JP2003051466A

JP2003051466A - 半導体ウエーハのダイシング装置およびダイシング方法

Info

Publication number: JP2003051466A
Application number: JP2001239773A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Fujita; 雅洋藤田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-08-07
Filing date: 2001-08-07
Publication date: 2003-02-21

Abstract

(57)【要約】【課題】粘着テープを使用することによる不都合をなく
し、破材部の飛散によるチップ部の保持低下を防止す
る。【解決手段】ダイシング装置１００は、ウエーハ１を供
給するウエーハローダー１１と、搬送アーム１２と、ア
ライメントステージ１３と、搬送ロボット１４と、保持
手段としてのテープレスカットテーブル１５と、切断手
段としての切断ブレード１６と、ピックアップステージ
１７と、ピックアップロボット１８、洗浄機１９とから
構成されている。このダイシング装置１００を用いてダ
イシング処理する場合、テープレスカットテーブル１５
でウエーハ１のチップ部および破材部を真空吸着により
保持した状態でダイシング処理する。複数のチップ部に
対応する複数の真空吸着部の吸着ポートと複数の破材部
に対応する複数の真空吸着部の吸着ポートとを分割して
真空装置に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、複数のチップ部
とこの複数のチップ部の周囲に存在する複数の破材部と
からなる半導体ウエーハを切断して複数のチップを得る
ためのダイシング装置およびダイシング方法に関する。
詳しくは、複数のチップ部および複数の破材部のそれぞ
れに対応した複数の真空吸着部と、この複数の真空吸着
部の境界部分に形成された複数の切断逃げ溝とを有し、
複数のチップ部に対応する複数の真空吸着部の吸着ポー
トと複数の破材部に対応する複数の真空吸着部の吸着ポ
ートとが分割されて真空装置に接続されている保持部に
半導体ウエーハを保持して切断を行うことによって、ウ
エーハ保持用粘着テープを使用することなく、ダイシン
グできるようにして、コストの削減を図ると共に、粘着
テープの切断屑による品質の低下およびピックアップ時
の静電気の発生を防止し、さらに破材部の飛散によるチ
ップ部の保持低下を防止できるようにした半導体ウエー
ハのダイシング装置およびダイシング方法に係るもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、ウエーハプ
ロセスを終了した後、プローブテストによりデバイス特
性がチェックされ、その後に、半導体ウエーハをチップ
（ダイ）に切り分けるダイシング処理が行われる。従
来、ダイシング処理として、ウエーハおよびダイシング
されたチップを保持するために、粘着性樹脂テープ（以
下「粘着テープ」という）を用いる方法が提案されてい
る。

【０００３】粘着テープを用いるダイシング処理の一例
を説明する。

【０００４】まず、ウエーハ１をチップに切断する前
に、ウエーハマウンターという装置（図示せず）を用い
て、図１１（ａ）に示すように、粘着テープ２をウエー
ハ１の裏面に貼り付け、この粘着テープ２をフレーム３
に固定する。次に、図１１（ｂ）に示すように、フレー
ム３をダイサーのカットテーブル４にセットし、切断ブ
レード５を用いてウエーハ１をチップ６に切断する。そ
して、切断した後に、チップ６が粘着テープ２から剥が
れ易くするために、図１１（ｃ）に示すように、ＵＶ照
射機（図示せず）を用いて粘着テープ２の裏面から紫外
線を照射しテープの粘着力を弱めて、ピックアップ装置
を用いてチップ６をピックアップする。

