KR20140037977A

KR20140037977A - 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체

Info

Publication number: KR20140037977A
Application number: KR1020147006581A
Authority: KR
Inventors: 준 노나카
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2012-03-06
Filing date: 2013-01-11
Publication date: 2014-03-27
Also published as: JP6044371B2; TW201351493A; US20140338706A1; KR101497288B1; US8956465B2; WO2013132881A1; JP2013214724A; TWI544535B

Abstract

본 발명은 기판의 표면에 워터마크가 발생하는 것을 억제하면서, 소수화 가스를 사용하여 상기 표면을 소수화하는 것이 가능한 액처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 유지부(21, 22, 23)에 유지되고, 회전하는 기판(W)의 표면에 약액을 공급하여 액처리를 행하고, 이어서, 기판(W)을 회전시키면서 그 표면에 린스액을 공급하여, 약액을 린스액과 치환한다. 이어서, 기판(W)의 표면을 소수화하기 위한 소수화 가스를 공급하는 단계와, 소수화 가스가 공급된 후의 기판(W)의 표면에 린스액을 공급하는 단계를 교대로 반복하여, 기판(W)을 소수화하고, 이어서, 상기 기판(W)을 회전시킴으로써 린스액을 제거하여 건조시킨다.

Description

액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING METHOD, LIQUID PROCESSING DEVICE, AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 액처리가 행해진 기판을 소수화(疎水化)하는 기술에 관한 것이다.

기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)에 대하여 액처리를 행하는 매엽식의 스핀 세정 장치(액처리 장치)에서는, 회전하는 웨이퍼의 표면에 예컨대 알칼리성이나 산성의 약액을 공급하고, 이 약액을 웨이퍼의 표면에 퍼지게 함으로써, 웨이퍼 표면의 먼지나 자연 산화물 등을 제거하고 있다. 웨이퍼 표면에 잔존하는 약액은 린스액 등에 의해 제거되고, 웨이퍼를 회전시킨 채로 린스액의 공급을 멈추면, 남은 린스액이 털어내어져 건조된 웨이퍼를 얻을 수 있다.

그런데 반도체 장치의 고집적화나 고애스펙트비화에 따라서, 전술한 린스액을 제거하는 처리 등에 있어서, 소위 패턴 붕괴의 문제가 커지고 있다. 패턴 붕괴는, 패턴 내에 들어간 린스액을 털어낼 때, 패턴을 형성하는 요철의 예컨대 볼록부의 좌우에 남아 있는 액체가 불균일하게 건조됨으로써, 이 볼록부를 좌우로 인장하는 표면장력의 밸런스가 무너져, 액체가 많이 남아 있는 방향으로 볼록부가 쓰러지는 현상이다.

이 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서 웨이퍼 표면에 남은 린스액을 제거하는 방법으로서, 웨이퍼 표면을 소수화하여, 웨이퍼와 린스액의 접촉각을 크게 함으로써 패턴에 작용하는 표면장력을 저감시키는 기술이 있다(특허문헌 1).

특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 처리 대상의 웨이퍼를 소수화제(劑)의 액체와 접촉시킴으로써, 웨이퍼 표면의 소수화를 행하고 있다. 한편 소수화제 중에는 고가인 것도 있어, 그 사용량을 저감시키기 위해, 기화시킨 소수화제나 소수화제의 미스트를 포함하는 기체(이하, 소수화 가스라고 함)를 이용하여 웨이퍼 표면을 소수화하는 시도도 이루어지고 있다(특허문헌 2).

본 발명자는, 소수화 가스를 이용하여 웨이퍼 표면을 소수화하는 기술의 개발을 진행한 바, 소수화 가스에 의한 처리를 끝내고, 린스 세정을 행한 후의 웨이퍼의 표면이 다수의 파티클로 오염되어 버리는 경우가 있는 것을 새롭게 발견했다.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평성7-273083호 공보 : 단락 0027, 0053∼0055, 도 2 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2010-258068호 공보 : 단락 0035, 도 4의 (a)

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판의 표면에 워터마크가 발생하는 것을 억제하면서, 소수화 가스를 사용하여 상기 표면을 소수화하는 것이 가능한 액처리 방법, 액처리 장치 및 상기 방법을 기억한 기억 매체를 제공하는 것에 있다.

본 발명에 의한 액처리 방법은,

기판을 수평으로 유지하여, 연직축 둘레에 회전시키는 기판 유지부와,

상기 기판의 표면에 약액을 공급하는 약액 노즐과,

상기 기판의 표면에 소수화 가스를 공급하는 소수화 가스 노즐과,

상기 기판의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 구비한 액처리 장치를 이용한 액처리 방법으로서,

상기 기판 유지부에 유지되고, 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 약액 노즐로부터 약액을 공급하여 액처리를 행하는 단계와,

이어서, 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판의 표면에 상기 린스액 노즐로부터 린스액을 공급하여, 상기 약액을 상기 린스액으로 치환하는 단계와,

이어서, 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판의 표면에, 이 기판의 표면을 소수화하기 위한 소수화 가스를 상기 소수화 가스 노즐로부터 공급하는 단계와, 상기 소수화 가스가 공급된 후의 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급하는 단계를 교대로 반복하여, 상기 기판을 소수화하는 단계와,

이어서, 상기 기판을 회전시킴으로써 상기 린스액을 제거하여, 상기 기판을 건조시키는 단계

를 포함한다.

본 발명에 의한 액처리 방법에 있어서,

상기 기판을 소수화하는 단계를 행하고 있는 동안, 상기 소수화 가스를 공급받고 있는 상기 기판의 표면 상에 있는 린스액이 건조되기 전에, 다음 린스액의 공급을 개시해도 된다.

