JP6084718B2 - タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 - Google Patents
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Description
この超LSI用の電極材や配線材料は、一般にスパッタリング法とCVD法で製造されているが、スパッタリング法は装置の構造及び操作が比較的単純で、容易に成膜でき、また低コストであることからCVD法よりも広く使用されている。
以上の特許文献は、主としてタングステンターゲットの高密度化を達成するのが狙いで、電気抵抗の低減化を意図するものではない。
1)タングステン焼結体スパッタリングターゲットであって、タングステンの純度が5N(99.999%)以上であり、タングステンに含有する不純物の炭素が5wtppm以下であることを特徴とするタングステン焼結体スパッタリングターゲット。
2)不純物の炭素が3wtppm以下であることを特徴とする上記1)記載のタングステン焼結体スパッタリングターゲット。
3)不純物の炭素が1wtppm以下であることを特徴とする上記2)記載のタングステン焼結体スパッタリングターゲット。
4)ターゲットの相対密度が98%以上であることを特徴とする上記1)〜3)いずれか一項に記載のタングステン焼結体スパッタリングターゲット。
6)焼結体の側面にも金属箔がくるように、金属箔を配置してホットプレス(HP)することを特徴とする上記5)記載のタングステン焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
焼結の際に、焼結体原料の両面に配置するチタン、タンタル、ジルコニウム箔は、任意に選択でき、いずれの箔でも良い。又、1種以上の箔を2枚以上重ねることもできる。
この場合は、上面と下面に金属箔を設置することになり、側面からCが混入することも考えられるが、焼結するタングステンターゲットの厚みが小さいので、上面と下面の面積に比べて側面から混入するC量は無視できるほどの少ない量であり、問題はない。
しかしながら、可能であれば、側面にも金属箔を設置して包むようにすることが望ましいと言える。特に、側面の面積が大きい場合には、そのようにすると良い。
また、このような酸素及び炭素の低減化は、組織の均一化と共に、ターゲットの割れや亀裂の発生を抑制する効果も有する。そして、これらのタングステン焼結体スパッタリングターゲットは、基板上に成膜することができ、半導体デバイスの作製に有用である。
酸素は、タングステンに含有する不純物と結合し、酸化物を形成するので、低減させることが望ましい。また、酸素のガス成分は、タングステンとも反応して、同様に酸化物を形成する。これは、スパッタリング成膜時のLSI用配線材の内部に混入して、タングステン配線の機能を低下させる要因となるので、できるだけ少ない方が良いと言える。
予めカーボンダイスに0.5mm厚のTi箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後6時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1600°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.5mm厚のTi箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後4時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1570°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.5mm厚のTi箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後4時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1570°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.5mm厚のTi箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1570°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.2mm厚のTa箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1570°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.2mm厚のTa箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1570°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.2mm厚のTa箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1800°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.2mm厚のTa箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1800°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.2mm厚のZr箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1650°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.2mm厚のカーボンシートを配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記カーボンシートで包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1800°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.5mm厚のTi箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1400°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.5mm厚のTi箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1500°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
予めカーボンダイスに0.2mm厚のMo箔を配置し、このダイスの中に、純度99.999%、平均粒径1.0μmのタングステン粉末を充填し、これを前記金属箔で包んだ。
次に、上パンチと下パンチで密閉した後、ダイスに210kgf/cm2の圧力を付加し、外部加熱により1200°Cで加熱後2時間保持し、ホットプレスした。最高温度は1570°C×2時間である。ホットプレスの形状は、φ(直径)456mm×10mmt(厚)である。
これらの値より膜の比抵抗を求めた。この結果、実施例4の比抵抗は12.02μΩ・cmとなり、比較例1の12.38μΩ・cmと比べて、3%低減したことを確認した。なお、タングステン膜の比抵抗を下げることは非常に難しいのであるが、その意味で3%の低下は、大きな効果があると言える。
Claims (2)
- タングステンの純度が5N(99.999%)以上であり、タングステンに含有する不純物の炭素が3wtppm以下であって、膜の比抵抗が12.3μΩ・cm以下であることを特徴とするタングステン膜。
- 不純物の炭素が1wtppm以下であることを特徴とする請求項1に記載のタングステン膜。
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KR20160084434A (ko) * | 2014-03-26 | 2016-07-13 | 제이엑스금속주식회사 | 탄화 텅스텐 또는 탄화 티탄으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 |
JP6310088B2 (ja) | 2014-09-30 | 2018-04-11 | Jx金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US10043670B2 (en) * | 2015-10-22 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for low resistivity physical vapor deposition of a tungsten film |
JP7174476B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2022-11-17 | Jx金属株式会社 | タングステンターゲット |
JP7308013B2 (ja) * | 2017-11-10 | 2023-07-13 | Jx金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
KR102612744B1 (ko) | 2018-03-13 | 2023-12-13 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
JP7272972B2 (ja) | 2020-01-22 | 2023-05-12 | Ykk Ap株式会社 | 窓装置及び窓の施工方法 |
KR102376291B1 (ko) * | 2020-03-19 | 2022-03-21 | 서울대학교산학협력단 | 텅스텐 소결체의 형성 방법 |
CN111763914A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-10-13 | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 | 一种控制钨硅靶材中非金属元素含量的方法 |
CN112126902A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-25 | 浙江最成半导体科技有限公司 | 一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法 |
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JP2001035808A (ja) | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法 |
JP3721014B2 (ja) | 1999-09-28 | 2005-11-30 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スッパタリング用タングステンターゲットの製造方法 |
JP4634567B2 (ja) * | 2000-04-17 | 2011-02-16 | 株式会社東芝 | タングステンスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4718664B2 (ja) | 2000-05-22 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2003226964A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Nippon Steel Corp | スパッタリング用タングステンターゲットの製造方法 |
JP4211558B2 (ja) | 2003-10-07 | 2009-01-21 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリングターゲット材料、その製造方法、及びそれを用いた透明導電膜の製造方法 |
JP2005171389A (ja) | 2005-02-16 | 2005-06-30 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリング用タングステンターゲットの製造方法 |
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