JP6042564B2 - 基板をアライメントする装置及び方法 - Google Patents

基板をアライメントする装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6042564B2
JP6042564B2 JP2015551148A JP2015551148A JP6042564B2 JP 6042564 B2 JP6042564 B2 JP 6042564B2 JP 2015551148 A JP2015551148 A JP 2015551148A JP 2015551148 A JP2015551148 A JP 2015551148A JP 6042564 B2 JP6042564 B2 JP 6042564B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
holder
marking
translation unit
calibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015551148A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016503589A (ja
JP2016503589A5 (ja
Inventor
ヴァーゲンライトナー トーマス
ヴァーゲンライトナー トーマス
Original Assignee
エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー filed Critical エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2016503589A publication Critical patent/JP2016503589A/ja
Publication of JP2016503589A5 publication Critical patent/JP2016503589A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6042564B2 publication Critical patent/JP6042564B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

本発明は、第1の基板を第2の基板とアライメントして接触させる請求項1記載の方法、ならびにこの方法に対応する請求項8記載の装置に関する。
例えばマイクロチップやメモリコンポーネントなど電子回路の小型化、ならびにマイクロメカニカルコンポーネント及びマイクロ流体コンポーネントの小型化は、数十年来、絶え間なく進んでいる。これらの機能群の密度をさらに高める目的で、数年前からこれらの機能群の積層化が始められた。そのためこれらの機能群は、例えばウェハなどの基板上に製造される。その後、ウェハは互いにアライメントされて接合される。その結果、いくつかの僅かな処理ステップを経るだけで高い歩留まりが得られ、特に高密度で上下に積層された機能群が得られる。
それぞれ異なるウェハの機能群はたいてい、やはりそれぞれ異なる機能を有している。つまり第1のウェハの機能群がマイクロチップである一方、第2のウェハの機能群がメモリチップである可能性がある。本来の接合過程の前に、ウェハ相互間のアライメントが行われる。必要とされる精度及び相応に僅かな欠陥を達成するためには、ウェハ上の機能群が小さくなればなるほど、2つのウェハ相互間のアライメントプロセスをいっそう厳密に行わなければならない。
2つのウェハ相互間でアライメント可能な精度は、アライメント装置の光学コンポーネント及び機械コンポーネントならびにそれらの使用法に大きく左右される。
光学コンポーネントの場合に特に留意しなければならないのは、基板上のアライメントマスクをできる限り正確に検出するのに十分に高い倍率であるが、さらにとりわけ分解能である。しかもそれ相応に高い倍率と分解能であるならば、できる限り大きい焦点深度が望ましい。
機械コンポーネントの場合には特に、モータとベアリングが非常に重要になる。モータは大きい負荷を加速、変位及び制動しなければならないが、さらにその際に、できるかぎり精密な、とりわけ再現可能なポジショニング制御も可能でなければならない。これを確実に行えるようにするには、特殊な形式のベアリングが必要とされる。ベアリングは、変位させるべき負荷を十分に摩擦なく支承するように構成されている。有利には今日まで、エアベアリングが用いられてきた。エアベアリングは、2つの部材を互いに無接触で変位させることができる。
特に真空環境において有利となる可能性があるのは、できる限り多くのモータを省くことであり、つまりは必要とされるベアリングも省くことであり、その目的は、残りのモータの精度と再現性を高めることである。
従来技術において既にアライメントシステムが存在しており、例えばAT405775Bに開示されている。ただしこのシステムは、いくつかの重大な欠点を有している。特許公報AT405775Bによれば、下方のサンプルホルダと上方のサンプルホルダとの間の移動距離は非常に長く、その結果、本来の接合プロセスを行うときに、2つの基板相互のポジショニングがそれ相応に不正確になる可能性がある。
しかも、アライメントプロセスは真空環境で実施するのが望ましい。したがって既述のエアベアリングを利用するのは難しく、問題を孕んでいる。
このため文献PCT/EP2013/062473には、別のアライメントシステムが開示されている。この文献によれば、長い移動距離の問題は、互いにアライメントすべき基板を、2つのマーキングを結んだ軸に沿って側方で移動させることによって解決している。この場合、AT405775Bの実施形態とは異なり、光学系は基板の前方ではなく基板の側方に取り付けられ、それによって移動距離を劇的に短くしている。移動距離を著しく短縮することにより、PCT/EP2013/062473によるアライメント装置は、まったく別のモータ及びベアリングを使用することができ、とりわけ真空に適したモータ及びベアリングを使用することができる。
したがって本発明の課題は、基板をアライメントして接触させるための装置及び方法において、特に真空において、基板をいっそう正確かつ効率的にアライメントし接触させることができるようにすることである。
この課題は、請求項1及び請求項8の特徴によって解決される。従属請求項には、本発明の有利な実施形態が示されている。本発明の範囲には、明細書、特許請求の範囲及び/又は図面に示された特徴のうち少なくとも2つの特徴から成るあらゆる組み合わせも含まれる。また、記載された数値範囲において、そこに挙げられた限界値内にある値も限界値として開示されているものとし、それらの値を任意に組み合わせて請求できるものとする。
冒頭で述べたように本発明は、2つの基板有利には2つのウェハを、できるかぎり最善には特に真空環境において、互いにアライメントし、アライメント成功後に接触させる装置及び方法に関する。
本発明の基礎となる着想は特に、2つの基板相互の適正なアライメントのために、少なくとも3つの自由度を備えたサンプルホルダ(第1の基板を固定するための第1のホルダ)はただ1つしか必要とされず、特に唯一それだけでよく、他方、第2のサンプルホルダ(第2の基板を固定するための第2のホルダ)は、有利には唯一の自由度だけしか有しておらず、ただしそのために高精度の自由度を有する、ということである。ここで高精度の自由度とは、サンプルホルダ制御用のモータがサンプルホルダをそれ相応に高精度にポジショニングできる、ということである。さらに本発明による実施形態によれば、ただ1つの自由度だけしかもたない少なくとも2つの検出ユニットが設けられており、これらの検出ユニットは、特にZ方向における自由度のみを有している。
X方向、Y方向ならびにZ方向は、それぞれ互いに交差して(特に垂直に交差して)延在しているので、これによって例えばデカルト座標が形成される。
このようにして本発明による実施形態によれば、2つの基板どうしの高精度のアライメントに欠くことのできないアライメント関与部材が全体として必要とする自由度数が低減される。
本発明によれば、ホルダによる基板の動きに合わせて検出ユニットを調整する目的で、例えば1つの較正基板有利には2つの較正基板が用いられる。
本発明による実施形態によればとりわけ、基板のアライメント及び接触を初めて真空中で高精度に実現させる新規で発明性のある装置が提供される。
本発明は、以下のようなアライメント装置(施設)から成る。即ちこの装置には、少なくとも4つの検出ユニット例えば光学系と、それぞれ1つのサンプルホルダを有する2つのアライメントユニット(第1のもしくは上方のホルダ及び第2のもしくは下方のホルダ)と、これらに対応するX,Y,Z方向の並進ユニットが設けられており、これらの並進ユニットは、検出ユニットの光学系とサンプルホルダを動かすモータを備えている。アライメントチャンバを、大気に向けて開放しておいてもよいし、或いは有利には真空排気された空間内に配置してもよい。
検出ユニットがアライメントチャンバ外に設けられているならば、アライメントチャンバはそれ相応の窓を有しており、この窓を通して検出が行われる。光学系(或いはもっと一般的には検出ユニット)をアライメントチャンバ内に配置すれば、窓に起因する光学的なエラーが回避される。このようなエラーは、窓を通したビーム送出により発生する可能性がある。例えばここで考えられるのは、平坦に研磨されていない窓面を介したビーム経路の偏向、強度損失、特定の波長の吸収、屈折作用、或いは粗面化した窓に起因する像の散乱などである。とはいえ、アライメントチャンバの外に光学系を取り付けても、利点がもたらされる。つまり光学系に簡単に近づくことができ、それらを真空環境用に設計しなくてもよい。しかも、光学系を動かすモータも真空駆動用に設計する必要がない。
1つの特別な実施形態によれば、窓は両面がともに平坦というのではなく、それ自体が光学素子として構成されており、この素子は、チャンバ内部の構造の拡大率及び/又は分解能の向上に能動的に関与する。窓を相応に高精度に製造することによって、窓の屈折特性を能動的に利用することができ、ビーム経路を誤らせたり弱まらせたりする代わりに、ビーム経路を所期のように制御することができる。例えばここで考えられるのは、窓自体を両凸レンズ、両凹レンズ、凸凹レンズ或いは凹凸レンズとして構成することである。さらに考えられるのは、窓の大部分の両面を平坦に構成し、本来のレンズ素子を窓内部の周縁部から分離して配置することである。
例えば少なくとも2つの、有利にはアライメントチャンバの同じ側に配置された、好適には下側周縁部に配置された光学系は、ただ1つの並進自由度しか有しておらず、即ちZ方向に沿った並進自由度しか有しておらず、したがって例えば単純な直線運動に制限されている。
基板有利にはウェハは、サンプルホルダに固定される。サンプルホルダはホルダの上に取り付けられる。ホルダは一般に複数の並進ユニット及び/又は回転ユニットを有しており、これらのユニットによって、サンプルホルダつまりは基板例えばウェハの並進運動もしくは回転が可能となる。ちょうど2つのホルダが設けられていると有利であり、例えば第1の又は上方のホルダと第2の又は下方のホルダが設けられていると有利である。
上方のホルダは複数の自由度を有しており、有利にはX方向及びY方向ならびに特に回転自由度を有している。さらに2つの別の回転自由度及び/又はZ方向における並進自由度も考えられる。
下方のホルダは、有利にはただ1つのZ方向に沿った並進自由度を有している。他の自由度をなくすことにより下方のホルダは、Z方向において高精度かつとりわけ著しく正確に再現可能なウェハのポジション制御を行うことができる。
以下で前提とするのは、もっぱら1つの並進自由度だけしかもたないコンポーネント特にホルダは、本発明による装置もしくはアライメントチャンバの必ず下側に配置される一方、最大数以上の自由度をもつコンポーネント特にホルダは、アライメントチャンバの上側に配置されることである(有利な実施形態)。さらに光学系において、左側の光学系と右側の光学系とで区別がなされ、もしくは向かい合わせて配置可能な検出ユニットにおいて区別がなされる。ただし、1つの自由度しかないコンポーネントを上側に取り付けるか、又は部分的に上側と下側に取り付けることも考えられる。
本発明によるアライメントプロセスは、第1の較正基板を第1の例えば上方のホルダのサンプルホルダに装填することから始まる。第1の較正基板は、この較正基板の両側に少なくとも2つのマーキングを有している。
第1の較正ステップにおいて第1の較正基板が、その左側のマーキングが左上方及び左下方の光学系の視野内に位置するまで、左に向かって動かされる。この較正ステップにおいて左下方の光学系はたいてい、左側のマーキングをシャープに描画するにはそのマーキングからはまだ離れすぎている。したがって左下方の光学系は、高精度かつとりわけ再現可能な変位によって、較正基板の左側のマーキングが左下方の光学系の焦点深度囲内に位置するまで、そのマーキングに近づけられる。左下方の光学系は、運動自由度がZ方向に制限されていることから、水平面内で変位させることができないので、基板左側のマーキングは、X方向及びY方向の並進ユニットにより較正基板を並進運動させることによって、左側下方の光学系の光軸と一致させる。
並進ユニットの運動は検出データとして正確に捕捉可能であり、それらは制御装置へ伝送されて、装置のコンポーネントを制御するために用いられる。
第2の較正ステップにおいて、左側上方の光学系が較正基板の左側のマーキングへ配向され、その光軸が左側のマーキング合わせてできる限り正確にアライメントされるようにする。左上方の光学系を、そのポジションに固定可能である。左下方の光学系のZポジションは、その光学系を後で再び同じポジションに移動できるようにする目的で記憶される。
1つの有利な実施形態によれば、互いに向き合った光軸の交点が求められ、或いは両方の光軸がマーキングにおいて交差するよう、それらがアライメントされる。
