記の不純物の混入を防止できる。加えて、排気手段として、クライ
オポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプ、あ
るいは、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものを用いるとよい。
原子を含む化合物、および炭素原子を含む化合物が除去されているため、当該成膜室で成
膜した半導体性酸化物膜105に含まれる不純物の濃度を低減できる。
導体性酸化物をトランジスタに用いる場合においては好ましくない元素であるので、トラ
ンジスタを構成する材料には可能な限り含まれないようにすることが好ましい。
、ナトリウムイオンとなる。あるいは半導体性酸化物内において、金属元素と酸素の結合
を分断し、あるいは結合中に割り込む。その結果、トランジスタ特性の劣化(例えば、ノ
ーマリオン化(しきい値の負へのシフト)、移動度の低下等)をもたらす。また、特性の
ばらつきの原因ともなる。
なる。したがって、半導体性酸化物中の水素の濃度が5×1019cm−3以下、特に5
×1018cm−3以下である場合には、アルカリ金属の濃度を十分に低くすることが強
く求められる。
下、好ましくは1×1016cm−3以下、さらに好ましくは1×1015cm−3以下
とするとよい。同じく、リチウムの濃度は5×1015cm−3以下、好ましくは1×1
015cm−3以下、カリウムの濃度は5×1015cm−3以下、好ましくは1×10
15cm−3以下とするとよい。
エッチングすることで、目的とする形状(例えば、島状)を有する半導体性酸化物膜10
5aを得る。エッチングには、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用い
ればよい。なお、ここでのエッチングに際しては、第1のゲート絶縁物103をエッチン
グストッパーとして用いてもよい。
望ましい。この第1の熱処理によって半導体性酸化物膜105a中の、過剰な水素(水や
水酸基を含む)を除去し、半導体性酸化物膜105aの構造を整え、エネルギーギャップ
中の欠陥準位を低減することができる。第1の熱処理の温度は、250℃以上650℃以
下とする。
b中の過剰な水素(水や水酸基を含む)を除去することも可能である。
、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。第1の熱処理は、以上のように半導体性酸化物
膜105aを形成した後に限らず、半導体性酸化物膜105を形成した後のどのタイミン
グにおいておこなうことも可能である。また、同様な脱水化処理、脱水素化処理は、一回
に限らず複数回おこなっても良い。
気下でおこなうことができる。この間、半導体性酸化物膜105aは大気に触れさせず、
水や水素の混入が生じないようにする。
によって、被処理物を加熱する装置を用いても良い。例えば、GRTA(Gas Rap
id Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid The
rmal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal Anneal
)装置を用いることができる。
ボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光(
電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを
用いて熱処理をおこなう装置である。ガスとしては、アルゴンなどの希ガス、または窒素
のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。
間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すGRTA処理をおこなっても
よい。GRTA処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐
熱温度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガスを、
酸素を含むガスに切り替えても良い。酸素を含む雰囲気において第1の熱処理をおこなう
ことで、酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるた
めである。
)を主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ま
しい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの
純度を、6N(99.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上(