【０００５】粘着テープを用いるダイシング処理の他の
例を説明する。まず、図１２（ａ）示すように、ウエー
ハ１の表面にキーバーコート７を塗布し、その上に粘着
テープ２を貼り付け、この粘着テープ２をフレーム３に
固定する。次に、図１２（ｂ）に示すように、ウエーハ
１の裏面に当該ウエーハ１の切断パターンに対応した溝
を切り出す。次に、図１２（ｃ）に示すように、ウエー
ハ１の表面の粘着テープ２を剥して、ウエーハ１の表面
のキーバーコート７を洗浄によって除去する。この後、
図１２（ｄ）に示すように、ウエーハ１の裏面に粘着テ
ープ２を貼り付け、この粘着テープ２をフレーム３に固
定する。さらに、図１２（ｅ）に示すように、フレーム
３をダイサーのカットテーブル４にセットし、切断ブレ
ード５を用いてウエーハ１をチップ６に切断する。そし
て、切断した後に、チップ６が粘着テープ２から剥がれ
易くするために、ＵＶ照射機（図示せず）を用いて粘着
テープ２の裏面から紫外線を照射しテープの粘着力を弱
めて（図１１（ｃ）参照）、ピックアップ装置を用いて
チップ６をピックアップする。

【０００６】また、粘着テープを使用しない、テープレ
スダイシング処理の例を説明する。まず、図１３（ａ）
に示すように、ウエーハ１を複数の開口部を設けたネス
ト８の上に載せる。次に図１３（ｂ）に示す真空ペデス
タル９を有する真空保持プレート１０を用い、図１３
（ｃ）に示すように、ウエーハ１が載せられたネスト８
をこの真空保持プレート１０に嵌合し、真空吸着により
ウエーハ１を保持した状態で切断ブレード５用いてウエ
ーハ１をチップ６に切断する（特開２０００−１００７
５７参照）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図１１を用いて説明したダイシング処理においては、切
断ブレード５を用いてウエーハ１をチップ６に切断する
際に、この切断ブレード５によって粘着テープ２の一部
も切断される。この粘着テープ２の切断屑がウエーハ
１、従ってチップ６の表面に付着すると、粘着性がある
ため、除去するのが困難であり、チップ６の品質不良を
起こし問題となる。また、粘着テープ２に貼り付けられ
たチップをピックアップする際に、静電気が発生し、チ
ップ６とピックアップヘッドの間で放電して静電破壊が
起こることにより品質不良が発生する。また、粘着テー
プ２を使用する場合、粘着テープ２の材料費が必要とな
り、使用後の粘着テープ２は廃棄しなければならないの
で、環境への影響も問題となる。さらに、粘着テープ２
の貼り付け装置であるウエーハマウンター、粘着テープ
２の粘着力を低下させるＵＶ照射機等の装置が必要であ
るため、加工装置が多くなり、設備費用がかかるという
問題点があった。

【０００８】また、上述の図１２を用いて説明したダイ
シング処理においては、粘着テープ２を切断しないた
め、切断時に粘着テープ２の切断屑がウエーハ１、従っ
てチップ６の表面に付着してチップ６の品質不良を起こ
すという問題はないが、加工工程が複雑となると共に、
装置コストが高いという問題点がある。さらに粘着テー
プ２の使用量が増加しコストアップとなり、かつチップ
６をピックアップする際に静電気が発生する問題は解決
されていない。

【０００９】また、上述の図１３を用いて説明したダイ
シング処理においては、ネスト８および真空保持プレー
ト１０を用い、真空吸着によりウエーハ１を保持するこ
とにより、粘着テープを使用する必要がなくなったが、
また半導体ウエーハ１を切断する際に、チップ部の周囲
に存在する破材部が飛散した場合に真空リークが発生
し、チップの保持ができなくなる等の問題点がある。

【００１０】そこで、この発明は、ダイシング処理の
際、粘着テープを用いることなく、粘着テープの切断屑
による品質の低下およびピックアップするとき静電気の
発生を防止し、コストを削減でき、かつ切断後のチップ
の保持も充分になし得る半導体ウエーハのダイシング装
置およびダイシング方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体ウ
エーハのダイシング装置は、複数のチップ部とこの複数
のチップ部の周囲に存在する複数の破材部とからなる半
導体ウエーハを切断して複数のチップを得るためのダイ
シング装置であって、半導体ウエーハの複数のチップ部
および複数の破材部のそれぞれに対応した複数の真空吸
着部と、この複数の真空吸着部の境界部分に形成された
複数の切断逃げ溝とを有し、半導体ウエーハを保持する
保持手段と、この保持手段に保持された半導体ウエーハ
を、この保持手段の切断逃げ溝に沿って切断して複数の
チップを得る切断手段とを備え、保持手段の複数のチッ
プ部に対応する複数の真空吸着部の吸着ポートと複数の
破材部に対応する複数の真空吸着部の吸着ポートとは、
分割されて真空装置に接続されるものである。

