JP6044371B2 - 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
前記基板の表面に薬液を供給する薬液ノズルと、
前記基板の表面に疎水化ガスを供給する疎水化ガスノズルと、
前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液ノズルと、を備えた液処理装置を用いた液処理方法であって、
前記基板保持部に保持され、回転する基板の表面に前記薬液ノズルから薬液を供給して液処理を行うことと、
次いで、前記基板を回転させながら前記基板の表面に前記リンス液ノズルからリンス液を供給し、前記薬液を前記リンス液に置換することと、
この後、前記基板を回転させながら前記基板の表面に、この基板の表面を疎水化するための疎水化ガスを前記疎水化ガスノズルから供給することと、前記疎水化ガスが供給された後の前記基板を回転させながら前記基板の表面に前記リンス液を供給することとを交互に繰り返し、前記基板を疎水化することと、
次いで、前記基板を回転させることにより前記リンス液を除去して、前記基板を乾燥することと、を含み、
前記基板を疎水化する期間では、基板の表面に形成されたパターン内に存在するリンス液の液面の位置を次第に低下させながら、前記パターン内に疎水化ガスを進入させ、前記パターンの深さ方向に疎水化された領域の面積を広げていくことを特徴とする。
(a)前記基板を疎水化する期間では、疎水化ガスを供給している基板表面のリンス液が乾燥する前に、次のリンス液の供給を開始すること。
(b)前記基板を疎水化する期間は、基板の表面にリンス液を供給することで終了し、
前記基板を乾燥する期間の基板の回転数は、前記基板を疎水化する期間の基板の回転数よりも低速であること。
(c)前記基板を疎水化する期間は、基板の表面にリンス液を供給することで終了し、
前記基板を乾燥する期間の基板の回転数は、前記基板を疎水化する期間の基板の回転数よりも低速であり、前記基板を乾燥する期間では、回転する基板の表面にリンス液を供給しながら、前記リンス液の供給位置を基板の中央部から周縁部へ向けて移動させることにより、基板の表面のリンス液を基板の外へ押し出して除去すること。
(d)前記基板を疎水化することと、乾燥することの間に、基板の表面に溶剤を供給して、前記疎水化ガスの副生成物を除去すること。
(e)前記リンス液及び疎水化ガスの供給を交互に繰り返す回数は、パターンが形成されていない基板の表面に対するリンス液の接触角が予め設定された角度以上となる回数であること。
また、支持プレート21の外方には、支持ピン23によって支持されたウエハWをその周縁及び斜め上方側から覆うカップ11が設けられている。
液ノズル411に接続された流路には各処理液(薬液及びDIW)のタンクと、流量調節機構とを備えたDIW供給部64、薬液供給部65が接続されている。
主要なパーティクルの発生原因は、疎水化ガス供給時にウエハWの表面の液滴が乾燥することによるウォーターマークの発生である。例えば、薬液処理を終えた後、回転するウエハWの表面にDIWを供給して薬液との置換、リンス洗浄を行い、次いで連続的に疎水化ガスを供給してウエハWの表面全体を疎水化しつつリンス液を除去する処理シーケンスについて考える。
まずDIWを供給する(図9(a))。次にDIWの供給を止めDIWで覆われたウエハWを回転させながら、その表面にTMSDMAガスを供給すると、リンス液が振り切られたパターンの上端部にTMSDMAガスが接触し、このパターンの上端部が疎水化される(図9(b))。この際、パターン間にはDIWが残っている。次にDIWを再び供給する。ウエハはDIWで覆われた状態になるとともに、DIWは疎水化されたパターンの上端部に残っている微小液滴81を洗い流す(図9(c))。
この他、反応副生成物を除去可能な溶剤は、IPAに限定されるものではなく例えばアセトンなどを利用してもよい。
処理シーケンス例:(1)薬液処理→(2)DIWによるリンス洗浄→(3)DIWをIPAと置換→(4)IPAを液体疎水化剤と置換して疎水化処理→(5)液体疎水化剤をIPAと置換→(6)IPAをDIWと置換してリンス洗浄→(7)DIWの除去(乾燥処理)。
なお、例えばTMSDMAは、IPAとの接触によっても反応副生成物を生成するが、この反応副生成物は上述の処理シーケンスの例ではIPA自身の溶剤作用により除去されるので問題とはなっていない。
21 支持プレート
22 回転軸
23 支持ピン
411 液ノズル
412 ガスノズル
413 IPAノズル
81 微小液滴
82 反応副生成物
83 疎水化領域
Claims (11)
- 基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転させる基板保持部と、
前記基板の表面に薬液を供給する薬液ノズルと、
前記基板の表面に疎水化ガスを供給する疎水化ガスノズルと、
前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液ノズルと、を備えた液処理装置を用いた液処理方法であって、