すなわち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とする。
減し、真性または真性に限りなく近い半導体とすることで、極めて優れた特性のトランジ
スタを実現することができる。
を取ることができる。すなわち、ある条件ではアモルファス状態である。また、ある条件
ではアモルファス状態の中に部分的に結晶が浮かんでいるような状態である、また、ある
条件では単結晶状態あるいは単結晶状態とみなせるような規則正しく結晶の配列した状態
となる。
物の結晶構造においてc軸が存在する場合)が優先的に配向する状態(c軸配向)である
ことが好ましい。どのような状態となるかは加熱条件や半導体性酸化物膜105aの組成
に依存する。
膜にはスパッタリング法を用いればよい。N型の半導体性酸化物膜としては、酸化インジ
ウム、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム等を用いればよい。なお、N
型の半導体性酸化物膜は、ソース電極やドレイン電極と半導体性酸化物膜105aとの接
触抵抗を低減する目的で設けるが、ソース電極やドレイン電極に用いる金属の種類によっ
ては設けなくてもよい。
タングステン等から選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を主たる金属成分と
する金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)等を用いる
ことができる。
グステンなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデ
ン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成としても良い。
bと、ソース電極107aとドレイン電極107bを形成する。以上でトランジスタの基
本的な構造が完成する。なお、導電膜のエッチングの際に、半導体性酸化物膜105aの
一部もエッチングされ、半導体性酸化物膜105aに溝部(凹部)が形成されることもあ
る。
半導体性酸化物膜105aの表面に付着した吸着水などを除去してもよい。なお、このプ
ラズマ処理の際には、ガス中の窒素やアルゴンの濃度は50%未満とすることが好ましい
。
プラズマ処理をおこなった場合、当該プラズマ処理後に、基板101を大気雰囲気に取り
出さずに、連続して第1の絶縁物108の成膜をおこなうと、半導体性酸化物膜105a
の表面に大気成分(特に水)が吸着されないので望ましい。
酸化窒化アルミニウムなどの無機絶縁物を用いて形成することができる。特に、後述する
理由から酸化物であることが好ましく、化学量論比以上の酸素を含有していることが好ま
しい。
度は、150℃以上600℃以下、好ましくは250℃以上450℃以下とする。
ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気)、または希ガス(アルゴン、ヘリウムな
ど)の雰囲気下でおこなえばよい。また、熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガ
スの純度を、6N以上好ましくは7N以上(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは
0.1ppm以下)とすることが好ましい。
態で加熱される。したがって、第1の熱処理等の脱水化熱処理あるいは脱水素化熱処理に
よって減少してしまう可能性のある半導体性酸化物膜105aの酸素を第1の絶縁物10
8より供給することができる。これによって、半導体性酸化物膜105aの電荷捕獲中心
を低減することができる。
5aを、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することができる。高
純度化された半導体性酸化物膜105aにはドナーに由来するキャリアが極めて少なくな
る。キャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、
さらに好ましくは1×1011/cm3未満とすることができる。
を用いて形成すればよい。そして、第1の絶縁物108と第2の絶縁物109を選択的に
エッチングして、ドレイン電極107bに達するコンタクトホールを形成する。このコン
タクトホールを介して、ドレイン電極107bと接触する表示用電極110を形成する(
図1(F))。
は、In−Sn系酸化物やZn−Al系酸化物等のバンドギャップが3電子ボルト以上の
導電性酸化物を用いることができる。また、金属ナノワイヤ−や厚さ3nm以下の炭素膜
(グラフェン等)を用いることもできる。後者としては、各種金属材料(アルミニウム、
