CN118098939A - 用于衬底的接合的装置和方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 350
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 124
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 14
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 12
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001417935 Platycephalidae Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于使第一衬底(4o)与第二衬底(4u)在衬底(4o,4u)的面向彼此的接触面(4k)处接合的方法,所述方法带有如下步骤、尤其如下流程:将第一衬底(4o)容纳在第一容纳设备(1,1',1”,1”',1IV,1V,1VI)的第一容纳面(1s,1s',1s”,1s”')处,并且将第二衬底(4u)容纳在第二容纳设备(1,1',1”,1”',1IV,1V,1VI)的第二容纳面(1s,1s',1s”,1s”')处,在接触面(4k)的接触之前使接触面(4k)弯曲,其特征在于,第一衬底(4o)的接触面(4k)的弯曲变化和/或第二衬底(4u)的接触面(4k)的弯曲变化在接合期间受控制。此外,本发明涉及一种对应的装置。
Description
技术领域
本发明涉及一种根据权利要求1所述的用于使第一衬底与第二衬底接合(Bonden,有时也称为压接或键合)的方法以及一种根据权利要求9所述的对应的装置。
背景技术
自多年以来,在半导体工业中通过所谓的接合工艺使衬底相互连接。在连接之前,所述衬底必须尽可能准确地彼此对准,其中,同时纳米范围内的偏差是关键的。在此,衬底的对准在大多数情况下经由对准标记(Ausrichtungsmarke)来实现。除了对准标记以外,尤其功能性的其它的元件还位于衬底上,所述元件在接合工艺期间同样必须彼此对准。在各个功能性元件之间的这种对准精度对于整个衬底表面都是期望的。因此,例如当对准精度在衬底的中央中是非常好的但是朝着边缘减小时,这是不够的。
在现有技术中存在多种方法和设施,借助于所述方法和设施可以试图对接合过程产生影响,例如印刷文献EP2656378B1或WO2014191033A1。
在接合中的最大的挑战之一在接合过程本身中存在,即在接合初始化期间直至衬底的接触面的完全接触。在此,这两个衬底彼此的对准相对于先前的对准仍可以显著地变化。如果这两个衬底表面才相互连接一次,则分开虽然在理论上又是可行的,然而与高成本、低生产率和易出错性相关联。
发明内容
本发明的任务是,设置用于使两个衬底接合的装置和方法,利用所述装置和方法提高尤其在衬底的边缘处的接合精度。
本任务利用权利要求1和9的特征来解决。本发明的有利的改进方案在从属权利要求中说明。由至少两个在说明书中、在权利要求和/或附图中说明的特征构成的全部组合也落到本发明的范围中。在所说明的值范围中,处于在所提及的极限内的值也应公开地适用为极限值,并且可以以任意的组合来利用。
本发明基于如下构思,使两个衬底在接触或接合之前弯曲,并且这两个衬底中的至少一个在接合期间、尤其在接合波(Bondwelle)的行进期间、优选地在熔融接合(Fusionsbonden)时的弯曲(Krümmung,有时也称为曲率)通过弯曲的控制来改变。另外的(优选地上方的)衬底的弯曲优选地也受调控地改变。
所述弯曲也通过衬底的自行接触来改变。自行接触尤其通过作用到衬底上的重力和/或在衬底之间的其它吸引力来实现。对(尤其下方的)衬底的弯曲变化的控制尤其类似于另外的(尤其上方的)衬底的弯曲变化、优选地取决于其弯曲变化(优选地通过测量和调节)来实现。
弯曲变化尤其是指与衬底的初始状态(尤其在接触之前经调整的弯曲)不同的状态。根据本发明,接合在接触面的接触之后尤其通过对衬底的固定的受调控的控制来控制。根据本装置尤其设置有相应的固定器件。
本发明的另一、尤其独立的方面在于应用尤其可单个地切换的固定元件,借助于所述固定元件可以以调控的方式控制或调节在接触面之间的推进的接合波。
另一、尤其独立的或可与前面提及的相组合的根据本发明的构想在于将变形元件用作为弯曲器件(Krümmungsmittel,有时也称为曲率器件)和/或弯曲变化器件,其尤其构造为气体离开开口。由此相对于衬底不发生机械接触。通过组合前面提及的特征更准确地实现对弯曲的调控。
本发明尤其描述了一种方法和一种装置,借助于所述方法和装置可以使两个彼此对准的衬底理想地相互连接。在此,构想主要基于如下构思,即通过有针对性地调控、控制或调节这两个衬底中的至少一个的弯曲、固定和/或释放来如此调控、控制或调节推进的接合波,使得实现这两个衬底沿着接触面的理想的、按顺序的、尤其从内向外地推进的接触。理想的接触尤其理解为,在这两个衬底之间的接触边界面的每个部位处的“跳动(run-out)”误差是最小的或在理想的情况下甚至消失。
根据一种实施方式,衬底的固定通过多个、尤其划分成区的固定元件来设置。
根据另一实施方式,衬底中的至少一个的弯曲借助于超压来设置。
在初始状态中,除了可能的伸出超过接触面的结构(微芯片、功能性的结构部件)和衬底公差如弯曲和/或厚度波动以外,衬底通常(尤其在接触面处)或多或少是平坦的。但是在大多数情况中,衬底在初始状态中具有不同于零的弯曲。对于300mm的晶片而言,小于100μm的弯曲是常见的。在数学上看,弯曲可以视为针对曲线与其平坦的状态的局部偏差的度量。在具体情况中考虑其厚度相比于直径较小的衬底。因此,在良好的近似中,可谈及平面的弯曲。在平面的情况中,开头提到的平面状态是曲线在该处观察弯曲的点中的切向平面。通常,主体(在特定情况下衬底)不具有均匀的弯曲,从而弯曲是该地点的显性的(explizite)函数。如此,例如可以的是,不平坦的衬底在中央具有凹状弯曲,然而在其它部位处具有凸状弯曲。根据本发明,弯曲或弯曲变化(只要没有另外描述)是指宏观的、即关于整个衬底或接触面的弯曲或弯曲变化。
根据本发明,分别从相对而置的衬底的视角,凸状弯曲是优选的。还更优选地,这两个衬底的弯曲彼此镜像地伸延。
说明在一点处的弯曲的另一可行性方案在于,说明弯曲半径。弯曲半径是紧贴到表面处的、含有所观察的表面点的圆的半径。
由此,针对大部分根据本发明的实施方式的尤其独立的核心构思在于,两个待相互连接的衬底的弯曲半径至少在衬底的接触区域中,即在接合波的接合前沿(Bondfront)处或在接合线(Bondlinie)处是相同的,或至少仅稍微相互偏差。在此,这两个弯曲半径在衬底的接合前沿/接合线处的差小于10m、优选地小于1m、更优选地小于1cm、最大优选地小于1mm、所有中最大优选地小于0.01mm,最优选地(am bevorzugtesten)小于1μm。通常,所有使弯曲半径R1,R2的差最小化的根据本发明的实施方式是有利的。
换言之:本发明尤其涉及一种方法和一种设施,借助于所述方法和设施能够使两个衬底如此相互连接,以至于其被称为“跳动”误差的局部的对准误差变得最小。不同的跳动误差详尽地在文件WO2014191033A1中描述和参考。在文件WO2014191033A1中对跳动误差的描述由此被明确地接收到本说明书的公开内容中。因此,此处省去其详细的描述。