본 발명에 의한 액처리 방법에 있어서,

상기 기판은 그 기판의 표면에 형성된 패턴을 가지며,

상기 기판을 소수화하는 단계를 행하고 있는 동안, 상기 기판의 표면에 형성된 상기 패턴 내에 존재하는 린스액의 액면의 위치를 점차 저하시키면서 상기 패턴 내에 소수화 가스를 진입시켜, 상기 패턴의 깊이 방향으로 소수화된 영역의 면적을 넓혀가도 된다.

본 발명에 의한 액처리 방법에 있어서,

상기 기판을 소수화하는 단계를 상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급함으로써 끝내고,

상기 기판을 건조시키는 단계를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수는, 상기 기판을 소수화하는 단계를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수보다 낮게 되어 있어도 된다.

본 발명에 의한 액처리 방법에 있어서,

상기 기판을 건조시키는 단계를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수는, 상기 기판을 소수화하는 단계를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수보다 낮고,

상기 기판을 건조시키는 단계를 행하고 있는 동안, 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급하면서 상기 린스액의 공급 위치를 상기 기판의 중앙부로부터 둘레 가장자리부를 향해서 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 있는 린스액을 상기 기판의 밖으로 압출하여 제거해도 된다.

본 발명에 의한 액처리 방법은,

상기 기판을 소수화하는 단계와 상기 기판을 건조시키는 단계 사이에, 상기 기판의 표면에 용제를 공급하여, 상기 소수화 가스의 부생성물을 제거하는 단계를 더 포함해도 된다.

본 발명에 의한 액처리 방법에 있어서,

상기 기판은 상기 기판의 표면에 형성된 패턴을 가지며,

상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급하는 것과 상기 기판의 표면에 상기 소수화 가스를 공급하는 것을 교대로 반복하는 횟수는, 상기 패턴이 형성되어 있지 않은 상기 기판의 표면 부분에 대한 상기 린스액의 접촉각이 미리 설정된 각도 이상이 되는 횟수로 되어 있어도 좋다.

본 발명에 의한 기억 매체는,

기판의 표면에 대하여 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서,

상기 프로그램은 상기 액처리 장치에 전술한 액처리 방법을 실행시킨다.

본 발명에 의한 액처리 장치는,

상기 기판의 표면에 약액을 공급하는 약액 노즐과,

상기 기판의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 노즐과,

상기 기판 유지부에 유지되고, 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 약액 노즐로부터 약액을 공급하는 것과, 이어서, 상기 기판을 회전시키면서 그 기판의 표면에 상기 린스액 노즐로부터 린스액을 공급하는 것과, 이어서, 상기 기판을 회전시키면서 그 기판의 표면에, 이 기판의 표면을 소수화하기 위한 소수화 가스를 상기 소수화 가스 노즐로부터 공급하는 것과, 소수화 가스가 공급된 후의 기판을 회전시키면서 그 기판의 표면에 린스액을 공급하는 것을 교대로 반복하여, 상기 기판을 소수화하는 것과, 이어서, 상기 기판 유지부를 회전시킴으로써 상기 기판을 회전시키면서 린스액을 제거하여 건조시키는 것을 실행시키는 제어부

를 구비한다.

본 발명에 의한 액처리 장치에 있어서,

상기 제어부는,

상기 기판을 소수화하는 것을 행하고 있는 동안, 상기 소수화 가스를 공급받고 있는 상기 기판의 표면 상에 있는 린스액이 건조되기 전에, 다음 린스액의 공급을 개시시켜도 된다.

본 발명에 의한 액처리 장치에 있어서,

상기 제어부는,

상기 기판을 소수화하는 것을 상기 기판의 표면에 린스액을 공급함으로써 끝내고,

상기 기판을 건조시키는 것을 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수를, 상기 기판을 소수화하는 것을를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수보다 낮게 해도 좋다.

본 발명에 의한 액처리 장치는,

상기 기판의 표면에 용제를 공급하는 용제 노즐을 더 구비하고,

상기 제어부는, 상기 기판의 표면을 소수화하는 것과 상기 기판을 건조시키는 것의 사이에, 상기 기판의 표면에 상기 용제 노즐로부터 상기 용제를 공급시켜도 좋다.

본 발명은, 기판의 표면에 대한 소수화 가스의 공급과, 린스액의 공급을 기판 상에 남는 액적(液滴)을 건조시키지 않은 상태로 교대로 반복함으로써, 기판의 표면의 소수화된 영역을 단계적으로 넓혀가고, 워터마크의 발생을 억제할 수 있다.

도 1은 실시형태에 따른 액처리 장치의 종단 측면도이다.
도 2는 상기 액처리 장치의 평면도이다.
도 3은 처리액 및 가스의 웨이퍼에 대한 공급 타이밍을 나타내는 설명도이다.
도 4는 상기 액처리 장치의 작용을 나타내는 제1 설명도이다.
도 5는 상기 액처리 장치의 작용을 나타내는 제2 설명도이다.
도 6은 상기 액처리 장치의 작용을 나타내는 제3 설명도이다.
도 7은 상기 액처리 장치의 작용을 나타내는 제4 설명도이다.
도 8은 상기 액처리 장치의 작용을 나타내는 제5 설명도이다.
도 9는 패턴의 깊이 방향으로 소수화된 영역을 넓히는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 10은 소수화 영역이 웨이퍼의 직경 방향으로 넓어져 가는 모습을 나타내는 설명도이다.

본 발명의 실시형태에 따른 액처리 장치의 구성에 관해 도 1, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 액처리 장치는, 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하는 복수개, 예컨대 3개의 지지핀(23)이 설치된 원판형의 지지 플레이트(21)와, 지지 플레이트(21)의 하면에 연결되어, 상하 방향으로 연장된 회전축(22)을 구비한다. 지지 플레이트(21)나 지지핀(23), 회전축(22)은, 본 액처리 장치의 기판 유지부에 상당한다.