有利には、左上方及び右下方の光学系により左側のマーキングをフォーカシングすることにより確実になされることは、左側のマーキングが両方の光学系の深度焦点領域(本来正しくは焦点深度範囲)内に位置することである。ただし、両方の焦点深度領域は有限の範囲を有しており、したがって両方の光軸の交点が位置する交点領域範囲はオープンな状態である。相応に小さい焦点深度範囲をもつ光学系によって、交点のポジションは著しく絞り込まれる。焦点深度範囲を低減すれば、特に光学系の分解能が高まり、これによってマーキングの検出にも好影響が及ぼされる。
本発明によれば光学系は例えば、マーキングのポジションを光学系による光軸と関連づけて識別可能、検出可能ならびに記憶可能であるよう、制御される。このため根本的に目指すに値するのは、マーキングをできるかぎり中央に位置させるようにすることであり、したがってできる限り光軸に接近させること、或いは少なくとも光軸を中心に広がる所定の範囲内に収まるようにすることである。マーキングに対し光軸を完璧にアライメントしようとするならば、そのために多くの時間を費やしてしまう可能性があり、ゆえに大量生産であると非常にコストのかかるプロセスにもなってしまう可能性がある。したがって有利であるのは、マーキングが個々の光学系の視野(field of view)内に収まるだけとし、その後、マーキングから光軸までのX方向及びY方向の間隔を求めて記憶することである。
さらに本発明によって特に考慮されるのは、個々の光学系の画像を検出するために用いられるイメージセンサ、ならびに光学系自体が、光軸から周縁部にかけて増加する僅かな歪みを有し、そのため記録された画像は、マーキングが光軸から隔たるにつれて、マーキングポジションの測定を劣化させてしまうことである。
そこで本発明によれば、マーキングの中心と光軸とを完璧に一致させずに、マーキングを殊にできる限り迅速にできる限り光軸に近づくよう案内する。有利にはマーキングが滞留すべき領域を、F′と称する。このため本発明によれば、マーキングを光学系の少なくとも視野F内に収めるようにすべきではあるが、いっそう有利であるのは、領域F′内に収めるようにすることである。
光軸が左側のマーキングをできるかぎり精密に、ただし正確にではなく確定するこのような有利なプロセスによって、左側のゼロ点が決定され、光軸が左側のマーキングときちんと交差していなくても、このゼロ点を基準とすることができる。
非常に格別なものであるが実現が難しく、もしくは時間及びコスト上の理由からは望まれるものではない1つの実施形態によれば、両方の光軸が左側のマーキングに合わせて正確にセンタリングされる。このようにした場合、両方の左側の光軸の交点は、両方の左側の光学系の少なくとも焦点深度範囲内に位置するようになり、有利には左側のマーキングの中心に正確に位置するようになる。このような理想的なケースでは、左側の交点は有利には左側のゼロ点に正確に対応する。
したがって互いに向き合った両方の検出ユニットは特に、検出ペアとして共働する。その際に左下方の光学系を、再び出発ポジションに移動させることができ、そのポジションであれば、あとでアライメントチャンバに収容される下側の基板の装填が、光学系によっても妨げられない。
第3の較正ステップにおいて第1の較正基板が、その右側のマーキングが右上方及び右下方の光学系の視野内に位置するまで、右に向かって動かされる。この較正ステップにおいて右下の光学系は、基板を移動させるため有利には右側のマーキングから離れたところに位置しており、したがって最初のポジショニングは大雑把である。ついで右下方の光学系は、高精度かつとりわけ再現可能な変位によって、較正基板の右側のマーキングが右下方の光学系の焦点深度囲内に入るまで、そのマーキングに近づけられる。右下方の光学系は水平面内では変位不可能であり、つまりX及びY方向で変位させることはできないので、右側のマーキングは、上方の並進ユニットを介した較正基板の並進運動によって、右下方の光学系の光軸に近づけられ、理想的には、ただしやはり時間及びコスト上の理由から必須ではないが望ましいのは、両者を一致させることである。
第4の較正ステップにおいて右上方の光学系は、左側の光学系の較正時に左上方の光学系を左側のマーキングに向けて配向させたように、較正基板の右側のマーキングに向けて配向させる。ここでもまず第一に、右側のマーキングが右上方の光学系の視野内に収まることだけが重要である。有利にはやはり右側のマーキングを、右上方の光学系の光軸にできるかぎり近づくように配置させるべきであり、その目的は、画像センサ及び/又は光学系において生じる可能性のある歪みに起因して、ポジション検出の際に起こり得る測定の不正確さを、最低限に抑えることである。1つの実施形態によれば、右側のマーキングと右上方の光学系の光軸とを完全に一致させるように構成されている。
右上方の光学系はこのポジションで固定され、理想的な状況では、アライメントが行われるまでもはや動かされない。右下方の光学系のZポジションは、その光学系を後で再び正確に同じポジションまで移動できるようにする目的で、記憶される(検出データ)。
光軸が左側のマーキングをできるかぎり精密に、ただし正確にではなく確定するこのような有利なプロセスによって、左側のゼロ点が決定され、光軸が左側のマーキングときちんと交差していなくても、このゼロ点を基準とすることができる。
非常に格別なものであるが実現が難しく、もしくは時間及びコスト上の理由からは望まれない1つの実施形態によれば、両方の光軸が右側のマーキングに合わせて正確にセンタリングされる。このようにした場合、両方の右側の光軸の交点は、両方の右側の光学系の少なくとも焦点深度範囲内に位置するようになり、有利には右側のマーキングの中心に正確に位置するようになる。このような理想的なケースでは、右側の交点は有利には右側のゼロ点に正確に対応する。したがって互いに向き合った両方の検出ユニットは特に、検出ペアとして共働する。その際、右下方の光学系を、再び出発ポジションに移動させることができ、そのポジションであれば、あとでアライメントチャンバに収容される下側の基板の装填が、光学系によっても妨げられない。
これら4つの較正ステップによって、両方の検出ペアの光軸の較正が終了し、マーキングの焦点深度範囲が既知のものとなる(検出データ)。それらのデータは、特に寸法に関して第1の較正基板と同様の基板に転用/換算される。
有利には両方の光軸は、後で接合面として用いられる面と交差するようにアライメントされる。既述のように、交点の正確な確定は、もっと時間を費やすことによってしか実現できないので、本発明によれば少なくとも、後で接合面として用いられる面が光学系の焦点深度範囲内にあるように、アライメントが行われる。ただしこれは、光学系が先行の較正プロセスによって規定されたポジションにある場合である。
有利には、光学系はテスト基板のマーキングをフォーカシングする際、上方及び下方の光学系によって、マーキングが(既にかなり前に詳しく説明したように較正ステップにおいて)両方の光学系に対し正確にセンタリングされるように、フォーカシングされる。両方の光学系がセンタリングされているように見えれば、両方の光学系はマーキングに対し正確にアライメントされており、したがって光学系の交点がマーキング内に当たるようになる。
両方の光学系がマーキングをセンタリングして検出しないのであれば、マーキングと光軸とのオフセットが、ソフトウェア、ファームウェア又はハードウェアによって記憶され、これをあとで換算のために使用することができる。したがって対応するソフトウェア、ファームウェア又はハードウェアが、後で接合面として用いられる面における光軸の各交点の間隔を記憶しておけば、後で接合面として用いられる面における光軸の正確な交点が不要となり、とはいえ上述のオフセットを用いることによって、両方の基板を互いに正確にアライメントすることができる。
下方の光学系を、記憶されているそれらのZポジションに向けて相応に移動させることができる。理想的な状況では、これらの較正を1回だけ実施すればよい。ただしシステムに変更が加えられるような場合であれば、例えば1つ又は複数の光学系の交換、機械的な部材の交換、或いはアライメントチャンバの洗浄だけが行われるときでさえおそらくは、新たに較正しなおす必要があるかもしれない。例えば較正は、左側もしくは右側の各光軸の交点のシフトが行われたとき、もしくはそのことが検出されたときには、常に較正を行うべきである。
次に、例えば、第1のホルダにおける並進ユニット及び/又は第1の検出ユニットにおける並進ユニットのX−Y方向の運動を検出し、それらを相応に較正する目的で、上方の光学系と、複数のマーキング(換言すればマーキングマトリックス)が設けられた第2の較正基板との間で、較正が行われる。
マーキングに合わせて1つの光軸を正確に調整することと、光軸をマーキングに近づけることとを、これまでの説明では区別してきたが、以降はもはや区別はしない。本発明によれば、マーキングのポジションを求めるために、これら両方の方法のいずれも可能である。ただし、本発明による実施形態をできるかぎり簡単にしておくために、以下では、マーキングの正確な検出についてしか言及しない。これまでに開示した特徴は、以下の実施形態についても同様にあてはまる。第1の較正ステップにおいて、第2の較正基板は、マーキングのうちの1つが左上方の光学系の光軸に厳密にセンタリングされる位置まで、左上方の光学系の下へ動かされる。その後、第2の較正基板が上方のホルダによって固定され、それによって第2の較正基板は次の較正ステップ中、同じX−Yポジションに留まり続ける。
第2の較正ステップにおいて、左上方の光学系は検出ユニットのX方向及びY方向の並進ユニットによって、第2の較正基板左側に設けられたマーキングマトリックスのマーキングまで動かされ、左上方の光学系はマーキング各々の上方にポジショニングされて、目下制御されているマーキングが、左上方の光学系の光軸に対しセンタリングされて配置されているようになる。
第2の較正基板のマーキングマトリックスのマーキングは、例えば堆積プロセスによって形成され、相互間で高精度の殊に等間隔の及び/又は正確に既知の間隔を有する。マーキングマトリックスにおける各マーキングの間隔は、100μmよりも小さく、有利には10μmよりも小さく、著しく有利には1μmよりも小さく、最も有利には100nmよりも小さい。マーキングマトリックスにおけるマーキングの間隔の偏差もしくは誤差は、例えば分解能限界よりも小さく、及び/又は左上方の光学系の光学系モータの精度よりも小さい。
制御ユニットのX−Yポジションは、検出データとして記憶され、例えば中央制御装置によって記憶される。中央制御装置はそれらのデータを、対応するマーキングに関して格納された値と関連づける。これによって2つのポジションチャートが得られ、即ち、理想的なX−Yポジションを有する理想的な/予め設定されたポジションチャートと、これに対して相関可能な、左上方の光学系の実際のX−Y座標(もしくはX−Yポジション)を表す実際のポジションチャートとが得られる。これら両方のポジションチャートは、全単射の写像を介して、互いに結合されており/互いに結合可能である。左上方の光学系を理想的なX−Yポジションの上へ動かすための、理想的なX―Yポジションを求めるために、補間によって連続的なポジションチャートを生成可能である。
第3の較正ステップにおいて、第2の較正基板は、マーキングのうちの1つが右上方の光学系の光軸に厳密にセンタリングされる位置になるまで、右上方の光学系の下へ動かされる。その後、第2の較正基板が上方のホルダによって固定され、それによって第2の較正基板は次の較正ステップ中、同じX−Yポジションに留まり続ける。
右上方の光学系のための第4の較正ステップは、右側に転用するというかたちで第2の較正ステップに対応する。
本発明による最後の較正ステップは、下方のホルダのZ方向並進ユニットに係わるものである。本発明によれば下方のホルダには、z方向における並進自由度しか設けられていない。これにより、下方のホルダの高精度な案内が保証される。下方のホルダをz方向に沿って移動させる際に、x方向及び/又はy方向で偏差が発生する可能性があるならば、例えばz軸に対する下方のホルダの運動方向の傾きによって、或いはベアリングにおける誤差によって、偏差が発生する可能性があるならば、本発明の有利な実施形態によれば、1つ又は複数のマーキングが下方のホルダのx―y平面内で観察される。特に、1つまたは複数のマーキングにおいてx方向及び/又はy方向での下方のホルダの変位が、z方向に沿ったポジションの関数として求められる。例えばこの関数は、線形の関数として補間される。このようにして制御装置において、もしくはソフトウェア、ファームウェア又はハードウェアにおいて、基板が経路zだけ動かされたときに、どの程度経路x及び/又は経路yで変位したかが既知となる。
第1の実施形態によれば、観察されるマーキングは、経路zにわたり常に光学系の視野内及びその焦点深度範囲内に留まる。ただしこのことは、z方向の変位経路が大きければ、焦点深度範囲がそれ相応に広いときにのみ可能である。これはどちらかといえば、光学系の拡大率と分解能が低い場合にのみ、可能なことである。
第2の有利な実施形態によれば、上方の光学系が基板とともにz軸に沿っていっしょに動かされる。本発明によれば上方の光学系は、殊にz方向並進ユニットも有しているので、このことは有利である。この較正ステップは、上述の他のすべての較正ステップよりも前に実施するのが有利である。それにより後続の較正ステップにおいて、光学系をもはやz方向に動かす必要がない。
さらに本発明によれば、上方の光学系と基板とを、正及び負のz方向に沿って何度も動かし、最適な関数をこの種の走行の複数の平均をとることによって求めることが考えられる。
いっそう効率的かつ有利な第3の実施形態によれば、少なくとも4つのマーキングを有する較正基板が用いられ、例えばちょうど4つのマーキングを有する較正基板が用いられる。この場合、較正基板の上面に2つのマーキングが設けられ、これらは左側と右側にそれぞれ1つずつ配置される。さらに較正基板の下面に2つのマーキングが設けられ、これらも左側と右側にそれぞれ1つずつ配置される。