銀等)の膜を用いることができる。反射性の表示用電極においては白色を表示するには、
その表面に不規則な凹凸を設けるとよい。
が図1に相当する。図8(A)は、図1(A)に示される状態に相当するものであるが、
ここでは、第1のゲート絶縁物103や酸化物膜104等は表示していない。図8(B)
は図1(E)に示される状態に相当する。また、図8(C)は図1(E)で示される工程
と、図1(F)で示される工程の中間の状態を示す。すなわち、図1(E)の工程の後、
N型半導体性酸化物膜106aおよび106bと、ソース電極107aとドレイン電極1
07bを形成した直後の様子を示す。
、このような材料を、特に金属元素に占めるガリウムの比率が0.2以上の半導体性酸化
物と接触させるような構造とすると、半導体性酸化物膜との界面における電荷捕獲を十分
に抑制することができる。このことにより、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器(例えば、集積回路)でも実施できる
ことは明らかである。
本実施の形態では実施の形態1で示したトランジスタとは異なる構造のトランジスタを有
する表示装置を作製する例を示す。図2(A)乃至(F)に本実施の形態の表示装置の作
製工程断面を示す。本実施の形態に示すトランジスタは、半導体として半導体性酸化物を
用いるものであり、ボトムゲート型である。また、ソース電極とドレイン電極はともに半
導体層の下面にコンタクトするボトムコンタクト型である。
関しては、用いる材料や使用する手段、条件等は、特に断らない限りは、実施の形態1で
示したものを用いればよい。図2(A)に示すように、絶縁表面を有する基板101上に
、ゲート電極102、第1のゲート絶縁物103および酸化物膜104を形成する。
膜104の組成と厚さに応じて決定される必要がある。第1のゲート絶縁物103は設け
なくともよい。酸化物膜104は、本実施の形態ではガリウムと亜鉛の酸化物で、その比
率、Ga/(Ga+Zn)は、0.2乃至0.6、好ましくは0.3乃至0.5とすると
よい。酸化物膜104はDCスパッタリング法あるいはパルスDCスパッタリング法、A
Cスパッタリング法で形成する。
とし、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において
、400℃乃至700℃で10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図2(B)に
示すように、酸化物膜104が変質し、表面付近に亜鉛の濃度の高い半導体性酸化物層1
04aが形成され、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層104bとなる。な
お、半導体性酸化物層104aと絶縁性酸化物層104bとの境界は明確なものではない
。
体性酸化物層104aだけでなく、絶縁性酸化物層104bのうち、半導体性酸化物層1
04aに近接する部分も同時にエッチングしてもよい。あるいは、さらに熱処理を継続し
て、半導体性酸化物層104aを気化させることにより除去してもよい。以上の工程によ
り、絶縁性酸化物層104bの表面におけるガリウムの比率、Ga/(Ga+Zn)が0
.7以上、好ましくは、0.8以上となるようにするとよい。
うに、ソース電極107aとドレイン電極107bを形成する。さらに、これらの上に半
導体性酸化物膜105を形成する。
的とする形状(例えば、島状)を有する半導体性酸化物膜105aを得る。エッチングに
は、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いればよい。なお、ここでの
エッチングに際しては、絶縁性酸化物層104bをエッチングストッパーとして用いると
よい。その後、実施の形態1で示したようなプラズマ処理をおこなってもよい。また、こ
の工程に前後して実施の形態1で示した第1の熱処理をおこなってもよい。以上でトラン
ジスタの基本的な構造が完成する。
おこなってもよい。次に、表面が平坦な第2の絶縁物109を形成する。そして、第1の
絶縁物108と第2の絶縁物109を選択的にエッチングして、ドレイン電極107bに
達するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介して、ドレイン電極10
7bと接触する表示用電極110を形成する(図2(F))。
化物膜105とソース電極107aとドレイン電極107bとの上下関係のみである。し
たがって、上方から見たトランジスタの構造は、図8(C)で示されるものとほとんど同
じである。
、このような材料を、特に金属元素に占めるガリウムの比率が0.2以上の半導体性酸化