在此,本发明尤其此外基于如下构思,即两个待相互连接的衬底的弯曲/弯曲变化尤其通过可尤其在宽阔的面积部分上调控的固定件来如此控制,以至于如此选择对构造的接合波的影响因素,以至于这两个衬底在接合期不彼此局部移动,即保持正确对准。此外,本发明描述了一种物件(Artikel),所述物件由带有根据本发明减小的“跳动”误差的两个相互连接的衬底构成。
在接合、尤其永久接合、优选地熔融接合的情况下,根据本发明表示特征的过程是衬底的这两个接触面的尽可能中央的和/或点形的接触。通常,这两个衬底的接触也可以非中央地实现。从非中央的接触点处传播的接合波在不同时间到达衬底边缘的不同部位。相应地,接合波行为的完全的数学物理描述及由此而产生的“跳动”误差补偿是复杂的。优选地,接触点离衬底的中央不远,从而由此可能得出的尤其在衬底边缘处的效应可忽略不计。根据本发明,衬底的可能的非中央的接触点与中央之间的距离尤其小于100mm、优选地小于10mm、更优选地小于1mm、最大优选地小于0.1mm、所有中最大优选地小于0.01mm。在说明书的进一步走向中,接触通常应该是指中央的接触。在更广泛的意义中,中央优选地理解为构成基础的、当必要时关于非对称性被补偿的、理想的主体的几何中点。在工业上常见的带有槽口的晶片的情况下,中央因此是包围没有槽口的理想晶片的圆的圆中点。在工业上常见的带有扁平面(Flat)(逐渐平坦的侧面)的晶片的情况下,中央是包围没有扁平面的理想晶片的圆的圆中点。类似的考虑适用于任意成形的衬底。然而在特定的实施方式中,有用的可以是,将中央理解为衬底的重心。
为了确保精确的、中央的、点形的接触,根据本发明的一种实施方式,设有中央钻孔和可在其中平移地运动的销栓作为弯曲器件和/或弯曲变化器件的、尤其上方的容纳设备(衬底保持件)尤其设有作为固定器件的径向对称的固定件。也可设想的是将喷嘴用作为弯曲器件和/或弯曲变化器件,其使用流体、优选地气体代替销栓用于尤其直接地对衬底进行流体压力加载(流体压力加载器件)。此外,当设置有在两个衬底尤其由于引力和/或预紧力沿另外的衬底方向具有显著的弯曲的另外的前提下可以使这两个衬底通过平移运动彼此靠近的装置时,甚至可完全省去使用这种元件。在平移的靠近的情形中,在相对于相应的第二衬底的间距足够小的情况下,所述衬底自动地接触。
根据本发明的一种实施方式,固定元件要么是经安置的真空孔、一个或多个圆形的真空唇部(Vakuumlippe),要么是可对照的真空元件,借助于其可以固定晶片。也可设想使用多个静电式固定元件(固定器件)。中央的钻孔中的销栓或通过所导入的气体可在衬底保持件与衬底之间生成超压所源自的线路用于经固定的衬底(弯曲器件和/或弯曲变化器件)的可控制的挠曲(Durchbiegung)。
在两个衬底的中央完成接触之后,尤其如此操控容纳设备的固定器件,使得实现衬底中的至少一个的受调控的变形/弯曲变化。上方衬底一方面由于重力且另一方面通过沿着接合波且在衬底之间作用的接合力决定地受调控地向下牵引。由此,上方衬底径向地从中央朝向侧边缘与下方衬底连接。由此带来径向对称的接合波的根据本发明的构造,所述接合波尤其从中央向着侧边缘伸延。在接合过程期间,这两个衬底挤压在接合波之前的存在于衬底之间的气体、尤其空气,并由此负责没有气体嵌入(Gaseinschlüsse)的接合边界面。只要上方衬底可完全落下,那么所述上方衬底实际上处于一种类型的气垫上。自经限定的时间点起,衬底保持件的所有固定元件可以被切断,从而上方衬底在重力和/或在衬底之间的吸引力的影响下顺其自然。在该时间点,上方衬底的弯曲变化不再受控制或受调节,但是一如既往地受调控地进行,因为框架条件已知或经验上获取。基于接合波的这种受调控的弯曲变化和推进,下方衬底的弯曲变化受控制或受调节。但是,根据本发明的优选的实施方案不是在于上方衬底的完全放弃,而是在于对这两个衬底进行完全的调控直到接合波至少在超过10%、优选地超过20%、还更优选地超过30%、最优选地超过50%、所有中最大优选地超过75%的衬底面积上传播。
自前面提及的、在其中上方的容纳设备的所有固定元件切断的时间点开始,尤其不需要附加的固定。即,上方衬底可除了在接合初始化部位处的固定之外自由地运动且同样形变。通过根据本发明向前进的接合波、在接合波前沿处出现的应力状态和当前的几何上的边界条件,每个关于其径向厚度无穷小的圆部段经受形变。然而因为衬底是刚性主体,形变作为相对于中央的间距的函数而累加。这引起“跳动”误差,所述“跳动”误差通过根据本发明的方法和根据本发明的装置来克服。也可设想的是,上方衬底在其中接合波行进的整个时间区段期间保持固定,并且接合波的推进可通过固定元件(尤其随着在衬底保持件的内部中的固定元件开始)的连续的切断而向前进。接合波的前进(Fortlaufen)尤其也可以通过如下方式来促进,即在接合波的推进(Fortschreiten)期间实现这两个衬底保持件彼此的相对靠近。
由此,本发明尤其涉及一种方法和一种装置,以便尤其通过热力学的和/或机械的补偿设备在接合时减少或甚至完全避免在两个经接合的衬底之间的“跳动”误差。
此外,本发明涉及一种相应的物件,所述物件利用根据本发明的装置和根据本发明的方法来制造。
容纳设备/衬底保持件
根据本发明的衬底保持件具有固定器件、尤其多个固定元件。固定元件可以以区来成组。固定元件以区的成组满足要么几何上的、视觉上的优选地但是功能性的任务。功能性的任务例如可理解为,一个区的所有固定元件可同时切换。也可设想的是,在一个区中的所有固定元件可单独地切换。由此,多个固定元件可同时受操控以用于衬底在区内的固定或松脱,或者,所述固定元件虽然可被单独地操控,但是在其区中生成衬底的非常独特的变形特性。
所述区尤其可采纳如下几何结构:
·单面,
·圆部段,
·覆瓦式(Gekachelt,有时也称为平铺式),尤其为三角形、四角形或六角形。
尤其,没有固定元件的面也可以位于所述区之间。在这样的区之间的间距尤其小于50mm、优选地小于25mm、还更优选地小于20mm、最优选地小于10mm、所有中最大优选地小于5mm。如果所述区设计为圆部段,那么间距是在外部圆部段的内部圆环与内部圆部段的外部圆环之间的距离。
每区的固定元件的数量是任意的。尤其,至少1个固定元件、优选地至少2个固定元件、优选地超过10个、更优选地超过50个、还最优选地超过100个、最优选地超过200个、所有中最大优选地超过500个固定元件位于一个区中。
根据本发明的一种有利的实施方式,第一容纳设备和/或第二容纳设备具有尤其环形地、优选地圆环形地在用于容纳衬底的第一容纳设备和/或第二容纳设备的容纳面的周缘处尤其仅仅在衬底的侧边缘的区域中布置的固定器件。
固定器件构造为尤其在容纳面处均匀分布地、优选地同心地布置的、划分成区的、尤其可单独地控制的固定元件。优选地,固定器件尤其仅仅布置在容纳面的边缘区域中。边缘区域尤其延伸直至容纳面的一半半径、优选地直至容纳面的四分之一半径。
在固定元件径向对称地布置在一个区中的情况下,也可以考虑每横截面的固定元件的数量。在此,固定元件在横截面中的数量小于20、优选地小于10、还更优选地小于5、最优选地小于3、所有中最大优选地为1。
固定元件为了固定可以以负压来加载,为了释放衬底也可以以超压来加载。