較正基板は、正確に既知の厚さ又は測定された厚さを有する。厚さは、少なくともマーキングの近くでは最も正確に既知となっている。この場合、較正基板の厚さは、少なくともマーキングの近くで、100μmよりも正確に既知であり、有利には10μmよりも正確に既知であり、さらに有利には1μmよりも正確に既知であり、著しく有利には100nmよりも正確に既知であり、極めて有利には10nmよりも正確に既知であり、最も有利には1nmよりも正確に既知である。
それぞれ互いに向き合ったマーキングがx方向及び/又はy方向でずれている場合には、互いに向き合った2つのマーキングのx方向及びy方向での相対間隔が測定される。この場合、誤差は例えば100μmよりも小さく、有利には10μmよりも小さく、さらに有利には1μmよりも小さく、著しく有利には100nmよりも小さく、極めて有利には10nmよりも小さく、最も有利には1nmよりも小さい。
予め設定された経路に沿って動かされたときの、z並進ユニットのx方向及び/又はy方向に沿った偏差を求めるために、本発明による既述の2つの実施形態とは異なり、上方の光学系が例えば上方のマーキングに合わせてフォーカシングされる。その後、z並進ユニットは、部分較正ステップと呼ばれる動きにおいて、較正基板の厚さに対応する距離だけ、上方の光学系に近づけられる。このように近づけられている間、x方向及び/又はy方向のz並進ユニットの変位を、上方のマーキングの変位によって(プロセス中に下方のマーキングも焦点深度範囲内に入れば下方のマーキングの変位によっても)、測定することができる。上方の光学系が下方のマーキングをフォーカシングした後、上方のマーキングが再び焦点に入るまで、光学系が移動する。x方向及び/又はy方向の両方のマーキングの相対的な間隔は決して変化しないので、上方の光学系はz方向に変位した後、この部分較正ステップ前に光学系が位置していた、上方のマーキングに対し相対的に同じポジションに再びセットされる。光学系が新たな部分較正ステップの前にそのつど新たに上方のマーキングに基づきポジショニングされるならば、上方の光学系のz方向の動きにより場合によっては発生するx方向及び/又はy方向の変位は、並進ユニットのx方向及び/又はy方向の変位を求めるためには重要ではない。この部分較正ステップを、任意の距離にわたって繰り返すことができる。
換言すれば、上方の光学系と較正基板は、測定すべき経路に沿ってステップごとに交互に移動し、その際、光学系は新たな較正ステップの前に常に再び較正基板のマーキングに向けてアライメントされる。
本発明によれば、これまで述べてきたプロセスとはまったく逆のプロセスも考えられ、つまりこのプロセスによれば、上方の光学系が最初に下方のマーキングに合わせてフォーカシングされ、その後、較正基板が上方の光学系から離れるように動かされる。その後、上方の光学系は、較正基板のz方向の変位が行われた後、その較正基板を追従する。
較正基板が動いてる間、上方及び下方のマーキングが常に上方の光学系の焦点深度範囲内にあると、較正ステップが格別効率的になる。本発明によるこの実施形態によれば、較正基板は透明である。しかも較正基板の厚さはできるだけ薄く選定されるが、撓みをできる限り回避するのに必要な厚さが選定される。較正基板の厚さは例えば2000μmよりも薄く、有利には1000μmよりも薄く、さらに有利には500μmよりも薄く、最も有利には100μmよりも薄い。左上方の光学系が左側において既述の測定を行い、右上方の光学系が殊に同じ時間に、右側において測定を行うと、z並進ユニットのx及びy方向における偏差の較正が、格別効率的になる。
この較正ステップも終わらせれば、基板を正または負のx方向に動かしたときに、基板がx方向及びy方向にどの程度変位するのかを、正確に予測することができる。
較正基板を用いたすべての較正プロセスが完了した後、基板の処理を開始することができる。次に、事前に適正に較正された本発明による実施形態に基づく有利なフェース・トゥ・フェース(face-to-face)アライメントプロセスについて説明する。フェース・トゥ・フェース・アライメントプロセスの場合、両方の基板の互いに接合すべき接触面に、マーキングが設けられている。フェース・トゥ・フェース・アライメントプロセスは、ここではアライメントプロセスの一例として用いられるものであるが、適切な例でもあり、それというのもこのプロセスは、最も複雑なアライメントプロセスを成すからである。最も複雑なプロセスとなる理由は、フェース・トゥ・フェース・アライメントプロセスの場合、基板を近づけている間、光学系はマーキングを利用することができず、つまり基板はいわばブラインド状態で近づけられるからである。
さらにバック・トゥ・バック・プロセス、フェース・トゥ・バック・プロセスならびにバック・トゥ・フェース・プロセスの実施も考えられる。バック・トゥ・バック・プロセスの場合、アライメントマークは常に基板の外側に位置する。この種のアライメントプロセスのために本発明による実施形態を適用することは、原則的には考えられることではあるけれども、何ら挑戦的なことではない。その理由は、特に両方の基板を互いに近づけている間、いつでも完全にマーキングを利用できるからである。したがってこの場合には、適切にポジショニングされた光学系によって、アライメントプロセス中にその場でマーキングを測定することが考えられる。バック・トゥ・フェース・アライメントプロセスもしくはフェース・トゥ・バック・アライメントプロセスは、一方の基板のマーキングが覆われるアライメントプロセスである。なぜならばこのマーキングは、あとで接合界面となる面の方向に位置しているのに対し、第2のマーキングは連続的に観察可能だからである。
本発明による第1の処理ステップにおいて、第1の基板がアライメントチャンバの第1のホルダに装填され、殊にそこに固定される。基板の配向は、装填前に外部のプリアライナ(Prealigner)において行われるか、又はチャンバ内において内部のアライナによって行われる。この場合、基板は、その典型的なフィーチャに基づき、例えばフラットな面(flat)或いはノッチ(Notch)に基づきポジショニングされ配向される。
その後、第1のホルダの並進ユニットは、左側のマーキングが左下方の光学系の視野(field of view, FOV)に入るまで、装填された基板を左側に移動させる。左側のマーキングをシャープに結像できるようにするためには、このマーキングは左側の光学系の焦点深度範囲内に位置していなければならない。左側の光学系は先行の較正プロセスにおいて、殊に類似の仕様の有利には同一の仕様の較正基板に基づき、おおよそ焦点深度範囲に合わせて較正されている。左下方の光学系を正確に同じZポジションに移動させる目的で、記憶されている左下方の光学系のZポジションを適用することができる。時間を節約しプロセスを最適化する目的で、左下方の光学系を、装填された上方の基板の移動と殊に同時に接近させることができる。
上方の基板の左側のマーキングが左下方の光学系の焦点深度範囲内に留まり続けた後、左下方の光学系の光軸のところに正確に位置していなければ、両方の光軸を第1の基板の精密な制御によって、例えば上方のホルダを用いて、互いに一致させる。その後、上方のホルダのエンコーダポジション(検出データ)を、すべての自由度について記憶することができる。したがって最新のエンコーダポジションが、左上方のマーキングに一義的に対応づけられる。
本発明においてエンコーダポジションとは、対象物体例えば基板のポジション及び/又は配向に関する情報を提供する何らかの値のことである。それらの値として挙げられるのは例えば、モータ電子装置からダイレクトに読み出されるモータのモータポジション、干渉法により求められる対象物体のポジション、干渉計等の光学測定システムを用いて求められた対象物体のポジション、或いは長さ測定用のメジャーによって求められたポジションである。さらに対象物体のポジションとして考えられるのは例えば、基板が静的に固定された並進ユニットについて、干渉計を用いて高精度に測定されたポジションである。
本発明による第2の処理ステップにおいて、右側殊にちょうど反対の側に設けられた第1の基板右側のマーキングについて、第1のプロセスステップが同じようにして実施される。第2の処理ステップを、第1の処理ステップの前に実施することもできる。
これらの処理ステップ後は、上方の基板の両方のマーキングについてすべてのエンコーダポジションが既知である。基準点として、左側のゼロ点、右側のゼロ点、或いは左側及び右側のゼロ点から計算されたゼロ点を用いることができる。ただし有利であるのは、左側もしくは右側の各光学系の光学軸の交点により規定される物理的なゼロ点のうちの1つを用いることである。
本発明による第3の処理ステップにおいて、第2の別の基板がアライメントチャンバにおける第2のホルダのサンプルホルダに装填され、例えばそこに固定され、特にセンタリングされて固定される。その後、左上方の光学系が、装填されたばかりの第2の(下方の)基板の左側のマーキングを見通せるようになるまで、上方のホルダの並進ユニットのうちの1つが、第1の基板を右方向へ移動させる。その際に有利であるのは、左上の光学系の視野内に下方の基板の左側のマーキングがあるよう、左上の光学系を既にポジショニングしておくことである。左側のマーキングが左上方の光学系の焦点深度範囲内に位置するまで、下方のホルダの並進ユニットによって下方の基板がずらされる。その後、左上方の光学系の光学軸を、下方の基板の左側のマーキングと一致させるために、左上方の光学系がX方向及び/又はY方向にずらされる。左側のゼロ点を基準とする左上方の光学系の変位が記憶される(検出データ)。
本発明による第4の処理ステップにおいて、右側殊にちょうど反対の側に設けられた第2の基板右側のマーキングについて、第3のプロセスステップが同じようにして実施される。第4の処理ステップを、第3の処理ステップの前に実施することもできる。
本発明による第5の処理ステップにおいて、左側及び右側のマーキングに基づき両方の基板を相互にアライメントするために、第1及び第2のホルダ殊に上方及び下方のホルダのすべての自由度について求められたすべてのポジションが、検出データとして用いられる。この場合、アライメントプロセス自体は、特に検出ユニットとは無関係に行われ、つまり光学系をさらに使用することなく行われる。一般に、両方の基板を相互にアライメントするために、下方及び/又は上方のホルダにおけるすべての並進ユニット及び/又は回転ユニットが用いられる。
本発明によって考えられるアライメントの順序を挙げておく。最初に、上方の基板が装填される。左側及び右側のマーキングが、左下方もしくは右下方の光学系によってセンタリングされてフォーカシングされるまで、基板が動かされる。エンコーダポジションは相応に記憶される。その後、下方の基板の装填と、上方の光学系を用いた左側もしくは右側のマーキングのフォーカシングが行われる。下方の基板はX方向及び/又はY方向には移動できないので、マーキングは左上方もしくは右上方の光学系の少なくとも視野(field of view)内に位置していなければならない。マーキングと光軸との間隔は測定可能であり、光軸に対する上方の基板のエンコーダポジションは正確に求められており、上方の基板は移動可能であるので、必要とされるx方向ポジション及び/又はy方向ポジションへ上方の基板をいつでも移動させることができ、その結果、上方の基板のマーキングを、下方の基板のマーキングの上に正確にポジショニングすることができる。両方の基板のz間隔を既にこのプロセス中、できる限り僅かにするのが有利である。
本発明による第6の処理ステップにおいて、両方の基板の接触が行われる。有利にはこの接触は、殊にもっぱら、下方のホルダの並進ユニットによる下方の基板の上昇によって行われる。下方のホルダは、ただ1つの高精度の並進ユニットしか有しておらず、このため下方の基板はもっぱらZ方向にしか動かされず、特にもっぱらZ方向にしか動かすことができないので、接近動作中、X方向及び/又はY方向の偏差は発生せず、或いは少なくとも無視できる程度のX方向及び/又はY方向の偏差しか発生しない。この場合、上方の基板へのx方向での接近プロセス中に発生するx方向もしくはy方向の下方の基板の偏差は、10μmよりも小さく、有利には1μmよりも小さく、さらに有利には100nmよりも小さく、著しく有利には10nmよりも小さく、最も有利には1nmよりも小さい。
本発明による第7の処理ステップにおいて、上方の基板と下方の基板との固定(例えば接合)が行われる。ここで考えられるのは、両方の基板相互間の固定を、機械的に、静電的に、磁気的に、電気的に、或いはシート又は接着剤を用いて、実施することである。両方の基板でSi−SiもしくはSiO2−SiO2の直接接合を行うのも、格別有利である。基板を相互に固定し合ってもよいし、下方のサンプルホルダに固定してもよい。ただし格別有利であるのは、アライメントプロセス中、基板を収容するためだけにサンプルホルダを使用し、両方の基板どうしを固定することである。このようにすることでサンプルホルダは基板積層体が取り外されてもアライメント装置内に残されることになり、したがって次のアライメントプロセスのためにただちに利用することができる。
基板を磁気的に相互に固定する目的で、特許文献PCT/EP2013/056620に示されている方法を用いると、格別有利である。有利なことにこの格別な固定方法によれば、重量があり高価で扱いづらいサンプルホルダを省くことができ、もしくはアライメント装置内に残したままにして、基板積層体が取り除かれた後にただちにサンプルホルダを再び利用できるようになる。
さらに別の特別な実施形態によれば、少なくとも1つの基板が本発明による実施形態のサンプルホルダに装填され、そのようにしてサンプルホルダに固定された基板に対し第2の基板のアライメントが行われ、格別有利には、両方の基板がサンプルホルダに固定される。このようにすることで、2つの基板を相互にアライメントしてサンプルホルダに固定し、ただちに(つまりサンプルホルダに固定したまま)、別の処理チャンバへ搬送することができる。例えば両方の基板に圧力を加えながら、接合ステップが行われる接合チャンバへさらに搬送するのが、格別有利である。