前記基板保持部に保持され、回転する基板の表面に前記薬液ノズルから薬液を供給して液処理を行うことと、
次いで、前記基板を回転させながら前記基板の表面に前記リンス液ノズルからリンス液を供給し、前記薬液を前記リンス液に置換することと、
この後、前記基板を回転させながら前記基板の表面に、この基板の表面を疎水化するための疎水化ガスを前記疎水化ガスノズルから供給することと、前記疎水化ガスが供給された後の前記基板を回転させながら前記基板の表面に前記リンス液を供給することとを交互に繰り返し、前記基板を疎水化することと、
次いで、前記基板を回転させることにより前記リンス液を除去して、前記基板を乾燥することと、を含み、
前記基板を疎水化する期間では、基板の表面に形成されたパターン内に存在するリンス液の液面の位置を次第に低下させながら、前記パターン内に疎水化ガスを進入させ、前記パターンの深さ方向に疎水化された領域の面積を広げていくことを特徴とする液処理方法。 - 前記基板を疎水化する期間では、疎水化ガスを供給している基板表面のリンス液が乾燥する前に、次のリンス液の供給を開始することを特徴とする請求項1に記載の液処理方法。
- 前記基板を疎水化する期間は、基板の表面に最後にリンス液を供給してから終了し、
前記基板を乾燥する期間の基板の回転数は、前記基板を疎水化する期間の基板の回転数よりも低速であることを特徴とする請求項1または2に記載の液処理方法。 - 前記基板を疎水化する期間は、基板の表面に最後にリンス液を供給してから終了し、
前記基板を乾燥する期間の基板の回転数は、前記基板を疎水化する期間の基板の回転数よりも低速であり、前記基板を乾燥する期間では、回転する基板の表面にリンス液を供給しながら、前記リンス液の供給位置を基板の中央部から周縁部へ向けて移動させることにより、基板の表面のリンス液を基板の外へ押し出して除去することを特徴とする請求項1または2に記載の液処理方法。 - 前記基板を疎水化することと、乾燥することの間に、基板の表面に溶剤を供給して、前記疎水化ガスの副生成物を除去することを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の液処理方法。
- 前記リンス液及び疎水化ガスの供給を交互に繰り返す回数は、パターンが形成されていない基板の表面に対するリンス液の接触角が予め設定された角度以上となる回数であることを特徴とする請求項1または2に記載の液処理方法。
- 基板の表面に、液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは請求項1または2に記載された液処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
- 基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転させる基板保持部と、
前記基板の表面に薬液を供給する薬液ノズルと、
前記基板の表面に疎水化ガスを供給する疎水化ガスノズルと、
前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液ノズルと、
前記基板保持部に保持され、回転する基板の表面に前記薬液ノズルから薬液を供給することと、次いで、前記基板を回転させながら当該基板の表面に前記リンス液ノズルからリンス液を供給することと、この後、前記基板を回転させながら当該基板の表面に、この基板の表面を疎水化するための疎水化ガスを前記疎水化ガスノズルから供給することと、疎水化ガスが供給された後の基板を回転させながら当該基板の表面にリンス液を供給することと、を交互に繰り返し、前記基板を疎水化することと、次いで、前記基板保持部を回転させることにより前記基板を回転しながらリンス液を除去し乾燥することと、を実行する制御部と、を備え、
前記基板を疎水化する期間では、基板の表面に形成されたパターン内に存在するリンス液の液面の位置が次第に低下しながら、前記パターン内に疎水化ガスが進入し、前記パターンの深さ方向に疎水化された領域の面積が広がることを特徴とする液処理装置。 - 前記制御部は、
前記基板を疎水化する期間では、疎水化ガスを供給している基板表面のリンス液が乾燥する前に、次のリンス液の供給を開始することを実行する請求項8に記載の液処理装置 - 前記制御部は、
前記基板を疎水化する期間を、基板の表面に最後にリンス液を供給してから終了し、
前記基板を乾燥する期間の基板の回転数が、前記基板を疎水化する期間の基板の回転数よりも低速となるように、前記基板保持部の回転数の変更を実行する請求項8または9に記載の液処理装置。 - 前記基板の表面に溶剤を供給する溶剤ノズルをさらに備え、
前記制御部は、前記基板の表面を疎水化することと、乾燥することの間に、前記基板表面に前記溶剤ノズルから、溶剤を供給することを実行する請求項8に記載の液処理装置。
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