在根据本发明的第一实施方式中,固定元件由简单的、尤其通过钻孔或火花侵蚀(Funkenerosion)生成的孔构成。在一种特定的实施方式中,固定元件是环形的、尤其圆环形的、尤其通过铣削工艺生成的缝口。在改进方案中,固定元件可以设有真空唇部。如果固定元件设置为真空元件,则所述固定元件可生成小于1巴、优选地小于0.1毫巴、还更优选地0.01毫巴、最优选地小于0.001毫巴、所有中最大优选地小于0.0001毫巴的压力。
在根据本发明的第二实施方式中,固定元件由有传导能力的用作为静电式固定件的板构成。有传导能力的板可单极地,但是优选地双极地切换。在双极切换的情况下,两个板被置于相互电势上。根据本发明的衬底保持件然后在其区中作用为静电式衬底保持件,所述衬底保持件带有取决于板的数量的高分辨的静电固定特性。
每单位面积的固定元件的数量越大,对用于衬底的衬底保持件的固定特性的控制就越好。
有利地,第一容纳面和/或第二容纳面由尤其形成第一容纳面的第一容纳平面和第二容纳面的第二容纳平面的突起部形成。
根据两个另外的实施方式,描述带有突起部、尤其突结衬底保持件的容纳设备。这样的衬底保持件理解为如下衬底保持件,所述衬底保持件具有多个尤其对称布置的支撑件(英语:pillars,支撑件)。所述支撑件尤其实施为突结(Noppe)。突结可以具有任意的形状。尤其,突结设置成如下形状:
·角锥体,尤其三侧面或四侧面角锥体,
·柱体,尤其带有平坦的或倒圆的头部,
·长方体,
·锥体,
·球状壳。
球状壳突结、锥体突结和柱体突结需耗费地制造,而角锥体形的或长方体形的突结可以通过蚀刻和/或铣削工艺相对简单地生产,且由此根据本发明是优选的。
所提及的突结衬底试样保持件可在其外周处经由边缘元件封闭,从而在突结之间的空间区域可解释为凹部(Vertiefung)。但是,也可能的是,突结是关于如下突结平面的唯一的隆起部,在所述突结平面上存在有所有突结。
在优选的根据本发明的第三实施方式中,衬底保持件实施为带有桥接部的突结衬底保持件。在此,各个区通过桥接部打断。至少一个线路结束在每个区内,所述线路允许对突结之间的空间进行抽真空。通过使用多个尤其可单独地操控的通道,可实现空间的局部相关的、不同强度的抽真空。
在还更优选的第四实施方式中,衬底保持件实施为完全的突结衬底保持件,即没有桥接部。
突起部、尤其突结的宽度或直径尤其小于5mm、优选地小于1mm、还更优选地小于500μm、最优选地小于200μm。
突起部、尤其突结的高度尤其小于2mm、优选地小于1mm、还更优选地小于500μm、最优选地小于200μm。
尤其,突起部的宽度或直径与突起部的高度之间的比大于0.01、优选地大于1、还更优选地大于2、最优选地大于10、所有中最大优选地大于20。
根据本发明的所有提及的实施方式也可以相互任意地组合。由此可设想的是,第一区由静电地工作的固定元件构成,并且第二区具有真空固定件。
根据本发明的衬底保持件可尤其具有在本印刷文献的进一步走向中被称为测量孔的如下孔,所述孔允许从衬底保持件的背侧观察经固定的衬底表面。由此,可实现经固定的衬底表面在该区域中的测量。测量孔也可借助于盖来封闭。在一种完全特别优选的实施方式中,测量孔可以利用盖全自动地打开或关闭。
根据本发明的一种有利的设计方案,容纳设备具有用于测量弯曲的弯曲测量器件。
备选地或附加地,根据本发明的衬底保持件可以具有传感器,借助于所述传感器可以测量在经固定的衬底与衬底试样保持件之间的物理和/或化学特性。传感器优选地是
·温度传感器和/或
·压力传感器和/或
·间距传感器。
特别优选的间距传感器可被用作为弯曲测量器件,通过由在衬底与容纳设备之间的间距测定衬底的弯曲、尤其在支撑部位之间进行内推和/或计算。
根据本发明优选的是,将尤其沿着容纳面分布的间距传感器用于实现对弯曲和/或弯曲变化的更好的控制或甚至调节。
在一种特别优选的实施方式中,多个传感器首先构造为间距传感器,以便在接合过程之前和/或期间关于一平面测量衬底的间距。所述平面优选地为容纳面和/或容纳面、尤其通过突起部形成的平面。
也可设想的是,传感器位于不同的平面上。优选地,传感器尤其仅仅测量间距的、优选地横向于接触面的变化,从而对一个和/或多个平面的参考是不相关的。在这种情况下,仅须探测衬底的相对的、尤其局部不同的间距变化。
间距的测量首先用于工艺控制。通过对一个衬底/多个衬底的精确的弯曲状态的了解,实现根据本发明的固定元件的用于衬底的理想的、尤其逐步的释放的操控/调节是特别有效率的。
也可设想的是,安装多个不同的传感器类型。在一种特别优选的实施方式中,用于间距和压力测量的传感器尤其对称地且相同分布地安装在衬底保持件中。由此可实现离散的、但是面覆盖的间距测量和压力测量。当变形元件为经由线路带入的流体、尤其气体或气体混合物时,压力测量是特别有利的。
只要一个或两个容纳设备构造成没有弯曲测量器件和/或没有传感器,则弯曲和/或弯曲变化的调整和/或控制可基于经验上获取的参数来实现。
根据本发明的第一衬底保持件和第二衬底保持件优选地具有至少一个尤其设计在中央的用于衬底的弯曲/弯曲变化的变形元件(弯曲器件和/或弯曲变化器件)。
按照根据本发明的第一实施方式,弯曲元件是销栓(英语:pin,销栓)。该销栓具有至少一个、优选地正好一个沿着到容纳面或容纳平面上的法线的平移的自由度。也可设想的是,销栓具有沿着容纳面的自由度,以便沿x方向和/或y方向进行校准。优选地,销栓可沿x方向和/或y方向固定。销栓可施加0.01N-1000N、优选地0.1N-500N、最优选地0.25-100N、所有中最大优选地在0.5-10N之间的力。
在根据本发明的第二实施方式中,用于弯曲/弯曲变化的变形元件为流体离开开口,经由所述流体离开开口流体,尤其气体或气体混合物可被馈送到衬底与容纳面之间(流体压力加载器件)。在一种完全优选的根据本发明的实施方式中,流体离开开口安装在特有的、尤其可沿x方向和/或y方向运动的子元件(Teilelement)中,从而可实现流体离开开口的x定位和/或y定位。由此精确地确定流体离开部的位置,这同样可具有对理想的、根据本发明的接合结果的作用。流体离开开口在最简单的情况中为线路的端部的开口。在一种完全特别优选的实施方式中,流体离开开口是喷嘴。优选地,所述喷嘴可以以电子的方式来控制,从而在每个时间点,流出的流体的流体压力和/或流体速度可以被控制/调节。可设想的是使用多个喷嘴,以便改变在衬底试样保持件与衬底之间在多个部位处的压力构建(Druckaufbau)。针对喷嘴的所有说法然后类似地适用于多个喷嘴。经由流体离开开口、尤其喷嘴可以在衬底与衬底保持件之间构建超过1毫巴、优选地超过10毫巴、最优选地超过100毫巴、还更优选地超过200毫巴、所有中最大优选地超过500毫巴的压力。所有根据本发明的衬底保持件可具有装载销栓(英语:loading pins,装载销栓)。装载销栓用于使根据本发明的衬底保持件装载以衬底。装载销栓尤其被引导通过在容纳设备中的钻孔,其中,钻孔优选地相对于装载销栓密封地实施。
在第一工艺步骤中,将装载销栓移出。在第二工艺步骤中,将衬底尤其全自动地搁放在装载销栓上。在第三工艺步骤中,装载销栓移入,并由此将衬底与容纳面带到接触中。在第四工艺步骤中,使衬底通过固定元件来固定。装载销栓也用于卸载经接合的衬底堆垛。工艺步骤顺序然后相应地调转。只要装载销栓没有相对于所述装载销栓在其中运动的钻孔密封,则装载销栓可尤其呈现为压力下降(Drucksenken)。在该情况中,不可以经由真空固定元件实现负压的静态维持和/或不可以通过气体离开开口实现超压的静态维持。相应地,公开了经由真空固定元件的连续的抽真空和/或经由气体离开开口的连续的超压生成,其优选地通过静止的、尤其层状的流动而出众。然而也可设想使用密封件,从而可构建静态压力,而不产生流动的构造。