회전축(22)의 하단측에는 풀리(33)가 설치되어 있고, 이 풀리(33)의 측방에는 회전 모터(31)가 배치되어 있다. 이들 풀리(33)와 회전 모터(31)의 회전축에 구동 벨트(32)를 감음으로써, 지지 플레이트(21) 상의 웨이퍼(W)를 연직축 둘레에 회전시키는 회전 구동부(30)를 구성하고 있다. 회전 모터(31)는, 지지 플레이트(21)의 회전 속도, 즉, 그 지지 플레이트(21)에 지지된 웨이퍼(W)의 회전 속도를 변화시킬 수 있다. 또, 회전축(22)은, 베어링(34)을 통해 그 액처리 장치가 배치된 케이스의 상판(床板)(12)에 고정되어 있다.

지지 플레이트(21)는, 그 중앙부가 원형으로 커팅되어 있고, 그 커팅 내에는, 원판형의 승강 플레이트(24)가 배치되어 있다. 승강 플레이트(24)의 상면에는, 외부의 웨이퍼 반송 기구와의 사이에서의 전달시에 웨이퍼(W)를 이면(하면)측으로부터 지지하기 위한 복수개, 예컨대 3개의 리프트핀(26)이 설치되어 있다.

승강 플레이트(24)의 하면에는, 회전축(22) 내를 상하 방향으로 관통하는 리프트축(25)이 연결되어 있고, 이 리프트축(25)의 하단(下端)에는, 그 리프트축(25)을 승강시키기 위한 승강 기구(35)가 설치되어 있다.

또, 지지 플레이트(21)의 바깥쪽에는, 지지핀(23)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 그 둘레 가장자리 및 경사 상방측으로부터 덮는 컵(11)이 설치되어 있다.

본 실시형태의 액처리 장치는, 약액을 웨이퍼(W)의 표면으로 전환하여 공급하여, 그 면의 액처리를 행한다. 본 예에서는, 웨이퍼(W)의 표면에 부착되어 있는 유기성의 오염이나 파티클을 제거하기 위한 SC-1(암모니아와 과산화수소의 혼합 수용액)을 약액으로서 사용한다.

약액을 공급하는 수단으로서, 액처리 장치는 액노즐(411)을 구비한다. 액노즐(411)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면(상면)의 중앙부에, 약액(SC-1)과, 린스액인 DIW를 공급하는 역할을 한다. 그 액노즐(411)은, 약액을 공급한다고 하는 관점에서 약액 노즐에 상당하고, 린스액을 공급한다고 하는 관점에서 린스액 노즐에 상당한다.

또 본 액처리 장치는, 웨이퍼(W)의 표면에 소수화제의 일종인 실릴화제의 가스(소수화 가스) 및 웨이퍼(W)의 건조시에 사용하는 N₂ 가스를 공급하기 위한 가스 노즐(412), 및 소수화 가스의 공급후에 이용되며, 처리액의 일종인 IPA(IsoPropyl Alcohol)의 공급을 행하는 IPA 노즐(413)이 설치되어 있다. 실릴화제의 가스와 N₂ 가스, IPA는, 약액이나 DIW와는 상이한 유로를 통하여 각각 가스 노즐(412), IPA 노즐(413)에 공급된다.

이들 노즐(411∼413)은 노즐 블록(42)의 하면측에 설치되어 있고, 이 노즐 블록(42)은 노즐 아암(43)의 선단부에 부착되어 있다. 노즐 아암(43)의 기단부(基端部)는, 가이드 레일(45) 상을 자유롭게 주행하는 슬라이더(44)에 의해 지지되어 있다. 그리고, 이 슬라이더(44)를 가이드 레일(45)의 일단과 타단 사이에서 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 중앙부(웨이퍼(W)의 회전 중심)의 상방의 위치(도 2 중, 실선으로 나타냄)와, 웨이퍼(W)의 상방으로부터 측방으로 후퇴한 위치(도 2 중, 일점쇄선으로 나타냄) 사이에서 노즐 블록(42)(즉, 액노즐(411), 가스 노즐(412) 및 IPA 노즐(413))을 이동시킬 수 있다. 또한 편의상, 도 2에서는 컵(11)의 기재를 생략했지만, 노즐 블록(42)을 후퇴시키는 위치는 컵(11)보다 외측으로 설정되어 있다. 여기서, 액노즐(411), 가스 노즐(412), IPA 노즐(413)은, 공통의 노즐 블록(42)에 설치하는 경우로 한정되지 않고, 각각의 노즐(411∼413) 전용의 노즐 블록이나 이동 기구 등을 이용해도 된다.

노즐 아암(43)이나 노즐 블록(42)에는, 액노즐(411), 가스 노즐(412) 및 IPA 노즐(413)에 각각 접속된 도시하지 않은 액유로나 가스 유로가 설치되어 있다.

액노즐(411)에 접속된 유로에는 각 처리액(약액 및 DIW)의 탱크와, 유량 조절 기구를 구비한 DIW 공급부(64), 약액 공급부(65)가 접속되어 있다.

그리고, 상기 액유로와 각 처리액의 공급부(64, 65)를 잇는 접속 관로 상에 설치된 개폐 밸브(V4, V5)를 개폐함으로써, 액노즐(411)로부터 웨이퍼(W)로 각 처리액을 전환하여 공급할 수 있다.

다음으로, 가스 노즐(412)에 접속된 유로에는, 실릴화제인 트리메틸실릴디메틸아민(TriMethyl Silyl DiMethyl Amine; 이하, TMSDMA라고 기재함)의 약액 탱크나 이것을 기화하여 가스형으로 하는 가스화 기구, 및 유량 조절 기구를 구비한 TMSDMA 공급부(62)와, N₂ 가스봄베와 그 유량 조절 기구를 구비한 N₂ 가스 공급부(63)가 접속되어 있다.