特に本質的な本発明の1つの観点によれば、選択された面例えば下側又は上側のすべてのコンポーネントのZ方向ポジショニングを、極めて高精度に、しかも反復性を伴って、実施することができる。z方向ポジションの制御は、10μmよりも小さい精度で行われ、有利には1μmよりも小さい精度で、さらに有利には100nmよりも小さい精度で、最も有利には10nmよりも小さい精度で行われる。このような精度が得られる理由は、Z方向ポジションの精度及び再現性に不都合な影響を及ぼしかねない他の自由度を省いているからである。
ここで基板とは、半導体産業で用いられる製品基板或いは支持基板のことである。支持基板は、例えば機能基板の背面薄化など様々な処理ステップの際に、機能基板(製品基板)の補強として用いられる。基板として例えば、平坦化された("flat")ウェハ又はノッチ("notch")を有するウェハが対象となる。
キャリッジ、モータ、光学系、ホルダなど本発明による装置の機能部材を、1つのハウジング内に組み込むと有利である。このハウジングは、特に周囲に対し気密に封止可能である。有利にはハウジングには、機能部材に接近して取り扱えるようにするカバーが設けられている。特に、ケーシングの少なくとも1つの面には、搬入出ゲートが設けられている。搬入出ゲートの前及び/又は後には、対応する仕切りを設けることができる。搬入出ゲートの前及び/又は後に仕切りを用いれば、有利にはハウジング内にハウジング周囲とは別の雰囲気を入れることができる。この雰囲気は、有利には負圧の雰囲気である。
本発明によるアライメントプロセス中、アライメントチャンバのハウジング内部の圧力は、例えば1barと等しく、又は、1barよりも低く、有利には10-1mbarよりも低く、さらに有利には10-3mbarよりも低く、著しく有利には10-5mbarよりも低く、さらに著しく有利には10 -7 mbarよりも低く、さらに著しく有利には10 -8 mbarよりも低く、最も有利には10 -9 mbarよりも低い。
本発明によるアライメントプロセス中、ハウジング外部の圧力は、例えば1barと等しく、又は、1barよりも低く、有利には10-1mbarよりも低く、さらに有利には10-3mbarよりも低く、著しく有利には10-5mbarよりも低く、さらに著しく有利には10 -7 mbarよりも低く、さらに著しく有利には10 -8 mbarよりも低く、最も有利には10 -9 mbarよりも低い。
すべての基板を、搬入出ゲート又はカバーを介して内部空間へ収容することができる。有利には、基板は仕切りゲートを介して内部空間へ搬送される。
1つの特別な実施形態によれば、基板もしくは互いにアライメントされた基板から成る基板積層体は、ロボットによってハウジングから搬送される。
検出ユニットの検出装置を個別に動かすことのできる精度は、1mmよりもよく、有利には100μmよりもよく、さらに有利には10μmよりもよく、著しく有利には1μmよりもよく、さらに著しく有利には100nmよりもよく、最も有利には10nmよりもよい。
アライメントユニット内には、特にもっぱら上側だけに、両方の基板のうち一方の基板のための第1のホルダが設けられている。第1のホルダには、例えば第1のホルダの構成部材としてサンプルホルダが設けられている。サンプルホルダは、少なくとも3つの自由度を有しており、例えば6つの自由度即ちX方向、Y方向及びZ方向に沿った少なくとも3つの並進自由度と、場合によってはX軸、Y軸及びZ軸を中心とした3つの回転自由度(以下では角度α、β、γと称する)とを有している。並進自由度はサンプルホルダをずらすために用いられ、つまりX方向とY方向とによって規定されるX−Y平面内で基板を変位させるためと、Z方向に沿って両方の基板を相互に接近させるために用いられる。X軸、Y軸及びZ軸を中心として回転可能な構成は、本発明によれば基板のくさび誤差補償(wedge error adjustment)及び/又は基板の配向のために用いられる。X軸、Y軸及びZ軸を中心とした回転は例えば、僅かな回転角の回転であって、このため傾斜と称してもよい。
本発明によればサンプルホルダを、例えば以下の様々な固定機構を備えた基板収容部材部材とすることができる。
・真空サンプルホルダ
・静電式サンプルホルダ
・粘着性表面を備えたサンプルホルダ
・ベンチュリ効果及びベルヌーイ効果に基づくサンプルホルダ
・磁気式サンプルホルダ
・機械式固定部材及び/又は挟持機構を備えたサンプルホルダ
本発明による実施形態を真空環境において適用するならば、真空サンプルホルダ及び/又はベンチュリ式及び/又はベルヌーイ式サンプルホルダが、制限された範囲でのみ用いられ、極端な場合には全く用いられない。
本来のアライメントプロセスの前に、本発明に従って検出手段の較正を行うのが有利である。既述の通り、互いに向き合った2つの光学系が、少なくとも以下のようにして較正される。即ち、それぞれの側ごとに1つのマーキングが上方及び下方の光学系の視野内に少なくとも入るようにし、有利には、上方もしくは下方の光学系の光軸にできる限り近い領域内に入るようにして、較正が行われる。
1つの有利な実施形態によれば、較正の目標は、それぞれ向き合った2つの検出装置における光軸の交点が、較正基板のマーキング中央に位置するようにすることである。この較正は有利には、検出ユニットにおけるすべての検出装置について別個に行われる。
この較正によって保証されるのは殊に、互いに向き合った(上方及び下方の)検出ユニットの検出装置が、共通のフォーカシング領域を有するようになる、ということである。
さらにいっそう格別な実施形態によれば、互いに向き合った検出装置の光軸は、互いに共線的にアライメントされる。この目的で、複数の検出装置のうち少なくとも1つの検出装置特に上方の検出装置は、回転自由度を有しており、有利にはゴニオメータの上に配置される。
検出装置の光軸の交点は、本発明によれば殊に以下のように配置される。即ち、X方向、Y方向及びZ方向の検出ポジションでアライメントすべき基板の対応するマーキングが、この点において少なくともフォーカシング可能であり、及び/又は配置可能であり、もしくは配置されている。本発明によればこの措置によって、移動距離がさらに最小限に抑えられる。
光軸の交点は、有利には光学系の焦点面にあり、もしくは光学系の少なくとも焦点深度範囲内にある。分解能及び焦点範囲は、互いに競合する2つのパラメータである。分解能が高くなるにつれて焦点深度範囲が狭まり、分解能が低くなるにつれて焦点深度範囲が拡がる。つまり高分解能の光学系を用いたならば、その光学系はそれ相応に狭い焦点深度範囲を有することになる。これによって、いっそうシャープに結像できるようにするためには、上方及び下方の基板のアライメントマークが、著しく狭い焦点深度範囲内に同時に留まるようにしなければならない。したがって本発明によれば、光軸の交点が対応する検出装置の焦点深度範囲内に配置される。
本発明によれば、個々の検出ユニットの検出ポジションにおいて、基板の接触面及び/又はマーキングが焦点深度範囲内に配置されるように、検出装置を較正すると有利である。これによって本発明によれば、第二焦点を省くことができる。
基板及び/又は検出手段の動きは、例えばソフトウェア支援された制御装置によって制御される。
本発明によれば、特にシステムの較正後、第1の基板を第1のホルダ(サンプルホルダ)に固定し、第2の基板を第2のホルダに固定することができる。第1のホルダと、X方向及びY方向に可動な検出ユニット特に第1のホルダに空間的に対応づけられた検出ユニットとによって、第1の基板が例えば対称的に、そのつどそれぞれ異なる別個の検出ポジションに動かされ、特にアライメントユニットに対し側方に対向する位置の検出ポジションに動かされる。
つまり本発明が基礎とする着想はとりわけ、アライメントプロセスに必要とされる検出手段を以下のように構成することである。即ち、互いに向き合うように配向されたそれぞれ2つの検出装置が、特にアライメントユニットのそれぞれ反対の側で、基板マーキングのX−Yポジションを検出し、その際、検出ユニットのそれぞれ一方は、X方向及びY方向で固定されている/不動状態にある。例えば基板の一方は、特に不動状態にある検出ユニットに空間的に対応づけられている(有利にはそれらの検出ユニットの間に配置されている)基板は、やはりX方向及びY方向に固定されている/不動状態にある。本発明による方法によればこのようにして、両方の基板の移動経路が全体として最小限に抑えられる。
本発明による方法は、2つのホルダのうちの一方が、及び/又は各検出ペアのそれぞれ1つの検出ユニットが、もっぱらZ軸に沿って移動するだけであれば、著しく高い精度と再現性で並進ユニットを利用することができる。また、X方向及び/又はY方向においてドリフトが発生する場合、本発明によれば有利にはこのドリフトを測定可能であり、補償可能である。
本発明によれば、検出前からアライメントまで、Z方向における基板の間隔が一定にセットされ、及び/又は最小限に抑えられ、例えば1cmよりも小さく、有利には1mmよりも小さく、いっそう有利には100μmよりも小さくセットされる。
本発明の利点はとりわけ、装置を真空中でも稼動させることができることである。本発明によれば、上方および/または下方のホルダの移動経路、ひいては第1の(下方の)及び/又は第2の(上方の)基板の移動経路が比較的短いことから、キャリッジ/ベアリング/ステッピングモータ用の機械的な真空対応部品を使用することができる。このようにすることで初めて、接合モジュールとアライメントモジュールを真空クラスタ内に設置できるようになり、有利には高真空クラスタ内に設置できるようになり、基板を大気に晒さなくても、アライメントモジュールから接合モジュールへの基板の搬送を、真空排気可能な領域内で実施することができるようになる。
本発明の別の利点として挙げられるのはとりわけ、両方の基板相互のポジショニング精度がかなり高いことである。その理由は、両方のホルダのうち一方のホルダが、特に下方のホルダが、1つの並進ユニットしか有しておらず、それによって第2の基板へ接近させる間に生じるx方向及び/又はy方向の誤差が、十分に抑圧されるからである。その際、x方向及び/又はy方向における並進ユニットの機械的なあそびは、既に構造設計ゆえに無視できるほど十分に小さいものである。
さらに別の利点は、可視光を利用できることである。2つの基板の接合面に設けられたマーキングによるそれらの基板のアライメントは、多くの事例では赤外線を用いても行えるかもしれない。純粋なシリコンは、赤外線特に近赤外線領域の赤外線をほとんど吸収しない。これが問題となるのは、少なくともマーキングの領域で純粋なシリコンにより囲まれた基板は、ごく僅かなケースでしか存在しないからである。あらゆるケースのうち大多数では、シリコン基板に多種多様な金属層が蒸着されている。ただし金属は赤外線放射を非常に良好に吸収し、従って赤外線に対するバリアとして作用する。基板における機能ユニットの実装密度が高くなるにつれて、そして金属層の堆積が増えるにつれて、さらには対応する基板の処理が複雑になるにつれて、フェース・トゥ・フェース・アライメントのために赤外線光学系を使用する可能性が少なくなっていく。本発明による方法によれば、可視の波長範囲の光を用いることができる。このため格別有利には、実質的に改善された検出器と光学素子を用いることもできる。赤外線光学系のための光学素子はたいてい、空気湿度などの周囲パラメータに対し非常に敏感に反応するし、とても脆く、それらを相応にコンパクトに組み込む必要がある。それに応じて、これらの光学素子の価格も高い。したがって本発明による装置及び本発明によるプロセスの核となる着想の1つは、表面をダイレクトに観察できることであり、アライメントプロセスにおいてウェハが透過性である必要がないことである。
したがって本発明によれば、透過技術を利用する必要がなくなる。しかも、あらゆる基板を測定することができ、電磁スペクトルの広い範囲にわたり非透光性の基板であっても、測定することができる。なぜならば基板を貫通当射する必要なく、表面上のマーキングを見つけ出すことができるからである。ただし、マーキング識別を行うために、すべての既知の目的に適った電磁スペクトルの波長範囲を利用することができる。特に赤外線の利用は、格別有利には近赤外線の利用は、その利用が副次的な意味をもつ場合であっても、開示されるものである。
すべての図面において、ホルダは常にハウジング内に描かれている。ただし当然ながら、ホルダひいては並進ユニット及び/又は回転ユニットを、ハウジングの外側に配置させることも可能であり、相応の真空動作によりハウジング内に位置するサンプルホルダを制御することも可能である。同じことは、検出手段についてもあてはまる。一番最適ではあるけれども、当然ながら技術的には実現困難な実施形態を挙げるとすれば、互いにアライメントすべき両方の基板だけを、真空中におくことである。
本発明による実施形態は、有利には真空クラスタ内で、さらに有利には高真空クラスタ内で、最も有利には超高真空クラスタ内で、他のモジュールとともに使用される。ここで他のモジュールを例えば、以下のモジュールのうちの1つ又は複数とすることができる。
・加熱モジュール
・冷却モジュール
・コーティングモジュール
・接合モジュール
・剥離モジュール
・検査モジュール
・積層モジュール
・表面処理モジュール
・プラズマモジュール
1つの特別な実施形態によれば、互いにアライメントされる基板は、特許文献PCT/EP2013/056620において述べられている方法によって互いに挟持される。この点に関しては、上記特許文献を参照されたい。この挟持方法は、互いにアライメントされ接触状態におかれた両方の基板を高速に効果的にかつ簡単に固定するために、小さい磁石部材を利用する。両方の基板を、分子間力によって予め固定することもできる。ただし挟持を、単純に機械的に行うこともできる。
これまでの説明中に、及び/又は以降の図面の説明において、装置の特徴が開示されているならば、それらの装置の特徴は、方法の特徴としても開示されているとみなされるものであり、また、その逆もあてはまる。