衬底保持件原则上可以由每种任意的材料生产。特别优选的是如下材料中的一个或多个:
·金属,尤其
·纯金属,尤其
·铝
·合金,尤其
·钢,尤其
·低合金钢,
·陶瓷,尤其
·玻璃陶瓷,尤其
·微晶玻璃(Zerodur),
·氮化物陶瓷,尤其
·氮化硅,
·碳化物陶瓷,尤其·碳化硅,
·聚合物,尤其
·高温聚合物,尤其
·特氟龙(Teflon),
·聚醚醚酮(PEEK)。
在一种完全优选的实施方式中,根据本发明的突结衬底试样保持件以源自专利文献EP2655006B1的方法来制造。在此,优选的材料是碳化硅或氮化硅。在这种情况中,优选的突结结构是四侧面的角锥体。
按照一种根据本发明的实施方式,容纳设备优选地构造成可加热和/或可冷却。在这种情况下,温度调节机构允许在-50℃与500℃之间、优选地在-25℃与300℃之间、最优选地在0℃与200℃之间、所有中最大优选地在10℃与100℃之间对衬底进行调温。
在另一根据本发明的实施方式中,衬底保持件如此构造,使得衬底还可以通过加热和/或冷却器件在接触之前有针对性地变形,尤其可以横向地收缩或延展,更确切地说以在稍后的接触中所需要的数值收缩或延展,以便尽可能最好地、在理想情况下完全地补偿所出现的“跳动”误差。因为在本实施方式中,在相应的变形之后才实现下方/第一衬底的固定,所以不必特别地关注下方/第一衬底或下方/第一容纳设备的热膨胀系数。在突结衬底保持件的特别优选的根据本发明的实施方式中,衬底可以经由在突结之间的空间区域与经加热的气体产生接触。为了维持固定元件的固定能力,经加热的气体的压力必须小于将在区的区域中的衬底挤压到衬底保持件上的周围环境压力。
接合器(Bonder)
根据本发明的装置由两个根据本发明的容纳设备/衬底保持件组成。优选地,至少上方衬底保持件具有测量孔。测量孔尤其构造成可封闭和/或被密封。
根据本发明的实施方式优选地在限定的、尤其可控制的气氛中、尤其在正常压力下运行。
所有提到的根据本发明的实施方式可以在特定的实施变型方案中在低真空中、更优选地在高真空中、还更优选地在超高真空中、尤其在小于100毫巴、优选地小于0.1毫巴、更优选地小于0.001毫巴、还更优选地小于10e-5毫巴、所有中最大优选地小于10e-8毫巴的压力的情况下运行。然而,真空越高或周围环境中的压力越低,衬底就越难借助于真空孔来固定。
工艺
在根据本发明的第一工艺的根据本发明的第一工艺步骤中,将第一衬底装载到第一衬底保持件上,并且将第二衬底装载到第二衬底保持件上,并且尤其将其固定在周缘区段中。
在根据本发明的第一工艺的根据本发明的第二工艺步骤中,使这两个衬底彼此对准。衬底的对准此处不详细描述。就此而言,参考印刷文献US6214692B1、WO2015082020A1、WO2014202106A1。衬底在接合过程之前尤其彼此对准,以便确保对应的结构在其表面上的一致性(精确的对准,尤其以小于2μm,优选地小于250nm、还更优选地小于150nm、最优选地小于100nm、所有中最大优选地小于50nm的精度)。
在根据本发明的第一工艺的可选的根据本发明的第三工艺步骤中,这两个衬底的靠近通过这两个衬底保持件彼此的相对运动来实现。由此在衬底表面之间生成明确限定的间距(英语:gap,间距)。也可设想的是,在对准工艺之前或期间就已调整该间距。所述间距尤其为小于1000μm,优选地小于500μm、更优选地小于250μm、所有中最大优选地小于100μm。
根据本发明特别优选的是,这两个衬底的尤其在接合前沿处的弯曲半径以小于15%、优选地小于10%、还更优选地小于5%、更优选地小于2%相互偏差,所有中最大优选地是相同的。
在根据本发明的第一工艺的根据本发明的第四工艺步骤中,实现第一衬底和/或第二衬底的弯曲。同时,第一衬底和/或第二衬底的弯曲借助于传感器来测量和监测。通过调节回路(Regelschleife)尤其可以自动地调整在下方和/或上方衬底处的期望的弯曲。预设有理论值。此外,调节回路控制固定元件和/或变形元件,直到调整到期望的弯曲轮廓(Krümmungsprofil)。在此应提到的是,引力沿一个方向作用,且因此可以不同地作用于衬底的变形。经固定的上方衬底通过引力进一步沿所力求的接触点的方向变形,引力反作用于下方衬底的弯曲。然而,引力的影响也可以小到可忽略不计。通过根据本发明对自动控制或调节的弯曲器件或弯曲变化器件、固定元件和传感器的使用,针对这两个衬底中的每个(尤其作为调节回路的一部分)可调整期望的弯曲轮廓。如果这两个衬底相互靠近得足够近,则实现这两个衬底的接触。接触可以要么通过持续地提升的弯曲来实现和/或通过这两个衬底保持件彼此的相对靠近来实现。即,在根据本发明的接合方法中,衬底不是平坦地放置到彼此上,而是首先在中间M中相互产生接触(接合初始化部位),通过使这两个弯曲的衬底中的一个轻微地挤压抵靠第二衬底或相应地沿相对而置的衬底的方向变形。在变形的(沿相对而置的衬底的方向)挠曲的衬底的释放之后,通过接合波的向前进实现连续的且较均匀的、与最小的力并由此与最小的、主要水平的形变相联系的、尤其至少部分地、优选地大多数地、自主的沿着接合前沿的接合。
在根据本发明的第一工艺的根据本发明的第五工艺步骤中,实现接合波的向前进、监测和控制。只要接合初始化部位布置衬底的接触面的中央,就可以实现接合波的均匀的、尤其同心的伸延。
特别有利的是,第一和/或第二衬底和/或第二衬底的变形、优选地弯曲沿横向方向和/或凸状地和/或凹状地、还更优选地镜像对称地实现。换言之,根据本发明,所述变形尤其通过第一衬底和/或第二衬底的延展和/或收缩和/或弯曲来产生。
优选地,衬底具有几乎相同的直径D1,D2,所述直径尤其以小于5mm、优选地小于3mm、还更优选地小于1mm相互偏差。
根据另一尤其独立的发明方面,变形、优选地弯曲通过变形器件或弯曲器件和/或弯曲变化器件和/或通过第一容纳设备和/或第二容纳设备的温度控制来实现。
通过使第一衬底和/或第二衬底仅仅固定在第一衬底保持件和/或第二衬底保持件或第一衬底和/或第二衬底的外围或周缘的区域中,根据本发明的变形/弯曲/弯曲变化可以更容易地实现。
对前面描述的步骤和/或运动和/或流程、尤其对变形器件或弯曲器件和/或弯曲变化器件和/或固定器件的控制、衬底彼此的靠近、温度、压力和气体组分调控优选地经由中央控制单元、尤其带有控制软件的计算机来实现。上面所描述的传感器被用于控制和或调节。
优选地,衬底仅仅固定在侧边缘的区域中的尽可能远地处于外部的圆部段处,以便确保衬底在固定件内的尽可能大的柔性和延展自由。
第一衬底和/或第二衬底优选地径向对称。虽然衬底可具有每个任意的直径,但是衬底直径尤其为1英寸(Zoll)、2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12,英寸、18英寸或大于18英寸。第一衬底和/或第二衬底的厚度处于1μm与2000μm之间、优选地处于10μm与1500μm之间、更优选地处于100μm与1000μm之间。
在特别的实施方式中,衬底也可以具有矩形的、或至少与圆形外形不同的形状。优选地,将晶片用作为衬底。