物と接触させるような構造とすると、半導体性酸化物膜との界面における電荷捕獲を十分
に抑制することができる。このことにより、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器(例えば、集積回路)でも実施できる
ことは明らかである。
本実施の形態では上記の実施の形態で示したトランジスタとは異なる構造のトランジスタ
を有する表示装置を作製する例を示す。図3(A)乃至(F)に本実施の形態の表示装置
の作製工程断面を示す。本実施の形態に示すトランジスタは、半導体として半導体性酸化
物を用いるものであり、ゲートが半導体層の上に形成されるトップゲート型である。また
、ソース電極とドレイン電極はともに半導体層の上面にコンタクトするトップコンタクト
型である。
関しては、用いる材料や使用する手段、条件等は、特に断らない限りは、実施の形態1で
示したものを用いればよい。図3(A)に示すように、基板101上に、酸化物膜111
を形成する。なお、酸化物膜111はその後の熱処理等の工程により絶縁性の酸化物とな
るので基板101の表面は導電性を呈するものであっても構わない。
をブロッキングする機能を有する絶縁性の材料(例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミ
ニウム、窒化珪素等)の膜を基板101と酸化物膜111の間に設けることが望ましい。
なお、本実施の形態では、酸化物膜111が、その後の熱処理でガリウムを主たる金属元
素とする酸化物となるので、同様な機能を持たせることもできる。
+Zn)は、0.2乃至0.6、好ましくは0.3乃至0.5とするとよい。酸化物膜1
11はDCスパッタリング法あるいはパルスDCスパッタリング法、ACスパッタリング
法で形成する。また、その厚さは100nm乃至1000nmとするとよい。酸化物膜1
11は実施の形態1の酸化物膜104と同様に作製できる。
、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において、400℃乃至7
00℃で10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図3(B)に示すように、酸化
物膜111が変質し、表面付近に亜鉛の濃度の高い半導体性酸化物層111aが形成され
、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層111bとなる。なお、半導体性酸化
物層111aと絶縁性酸化物層111bとの境界は明確なものではない。
体性酸化物層111aだけでなく、絶縁性酸化物層111bのうち、半導体性酸化物層1
11aに近接する部分も同時にエッチングしてもよい。例えば、絶縁性酸化物層111b
とみなされる部分のうち半導体性酸化物層111aに接する部分を、絶縁性酸化物層11
1bの厚さの10%乃至50%エッチングしてもよい。
除去してもよい。いずれの方法を用いるにしても、絶縁性酸化物層111bの表面におけ
るガリウムの比率、Ga/(Ga+Zn)は0.7以上、好ましくは、0.8以上となる
ようにするとよい。
あるため、水素やアルカリ金属をブロッキングする機能を有する。
鉛を含むものであり、化学式ではGaxZn1−xOy(ただしX≧0.7)と表現され
るが、ここで、x/2+1<y<x/2+1.5となるように、すなわち、酸素が化学量
論比よりも過剰となることが好ましい。そのために、図3(C)に示すように、絶縁性酸
化物層111bの表面を露出させた後、酸素雰囲気で加熱処理をしてもよいし、酸素プラ
ズマ雰囲気に曝してもよい。
5を形成する。半導体性酸化物膜105の作製条件等については、実施の形態1を参照す
ればよい。
状)を有する半導体性酸化物膜105aを得る。エッチングには、ドライエッチング法あ
るいはウェットエッチング法を用いればよい。
として用いるとよい。その後、実施の形態1で示したようなプラズマ処理をおこなっても
よい。また、この工程に前後して実施の形態1で示した第1の熱処理をおこなってもよい
。
する形状に加工し、N型半導体性酸化物膜106aおよび106bと、ソース電極107
aとドレイン電極107bを形成する(図3(E)参照)。なお、N型半導体性酸化物膜
106aおよび106bは設けなくてもよい。
1の第1のゲート絶縁物103の作製方法を参照すればよい。また、その厚さは、作製す
るトランジスタが必要とするものとすればよい。
ン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅等の金属元素またはこ
れらを主たる金属元素とする合金材料を用いて、単層または積層して形成することができ
る。ゲート電極113に用いる材料の仕事関数により、得られるトランジスタのしきい値