以下の有利な実施例の説明ならびに図面には、本発明のさらに別の利点、特徴ならびに詳細な点が示されている。
本発明による装置の第1の実施形態を示す断面図 本発明による装置の第2の実施形態を示す断面図 本発明による装置の第3の実施形態を示す断面図 第1の較正基板を用いた本発明による方法の第1の較正ステップを示す図 第1の較正基板を用いた本発明による方法の第2の較正ステップを示す図 第1の較正基板を用いた本発明による方法の第3の較正ステップを示す図 第1の較正基板を用いた本発明による方法の第4の較正ステップを示す図 第1の較正基板を用いた本発明による方法の第5の較正ステップを示す図 第1の較正基板を用いた本発明による方法の第6の較正ステップを示す図 第2の較正基板を用いた本発明による方法の第1の較正ステップを示す図 第2の較正基板を用いた本発明による方法の第2の較正ステップを示す図 第2の較正基板を用いた本発明による方法の第3の較正ステップを示す図 本発明による方法において第1の基板を第1のホルダに固定する第1のステップを示す図 本発明による方法において第1の基板のポジションを検出する第2のステップを示す図 本発明による方法において第1の基板のポジションを検出する第3のステップを示す図 本発明による方法において第2の基板のポジションを検出する第4のステップを示す図 本発明による方法において第2の基板のポジションを検出する第5のステップを示す図 本発明による方法において基板をアライメントする第6のステップを示す図 本発明による方法において基板を接触させる第7のステップを示す図 マーキングに対し交点がセンタリングされていない2つの光学系の較正状態を示す図 マーキングに対し交点がセンタリングされている2つの光学系の較正状態を示す図 本発明による第3の較正方法の第1の部分較正ステップを示す図 本発明による第3の較正方法の第2の部分較正ステップを示す図 本発明による第3の較正方法の第3の部分較正ステップを示す図 本発明による装置の1つの実施形態を外部から見た斜視図 本発明による装置を用いたクラスタシステムを示す図
これらの図面には、本発明の利点及び特徴が、本発明の各実施形態に従いそれらをそれぞれ識別する参照符号によって表されており、その際、同じ機能又は同じように動作する機能を備えた部品もしくは特徴には、同じ参照符号が付されている。
図1a〜図1cには、本発明によるアライメント装置1、1′、1″の3つの実施例の断面図が示されている。この装置は、以下の要素から成る:
・左上方の光学系として構成された、又は左上方の光学系を備えた第1の検出ユニット3
・左下方の光学系として構成された、又は左下方の光学系を備えた第2の検出ユニット3′
・右上方の光学系として構成された、又は右上方の光学系を備えた、さらに別の第1の検出ユニット3
・右下方の光学系として構成された、又は右下方の光学系を備えた、さらに別の第2の検出ユニット3
・上方のホルダとして構成された、又は上方のホルダを備えた第1のホルダ4
・上方のホルダとして構成された、又は上方のホルダを備えた第2のホルダ5
第1の検出ユニット3,3″は、X方向並進ユニット8、Y方向並進ユニット9ならびにZ方向並進ユニットによって、3つの空間方向X,Y,Zすべてにおいて運動することができる。特別な実施形態としてさらに考えられるのは、回転ユニットを組み込み、それによって互いに直交する3本の軸を中心に光軸を回転させることができるようにすることである。このようにした場合、1つの特別な実施形態によれば、本来の光学系は例えばゴニオメータに取り付けられる。図面を見やすくするため、このような回転ユニットは図示されていない。
例えば下方に配置されている2つの第2の検出ユニット3′,3′″は、もっぱらZ方向並進ユニットのみを有しており、このユニットはもっぱらZ方向に沿ってのみ移動可能である。第1のホルダ4は、少なくとも1つのY方向並進ユニット9と、φ回転ユニット11と、X方向並進ユニット8を有している。これらに加え、回転ユニット及び/又はZ方向並進ユニットを用いることも考えられる。
X方向並進ユニット8は、比較的長い最大移動距離を有しており、この距離はY方向の最大移動距離の例えば2倍、有利には4倍である。移動距離は例えば−0.1mm〜0.1mmであり、有利には−1mm〜1mm、さらに有利には−5mm〜5mm、著しく有利には−50mm〜50mm、最も有利には−150mm〜150mmである。
本発明による方法の場合、Y方向並進ユニット9の移動距離は著しく短いが、その距離に関してかなり高い分解能を有している。この移動距離は50mmよりも短く、有利には10mmよりも短く、さらに有利には5mmよりも短く、最も有利には1mmよりも短い。
使用されるすべての並進ユニットのポジショニング能力の分解能は、例えば100μmよりもよく、有利には10μmよりもよく、さらに有利には1μmよりもよく、著しく有利には100nmよりもよく、最も有利には10nmよりもよい。
φ回転ユニット11は、装填された較正基板13,13′もしくは基板14,14′を、それらの面法線を中心に回転させることができる。このように回転可能な構成はとりわけ、僅かな角度だけ誤って事前に調整された較正基板13,13′もしくは基板14,14′を補償調整するために用いられる。使用されるすべての回転ユニットのポジショニング能力の分解能は、例えば1°よりもよく、有利には0.1°よりもよく、さらに有利には0.01°よりもよく、著しく有利には0.001°よりもよく、最も有利には0.0001°よりもよい。φ回転ユニット11が制御可能でなければならない回転角度は、比較的僅かである。なぜならばφ回転ユニット11は、有利にはすでに理想的に装填された基板の向きをごく僅かに補正するためだけに用いられるからである。したがってφ回転ユニット11の回転角度は、例えば10°よりも小さく、有利には5°よりも小さく、さらに有利には1°よりも小さい。
図面では、Y方向並進ユニット9、φ回転ユニット11、X方向並進ユニット8という順序が最適であるとみなして描かれているが、必要であればこの順序を任意に変更してもよい。さらに別の格別有利な実施形態によれば、φ回転ユニット11がX方向並進ユニット8もしくはY方向並進ユニット9の上に固定され、もしくはX方向並進ユニット8もしくはY方向並進ユニット9がφ回転ユニット11の上に固定される。
図1aには本発明による第1のアライメント装置1が示されている。この装置によれば、すべての検出ユニット3,3′,3″,3′″ならびにすべてのホルダ4,5が大気15中におかれている。上述の部材は1つのフレーム2だけを介して互いに接続されており、このフレームは一般的には大気に対して開放されており、特別なケースでは閉鎖されており、ただし真空密ではない。
図1bには、本発明による第2の有利なアライメント装置1′が示されている。この装置によれば、第1のホルダ4、第2のホルダ5、ならびに第2の検出ユニット3′、3′″が真空チャンバ6(又はケーシング)内に設けられているのに対し、第1の検出ユニット3、3″は、真空チャンバ6外で支持フレーム2に取り付けられている。窓7が設けられていることによって、第1の検出ユニット3、3″の光学系は真空チャンバ6内部を検出することができる。
図1cには、本発明による第3のアライメント装置1″が示されている。この装置によれば、本発明に関連する部材ないしは特許請求の範囲に記載されたすべての部材が、真空チャンバ6′内に設けられている。
図2aには、本発明による第1の較正ステップが示されている。この較正ステップは、第1及び第2の検出ユニット3,3′,3″,3′″における4つのすべての検出装置もしくは光学系の光軸の交点を較正するためのものであり、較正基板13を第1のホルダ4に固定するところから始まる。見やすくするために、較正基板13を固定するためのサンプルホルダは書き込まれていない。
較正基板13は2つのマーキング17を有しており、これらのマーキングは例えば、較正基板13の側方輪郭部において外側周縁領域のそれぞれ反対に位置する側に設けられている。較正基板13の材料は、検出装置3,3′,3″,3′″により用いられる電磁放射に対し透過性である。ここで考えられるのは殊に、可視光、赤外線放射、紫外線放射、或いはアライメントマークの検出に利用可能なその他の電磁放射を適用することである。ただし有利であるのは可視光である。マーキング17は、較正基板13の両方の表面13i,13aに、或いは(較正基板13の軸線方向に関して)その中央に配置されている。
図2bに示されている本発明による第2の較正ステップにおいて、第1のホルダ4はX方向並進ユニット8によって、左側のマーキング17が左下方の光学系の視野内に位置するまで、較正基板13を負のX方向へ(つまり図2bでは左に向かって)動かす。マーキング17は一般に左下方の光学系の焦点深度(depth of focus, DOF)の範囲内に位置しておらず、その場合には下方の光学系3′がZ方向並進ユニット10によって相応に動かされる。
左側のマーキング17が左下方の光学系の視野内及び焦点深度範囲内にあれば、第1のホルダ4におけるX方向並進ユニット8及び/又はY方向並進ユニット9及び/又はφ回転ユニット11は、対応する第2の検出ユニット3′ここでは左下方の光学系の光軸OAに対し、左側のマーキング17の精密なポジショニングを行うことができる。
左下方の光学系は、本発明によればX方向及び/又はY方向には移動できないので、左下方の光学系3′の光軸OAに関して、マーキング17をマーキングアライメントする役割は、第1のホルダ4の並進ユニット及び回転ユニットによって行われる。並進ユニット及び回転ユニットの運動は捕捉可能であり、捕捉データは中央制御ユニットへ伝送され、引き続き処理されて制御が行われる。
図2cに示された第1の較正ユニット13を用いた本発明による第3の較正ステップにおいて、左側に配置された検出ユニット3ここでは左上方の光学系が、較正基板13の左側のマーキング17を検出する。左下方の光学系とは異なり、第1の検出ユニット3は少なくとも3つの並進自由度を有する。
このため左上方の光学系3は、左側のマーキング17を視野内及び焦点深度範囲内で検出できるように光学系3を移動させるために、X方向並進ユニット8、Y方向並進ユニット9、Z方向並進ユニット10を用いる。左上方の光学系3が較正基板13までごく僅かな高さのところに位置しているのであれば、Zポジションの変更は必要なく、或いは僅かに変更するだけでよい。
左下方の光学系と左上方の光学系の光軸OAが、左側のマーキング17に合わせてアライメントされた後、第1のホルダ4におけるすべての並進ユニット及び回転ユニットの対応するエンコーダポジションと、第2の検出ユニット3′のZ方向並進ユニットのエンコーダポジションを、検出データとして記憶させることができる。左上方の光学系3の記憶されたエンコーダポジションと、左下方の光学系3′のZ方向並進ユニットのエンコーダポジションが、有利にはゼロ点としてセットされる。検出データは制御装置によって処理される。
図2d〜図2eによれば、第1の較正基板における右側のマーキング17に関して、上述の較正プロセスが同じようにして行われる。4つの検出ユニット3,3′,3″,3′″の較正ならびに上方のホルダ4もしくは上方のホルダ4に対する較正が終了した後、較正基板17が図2fに示されているようにその出発ポジションに移動され、本発明によるアライメント装置1″から再び取り出すことができる。
図2fには、本発明によるアライメント装置1″による第1の較正後の最終状態が示されている。
1つの有利な実施形態によれば、一方の側ごとにマーキング17が1つずつ設けられた較正基板13が、以下で詳しく説明する較正基板13′に置き換えられる。この較正基板13′は、一方の側ごとにただ1つのマーキング17だけでなく、複数のマーキング17′を備えた1つのまとまったマーキングフィールド18つまりマーキングマトリックスを有している。このマーキングマトリックスは、x方向及びy方向に予め設定された複数の既知のXポジション及びYポジションに配置されたマーキング17′によって構成されている。第2の較正基板13′のマーキング17′を、例えば第1の較正基板13のマーキング17と同一にしてもよいし、或いは異なるようにしてもよい。
ここで言及しておくのが大切である点は、較正基板13′を用いたとしても、既に説明した図2a〜図2cによる第1の較正ステップを実施できることである。このことによって、コストのかかる較正基板13の製造が省かれる。
図3a〜図3fには、2つの第1の検出ユニット3,3″双方を互いに較正し合うための、つまり左上方の光学系と右上方の光学系を互いに較正し合うための、本発明によるプロセスのステップが示されている。
図3aによる第1の本発明による較正ステップにおいて、較正基板13′が装填される。較正フィールド18のマーキング17は、高分解能の書き込みプロセスによって、例えば電子書き込み法によって、較正基板13′に組み込まれる。マーキング17′はやはり、較正基板13′の表面に、或いは(較正基板13′の法線方向に関して)それらの中央に配置される。マーキングフィールド18のマーキング17′は、有利にはフォトリソグラフィプロセス、電子ビームリソグラフィプロセス、或いはイオンビームリソグラフィプロセスによって製造される。
マーキングフィールド18の利点は、種々のマーキング17′相互を著しく精密かつ正確に配向もしくはポジショニングできることである。理想的なXポジション及び/又はYポジションからのマーキング17′の偏差は、100μmよりも小さく、有利には10μmよりも小さく、さらに有利には1μmよりも小さく、著しく有利には100nmよりも小さく、最も有利には10nmよりも小さい。このようにマーキングフィールド18は理想的なポジションチャートを成しており、これに基づき比較的少ないポジション分解能で機器の較正を実施することができる。マーキングフィールド18の個々のマーキング17′は、例えば500×500μmよりも小さく、有利には300×300μmよりも小さく、さらに有利には100×100μmよりも小さく、著しく有利には50×50μmよりも小さく、最も有利には10×10μmよりも小さい。