特别优选地,如此选择所有可改变的参数,使得接合波以尽可能理想的速度关于存在的开始条件和边界条件传播。特别是在存在的气氛、尤其正常压力的情况下,接合波的尽可能缓慢的速度是有利的。接合波的平均速度尤其小于200cm/s、更优选地小于100cm/s、更优选地小于50cm/s、最大优选地小于10cm/s、所有中最大优选地小于1cm/s。尤其,接合波的速度大于0.1cm/s。尤其,接合波沿着接合前沿的速度是恒定的。在真空周围环境中,接合波的速度自动地变得更快,因为沿着接合线连接的衬底不必克服由于气体产生的阻力。
另一、尤其独立的发明方面在于,尽可能协调地且同时准自主地进行接触,通过使衬底中的至少一个在接触之前加载以尤其相对于衬底的接触面的中间M同心地径向地向外伸延的预紧力,并且然后仅使接触的开始受影响,而在区段、尤其衬底的中间M的接触之后,衬底被释放,并且自主地由于其预紧力受调控地与相对而置的衬底接合。预紧力通过第一衬底的通过变形器件、尤其弯曲器件和/或弯曲变化器件所产生的变形、尤其弯曲来实现,其中,变形器件尤其基于其形状而作用到与接合侧背离的侧上,并且变形可以相应地通过使用不同的(尤其可更换的)变形器件来控制。所述控制也通过压力或变形元件以其作用到衬底上的力来实现。在此,有利的是,减小衬底保持件与衬底的有效容纳面积,从而衬底仅部分地由容纳设备支撑。以这种方式通过较小的接触面积在衬底与衬底保持件之间得出较小的粘附。根据本发明,固定件尤其被放置在衬底的周缘的区域中,从而在衬底保持件的容纳轮廓与衬底之间的同时尽可能小的有效容纳面积的情况下给出有效的固定。由此,可同时实现衬底的经济的且可靠的脱开,因为对于脱开衬底必要的松脱力尽可能小。脱开首先尤其通过减小在容纳面处的负压是可调控的。可调控意味着,在衬底与第二衬底的接触之后,所述衬底仍在试样保持件处保持固定,并且通过有针对性地(受调控地)减小在容纳面处的负压才促使衬底(晶片)从试样保持件(容纳设备)尤其从内向外的释放。根据本发明的实施方式首先引起,脱开可以通过非常小的力来实现。特别地,公开了释放的多个不同的方法。
·在变形器件未激活时,完全地突然地释放衬底,
·在变形器件自发地调节到其初始状态中并由此立刻停止作用到衬底上时,完全地突然地释放衬底,
·在变形器件逐步地但连续地停止作用到衬底上时,完全地突然地释放衬底,
·在变形器件作用到衬底上时,通过逐步断开固定来逐步、尤其逐区涉及地、优选地从内向外执行地释放衬底,
·所提及的方法的组合
根据本发明的实施方式以其理想的形式公开了一种接合过程,在所述接合过程的情况下,两个衬底被弯曲。但是,通常至少一个衬底也可以不变形。结合所提及的释放机制,得出如下表格
示例# | 上方变形 | 下方变形 | 上方释放 | 下方释放 |
1 | 否 | 是 | 否 | 是 |
2 | 否 | 是 | 是 | 否 |
3 | 是 | 是 | 否 | 是 |
4 | 是 | 是 | 是 | 否 |
5 | 是 | 否 | 否 | 是 |
6 | 是 | 否 | 是 | 否 |
根据本装置公开的特征也应作为根据本方法公开地适用,并且反之亦然。
附图说明
本发明的另外的优点、特征和细节由优选的实施例的如下描述以及按照附图来得出。其中:
图1a示出根据本发明的容纳设备的第一实施方式的示意性的、不按正确比例的部分视图,
图1b示出根据本发明的容纳设备的第二实施方式的示意性的、不按正确比例的部分视图,
图1c示出根据本发明的容纳设备的第三实施方式的示意性的、不按正确比例的部分视图,
图1d示出根据本发明的容纳设备的第四实施方式的示意性的、不按正确比例的部分视图,
图1e示出根据本发明的容纳设备的弯曲(变化)器件的第一实施方式的示意性的、不按正确比例的部分视图,
图1f示出根据本发明的容纳设备的弯曲(变化)器件的第二实施方式的示意性的、不按正确比例的部分视图,
图2a示出根据本发明的容纳设备的第五实施方式的示意性的、不按正确比例的俯视图,
图2b示出根据本发明的容纳设备的第六实施方式的示意性的、不按正确比例的俯视图,
图2c示出根据本发明的容纳设备的第七实施方式的示意性的、不按正确比例的俯视图,
图2d示出根据本发明的容纳设备的第八实施方式的示意性的、不按正确比例的俯视图,
图2e示出根据本发明的容纳设备的第九实施方式的示意性的、不按正确比例的俯视图,
图3a-3e示出根据本发明的突起部的实施方式的示意性的、不按正确比例的侧视图和俯视图,
图4a示出带有在根据本发明的方法的第一方法步骤中的压力和间距图表的根据本发明的接合器的实施方式的示意性的、不按正确比例的横截面视图,
图4b示出根据图4a的在另一方法步骤中的实施方式的示意性的、不按正确比例的横截面视图,
图4c示出根据图4a的在另一方法步骤中的实施方式的示意性的、不按正确比例的横截面视图,
图4d示出根据图4a的在另一方法步骤中的实施方式的示意性的、不按正确比例的横截面视图,以及
图4e示出根据图4a的在另一方法步骤中的实施方式的示意性的、不按正确比例的横截面视图。
图中,相同的结构部件以及带有相同功能的结构部件以相同的附图标记来表示。
具体实施方式
图1a示出根据本发明的容纳设备1(备选地被称为衬底保持件)的第一实施方式的横截面的示意性的、不按正确比例的部分视图,其中,仅示出带有固定元件2(固定器件)的边缘区域R。
容纳设备1由多个区Zi组成,所述区优选地位于边缘区域R中。区Zi中的每个可具有多个固定元件2。在图1a中示例性地示出两个区Z1和Z2。在第一区Z1中,以横截面示出四个固定元件2,而在第二区Z2中示出两个固定元件2。尤其,区Zi可限制到衬底保持件1的边缘区域R上或在整个衬底保持件1上分布。
固定元件2用于固定尤其上方的第一衬底1o的或尤其下方的第二衬底1u的衬底容纳面4a。
优选地,多个传感器3,3'、尤其间距传感器位于容纳面1s中。传感器用于测量在固定衬底4与容纳面1s之间的物理和/或化学特性。传感器3,3'尤其涉及间距传感器,借助于所述间距传感器测量在容纳面1s与衬底容纳面4a之间的间距。
衬底保持件1优选地如此设计,以至于在其中央C中(见图1e和1f)存在弯曲元件5,5'(弯曲器件),借助于所述弯曲元件可使在衬底保持件1处固定的衬底4o,4u弯曲。特别优选地,弯曲元件5为流体离开开口,经由所述流体离开开口可以将气体、尤其压缩空气泵送到衬底保持件1与衬底4之间。通过超压使衬底4拱弯,而所述衬底同时由固定元件2固定或受调控地释放。
在根据图1f的备选的根据本发明的实施方式中,弯曲元件5'是销栓(英语:pin,销栓),所述销栓延伸穿过容纳设备1,并且所述销栓构造成可垂直于所述容纳设备移动(弯曲器件或弯曲变化器件)。
对于图1e和1f的实施方案类似地适用于根据图1a至1d的实施方式。
在图1b中示出在根据本发明的第二实施方式中的衬底保持件1'。衬底保持件1'由多个区Zi构成,所述区优选地位于边缘区域R中。通常,区Zi中的每个可以具有多个固定元件2'。固定元件2'为静电式固定件的电极。在图1b中示例性地示出两个区Z1和Z2。在第一区Z1中,在横截面中看出两个固定元件2',在第二区Z2中在横截面中可看出三个固定元件2'。尤其,区Zi可限制到衬底保持件1'的外边缘上,或在整个衬底保持件1'上分布。
优选地,多个传感器3,3'、尤其间距传感器位于容纳面1s'中。传感器3,3'用于测量在固定衬底4与容纳面1s'之间的物理和/或化学特性。传感器3,3'尤其是间距传感器,借助于所述间距传感器测量在容纳面1s'与衬底容纳面4a之间的间距。