상기 가스 유로와 TMSDMA 가스, N₂ 가스의 공급부(62, 63)를 잇는 접속 관로 상에 설치된 개폐 밸브(V2, V3)를 개폐함으로써, 가스 노즐(412)로부터 웨이퍼(W)로 TMSDMA 가스나 N₂ 가스를 전환하여 공급할 수 있다. 소수화 가스(TMSDMA 가스)를 공급한다고 하는 관점에서, 가스 노즐(412)은 소수화 가스 노즐에 상당한다.

TMSDMA는, 웨이퍼(W)의 표면을 실릴화함으로써 그 표면을 소수화하여, 린스 처리시에 이용되는 DIW를 제거할 때, 웨이퍼(W)와 DIW의 접촉각을 크게 하는 역할을 한다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 패턴에 작용하는 힘이 저감되어, 패턴 붕괴를 발생시키지 않고서 DIW를 제거할 수 있다. 본 예에서의 실릴화란, 웨이퍼(W)의 표면의 Si 원자와 결합하고 있는 친수성의 관능기, 예컨대 OH기 등을, Si 원자를 포함하는 소수성의 관능기와 치환함으로써, 웨이퍼(W)의 표면을 소수화하는 처리이며, TMSDMA의 경우에는 트리메틸실릴기와의 치환이 행해진다.

TMSDMA는, 예컨대 액체의 상태로 TMSDMA 공급부(62) 내의 탱크에 저장되어, 가열기 기구 등에 의해 가열되어 가스화되고, 캐리어 가스 공급부(621)로부터 공급되는 캐리어 가스(N₂ 가스 등이 이용됨)에 의해 희석되어 가스 노즐(412)에 공급된다.

IPA 노즐(413)에 접속된 유로에는, 용제인 IPA의 탱크와, 유량 조절 기구를 구비한 IPA 공급부(61)가 접속되어 있다. 상기 액유로와 IPA 공급부(61)를 잇는 접속 관로 상에 설치된 개폐 밸브(V1)를 개폐함으로써, IPA 노즐(413)로부터 웨이퍼(W)로 IPA를 공급할 수 있다. 후술하는 바와 같이, IPA는 용제로서 이용되기 때문에, 그 IPA 노즐(413)은, 용제 노즐에 상당한다.

이상에 설명한 구성을 구비한 액처리 장치는, 도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이 제어부(7)와 접속되어 있다. 제어부(7)는 예컨대 도시하지 않은 CPU와 기억부를 구비한 컴퓨터를 포함하며, 기억부에는 액처리 장치의 작용, 즉 지지 플레이트(21) 상에 지지된 웨이퍼(W)를 회전시키고, 미리 설정된 스케줄에 기초하여 처리액을 전환하여 공급하여, 웨이퍼(W)의 액처리나 소수화 처리, 건조를 행한 후, 그 웨이퍼(W)를 반출하기까지의 제어에 관한 스텝(명령)군이 짜여진 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 그것으로부터 컴퓨터에 인스톨된다.

또 이 제어부(7)는, TMSDMA 가스, DIW나 IPA 등의 공급 타이밍, 공급 시간이나 공급량, 웨이퍼(W)의 회전 속도 등을 조절함으로써, 배경기술에서 설명한, 소수화 가스를 이용하여 웨이퍼(W)의 표면을 소수화할 때 발생하는 파티클 오염을 저감시킬 수 있다.

상기 파티클의 발생 원인에 관해, 발명자는, 이하의 메카니즘에 의해 파티클이 형성되고 있는 것을 발견했다.

주요한 파티클의 발생 원인은, 소수화 가스 공급시에 웨이퍼(W)의 표면의 액적이 건조되는 것에 의한 워터마크의 발생이다. 예컨대, 약액 처리를 끝낸 후, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 DIW를 공급하여 약액과의 치환, 린스 세정을 행하고, 이어서 연속적으로 소수화 가스를 공급하여 웨이퍼(W)의 표면 전체를 소수화하면서 린스액을 제거하는 처리 시퀀스에 관해 생각한다.

이와 같이 린스 세정에 이어서 연속적으로 공급되는 소수화 가스를 웨이퍼(W)의 표면에 구석구석까지 퍼지게 하여 웨이퍼(W)의 전면(全面)을 소수화하기 위해서는, 예컨대 1000 rpm 이상의 회전 속도로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것이 바람직하다. 이 회전에 따라서 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 선회류를 타고 소수화 가스가 웨이퍼(W)의 표면에 구석구석까지 퍼진다. 한편 500 rpm 미만과 같은 저회전 속도로 소수화 가스를 공급하더라도, 린스액이 털어내어지지 않아 패턴면이 노출되지 않은 부분이 존재하기 때문에, 소수화 가스가 패턴 내에 들어갈 수 없어, 소수화되지 않은 영역이 남아 버린다.

한편, 이와 같이 비교적 고속으로 웨이퍼(W)를 회전시키면, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 DIW를 털어낼 때, 일부의 DIW가 미소한 액적으로서 남아 버리는 것을 알 수 있다. 이 액적이 웨이퍼(W)의 표면에서 건조하면, 워터마크를 형성하여 웨이퍼(W)를 오염시키는 파티클이 되어 버린다.

따라서 본 예의 액처리 장치는, 소수화 가스를 웨이퍼(W)의 전면(全面)에 퍼지게 하면서 워터마크의 형성을 억제하기 위해, DIW의 공급과 TMSDMA 가스(소수화 가스)의 공급을 교대로 반복하여 행하여, 웨이퍼(W)의 표면이 소수화되는 영역을 웨이퍼(W)의 직경 방향, 및 패턴 내의 깊이 방향으로 단계적으로 넓혀 가는 처리를 행한다. 또, 웨이퍼(W)를 건조시킬 때, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 저하시켜, 웨이퍼(W)의 표면에 대한 미소한 액적의 잔존을 억제하는 기능도 갖추고 있다. 이러한 처리의 상세한 내용에 관해서는, 후술하는 작용 설명에서 설명한다.