図3bに示されている第2の較正基板13′を用いた本発明による較正ステップによれば、マーキングフィールド18の大部分が、有利にはマーキングフィールド18のジオメトリの中心点が、左上方の光学系3の視野内に配置されるまで、較正基板13′が負のX方向に動かされる。
左上方の光学系3は、先行の較正プロセスにおいて第1の較正基板13を用いて、第1の較正基板13のマーキング17に基づき較正されている。したがって第1の検出ユニット3は、Xポジション及びYポジションに関して出発位置(有利にはゼロポイント)に位置している。左上方の光学系は左下方の光学系とは異なり、X方向及びY方向に移動することができる。
X−Yポジションを適正に迅速かつ正確に、特に再現可能に制御できるようにする目的で、第1の検出ユニット3(左上方の光学系)によって、マーキングフィールド18のすべてのマーキング17′がスキャンされる。この場合、マーキングフィールド18のマーキング17′各々の中心が、左上方の光学系の光軸OAによって捕捉される。このようにして得られたX−Yポジション各々に対し、第1の検出ユニット3におけるすべてのポジションフィーチャが割り当てられ、つまり少なくとも、X方向並進ユニット8のXポジションと、Y方向並進ユニット9のYポジションが割り当てられ、有利にはZ方向並進ユニット10のZポジションも割り当てられる。これにより第1の検出ユニット3のポジションが、マーキングフィールド18のマーキング17′の理想的であるとされた高精度の値に合わせて捕捉される。このようにして得られたポジションの値は、ポジションチャートとして記憶され、さらに左上方の光学系について補間のために利用される。
図3cに示されている第2の較正基板13′を用いた本発明による第3の較正ステップにおいて、較正基板13′の右側のマーキングフィールド18についても同じプロセスが行われ、つまり第1の検出ユニット3″(右上方の光学系)の較正が行われる。
このようにして、4つの光学系3,3′,3″,3′″すべての較正ステップが全部完了する。
この較正は、アライメントプロセス各々に必要とされるのではなく、規則的なインターバルでのみ、或いはアライメントプロセスにおいて偏差が検出されたときのみ、必要とされる。偏差の検出は、例えば何らかの計測モジュールによって行うことができる。
図4aに示されている本発明によるアライメントプロセスの実施形態の第1のステップにおいて、左側と右側にアライメントマーキング17″が設けられた第1の基板14が、アライメント装置1″に装填される。この場合、第1及び第2の検出ユニット3,3′,3″,3′″は、第1の基板14の装填を容易にする目的で、有利にはZ方向において第1の基板14からできるかぎり離れて位置している。
図4bに示されている本発明によるアライメントプロセスの第2のステップにおいて、左側のマーキング17″が第2の検出ユニット3′(左下方の光学系)の視野内に位置するよう、基板14が左へ動かされる。左下方の光学系を、同時に又はすぐに続けて、Z方向で記憶されたゼロポジションへ移動させることができ、したがって焦点深度の範囲内にマーキング17″を有するようになる。マーキング17″が焦点深度の範囲内にない場合には、マーキング17″のシャープな画像が得られるまで、検出ユニット3′のzポジションをこのゼロポイントを中心に相応に変化させる。場合によっては、左下方の光学系3′をz方向に沿って移動させることにより、Zポジションの補正を行うことができる。第2の検出ユニット3′はX方向及び/又はY方向に沿って移動できないので、基板14の左側のマーク17″を、第1の(上方の)ホルダ4におけるX方向並進ユニット8及び/又はY方向並進ユニット9により、左下方の光学系3′の光軸OAと重なるようにする必要がある。検出成功後、システムは、第1のホルダ4の並進ユニット及び回転ユニットの対応するエンコーダポジションを、例えば制御装置に記憶する。
次に図4cに示されているようにして、第1の基板14の右側のマーキング17とさらに別の検出ユニット3′″(右側下方の光学系)とに関して、上方のホルダ4の並進ユニット及び回転ユニットのエンコーダポジションを求めるために、同様のステップが行われる。
図4dに示されている本発明によるアライメントプロセスの第4のステップにおいて、第2の基板14′が第2の(下方の)ホルダ5に固定され、Z方向で第1の基板14に近づけられる。見やすくするために、サンプルホルダは書き込まれていない。
本発明によれば、第2のホルダ5は例えばZ方向並進ユニット10のみを有しており、したがって基板14′はX方向にもY方向にも移動できない。
先行のステップに基づき、第1の基板14は、下方の基板14′の左側のマーキング17″が第1の検出ユニット3(左上方の光学系)により捕捉できるように、右側に配置されている。第1の検出ユニット3は、第2の基板14′の左側のマーキング17″がその光軸と一致するように、もしくはX−Yポジションを捕捉できるように、X方向及び/又はY方向に動かされる。第1の検出ユニット3は図3bによる較正ステップにおいて、理想的なポジションチャートに合わせて較正されているので、第1の検出ユニット3の実際のX−Yポジションを求めることができ、理想的なX−Yポジションに合わせてイメージングすることができる。X方向並進ユニット8及びY方向並進ユニット9のエンコーダポジションが記憶され、第2の基板14′の左側のマーキング17″に対応づけられる。
図4eに示されている本発明によるアライメントプロセスの実施形態における第4のステップにおいて、第2の基板14′の右側のマーキング17″を捕捉する目的で、もしくはこれを右上方の光学系の光軸と一致させる目的で、別の第1の検出ユニット3″のシフトが行われる。その際、第2の基板14′の右側のマーキング17″に向けて右上方の光学系の視野が空けられて、捕捉が行えるようにする目的で、第1の基板14が事前に左方向にずらされる。
別の選択肢として、斜め方向から捕捉を行うことも可能であり、そのようにすれば第1の基板14をずらす必要がなくなる。
必要とされるすべてのパラメータが求められた後、図4fに示された本発明による第5のステップにおいて、双方の基板14,14′のアライメントが行われ、殊にこれは検出ユニット3,3′,3″,3′″の補助なしで行われる。第1の検出ユニット3,3″双方のX−Yポジションによって、第2の基板14′のマーキング17″から、左側の光学系と右側の光学系とを結ぶ線までの、もしくは第1及び第2の検出ユニット3,3′,3″,3′″の検出ペアの光軸までの、X方向の間隔は既知である。第1のホルダ4のエンコーダポジションにより、左側の光学系と右側の光学系との間を結ぶ線又は光軸に対する上方の基板14のマーキング17″のX−Yポジションは既知である。第2の基板14′はX方向及びY方向において固定されているので、第1の基板14のマーキング17″が第2の基板14′の対応するマーキング17″の上に正確に位置するように、計算が行われ、その後、上方の基板14のポジション制御が行われる。
最後に、図4gに示されている本発明によるアライメントプロセスの第6のステップにおいて、双方の基板14,14′の接触が行われ、これは有利には、既に動かされた上方の基板14の最適なX−Yポジションの誤った接触を回避するために、もっぱら第2のホルダ5のZ方向並進ユニット10の動きによってのみ行われる。
図5a及び図5bには、マーキング17に対する光学系3,3′の基本的に可能な2つの較正が示されている。
図5aには、2つの光軸の調整に関して最適な、つまりいっそう高速で経済的にいっそう優れたプロセスが示されている。両方の光軸3,3′は交差しておらず、或いは少なくともマーキング17内では交差していない。光軸は、マーキング17中央の左側もしくは右側で、後に接合面となる面Bと交差している。したがってマーキング17は、光学系3,3′において、もしくは相応にディジタル化されたセンサデータにおいて、ずれて現れる。本発明によれば、アライメントマーキング17に対する光軸のオフセットを求めるために、アライメントマーキング17の各画像間の距離が求められる。このため、光軸をある1点に合わせて絶対的に正確に較正する必要はない。このオフセットは、後で両方の基板を較正する際に正確なポジションを求めるために利用することができる。
図5bには、最適ではあるがあまり望まれない、つまり時間とコストが比較的かかる較正が示されている。この場合、光学系3,3′の両方の光軸は、正確にマーキング17内で交差している。したがって光学系3,3′において、もしくは相応にディジタル化されたセンサデータにおいて、マーキング17がディジタル化画像の正確に中央に位置しているのがわかる。
図6a〜図6cには、本発明による第3の較正プロセスの1つのサイクルにおける3つの部分較正ステップが示されている。この較正プロセスは、z軸に沿って動いているときにx−y方向に沿って生じるz方向並進ユニットの偏差に対して行われる。対応するプロセスは、較正基板13″の左側に示されている。
この場合、上方のマーキング17″oと下方のマーキング17″uとが設けられた較正基板13″が、左上方の光学系3の下に位置している。左上方の光学系3は、少なくとも上方のマーキング17″oがフォーカシングされるようにポジショニングされる(左上方の光学系3の焦点深度範囲が十分大きければ、もしくは較正基板13″が十分に薄いのであれば、下方のマーキング17″uもこのとき既にフォーカシング可能である)。このポジションにおいて光学系は、垂直方向ポジション5(左側のスケール)と、水平方向ポジション2.6(下方のスケール)をとっている。較正基板13″は、垂直方向ポジション1、水平方向ポジション1のところに位置している。
図6bに示されているように、較正基板13″は垂直方向ポジション1.8まで動かされ、その際に1から0への水平方向ポジションのずれが生じる。断面図の場合には、x軸とz軸に沿ったずれしか識別できないが、較正基板13″は同様にy軸に沿ってもずれている可能性がある。較正基板13″が上方の光学系3にこのように近づくと、下方のマーキング17″uが焦点に入る(他方、上方のマーキング17″oは焦点深度範囲から出て、もはやフォーカシングされなくなる)。
較正基板13″を近づけているときに発生するx方向及び/又はy方向におけるずれは、ソフトウェアによって記憶される。較正基板13″は垂直方向ポジション1.8、垂直方向ポジション0のところに留まる一方、左上方の光学系3は、左上方の光学系3は再び上方のマーキング17″oをフォーカシングする。その際に上方の光学系3は、自身の水平方向ポジションも2.6から1.4まで移動させ、マーキング17″oが光軸OAに対し、図6aに示した第1の部分較正ステップと再び同じ間隔をとるようにする。z方向に沿ってそれ相応に長い区間を移動させ、x方向及び/又はy方向に沿って生じるz方向並進ユニット10のそのつどのずれを求めて、関数関係として記憶させておく目的で、上述の部分較正ステップを任意の回数、繰り返すことができる。
図7には、本発明によるアライメント装置1′の等角投影図が示されている。この場合、すべての部材は真空チャンバ6′内に配置されている。さらにこの場合、基板13,13′,14,14′は、搬入出ゲート19を介して装填及び取り出される。
図8にはクラスタ23が示されており、これは有利には真空クラスタであり、さらに有利には高真空クラスタ23であり、本発明による実施形態1″は、複数のモジュールのうちの1つである。基板13,13′,14,14′、及び互いにアライメントされた2つの基板14,14′から成る完成した基板積層体は、ロボット22により種々のモジュール間を搬送されて、種々の処理ステップが実施される。
1,1′,1″ アライメント装置
2 支持フレーム
3,3″ 第1の検出ユニット
3′,3′″ 第2の検出ユニット
4 第1のホルダ
5 第2のホルダ
6,6′,6″ 真空チャンバ
7 窓
8 X方向並進ユニット
9 Y方向並進ユニット
10 Z方向並進ユニット
11 φ回転ユニット
12 アライメントチャンバ
13,13′,13″ 較正基板
13i,13a 較正基板表面
14 第1の基板
14′ 第2の基板
15 大気領域
16 真空領域
17,17′,17″o,17″u マーキング
18 マーキングフィールド
19 搬入出ゲート
20 カバー
21 基板積層体
22 ロボット
23 真空クラスタ
OA 光軸
DOF 焦点深度範囲 depth of focus
A 間隔
F 視野領域 field of view
F′ マーキングの有利な滞留領域

Claims (21)

  1. 第1の基板(14)を第2の基板(14′)とアライメントして接触させる方法において、以下のステップを有する、即ち、
    ・第1の基板(14)を第1のホルダ(4)に固定し、第2の基板(14′)を、前記第1のホルダ(4)と向き合って配置された第2のホルダ(5)に固定し、前記第1の基板(14)の第1の接触面と前記第2の基板(14′)の第2の接触面との間に間隔Aをもたせて、前記第1のホルダ(4)と前記第2のホルダ(5)との間に、前記第1の基板(14)及び前記第2の基板(14′)を配置するステップと、
    ・前記第1の基板(14)の第1のマーキング(17)と、前記第2の基板(14′)の第2のマーキング(17′)を、少なくとも4つの検出ユニット(3,3′,3″,3′″)によって検出するステップと、
    ただし該少なくとも4つの検出ユニットのうち、
    a)少なくとも2つの第1の検出ユニット(3,3″)は、少なくともX方向及びY方向に移動可能であり、
    b)少なくとも2つの第2の検出ユニット(3′,3′″)は検出に際して、X及びY方向と交差するZ方向においてのみ移動され、
    ・X方向及び該X方向と交差するY方向で、前記第1のホルダ(4)及び前記第2のホルダ(5)により前記第1の基板(14)及び前記第2の基板(14′)を移動させることにより、前記第1の基板(14)を前記第2の基板(14′)に対しアライメントするステップと、
    ・アライメントされた前記第1の基板(14)の前記第1の接触面と前記第2の基板(14′)の前記第2の接触面とをZ方向で接触させるステップと