在图1c中公开了在根据本发明的第三实施方式中的衬底保持件1”。衬底保持件1”由多个区Zi组成,所述区优选地仅仅位于边缘区域R中。区Zi中的每个尤其可具有多个固定元件2”。
固定元件2”是在衬底容纳面1a、相邻的桥接部8或边缘元件10与桥接部8与由线路6穿过的底部之间的空间区域9。在线路6中调整压力,以便抽吸并由此固定衬底4o,4u。
尤其,多个突结7位于空间区域9中,在所述突结上放置有衬底4o,4u。突结7尤其用于避免过大的混杂(Kontamination)。突结7在图1c中大小超过平均水平地示出,以便改善视野。实际上,突结7相比于衬底保持件1”的厚度显著较小。
在图1c中示例性地示出两个区Z1和Z2。在第一区Z1中,在横截面中看出三个固定元件2”,在第二区Z2中在横截面中同样可看出三个固定元件2”。尤其,区Zi可限制到衬底保持件1”的外边缘上,或在整个衬底保持件1”上分布。
优选地,多个传感器3,3'、尤其间距传感器位于突结7中,尤其位于突结7的突结表面7o处,所述突结表面在没有弯曲的状态下与衬底容纳面1a接触。传感器用于测量在固定衬底4与通过突结表面7o和环绕的边缘元件10界定的容纳面1s'之间的物理和/或化学特性。传感器3,3'尤其为间距传感器,借助于所述间距传感器测量在突结表面7o与衬底表面4o之间的间距。
在图1d中示出在根据本发明的第四实施方式中的衬底保持件1”'。衬底保持件1”'尤其由多个区Zi组成,所述区优选地位于边缘区域R中。区Zi中的每个可以具有多个固定元件2”'。
固定元件2”'为在两个相邻的线路6之间的空间区域9,在所述线路中可以调整压力。对空间区域9的限制仅在容纳设备1”'的周缘处通过环绕的边缘元件10来发生,衬底1o,1u周向地放置在所述边缘元件上,并且所述边缘元件与突结表面7o共同限定容纳面1s”。
在空间区域9中尤其存在多个突结7,在其突结表面7o上可容纳有衬底4o,4u。突结7尤其用于避免过大的混杂。突结7在图1c中大小超过平均水平地示出,以便改善视野。实际上,突结相比于衬底保持件1”'的厚度显著较小。
在图1d中示例性地示出两个区Z1和Z2。在第一区Z1中,在横截面中看出一个固定元件2”',在第二区Z2中在横截面中同样存在一个固定元件2”'。尤其,区Zi可限制到衬底保持件1”'的外边缘上,或在整个衬底保持件1”'上分布。
优选地,多个传感器3,3'、尤其间距传感器位于在突结7之间的空间区域9的底部上。传感器3,3'用于测量在固定衬底4与底部之间的物理和/或化学特性。传感器3,3'尤其为间距传感器,借助于所述间距传感器测量在底部与衬底容纳面4a之间的间距。由此可以经由突结7的已知高度来计算衬底容纳面1a与突结表面7o的间距。
图2a示出了容纳设备1IV,在所述容纳设备的情况下,固定元件2布置在四个同心的区Z1-Z4中。弯曲元件5,5'位于容纳设备1IV的中央C中(见图1e或1f)。多个区的对应的固定元件2分别沿着径向地伸延的线L布置。
图2b示出了容纳设备1V,在所述容纳设备的情况下,固定元件2布置在四个区Z1-Z4中。弯曲元件5,5”位于容纳设备1的中央中(见图1e或1f)。多个区的对应的固定元件2分别沿着线L'布置,所述线没有伸延通过弯曲元件5、尤其没有伸延通过中央C。线L'尤其不必是直线。分别相对而置的、对应的固定元件2相对于中央C点镜像地布置。
图2c示出带有多个突结7的容纳设备1VI,类似于根据图1c的实施方式由边缘元件10包围。空间区域9位于突结7之间,所述空间区域在抽真空时作为固定元件2IV作用。抽真空经由线路6来实现。因为在该根据本发明的实施方式中不存在使空间区域9相互分隔开的桥接部8,所以经由弯曲元件5(见图1e)带入的流体直接地经由通道6又被吸走。因此,该根据本发明的实施方式是针对如下衬底保持件的示例,在所述衬底保持件的情况下,静止的层状流动构建在衬底保持件1VI与衬底4o,4u之间。
图2d示出一种根据本发明的实施方式,在所述实施方式的情况下,多个区Z设有分别三个固定元件2。区Z实施为六边形并且至少在大多数情况下占据容纳面。中央Z和周缘边缘没有被占据。
图2e示出一种根据本发明的实施方式,在所述实施方式的情况下,固定元件2沿着螺旋线布置。在这种情况下,整个容纳面1s呈现唯一的区Z。可设想固定元件的单个的或成组的操控。弯曲元件5,5'布置在螺旋线的端部处和中央C中。
根据图2a-2e的所有实施方式是如下容纳设备,在所述容纳设备的情况下,固定实施为负压固定或真空固定。类似地,可以实现相应的带有静电式固定的衬底保持件。传感器3,3'为了层次清楚起见未示出,但是可相应于根据图1a至1d的实施方式来实施。
图3a-3e示出针对突起部7,7',7”,7”',7””的形状的实施例。根据图3a的形状由带有圆头的柱状基体构成。根据图3b的形状由带有平头的柱状基体构成。根据图3c的形状由半球形的基体构成。根据图3d的形状由三侧面角锥体构成。根据图3e的形状由四侧面角锥体构成。
图4a示出根据本发明的接合器13,所述接合器用于第一/上方衬底4o和第二/下方衬底4u的相对而置地布置的接触面4k的接触和接合。接合器13由下方衬底保持件1u和上方衬底保持件1o构成。衬底保持件1u,1o尤其可实施为用于容纳第一/上方衬底4o和第二/下方衬底4u的上面描述的容纳设备1,1',1”,1”,1IV,1V,1VI,其中,下方衬底保持件1u可不同于上方衬底保持件1o实施或配备。
上方衬底保持件1o优选地具有测量孔12,穿过所述测量孔从衬底保持件1o的背侧可进行衬底4o的测量。备选地,传感器可布置在测量孔中。测量孔12尤其布置在弯曲变化器件与固定器件之间。备选地或附加地,下方的衬底保持件1u可具有相应的测量孔12。容纳设备1穿过测量孔,并且尤其垂直于容纳面1s伸延。测量孔12尤其以相对于容纳面1s的中央的相同的间距布置。优选地,测量孔12彼此以180°或120°的间距布置。
衬底保持件1u,1o具有容纳面1s,带有多个固定元件2和传感器3,3'。固定元件2经由线路6抽真空并且固定衬底4u,4o。在衬底保持件1u,1o下方和上方画入图表,所述图表分别示出在实施为间距传感器的传感器3与衬底4u,4o之间沿着针对相应的x位置的x方向(衬底直径)的间距d。间距传感器直接地在弯曲变化器件5处直至固定器件分布地布置。所述间距传感器由此在容纳面1s的部分面上延伸。
在固定器件的区域中布置有构造为压力传感器的传感器3',利用所述传感器沿着传感器3'的x位置在衬底4u,4o与衬底保持件1u,1o之间测量压力p1。
在间距图表中画入所力求的、尤其通过软件调整的理论弯曲15u,15o,以及由间距传感器测量的实际弯曲14u,14o。上方衬底4o具有尤其由于引力而存在的实际弯曲14o,而下方衬底1u平面地放置,并因此在本发明的意义中不具有(在现实中微不足道地小的)实际弯曲14u。然而也可设想的是,由于引力引起的实际弯曲14o小到可忽略不计。两个所力求的弯曲15u,15o在所实施的示例中镜像对称。可预设任意的弯曲15u,15o。压力走向16u和16o示出在被激活的固定元件2的区域中的压力降。这显示出,衬底4u,4o的固定被激活。
两个衬底1u,1o彼此的对准的工艺步骤未示出。
图4b示出在另一工艺步骤中的接合器13。两个衬底4u和4o通过两个衬底保持件1u,1o的相对运动相互靠近。在其他方面,相对于根据图4a的情况无一发生变化。