【００１２】また、この発明に係る半導体ウエーハのダ
イシング方法は、複数のチップ部とこの複数のチップ部
の周囲に存在する複数の破材部とからなる半導体ウエー
ハを切断して複数のチップを得るためのダイシング方法
であって、半導体ウエーハの複数のチップ部および複数
の破材部のそれぞれに対応した複数の真空吸着部と、こ
の複数の真空吸着部の境界部分に形成された複数の切断
逃げ溝とを有し、複数のチップ部に対応する複数の真空
吸着部の吸着ポートと複数の破材部に対応する複数の真
空吸着部の吸着ポートとが分割されて真空装置に接続さ
れている保持部に、半導体ウエーハを保持する工程と、
保持部に保持された半導体ウエーハを、保持手段の切断
逃げ溝に沿って切断して複数のチップを得る工程とを備
えるものである。

【００１３】この発明においては、複数のチップ部およ
び複数の破材部のそれぞれに対応した複数の真空吸着部
と、この複数の真空吸着部の境界部分に形成された複数
の切断逃げ溝とを有する保持手段が用意される。ここ
で、複数のチップ部に対応する複数の真空吸着部の吸着
ポートと複数の破材部に対応する複数の真空吸着部の吸
着ポートとが分割されて真空装置に接続されている。こ
の保持手段に半導体ウエーハが保持された状態で、保持
手段の切断逃げ溝に沿って切断が行われて複数のチップ
が得られる。

【００１４】例えば、保持手段に保持される半導体ウエ
ーハと保持手段の相対位置を検出し、半導体ウエーハの
切断パターンが上記保持手段の切断逃げ溝に一致するよ
うに位置合わせを行うことで、半導体ウエーハを切断パ
ターンに沿って正しく切断することが可能となる。

【００１５】このように半導体ウエーハを保持手段に保
持した状態で切断（ダイシング）を行うものであり、ウ
エーハ保持用粘着テープを使用する必要がなく、粘着テ
ープの切断屑による品質の低下およびピックアップ時の
静電気の発生を防止でき、またコストの削減を図ること
ができる。

【００１６】また、保持手段において複数のチップ部に
対応する複数の真空吸着部の吸着ポートと複数の破材部
に対応する複数の真空吸着部の吸着ポートとが分割され
て真空装置に接続されており、切断時に破材部が飛散
し、破材部に対応する真空吸着部の吸着ポートに真空リ
ークが発生する場合であっても、チップ部に対応する真
空吸着部の吸着ポートにはその影響がなく、チップを安
定して保持することができる。

【００１７】なお、上記切断手段で切断されて得られた
複数のチップを、各チップを個々にピックアップするた
めのピックアップステージに一括して搬送する搬送手段
を設けることで、搬送時間の短縮化を図ることができ
る。この場合、搬送手段が複数のチップにそれぞれ対応
した複数の真空吸着パッドを有する構成とすることで、
複数のチップを安定して搬送できるようになる。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の実施の形態の
ダイシング装置１００の構成を示している。図１は、ダ
イシング装置１００の平面図である。このダイシング装
置１００は、半導体ウエーハをチップに切り分けるダイ
シング処理を行うためのものである。

【００１９】図１に示すように、ダイシング装置１００
は、ウエーハ１を供給するウエーハローダー１１と、搬
送アーム１２と、アライメントステージ１３と、搬送ロ
ボット１４と、保持手段としてのテープレスカットテー
ブル１５と、切断手段としての切断ブレード１６と、ピ
ックアップステージ１７と、ピックアップロボット１
８、洗浄機１９とから構成されている。

【００２０】ウエーハローダー１１は、ウエーハ１を収
納するカセット式ウエーハキャリア２０にウエーハ１を
装填する機構である。ウエーハキャリア２０に収納され
るウエーハ１はウエーハ搬送アーム１２で取り出すこと
が可能とされる。