    を有することを特徴とする、
    第1の基板(14)を第2の基板(14′)とアライメントして接触させる方法。
  2. 前記アライメントするステップは、予め求められたX−Y座標におけるポジションチャートを考慮して行われる、請求項1記載の方法。
  3. 前記第2のホルダ(5)に固定された前記第2の基板(14′)は、Z方向のみに移動可能である、請求項1又は2記載の方法。
  4. 前記アライメントを、1barよりも低い圧力の空間中で行う、請求項1から3のいずれか1項記載の方法。
  5. 前記検出手段をアライメント前に較正する、請求項1からのいずれか1項記載の方法。
  6. 前記検出手段を、少なくとも第1の較正基板(13)を用いてアライメント前に較正する、請求項記載の方法。
  7. 前記検出手段を、前記第1の較正基板(13)とは異なるように形成された第2の較正基板(13′)も用いてアライメント前に較正する、請求項記載の方法。
  8. 前記第1の較正基板(13)を、それぞれ向き合って配置可能な検出ユニットの光軸を較正するために用い、及び/又は、前記第1の較正基板(13)に関して前記検出ユニットの焦点深度を較正するために用いる、請求項からのいずれか1項記載の方法。
  9. 前記第2の基板(13′)を、前記第1のホルダ(4)における前記第1の基板(14)のX方向及びY方向の動きに対し、前記第1の検出ユニット(3,3″)を較正するために用いる、請求項からのいずれか1項記載の方法。
  10. 前記第1のホルダ(4)及び前記第2のホルダ(5)による前記第1の基板(14)及び前記第2の基板(14′)の動きの制御及び検出と、前記検出ユニット(3,3′,3″,3′″)の動きの制御及び検出と、接触手段の動きの制御及び検出を、制御装置により制御する、請求項1からのいずれか1項記載の方法。
  11. 第1の基板(14)を第2の基板(14′)とアライメントして接触させる装置において、
    ・第1の基板(14)を固定し移動させる第1のホルダ(4)と、該第1のホルダ(4)と向き合って配置され、第2の基板(14′)を固定し移動させる第2のホルダ(5)とが設けられており、前記第1の基板(14)の第1の接触面と前記第2の基板(14′)の第2の接触面との間に間隔Aをもたせて、X方向及び該X方向と交差するY方向ならびに前記X及びY方向と交差するZ方向において、前記第1のホルダ(4)と前記第2のホルダ(5)との間で、前記第1の基板(14)及び第2の基板(14′)をアライメント可能であり、
    ・少なくとも4つの検出ユニット(3,3′,3″,3′″)が設けられており、該少なくとも4つの検出ユニットのうち、
    a)少なくとも2つの第1の検出ユニット(3,3″)は、少なくともX方向及びY方向に移動可能であり、
    b)少なくとも2つの第2の検出ユニット(3′,3′″)は、Z方向のみに移動可能であり、
    ・前記第2の基板(14′)に対しアライメントされた前記第1の基板(14)を、Z方向で前記第2の基板(14′)と接触させる接触手段と、
    ・前記第1のホルダ(4)及び前記第2のホルダ(5)による前記第1の基板(14)及び前記第2の基板(14′)の動きの制御及び検出と、前記検出ユニット(3,3′,3″,3′″)の動きの制御及び検出と、前記接触手段の動きの制御及び検出のための制御装置と
    が設けられていることを特徴とする、
    第1の基板(14)を第2の基板(14′)とアライメントして接触させる装置。
  12. 前記第1のホルダ(4)は、X方向並進ユニットと、Y方向並進ユニットと、Z方向並進ユニットとを有する、請求項11記載の装置。
  13. 前記X方向並進ユニットは、直線的にのみ移動可能なX方向並進ユニットであり、前記Y方向並進ユニットは、直線的にのみ移動可能なY方向並進ユニットであり、前記Z方向並進ユニットは、直線的にのみ移動可能なZ方向並進ユニットである、請求項12記載の装置。
  14. 前記第2のホルダ(5)は、Z方向並進ユニットを有する、請求項11から13のいずれか1項記載の装置。
  15. 前記Z方向並進ユニットは、直線的にのみ移動可能なZ方向並進ユニットである、請求項14記載の装置。
  16. 前記少なくとも2つの第1の検出ユニット(3,3″)はそれぞれ、前記第1のホルダ(4)の側方に対向して配置されており、及び/又は、前記少なくとも2つの第2の検出ユニット(3′,3′″)はそれぞれ、前記第2のホルダ(5)の側方に対向して配置されている、請求項11から15のいずれか1項記載の装置。
  17. 前記少なくとも2つの第1の検出ユニット(3,3″)はそれぞれ、X方向並進ユニットと、Y方向並進ユニットと、Z方向並進ユニットとを有する、請求項11から16のいずれか1項記載の装置。
  18. 前記X方向並進ユニットは、直線的にのみ移動可能なX方向並進ユニットであり、前記Y方向並進ユニットは、直線的にのみ移動可能なY方向並進ユニットであり、前記Z方向並進ユニットは、直線的にのみ移動可能なZ方向並進ユニットである、請求項17記載の装置。
  19. 前記少なくとも2つの第2の検出ユニット(3′,3′″)はそれぞれ、Z方向並進ユニットを有する、請求項11から18のいずれか1項記載の装置。
  20. 前記Z方向並進ユニットは、直線的にのみ移動可能なZ方向並進ユニットである、請求項19記載の装置。
  21. それぞれ1つの第1の検出ユニット(3,3″)と、それぞれ1つの第2の検出ユニット(3′,3′″)とを、互いに向き合うように配置可能である、請求項11から20のいずれか1項記載の装置。
JP2015551148A 2013-12-06 2013-12-06 基板をアライメントする装置及び方法 Active JP6042564B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2013/075831 WO2015082020A1 (de) 2013-12-06 2013-12-06 Vorrichtung und verfahren zum ausrichten von substraten

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016503589A JP2016503589A (ja) 2016-02-04
JP2016503589A5 JP2016503589A5 (ja) 2016-07-21
JP6042564B2 true JP6042564B2 (ja) 2016-12-14

Family

ID=49753165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015551148A Active JP6042564B2 (ja) 2013-12-06 2013-12-06 基板をアライメントする装置及び方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9851645B2 (ja)
EP (1) EP2893556B9 (ja)
JP (1) JP6042564B2 (ja)
KR (2) KR20150080449A (ja)
CN (1) CN105247670B (ja)
SG (1) SG11201406979VA (ja)
TW (1) TWI637458B (ja)
WO (1) WO2015082020A1 (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150155211A1 (en) * 2013-12-03 2015-06-04 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for bonding semiconductor elements
EP3103135B1 (de) 2014-02-03 2021-05-12 Ev Group E. Thallner GmbH Verfahren und vorrichtung zum bonden von substraten
CN111261498A (zh) 2014-04-01 2020-06-09 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于衬底表面处理的方法及装置
SG11201603148VA (en) 2014-12-18 2016-07-28 Ev Group E Thallner Gmbh Method for bonding substrates
DE102015108901A1 (de) 2015-06-05 2016-12-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Ausrichten von Substraten vor dem Bonden
EP4036956A1 (de) 2016-03-22 2022-08-03 EV Group E. Thallner GmbH Vorrichtung zum bonden von substraten
KR102300481B1 (ko) 2016-08-12 2021-09-10 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 접합하기 위한 방법 및 샘플 홀더
CN109643674B (zh) * 2016-08-29 2023-01-10 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于对准衬底的方法和设备
JP7137571B2 (ja) 2017-03-02 2022-09-14 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー チップを接合する方法および装置
DE102017105697A1 (de) 2017-03-16 2018-09-20 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Ausrichtung zweier optischer Teilsysteme
KR102396022B1 (ko) 2017-03-16 2022-05-09 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 적어도 세 개의 기판들을 결합하기 위한 방법
CN110352488A (zh) * 2017-03-20 2019-10-18 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于对准两个基板的方法
US10242891B2 (en) 2017-08-24 2019-03-26 Cerebras Systems Inc. Apparatus and method for securing components of an integrated circuit
SG11201909992QA (en) 2017-09-21 2019-11-28 Ev Group E Thallner Gmbh Device and method for bonding substrates
TWI667728B (zh) * 2017-10-30 2019-08-01 Industrial Technology Research Institute 晶片接合裝置、晶片接合的方法以及晶片封裝結構
US10541162B2 (en) * 2017-11-28 2020-01-21 Taiwan Semiconductor Manfacturing Co., Ltd. Systems and methods for wafer pod calibration
KR102020236B1 (ko) * 2018-04-20 2019-09-10 세메스 주식회사 패널 합착 장치
US10636688B2 (en) 2018-06-22 2020-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for alignment, process tool and method for wafer-level alignment
US10971401B2 (en) 2018-10-16 2021-04-06 Cerebras Systems Inc. Systems and methods for precision fabrication of an orifice within an integrated circuit
US10953539B2 (en) * 2018-12-27 2021-03-23 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer robot and automatic teaching method
CN110246781B (zh) * 2019-05-29 2021-06-22 桂林立德智兴电子科技有限公司 一种半导体晶圆平坦化设备
JP7250641B2 (ja) 2019-08-06 2023-04-03 キオクシア株式会社 アライメント装置及び半導体装置の製造方法
WO2021037328A1 (de) 2019-08-23 2021-03-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von substraten
US11145530B2 (en) * 2019-11-08 2021-10-12 Cerebras Systems Inc. System and method for alignment of an integrated circuit
EP4073835A1 (de) 2019-12-10 2022-10-19 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren und vorrichtung zur ausrichtung von substraten