等が変化するので、それに応じた選択をする必要がある。以上でトランジスタの基本的な
構造が完成する。
108の形成後、第2の熱処理をおこなってもよい。次に、表面が平坦な第2の絶縁物1
09を形成する。そして、第1の絶縁物108と第2の絶縁物109を選択的にエッチン
グして、ドレイン電極107bに達するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホ
ールを介して、ドレイン電極107bと接触する表示用電極110を形成する(図3(F
))。
体性酸化物膜105とゲート電極113との上下関係である。しかしながら、図1(F)
におけるゲート電極102の基板面内での位置と、図3(F)におけるゲート電極113
のそれとはほとんど同じである。したがって、上方から見たトランジスタの構造は、図8
(C)で示されるものとほとんど同じである。
、このような材料を、特に金属元素に占めるガリウムの比率が0.2以上の半導体性酸化
物膜と接触させるような構造とすると、半導体性酸化物膜との界面における電荷捕獲を十
分に抑制することができる。このことにより、信頼性の高い半導体装置を提供することが
できる。
された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器(例えば、集積回路)でも実施できる
ことは明らかである。
本実施の形態では実施の形態3で示したトランジスタと同様にトップゲート型であるが、
ソース電極とドレイン電極はともに半導体層の下面にコンタクトするボトムコンタクト型
のトランジスタを有する表示装置を作製する例を示す。図4(A)乃至(F)に本実施の
形態の表示装置の作製工程断面を示す。
る構造物に関しては、用いる材料や使用する手段、条件等は、特に断らない限りは、それ
らの実施の形態で示したものを用いればよい。図4(A)に示すように、基板101上に
、酸化物膜111を形成する。実施の形態3と同様に、基板101の表面は導電性を呈す
るものであっても構わない。
+Zn)は、0.2乃至0.6、好ましくは0.3乃至0.5とするとよい。酸化物膜1
11はDCスパッタリング法あるいはパルスDCスパッタリング法、ACスパッタリング
法で形成する。また、その厚さは100nm乃至1000nmとするとよい。
、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において、400℃乃至7
00℃で10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図4(B)に示すように、酸化
物膜111が変質し、表面付近に亜鉛の濃度の高い半導体性酸化物層111aが形成され
、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層111bとなる。なお、半導体性酸化
物層111aと絶縁性酸化物層111bとの境界は明確なものではない。
体性酸化物層111aだけでなく、絶縁性酸化物層111bのうち、半導体性酸化物層1
11aに近接する部分も同時にエッチングしてもよい。あるいは、さらに熱処理を継続し
て、半導体性酸化物層111aを気化させることにより除去してもよい。
+Zn)は0.7以上、好ましくは、0.8以上となるようにするとよい。また、その後
、酸素雰囲気で加熱処理をしてもよいし、酸素プラズマ雰囲気に曝してもよい。
する形状に加工し、N型半導体性酸化物膜106aおよび106bと、ソース電極107
aとドレイン電極107bを形成する(図4(D)参照)。N型半導体性酸化物膜106
aおよび106bは設けなくてもよい。
ース電極107aとドレイン電極107bの上に半導体性酸化物膜を形成し、これをエッ
チングすることで、目的とする形状(例えば、島状)を有する半導体性酸化物膜105a
を得る。さらに、ゲート絶縁物112を堆積する。
の形態3を参照すればよい。さらに、スパッタ法あるいはCVD法等で第1の絶縁物10
8を形成する。次に、表面が平坦な第2の絶縁物109を形成する。そして、第1の絶縁
物108と第2の絶縁物109を選択的にエッチングして、ドレイン電極107bに達す
るコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介して、ドレイン電極107b
と接触する表示用電極110を形成する(図4(F)参照)。
された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器(例えば、集積回路)でも実施できる
ことは明らかである。
本実施の形態では、上記の実施の形態で示したトランジスタとは異なるトランジスタを有
する表示装置の例を示す。図5(A)に示すトランジスタは、半導体層の上下に2つのゲ