이하, 이러한 기능을 갖춘 액처리 장치의 동작에 관해, 각종 처리액이나 가스의 공급 타이밍을 나타낸 도 3, 처리중에서의 웨이퍼(W)의 표면의 상태를 모식적으로 나타낸 도 4∼도 8을 참조하면서 설명한다. 또한, 도 3의 (a)∼(e)는, 시간의 경과에 대하여, 각 노즐(411∼413)로부터의 처리액이나 가스의 공급/정지 타이밍을 모식적으로 나타내고 있지만, 이들 처리액이나 가스의 공급 시간을 엄밀하게 나타내는 것은 아니다.

액처리 장치는, 노즐 블록(42)을 컵(11)의 외측으로 후퇴시키고, 또 지지 플레이트(21)를 정지시킨 상태로 대기하고 있다. 그리고 외부의 웨이퍼 반송 기구가, 웨이퍼(W)를 유지한 포크를 지지 플레이트(21)의 상방측까지 진입시키면, 승강 플레이트(24)를 상승시켜 포크와 교차시켜, 승강 플레이트(24)의 리프트핀(26) 상에 웨이퍼(W)를 전달한다.

포크가 지지 플레이트(21)의 상방으로부터 후퇴한 후, 승강 플레이트(24)를 강하시켜, 지지 플레이트(21)의 지지핀(23) 상에 웨이퍼(W)를 배치한다. 이어서 회전 모터(31)를 작동시켜, 지지 플레이트(21) 상의 웨이퍼(W)를 회전시킨 후, 웨이퍼(W)가 정해진 회전 속도에 도달하면 노즐 블록(42)을 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방 위치까지 이동시킨다.

그 후, 액노즐(411)로부터 미리 설정된 시간만큼 SC-1을 공급하여, 유기성의 오염이나 파티클의 제거를 행한다. 이어서, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 상승시키고, 액노즐(411)로부터 공급하는 처리액을 DIW로 전환하여 린스 처리를 행하여, 웨이퍼(W)의 표면의 SC-1을 씻어낸다(도 4).

SC-1이 DIW에 의해 씻겨 나가면 DIW의 공급을 멈추고, 도 3의 (b), 도 3의 (c)의 「소수화 처리」의 기간에 나타낸 바와 같이, TMSDMA 가스, DIW를 웨이퍼(W)의 중심을 향해서 교대로 공급하여 웨이퍼(W)의 표면을 단계적으로 소수화하는 처리를 실행한다. 이 때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 웨이퍼(W)의 표면에 TMSDMA 가스가 골고루 퍼지는 것이 가능한 회전 속도, 예컨대 1000 rpm 이상으로 되어 있다.

직경 300 mm의 웨이퍼(W)의 경우에 관해 예를 들면, 이 소수화 처리에 있어서, TMSDMA 가스는 5∼20 l/min(0℃, 1 기압의 표준 상태 기준)의 범위의 5 l/min의 공급량으로, 0.5∼2초의 범위의 예컨대 1초간 공급된다. 한편, DIW는, 1∼3 l/min의 범위의 2 l/min의 공급량으로, 0.5∼5초의 범위의 예컨대 0.5초간 공급된다.

여기서 TMSDMA 가스의 공급시에는, 도 5에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면이 노출되어, 이 TMSDMA 가스와 접촉한 웨이퍼(W)의 표면이 소수화된다. 한편, 원심력의 작용에 의해 털어낸 DIW가 웨이퍼(W)의 표면에서 흩어져 미소 액적(81)으로서 남아, 워터마크의 원인이 된다(도 5, 도 6에 흰색 원으로 모식적으로 나타냄).

따라서, 미소 액적(81)이 건조되어 워터마크가 형성되기 전의 비교적 짧은 시간에 웨이퍼(W)의 표면에 공급하는 유체를 DIW로 전환한다(도 6). DIW의 공급에 의해, 미소 액적(81)이 씻겨 나가므로 워터마크의 형성이 억제된다.

그러나, 0.5∼2초 정도의 단시간만 TMSDMA 가스를 공급하더라도, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 걸쳐서, 패턴 내부까지 충분한 소수성을 부여하기 위해서는 충분하지 않다. 그래서, 미소 액적(81)을 씻어내면, 웨이퍼(W)의 표면에 공급하는 유체를 TMSDMA 가스로 전환한다. 이렇게 해서 DIW와 TMSDMA 가스를 교대로 공급한다.

여기서 도 9의 (a)∼도 9의 (e)에서, 소수화 처리에 관해 상세히 설명한다.

우선 DIW를 공급한다(도 9의 (a)). 다음으로 DIW의 공급을 멈추고 DIW로 덮힌 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 그 표면에 TMSDMA 가스를 공급하면, 린스액이 털어내어진 패턴의 상단부에 TMSDMA 가스가 접촉하여, 이 패턴의 상단부가 소수화된다(도 9의 (b)). 이 때, 패턴 사이에는 DIW가 남아 있다. 다음으로 DIW를 다시 공급한다. 웨이퍼는 DIW로 덮힌 상태가 되고, DIW는 소수화된 패턴의 상단부에 남아 있는 미소 액적(81)을 씻어낸다(도 9의 (c)).