【００２１】ウエーハ搬送アーム１２は、ウエーハキャ
リア２０からウエーハ１を取り出し、アライメントステ
ージ１３に搬送する。アライメントステージ１３では、
このウエーハ１をテープレスカットテーブル１５にセッ
トするために、ウエーハ１のＸ、Ｙ、θの位置合わせが
行われる。

【００２２】図２は、搬送ロボット１４の構成を示して
いる。図２（ａ）は、コレット１４ａが取り付けられて
いる状態、図２（ｂ）は、コレット１４ａの局部断面図
である。

【００２３】図２（ａ）に示す搬送ロボット１４はコレ
ット１４ａを備えており、アライメントステージ１３で
位置合わせが行われたウエーハ１をこのコレット１４ａ
で真空吸着により保持し、テープレスカットテーブル１
５まで搬送する。また、テープレスカットテーブル１５
では、画像処理により相対位置を検出する検出機構３０
の検出出力に基づいて、ウエーハ１の切断パターンとテ
ープレスカットテーブル１５の後述するブレード逃げ溝
２２とが一致するように位置合わせ（アライメント）が
行われる。なお、搬送ロボット１４は、ウエーハ１が切
断されて得られた複数のチップ６をテープレスカットテ
ーブル１５からピックアップステージ１７まで搬送す
る。

【００２４】図２（ｂ）に示すように、コレット１４ａ
の下部には、複数のチップ６にそれぞれ対応した複数の
吸着パッド１４ｂが設けられている。なお、これらの吸
着パッド１４ｂをチップ６の表面に当接し、真空吸引を
行うことで複数のチップ６を個々に吸着することが可能
となる。これにより、複数のチップを一括でテープレス
カットテーブル１５からピックアップステージ１７まで
搬送することができる。

【００２５】テープレスカットテーブル１５は、真空吸
着によりウエーハ１を保持できる。図３は、このテープ
レスカットテーブル１５の構成を示している。図３
（ａ）は、平面図、図３（ｂ）は、底面図である。テー
プレスカットテーブル１５はウエーハ１複数のチップ部
および複数の破材部に対応した複数の真空吸着部２１
と、この複数の真空吸着部２１の境界部分に形成された
ブレード逃げ溝２２を有している。このテープレスカッ
トテーブル１５の、複数のチップ部に対応する複数の真
空吸着部２１の吸着ポート（チップ吸着ポート）２３と
複数の破材部に対応する複数の真空吸着部の吸着ポート
（破材吸着ポート）２４が分割され、真空装置に接続さ
れている。また、ウエーハ１を切断する際に、テープレ
スカットテーブル１５や切断ブレード１６が損傷しない
ように、ブレード逃げ溝２２の幅は、切断ブレード１６
の幅より大きくされている。

【００２６】図４は、真空吸着部２１の構成を示してい
る。図４（ａ）は、真空吸着部２１の平面図、図４
（ｂ）は、真空吸着部２１のＡ−Ａ線断面図である。こ
の真空吸着部２１にはチップサイズに合った吸着角穴２
５が形成されている。また、高い吸着力を得るために、
真空吸着部２１のウエーハ１との接触面２１ａの表面は
ラッピングによる研磨面とされる。また、テープレスカ
ットテーブル１５の素材には、金属が使用され、特に耐
食性に優れているＳＵＳ３０３、ＳＵＳ３１６ｊが適し
ている。また、接触面２１ａの硬度が必要な場合、コー
テイングおよび窒化処理を施すことにより耐磨耗性が向
上する。さらに、吸着時の真空リークを防止するため
に、接触面２１に弾性を持ったシート、例えばゴムシー
トを貼り付けてもよい。このシートの厚さは５０μｍか
ら１５０μｍがもっとも適している。

【００２７】また、テープレスカットテーブル１５の側
にウエーハ１の洗浄・乾燥器３１（図１参照）が設置さ
れている。切断ブレード１６は、高速回転するスピンド
ルの先端に取り付けられた、ダイヤモンド粒子を貼り付
けた外周刃を有する切断機構である。