ート電極を有するデュアルゲート構造のトランジスタの一つである。
ート絶縁物103、ガリウムを主たる金属元素とする絶縁性酸化物層104b、半導体性
酸化物膜105a、N型半導体性酸化物膜106aおよび106b、ソース電極107a
、ドレイン電極107b、第2のゲート絶縁物112、第2のゲート電極113を有する
。さらに、本実施の形態で示す表示装置は、平坦な表面を有する絶縁物109と、絶縁物
109と第2のゲート絶縁物112を貫いて、ドレイン電極107bに達するコンタクト
ホールを介して、ドレイン電極107bに接続する表示用電極110を有する。
は実施の形態3あるいは4のゲート絶縁物112、ゲート電極113のものを参照すれば
よい。その他の構成物は、実施の形態1に記載された内容を参照すればよい。
ては、トランジスタのしきい値電圧がマイナス側、或いはプラス側にシフトすることがあ
る。そのため、上述のトランジスタのように、第2のゲート絶縁物112上に第2のゲー
ト電極113を設けてデュアルゲート型の構造とし、しきい値電圧の制御をおこなうこと
のできる構成が好適であり、第1のゲート電極102または第2のゲート電極113の電
位を制御することにより適切な値のしきい値電圧に制御することができる。
断し、半導体性酸化物膜105aに光が照射されることによるトランジスタの電気特性変
動を抑制することができる。
された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器(例えば、集積回路)でも実施できる
ことは明らかである。
本実施の形態では、実施の形態5で示したデュアルゲート構造のトランジスタとは異なる
デュアルゲート構造を有するトランジスタを有する表示装置の例を図5(B)に示す。こ
の表示装置は、絶縁表面を有する基板101上に、第1のゲート電極102、第1のゲー
ト絶縁物103、ガリウムを主たる金属元素とする絶縁性酸化物層104b、ソース電極
107a、ドレイン電極107b、半導体性酸化物膜105a、第2のゲート絶縁物11
2、第2のゲート電極113を有する。
09と第2のゲート絶縁物112を貫いて、ドレイン電極107bに達するコンタクトホ
ールを介して、ドレイン電極107bに接続する表示用電極110を有する。
は実施の形態3あるいは4のゲート絶縁物112、ゲート電極113のものを参照すれば
よい。その他の構成物は、実施の形態1あるいは2に記載された内容を参照すればよい。
図5(B)に示す表示装置において、図5(A)との差異は半導体性酸化物膜105aと
ソース電極107aおよびドレイン電極107bとの上下関係である。
実施の形態1では、酸化物膜104を熱処理して得られる半導体性酸化物層104aを除
去したが、本実施の形態では、それを残したまま半導体として用いる例を示す。図6(A
)乃至(E)に本実施の形態の半導体装置の作製工程断面を示す。本実施の形態に示すト
ランジスタは、実施の形態1と同様、ボトムゲートトップコンタクト型である。特に断ら
ない限り、本実施の形態で用いる構成物に関しては、実施の形態1を参照すればよい。
1上に、ゲート電極102、第1のゲート絶縁物103および酸化物膜104を形成する
。第1のゲート絶縁物103は設けなくともよい。また、酸化物膜104は、本実施の形
態ではガリウムと亜鉛の酸化物で、その比率、Ga/(Ga+Zn)は、0.2乃至0.
6、好ましくは0.3乃至0.5とするとよい。
ッタリング法で形成する。次に、これらを形成した基板101を適切な雰囲気、例えば、
圧力を10Pa乃至1気圧とし、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のい
ずれかとする条件において、400℃乃至700℃で10分乃至24時間の加熱をおこな
う。すると、図6(B)に示すように、酸化物膜104が変質し、表面付近に亜鉛の濃度
の高い半導体性酸化物層104aが形成され、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸
化物層104bとなる。
体性酸化物層104aの表面付近に偏析し、あるいは蒸発するため、絶縁性酸化物層10
4bではその濃度が十分に低くなる。これらは、トランジスタにおいては好ましくない元
素であるので、トランジスタを構成する材料には可能な限り含まれないようにすることが
好ましい。
、インジウム−ガリウム系酸化物が好ましい。すなわち、化学式でIn1−xGaxOy
(0.2≦x≦1)で表される材料を用いる。厚さは、半導体性酸化物層104aとみな
せる部分の厚さの0.5倍乃至2倍とすることが好ましい。
化物膜と混合し、半導体性酸化物膜105となる。上記の条件であれば、In1−xGa
xZnzOy+2z+v(0.2≦x≦1)と表される。ここで、x/(1+z)≧0.