이어서, DIW의 공급을 멈추고, DIW로 덮힌 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 그 표면에 TMSDMA 가스를 공급하면, 이미 소수화되어 있는 패턴의 상단부로부터는 DIW가 신속하게 흘러 사라지고, 패턴 내의 DIW의 액면이 노출된다. 또한 DIW가 털어내어져 패턴 내의 DIW의 액면이 내려가면, 이 패턴 내에 TMSDMA 가스가 진입하여, 패턴의 측면 부분이 소수화된다(도 9의 (d)). 이 때, 패턴 사이에는 DIW가 남아 있다. 이 때 발생한 미소 액적(81)은, 다음 DIW 공급에 의해 씻겨 나간다(도 9의 (e)).

이렇게 해서, DIW와 TMSDMA 가스의 공급을 교대로 반복함으로써, 도 9의 (a)∼(g)에 나타낸 바와 같이 패턴 내의 DIW의 액면을 점차 저하시키면서, 패턴의 깊이 방향으로 소수화된 영역의 면적을 넓힐 수 있다. 패턴의 내부까지 소수화된 소수화 영역(83)은, 도 10에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 중심으로부터 직경 방향 바깥쪽을 향해서 DIW의 액면이 서서히 내려가기 때문에, 노출된 패턴의 측면 부분이 서서히 소수화된다. 그 때문에 소수화 가스가 웨이퍼(W)의 직경 방향을 향해서 서서히 퍼져 간다. 그리고, TMSDMA 가스, DIW의 교대 공급을 예컨대 수회∼수백회 반복하여, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 일정하게 소수화 영역(83)이 되면, TMSDMA 가스와 DIW의 교대 공급을 끝낸다.

상기 교대 공급의 반복 횟수는, 패턴 붕괴가 발생하지 않고 웨이퍼(W)를 건조시키는 것이 가능한 소수성을 얻을 수 있을 정도의 횟수만큼 행해진다. 패턴 붕괴가 발생하는지의 여부는, 예컨대 패턴이 형성되어 있지 않은 웨이퍼(W)의 표면에 대한 DIW의 접촉각을 기준으로 평가할 수 있고, 80∼90° 이상의 접촉각을 얻을 수 있을 정도의 반복 횟수가 바람직하게 선택된다.

이와 같이, TMSDMA 가스와 DIW의 교대 공급을 반복하는 소수화 처리를 행함으로써, 기판의 표면의 소수화된 영역을 단계적으로 넓혀가고, 워터마크의 발생을 억제할 수 있다.

그 후, 그 DIW를 제거하여 웨이퍼(W)의 건조를 행한다(도 3의 (b)의 「린스 세정 및 건조 처리」의 기간).

이 건조 처리시에, 고속으로 회전시킨 웨이퍼(W)로부터 DIW를 제거하는 경우에는, DIW가 흩어지는 것에 의한 미소 액적(81)의 형성을 완전히 억제할 수 없는 경우도 있다. 그래서 본 예의 액처리 장치는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 30∼100 rpm 정도까지 감속시켜, 그 DIW를 공급하는 액노즐(411)(노즐 블록(42))을 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 둘레 가장자리부를 향해서 이동시킨다(도 8).

웨이퍼(W)의 회전을 저속으로 함으로써, DIW가 액막을 형성한 상태를 유지한 채로 웨이퍼(W)의 둘레 방향으로 퍼지고, 액노즐(411)의 이동에 의해 그 액이 고여 있는 영역을 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 향해서 압출하도록 이동시킬 수 있다. 그 결과, 고여 있는 액이 흩어지는 것에 의한 액적의 발생을 억제하면서, DIW와 접하지 않은 건조한 영역을 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 둘레 가장자리부를 향해서 넓힐 수 있다. 압출된 DIW는, 웨이퍼(W)의 외측 둘레 가장자리부에서 그 웨이퍼(W)로부터 적하하여 제거된다.

또 이 때, 도 8에 나타낸 바와 같이 DIW를 공급하는 액노즐(411)보다 웨이퍼(W)의 중앙부측에 위치하고 있는 가스 노즐(412)로부터 N₂ 가스를 공급하는 것이 좋다(도 3의 (d)의 「린스 세정 및 건조 처리」의 기간, 도 8). 그 N₂ 가스가 DIW를 흘러가게 하는 역할을 하여, 저속으로 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 공급되어, 비교적 작은 원심력만 작용하는 DIW가 웨이퍼(W)의 표면에 남는 것을 억제할 수 있다.

이렇게 하여 액노즐(411)이 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부보다 외측에 도달하면 DIW의 공급을 정지하고, 이어서 가스 노즐(412)이 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부보다 외측에 도달하면 N₂ 가스의 공급을 정지한다(도 3의 (d)). 액노즐(411)이 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 도달했을 때 웨이퍼(W)의 회전 속도가 저속으로 되어 있기 때문에, DIW의 액류가 지지핀(23)과 접촉하더라도 액 튀김이 발생하기 어려워, 웨이퍼(W)의 표면에 대한 액적의 부착을 억제할 수 있다.

액노즐(411), 가스 노즐(412)의 스캔을 완료했다면, 노즐 블록(42)을 웨이퍼(W)의 상방으로부터 후퇴시키고, 웨이퍼(W)의 회전을 정지한다. 그 후, 승강 플레이트(24)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 들어 올리고, 외부의 웨이퍼 반송 기구에 처리가 끝난 웨이퍼(W)를 전달한 후, 승강 플레이트(24)를 강하시켜 다음 웨이퍼(W)의 반입을 기다린다.

또한, 본 발명자는, DIW의 공급으로 전술한 소수화 처리를 끝내는 경우, 웨이퍼(W)의 표면에는 소수화 가스가 DIW와 접촉했을 때 생성한 반응 부생성물(82)이 남는 경우가 있고(도 5, 도 6 중, 검은 원으로 나타냄), 이 반응 부생성물(82)이 DIW로는 제거하기 어려운 한편, 용제인 IPA를 이용하면 제거 가능한 것을 발견했다.