图4c示出在另一工艺步骤中的接合器13。通过使用弯曲元件5(在所示出的情况下,气体以压力p2流动通过的气体离开开口)将两个衬底1u,1o带到理论弯曲中,其中,优选地借助于间距传感器实现压力的调节。固定元件2的压力也可被用于控制/调节,从而所述固定元件也承担弯曲器件5,5'或弯曲变化器件5,5'的任务并由此在本发明的意义中也可算作所述弯曲器件或弯曲变化器件。
在所示出的示例中,为此将固定元件2中的一个从压力p1降低到压力p0,以便在衬底4o,4u的接触之前实现期望的弯曲。在所示出的图示中,为了简单起见仅示出三个压力值p0、p1和p2。压力值尤其可连续地和/或持续地控制/调节。
图4d示出了在另一工艺步骤中的接合器13。由于衬底4u,4o的靠近,两个衬底4u,4o形成径向地向外传播的接合波,其中,衬底4u,4o的弯曲连续地变化(弯曲变化器件)。在此,下方衬底1u和上方衬底1o的弯曲变化连续地借助于间距传感器监测,并且如果需要则通过弯曲元件5和/或固定元件2如此修正,以至于实现分别所期望的或所调整的理论弯曲(弯曲变化器件)。上方衬底4o在接合波的点处的弯曲半径R1和下方衬底4u在接合波的点处的弯曲半径R2是重要的参数。
内部的周向的四列固定元件2的压力在上方容纳设备1o和下方容纳设备1u的情况下被同时减小到p0。由此,衬底1u,1o(尤其连续地从内向外)失去相对于容纳面1o的固定,由此压力p2可从弯曲元件5进一步传播。
通过使控制器考虑到衬底的弯曲和弯曲变化,最小化跳动-误差。
图4e示出在另一工艺步骤中的接合器13。两个衬底1u,1o受调控地相互连接,通过使上方容纳设备1o的最外列的固定元件2的压力减小到p0。
附图标记列表
1,1',1”,1”'容纳设备/衬底保持件
1IV,1V,1VI容纳设备/衬底保持件
1o第一容纳设备/上方衬底保持件
1u第二容纳设备/下方衬底保持件
1s,1s',1s”,1s”'容纳面
2,2',2”,2”'固定元件
2o”'固定元件表面
3,3'传感器
4o第一/上方衬底
4u第二/下方衬底
4a衬底容纳面
5,5'弯曲元件
6线路
7,7',7”,7”',7””突起部/突结
7o突结表面
8桥接部
9空间区域
10边缘元件
11突结平面
12测量孔
13接合器
14u,14o实际弯曲
15u,15o理论弯曲
16u,16o压力走向
L,L'线
x位置
d间距
p压力
R1,R2弯曲半径。
Claims (16)
1.一种用于使第一衬底(4o)与第二衬底(4u)在所述衬底(4o,4u)的面向彼此的接触面(4k)处接合的方法,所述方法带有如下步骤、尤其如下流程:
-将所述第一衬底(4o)容纳在第一容纳设备(1,1',1”,1”',1IV,1V,1VI)的第一容纳面(1s,1s',1s”,1s”')处,并且将所述第二衬底(4u)容纳在第二容纳设备(1,1',1”,1”',1IV,1V,1VI)的第二容纳面(1s,1s',1s”,1s”')处,
-在所述接触面(4k)的接触之前使所述接触面(4k)弯曲,
其特征在于,
在接合期间,两个衬底的弯曲半径在接合前沿处以小于15%相互偏差。
2.根据权利要求1所述的方法,在其中,两个衬底的弯曲半径在接合前沿处以小于10%相互偏差。
3.根据权利要求2所述的方法,在其中,两个衬底的弯曲半径在接合前沿处以小于5%相互偏差。
4.根据权利要求3所述的方法,在其中,两个衬底的弯曲半径在接合前沿处以小于2%相互偏差。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,在其中,两个弯曲半径在衬底的接合前沿处的差小于10m。
6.根据权利要求5所述的方法,在其中,两个弯曲半径在衬底的接合前沿处的差小于1cm。
7.根据权利要求6所述的方法,在其中,两个弯曲半径在衬底的接合前沿处的差小于1mm。
8.根据权利要求7所述的方法,在其中,两个弯曲半径在衬底的接合前沿处的差小于0.01mm。
9.根据权利要求8所述的方法,在其中,两个弯曲半径在衬底的接合前沿处的差小于1μm。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,在其中,在所述接触面(4k)的接触之前,相对于所述接触面(4k)镜像对称地和/或同心地调整和/或控制所述弯曲。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,在其中,所述弯曲中的至少一个通过尤其机械的弯曲器件(5')、尤其销栓来实现。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,在其中,所述弯曲中的至少一个通过流体压力加载借助于尤其直接地加载所述衬底的流体来调整和/或控制。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,在其中,所述第一衬底(4o)和/或所述第二衬底(4u)通过尤其环形地、优选地圆环形地在所述容纳面(1s,1s',1s”,1s”')的周缘处、尤其仅仅在所述衬底(4o,4u)的侧边缘(4os,4us)的区域中布置的固定器件来固定。
14.根据权利要求13所述的方法,在其中,所述固定器件具有尤其在所述容纳面(1s,1s',1s”,1s”')处均匀地分布地、优选地同心地布置的、划分成区的、尤其可单独地控制的固定元件(2)。
15.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,在其中,所述第一容纳面(1s,1s',1s”,1s”')和/或所述第二容纳面(1s,1s',1s”,1s”')由尤其形成所述第一容纳面(1s,1s',1s”,1s”')的第一容纳平面和所述第二容纳面(1s,1s',1s”,1s”')的第二容纳平面的突起部(7,7',7”,7”',7””)形成。
16.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,在其中,所述弯曲通过尤其沿着所述第一容纳面和/或第二容纳面(1s,1s',1s”,1s”')布置的弯曲测量器件、尤其传感器(3)、优选地间距传感器探测。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410270904.XA CN118098939A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201680083320.5A CN108701592B (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
CN202410270904.XA CN118098939A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
PCT/EP2016/056249 WO2017162272A1 (de) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680083320.5A Division CN108701592B (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN118098939A true CN118098939A (zh) | 2024-05-28 |
Family