2であることが好ましい。
トランジスタにおいては好ましくない元素であるので、半導体性酸化物膜105における
濃度は低いことが好ましい。
−3以下、さらに好ましくは1×1015cm−3以下とするとよい。同じく、リチウム
の濃度は5×1015cm−3以下、好ましくは1×1015cm−3以下、カリウムの
濃度は5×1015cm−3以下、好ましくは1×1015cm−3以下とするとよい。
ないために、半導体性酸化物膜105と絶縁性酸化物層104bとの界面も明確ではない
。通常のトランジスタでは、明確な界面が存在するがゆえに、界面にトラップされた電荷
や界面での散乱等、界面に由来する現象によりトランジスタの輸送特性の劣化がもたらさ
れる。上記のような界面が明確でない構造は、そのような劣化を防止する上で効果がある
。
型半導体性酸化物膜106は設けなくともよい。なお、ゲート電極102の形成以後、第
1のゲート絶縁物103の形成から導電膜107の形成までの工程は、大気に曝すことな
く連続的におこなうことが可能であり、大気成分(特に水)による半導体性酸化物の劣化
を考慮すると、これらの工程を大気に曝すことなくおこなうことが好ましい。
体性酸化物膜105、絶縁性酸化物層104bを目的とする形状に加工し、図6(D)に
示すように、半導体性酸化物膜105a、N型半導体性酸化物膜106aおよび106b
と、ソース電極107aとドレイン電極107bが形成される。なお、半導体性酸化物膜
105作製後の工程のいずれかの段階において、実施の形態1で示した第1の熱処理をお
こなってもよい。
縁物108の作製後に実施の形態1で示した第2の熱処理をおこなってもよい。そして、
第1の絶縁物108と第2の絶縁物109を選択的にエッチングして、ドレイン電極10
7bに達するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールを介して、ドレイン電
極107bと接触する表示用電極110を形成する(図6(E))。
された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器(例えば、集積回路)でも実施できる
ことは明らかである。
実施の形態7では、ボトムゲート型のトランジスタを有する表示装置の例を示したが、本
実施の形態ではトップゲート型のトランジスタを有する表示装置について説明する。図7
(A)乃至(E)に本実施の形態の半導体装置の作製工程断面を示す。本実施の形態に示
すトランジスタは、実施の形態3と同様、トップゲートトップコンタクト型である。特に
断らない限り、本実施の形態で用いる構成物に関しては、実施の形態1あるいは3を参照
すればよい。
111を形成する。酸化物膜111は、本実施の形態ではガリウムと亜鉛の酸化物で、そ
の比率、Ga/(Ga+Zn)は、0.2乃至0.6、好ましくは0.3乃至0.5とす
るとよい。
、窒素雰囲気、酸素と窒素の混合雰囲気のいずれかとする条件において、400℃乃至7
00℃で10分乃至24時間の加熱をおこなう。すると、図7(B)に示すように、酸化
物膜111が変質し、表面付近に亜鉛の濃度の高い半導体性酸化物層111aが形成され
、その他の部分が亜鉛の濃度の低い絶縁性酸化物層111bとなる。
、インジウム−ガリウム系酸化物が好ましい。すなわち、化学式でIn1−xGaxOy
(0.2≦x≦1)で表される材料を用いる。厚さは、半導体性酸化物層111aとみな
せる部分の厚さの0.5倍乃至2倍とすることが好ましい。
半導体酸化物膜と混合し、半導体性酸化物膜105となる(図7(C)参照)。上記の条
件であれば、In1−xGaxZnzOy+2z+v(0.2≦x≦1)と表される。こ
こで、x/(1+z)≧0.2であることが好ましい。
ないために、半導体性酸化物膜105と絶縁性酸化物層111bとの界面も明確ではない
。このことは、界面に由来するトランジスタの輸送特性の劣化を防止する上で効果がある
。
106は設けなくともよい。なお、酸化物膜111の形成から導電膜107の形成までの
工程は、大気に曝すことなく連続的におこなうことが可能であり、大気成分(特に水)に
よる半導体性酸化物の劣化を考慮すると、これらの工程を大気に曝すことなくおこなうこ
とが好ましい。
体性酸化物膜105、絶縁性酸化物層111bを目的とする形状に加工し、図7(D)に
示すように、半導体性酸化物膜105a、N型半導体性酸化物膜106aおよび106b
と、ソース電極107aとドレイン電極107bが形成される。なお、半導体性酸化物膜
105作製後の工程のいずれかの段階において、実施の形態1で示した第1の熱処理をお