따라서 소수화 처리와 건조 처리의 사이에 용제 처리를 행하면 더욱 좋다. 즉, 건조 처리전이며, 소수화 처리후의 DIW의 액막이 형성되어 있는 상태의 웨이퍼(W)의 표면에, 반응 부생성물(82)을 제거하는 용제인 IPA를 공급한다(도 3의 (e)의 「용제 처리」의 기간, 도 7). 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 반응 부생성물(82)이 제거되어, 소수화 가스를 이용하는 것에 의해 발생하는 2종류의 파티클의 부착, 잔존을 억제할 수 있다. IPA 공급시의 웨이퍼(W)의 회전 속도로는, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 IPA의 액막이 형성되는 정도의 300∼2000 rpm의 범위를 예시할 수 있다.

또한, TMSDMA 가스의 공급으로 소수화 처리를 끝내는 경우에는, 웨이퍼(W)의 표면에는 반응 부생성물(82) 및 미소 액적(81)이 잔존하고 있지만, 미소 액적(81)은 IPA에 가용(可溶)되기 때문에, TMSDMA 가스의 정지후, 도 3의 (e), 도 7의 용제 처리를 행해도 된다.

본 실시형태에 따른 액처리 장치에 의하면 이하의 효과가 있다. 웨이퍼(W)의 표면에 대한 TMSDMA 가스의 공급과, DIW의 공급을 교대로 반복함으로써, 웨이퍼(W)의 표면의 소수화된 영역을 패턴 내부의 깊이 방향 및 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 단계적으로 넓혀 간다. TMSDMA 가스와 DIW의 교대 공급에 의해, TMSDMA 가스의 공급시에 발생하는 미소 액적(81)을 DIW의 공급에 의해 씻어낼 수 있다.

또한, 약액을 DIW로 치환한 후의 웨이퍼(W)의 표면에 TMSDMA 가스를 공급함으로써 생성된 부생성물을 IPA에 의해 제거하기 때문에, 그 부생성물에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 저감시킬 수 있다. 또한, 소수화된 웨이퍼(W)의 표면의 처리액을 DIW로 치환하고, 그 DIW를 제거할 때, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 저하시키고, DIW를 공급하는 액노즐(411)을 웨이퍼(W)의 중앙부측으로부터 둘레 가장자리부측으로 이동시킴으로써, DIW의 흩어짐을 억제하면서 그 DIW를 액막에 흡수하면서 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부측으로 압출하여 웨이퍼(W)를 건조시킬 수 있다. 또 이 때 웨이퍼(W)의 중앙부측으로부터 N₂ 가스를 공급함으로써, 저속으로 회전하는 웨이퍼(W)의 중앙부측으로 DIW가 퍼지는 것을 억제할 수 있다.

여기서 소수화제로서 사용하는 실릴화제는 TMSDMA로 한정되지 않는다. 예컨대 DIW와 접촉함으로써 반응 부생성물을 생성하는 다른 실릴화제로서 헥사메틸디실라잔(HMDS), 트리메틸실릴디에틸아민(TMSDEA) 등을 들 수 있다. 이들 실릴화제로부터 생성되는 반응 부생성물도, 소수화 처리후에 용제인 IPA를 공급함으로써 웨이퍼(W)의 파티클 오염을 억제할 수 있다.

또, 용제에 의해 제거하는 것이 가능한 반응 부생성물을 생성하는 소수화제라면, 실릴화제에 한정되지 않고 다른 종류의 소수화 가스를 이용하는 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다. 이와 같이, 용제를 이용하여 반응 부생성물을 제거하는 방법은, 이것 단독으로 웨이퍼(W)의 파티클에 의한 오염을 저감하는 효과가 있기 때문에, 소수화 가스를 연속적으로 공급하여 웨이퍼를 건조시키는 처리에도 적용할 수도 있다.

그 밖에, 반응 부생성물을 제거할 수 있는 용제는, IPA에 한정되지 않고 예컨대 아세톤 등을 이용해도 된다.

또한 여기서, 액체 소수화제(예컨대, 액체의 실릴화제)를 이용하여 웨이퍼(W)를 소수화할 때의 반응 부생성물의 제거에 관해 설명해 둔다. 일반적으로 액체 소수화제는, DIW와 혼합되기 어려우므로, 하기의 처리 시퀀스와 같이 IPA에 의한 치환을 통해 DIW와 소수화제의 치환이 행해진다.

처리 시퀀스예 : (1) 약액 처리→(2) DIW에 의한 린스 세정→(3) DIW를 IPA와 치환→(4) IPA를 액체 소수화제와 치환하여 소수화 처리→(5) 액체 소수화제를 IPA와 치환→(6) IPA를 DIW와 치환하여 린스 세정→(7) DIW의 제거(건조 처리).

한편, 최근에는 DIW(물)와도 혼합되기 쉬운 소수화제도 개발되고 있고, 그 경우에는 린스 세정후의 웨이퍼(W)의 표면에 소수화제를 구석구석까지 공급한다고 하는 관점에서는, 상기 (3)의 치환 조작은 불필요해진다. 마찬가지로, 소수화 처리후의 웨이퍼(W)의 표면에 DIW를 구석구석까지 공급한다고 하는 관점에서는 (5)의 치환 조작도 불필요해진다.

그러나, (3)의 치환 조작을 생략하면, 소수화제가 DIW와 직접 접촉하게 되어, 대량의 반응 부생성물이 발생할 우려가 있다. 그래서 (3)의 치환 조작을 생략한 경우라 하더라도, (5)의 IPA 공급을 남김으로써, IPA의 용제로서의 기능을 이용하여 반응 부생성물의 제거를 행할 수 있다고 할 수 있다.