ID=55589859
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202410270900.1A Pending CN118098938A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
CN202410270904.XA Pending CN118098939A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
CN202410270907.3A Pending CN118099069A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
CN202410270903.5A Pending CN118099068A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
CN201680083320.5A Active CN108701592B (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202410270900.1A Pending CN118098938A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202410270907.3A Pending CN118099069A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
CN202410270903.5A Pending CN118099068A (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
CN201680083320.5A Active CN108701592B (zh) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 用于衬底的接合的装置和方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20190019678A1 (zh) |
EP (2) | EP3433875B1 (zh) |
JP (1) | JP6856659B2 (zh) |
KR (4) | KR102609698B1 (zh) |
CN (5) | CN118098938A (zh) |
SG (1) | SG11201806511XA (zh) |
TW (5) | TWI714062B (zh) |
WO (1) | WO2017162272A1 (zh) |
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JP6843232B2 (ja) | 2016-09-29 | 2021-03-17 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 2つの基板をボンディングするための装置および方法 |
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-
2016
- 2016-03-22 KR KR1020227004322A patent/KR102609698B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-22 CN CN202410270900.1A patent/CN118098938A/zh active Pending
- 2016-03-22 EP EP16711614.4A patent/EP3433875B1/de active Active
- 2016-03-22 KR KR1020237041133A patent/KR20230167447A/ko active Application Filing
- 2016-03-22 CN CN202410270904.XA patent/CN118098939A/zh active Pending
- 2016-03-22 EP EP22163709.3A patent/EP4036956A1/de active Pending
- 2016-03-22 KR KR1020187024947A patent/KR102378167B1/ko active IP Right Review Request
- 2016-03-22 SG SG11201806511XA patent/SG11201806511XA/en unknown
- 2016-03-22 CN CN202410270907.3A patent/CN118099069A/zh active Pending
- 2016-03-22 US US16/080,156 patent/US20190019678A1/en active Pending
- 2016-03-22 CN CN202410270903.5A patent/CN118099068A/zh active Pending
- 2016-03-22 WO PCT/EP2016/056249 patent/WO2017162272A1/de active Application Filing
- 2016-03-22 KR KR1020237012034A patent/KR20230052997A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-03-22 JP JP2018546605A patent/JP6856659B2/ja active Active
- 2016-03-22 CN CN201680083320.5A patent/CN108701592B/zh active Active
-
2017
- 2017-03-22 TW TW108113659A patent/TWI714062B/zh active
- 2017-03-22 TW TW108113658A patent/TWI714061B/zh active
- 2017-03-22 TW TW108113657A patent/TWI714060B/zh active
- 2017-03-22 TW TW106109484A patent/TWI672733B/zh active
- 2017-03-22 TW TW108113656A patent/TWI714059B/zh active
-
2019
- 2019-04-17 US US16/386,580 patent/US11282706B2/en active Active
-
2021
- 2021-12-14 US US17/550,008 patent/US11955339B2/en active Active
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PB01 | Publication | ||
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