JP7391733B2 (ja) * 2020-03-17 2023-12-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
DE102020126211A1 (de) 2020-05-28 2021-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Photolithographie-Ausrichtungsprozess für gebondete Wafer
CN115552590A (zh) 2020-06-29 2022-12-30 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于键合基底的方法和装置
JP7130720B2 (ja) * 2020-11-25 2022-09-05 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板を位置合わせする方法および装置
US11845179B2 (en) * 2020-12-22 2023-12-19 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Wafer jig, robot system, communication method, and robot teaching method
CN115312438A (zh) 2022-03-21 2022-11-08 北京芯士联半导体科技有限公司 接合装置的推动销构造
JP2023183276A (ja) * 2022-06-15 2023-12-27 キオクシア株式会社 接合装置、接合方法、及び半導体装置の製造方法
WO2024046578A1 (de) 2022-09-02 2024-03-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Vakuumsubstrathalter mit optimierter vakuumdichtung

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4573791A (en) * 1979-04-03 1986-03-04 Optimetrix Corporation Step-and-repeat projection alignment and exposure system
US4597664A (en) * 1980-02-29 1986-07-01 Optimetrix Corporation Step-and-repeat projection alignment and exposure system with auxiliary optical unit
US4810941A (en) * 1986-04-17 1989-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Control system for a servomotor
JP3061150B2 (ja) 1991-05-16 2000-07-10 三井・デュポンポリケミカル株式会社 水性分散体組成物及びそれより形成される被膜ならびにその製法
JP2577140B2 (ja) 1991-05-27 1997-01-29 日立テクノエンジニアリング株式会社 基板の位置合わせ装置
US5639323A (en) * 1995-02-17 1997-06-17 Aiwa Research And Development, Inc. Method for aligning miniature device components
US6048750A (en) * 1997-11-24 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Method for aligning and connecting semiconductor components to substrates
AT405775B (de) 1998-01-13 1999-11-25 Thallner Erich Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten
JP4315420B2 (ja) * 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
EP1636017A2 (en) * 2003-05-20 2006-03-22 Fluidigm Corporation Method and system for microfluidic device and imaging thereof
JP4626160B2 (ja) * 2004-03-04 2011-02-02 株式会社ニコン ウェハ重ね合わせ方法及びウェハ重ね合わせ装置
US7442476B2 (en) * 2004-12-27 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Method and system for 3D alignment in wafer scale integration
US7433038B2 (en) 2006-04-27 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Alignment of substrates for bonding
WO2008007660A1 (fr) * 2006-07-14 2008-01-17 Nikon Corporation Appareil à platine et appareil d'exposition
US7972973B2 (en) 2006-09-29 2011-07-05 Tokyo Electron Limited Method for forming silicon oxide film, plasma processing apparatus and storage medium
US20080083818A1 (en) 2006-10-06 2008-04-10 Asml Netherlands B.V. Measuring the bonding of bonded substrates
KR101484348B1 (ko) 2007-08-10 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 기판접합장치 및 기판접합방법
TWI478272B (zh) 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
US20090123874A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-14 Tadashi Nagayama Exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device
WO2010023935A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 株式会社ニコン 基板位置合わせ装置、基板位置合わせ方法および積層型半導体の製造方法
US8148646B2 (en) * 2008-09-29 2012-04-03 Formfactor, Inc. Process of positioning groups of contact structures
JP5353892B2 (ja) 2008-10-01 2013-11-27 株式会社ニコン アラインメント装置およびアラインメント方法
DE102009018977A1 (de) * 2009-04-25 2010-11-04 Ev Group Gmbh Vorrichtung zur Ausrichtung und Vorfixierung eines Wafers
EP3731258A1 (de) 2009-09-22 2020-10-28 EV Group E. Thallner GmbH Vorrichtung zum ausrichten zweier substrate
JP5565792B2 (ja) * 2009-11-02 2014-08-06 ボンドテック株式会社 アライメント装置
JP5628549B2 (ja) * 2010-04-27 2014-11-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板貼合装置
JP5889581B2 (ja) * 2010-09-13 2016-03-22 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置
EP2463892B1 (de) 2010-12-13 2013-04-03 EV Group E. Thallner GmbH Einrichtung, Vorrichtung und Verfahren zur Ermittlung von Ausrichtungsfehlern
KR101877600B1 (ko) * 2011-11-25 2018-07-12 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤 기판 반송 장치 및 기판 조립 라인
CN103246170B (zh) * 2012-02-09 2015-07-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置及曝光方法
EP2859580B1 (de) * 2012-06-06 2018-06-06 Ev Group E. Thallner GmbH Vorrichtung und verfahren zur ermittlung von ausrichtungsfehlern
US9772564B2 (en) * 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP6294686B2 (ja) * 2014-02-04 2018-03-14 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150080449A (ko) 2015-07-09
KR101741384B1 (ko) 2017-05-29
JP2016503589A (ja) 2016-02-04
WO2015082020A1 (de) 2015-06-11
EP2893556B1 (de) 2018-01-10
TW201523782A (zh) 2015-06-16
TWI637458B (zh) 2018-10-01
US20160240420A1 (en) 2016-08-18
KR20160101202A (ko) 2016-08-24
US9851645B2 (en) 2017-12-26
CN105247670A (zh) 2016-01-13
CN105247670B (zh) 2018-06-12
SG11201406979VA (en) 2015-07-30
EP2893556B9 (de) 2018-09-12
EP2893556A1 (de) 2015-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6042564B2 (ja) 基板をアライメントする装置及び方法
JP6258479B2 (ja) 複数の基板を位置合わせする装置及び方法
US9299620B2 (en) Substrate bonding apparatus and substrate bonding method
TWI605270B (zh) 用於包含數個光學通道之多孔光學器件相關於影像感測器之相對定位的裝置及方法
CN109791379B (zh) 测量系统及基板处理系统、及元件制造方法
WO2013084345A1 (ja) 画像取得装置および画像取得装置の調整方法
US10954122B2 (en) Method for bonding of at least three substrates
KR20210024662A (ko) 기질을 정렬하기 위한 방법 및 장치
US20100204820A1 (en) Apparatus and method for substrate handling
TW201411769A (zh) 判定對準誤差的方法及裝置
JP5893154B2 (ja) 基板の形状変化の測定
KR20200052958A (ko) 적층 기판의 제조 방법, 제조 장치, 및 프로그램
JP2004325217A (ja) 搬送装置
JP2023517415A (ja) 複数の基板の位置合わせをする方法および装置
JP6337179B2 (ja) 位置合わせ誤差を求めるための装置と方法
JP5705326B2 (ja) 回転軸の位置を決定する方法
JP2001153608A (ja) 位置合わせ装置及び位置合わせ方法及び重ね合わせ装置
JPWO2013084345A1 (ja) 画像取得装置および画像取得装置の調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160404

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20160530

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161011

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161109

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6042564

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250