또한, 예컨대 TMSDMA는, IPA와의 접촉에 의해서도 반응 부생성물을 생성하지만, 이 반응 부생성물은 전술한 처리 시퀀스의 예에서는 IPA 자신의 용제 작용에 의해 제거되기 때문에 문제는 되지 않았다.

W : 웨이퍼 21 : 지지 플레이트
22 : 회전축 23 : 지지핀
411 : 액노즐 412 : 가스 노즐
413 : IPA 노즐 81 : 미소 액적
82 : 반응 부생성물 83 : 소수화 영역

Claims

기판을 수평으로 유지하여, 연직축 둘레에 회전시키는 기판 유지부와,
상기 기판의 표면에 약액을 공급하는 약액 노즐과,
상기 기판의 표면에 소수화(疎水化) 가스를 공급하는 소수화 가스 노즐과,
상기 기판의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 노즐을 구비한 액처리 장치를 이용한 액처리 방법으로서,
상기 기판 유지부에 유지되고, 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 약액 노즐로부터 약액을 공급하여 액처리를 행하는 단계와,
이어서, 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판의 표면에 상기 린스액 노즐로부터 린스액을 공급하여, 상기 약액을 상기 린스액으로 치환하는 단계와,
이어서, 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판의 표면에, 이 기판의 표면을 소수화하기 위한 소수화 가스를 상기 소수화 가스 노즐로부터 공급하는 단계와, 상기 소수화 가스가 공급된 후의 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급하는 단계를 교대로 반복하여, 상기 기판을 소수화하는 단계와,
이어서, 상기 기판을 회전시킴으로써 상기 린스액을 제거하여, 상기 기판을 건조시키는 단계
을 포함한 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 기판을 소수화하는 단계를 행하고 있는 동안, 상기 소수화 가스를 공급받고 있는 상기 기판의 표면 상에 있는 린스액이 건조되기 전에, 다음 린스액의 공급을 개시하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 그 기판의 표면에 형성된 패턴을 가지며,
상기 기판을 소수화하는 단계를 행하고 있는 동안, 상기 기판의 표면에 형성된 상기 패턴 내에 존재하는 린스액의 액면의 위치를 점차 저하시키면서 상기 패턴 내에 소수화 가스를 진입시켜, 상기 패턴의 깊이 방향으로 소수화된 영역의 면적을 넓혀 가는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판을 소수화하는 단계를 상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급함으로써 끝내고,
상기 기판을 건조시키는 단계를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수는, 상기 기판을 소수화하는 단계를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수보다 낮은 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판을 소수화하는 단계를 상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급함으로써 끝내고,
상기 기판을 건조시키는 단계를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수는, 상기 기판을 소수화하는 단계를 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수보다 낮고,
상기 기판을 건조시키는 단계를 행하고 있는 동안, 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급하면서 상기 린스액의 공급 위치를 상기 기판의 중앙부로부터 둘레 가장자리부를 향해서 이동시킴으로써, 상기 기판의 표면 상에 있는 린스액을 상기 기판의 밖으로 압출하여 제거하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판을 소수화하는 단계와 상기 기판을 건조시키는 단계 사이에, 상기 기판의 표면에 용제를 공급하여, 상기 소수화 가스의 부생성물을 제거하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 그 기판의 표면에 형성된 패턴을 가지며,
상기 기판의 표면에 상기 린스액을 공급하는 단계와 상기 기판의 표면에 상기 소수화 가스를 공급하는 단계를 교대로 반복하는 횟수는, 상기 패턴이 형성되어 있지 않은 상기 기판의 표면 부분에 대한 상기 린스액의 접촉각이 미리 설정된 각도 이상이 되는 횟수로 되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
기판의 표면에 대하여 액처리를 행하는 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서,
상기 프로그램은 상기 액처리 장치에 제1항 또는 제2항에 기재된 액처리 방법을 실행시키는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
기판을 수평으로 유지하여, 연직축 둘레에 회전시키는 기판 유지부와,
상기 기판의 표면에 약액을 공급하는 약액 노즐과,
상기 기판의 표면에 소수화 가스를 공급하는 소수화 가스 노즐과,
상기 기판의 표면에 린스액을 공급하는 린스액 노즐과,
상기 기판 유지부에 유지되고, 회전하는 상기 기판의 표면에 상기 약액 노즐로부터 약액을 공급하는 것과, 이어서, 상기 기판을 회전시키면서 그 기판의 표면에 상기 린스액 노즐로부터 린스액을 공급하는 것과, 이어서, 상기 기판을 회전시키면서 그 기판의 표면에, 이 기판의 표면을 소수화하기 위한 소수화 가스를 상기 소수화 가스 노즐로부터 공급하는 것과, 소수화 가스가 공급된 후의 기판을 회전시키면서 그 기판의 표면에 린스액을 공급하는 것을 교대로 반복하여, 상기 기판을 소수화하는 것과, 이어서, 상기 기판 유지부를 회전시킴으로써 상기 기판을 회전시키면서 린스액을 제거하여 건조시키는 것을 실행시키는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제9항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 기판을 소수화하는 것을 행하고 있는 동안, 상기 소수화 가스를 공급받고 있는 상기 기판의 표면 상에 있는 린스액이 건조되기 전에, 다음 린스액의 공급을 개시시키는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 기판을 소수화하는 것을 상기 기판의 표면에 린스액을 공급함으로써 끝내고,
상기 기판을 건조시키는 것을 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수를, 상기 기판을 소수화하는 것을 행하고 있는 동안의 상기 기판의 회전수보다 낮게 하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 기판의 표면에 용제를 공급하는 용제 노즐을 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판의 표면을 소수화하는 것과 상기 기판을 건조시키는 것 사이에, 상기 기판의 표면에 상기 용제 노즐로부터 상기 용제를 공급시키는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.