こなってもよい。
2の絶縁物109を形成する。第1の絶縁物108の作製後に実施の形態1で示した第2
の熱処理をおこなってもよい。そして、ゲート絶縁物112と第1の絶縁物108と第2
の絶縁物109を選択的にエッチングして、ドレイン電極107bに達するコンタクトホ
ールを形成する。このコンタクトホールを介して、ドレイン電極107bと接触する表示
用電極110を形成する(図7(E))。
された方法は表示装置に限らず他の形態の電子機器(例えば、集積回路)でも実施できる
ことは明らかである。
実施の形態1乃至8に開示する表示装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用
することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレ
ビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビ
デオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置
ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲー
ム機などが挙げられる。
いることができ、例えば、各種集積回路(メモリ装置を含む)およびそれらを組み込んだ
電子機器、電化製品などで使用できる。
理することにより、絶縁性酸化物層104bあるいは絶縁性酸化物層111bを得る工程
は、表示装置やトランジスタの作製以外にも用いることができ、例えば、集積回路中の容
量素子における誘電体や電極の作製にも用いることができる。
102 ゲート電極
103 第1のゲート絶縁物
104 酸化物膜
104a 半導体性酸化物層
104b 絶縁性酸化物層
105 半導体性酸化物膜
105a 半導体性酸化物膜
106 N型半導体性酸化物膜
106a N型半導体性酸化物膜
106b N型半導体性酸化物膜
107 導電膜
107a ソース電極
107b ドレイン電極
108 絶縁物
109 絶縁物
110 表示用電極
111 酸化物膜
111a 半導体性酸化物層
111b 絶縁性酸化物層
112 ゲート絶縁物
113 ゲート電極
Claims (6)
- 基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物膜と、
前記酸化物膜上に接して設けられた半導体性酸化物膜と、を有し、
前記酸化物膜は、少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素とを有し、
前記酸化物膜における前記第1の金属元素の濃度は、前記ゲート絶縁膜に面する部分よりも、前記半導体性酸化物膜に接する部分の方が高いことを特徴とする電子装置。 - 基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物膜と、
前記酸化物膜上に接して設けられた半導体性酸化物膜と、を有し、
前記酸化物膜は、少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素とを有し、
前記酸化物膜における前記第2の金属元素の濃度は、前記ゲート絶縁膜に面する部分よりも、前記半導体性酸化物膜に接する部分の方が低いことを特徴とする電子装置。 - 基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物膜と、
前記酸化物膜上に接して設けられた半導体性酸化物膜と、を有し、
前記酸化物膜は、少なくとも第1の金属元素と第2の金属元素とを有し、
前記酸化物膜における前記第1の金属元素の濃度は、前記ゲート絶縁膜に面する部分よりも、前記半導体性酸化物膜に接する部分の方が高く、
前記酸化物膜における前記第2の金属元素の濃度は、前記ゲート絶縁膜に面する部分よりも、前記半導体性酸化物膜に接する部分の方が低いことを特徴とする電子装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記半導体性酸化物膜は、アモルファス状態又は単結晶状態を有することを特徴とする電子装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記半導体性酸化物膜は結晶を有することを特徴とする電子装置。 - 請求項5において、
前記半導体性酸化物膜はc軸配向した結晶を有することを特徴とする電子装置。
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