【００２８】図５は、ピックアップステージ１７の構成
を示している。図５（ａ）は、ピックアップステージの
平面図、図５（ｂ）は、ピックアップステージの断面図
である。図５に示すように、ピックアップステージ１７
は、吸着穴が設けられており、真空吸着によってチップ
を吸着固定することが可能とされる。ウエーハ１が切断
されて得られたチップ６が搬送ロボット１４で運ばれ、
ピックアップステージ１７の上に載せられる。ここで、
チップ６を良品、不良品別にピックアップする。

【００２９】ピックアップロボット１８には、カメラ２
６とピックアップヘッド２７が設置されている。カメラ
２６は、プローブテストで不良と判定されたチップの上
に不良マーキングされたマップ情報を読み取ることによ
って、チップの良品と不良品を判別し、ピックアップヘ
ッド２７で良品のチップをトレー２８に搬送し、不良品
のチップをトレー２９に搬送する。洗浄機１９は、ピッ
クアップロボット１８がピックアップした良品のチップ
を洗浄するものである。

【００３０】このようなダイシング装置１００を用い、
ウエーハ１をダイシング処理する場合、まず、ウエーハ
１をテープレスカットテーブル１５にセットし、次に、
ウエーハ１の切断パターンに対応するブレード逃げ溝２
２に沿ってウエーハ１を切断し、ウエーハ１を切断して
得られた複数のチップ６を一括でピックアップステージ
１７へ搬送する。

【００３１】このダイシング処理について、図６〜図１
０を参照してさらに詳細に説明する。図６〜図９はダイ
シング処理の主な工程図である。また、図１０はそのダ
イシング処理のフロチャートである。

【００３２】まず、図６を参照して、ウエーハ供給工程
を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、ウエーハ
搬送アーム１２でウエーハキャリア２０からウエーハ１
を取り出す。次に、図６（ｂ）に示すように、このウエ
ーハ１をアライメントステージ１３まで搬送し、またテ
ープレスカットテーブル１５にセットするために、アラ
イメントステージ１３で検出機構３０の検出結果によっ
て、ウエーハ１のアライメントを行い、Ｘ，Ｙ，θの位
置を決める。次に、図６（ｃ）示すように、搬送ロボッ
ト１４でウエーハ１をテープレスカットテーブル１５へ
搬送する。また、テープレスカットテーブル１５で相対
位置を検出する検出機構３０ａの検出結果に基づいて、
ウエーハ１のアライメントを行う。この場合、搬送ロボ
ット１４が検出機構３０ａの検出結果によって、ウエー
ハ１とテープレスカットテーブル１５の相対位置を調節
し、ウエーハ１の切断パターンをテープレスカットテー
ブル１５のブレード逃げ溝２２に合わせて、ウエーハ１
をテープレスカットテーブル１５にセットする。次に、
真空吸引でウエーハ１を吸着することにより保持する。

【００３３】次に、図７に参照して、ウエーハ切断工程
を説明する。まず、図７（ａ）に示すように、テープレ
スカットテーブル１５にセットされたウエーハ１を、切
断ブレード１６でテープレスカットテーブル１５のブレ
ード逃げ溝２２（図３参照）に沿って切断する。その
後、図７（ｂ）に示すように、テープレスカットテーブ
ル１５で切断されたウエーハ１の表面を洗浄し、乾燥さ
せる。

【００３４】次に、図８に参照して、チップ搬送工程を
説明する。まず、図８（ａ）に示すように、搬送ロボッ
ト１４に取り付けられたコレット１４ａの下部に配置さ
れた複数の吸着パッド１４ｂによって（図２参照）、ウ
エーハ１を切断して得られた各チップ６を吸着して引き
上げる。次に、図８（ｂ）に示すように、乾燥器３１で
各チップ６の裏面を乾燥させる。次に、図８（ｃ）に示
すように、各チップ６を一括してピックアップステージ
１７まで搬送し、ピックアップステージ１７の上に放置
し、真空吸着により各チップ６をピックアップステージ
１７に固定する。

【００３５】その後、図９（ａ）示すようにピックアッ
プロボット１８に取り付けられたカメラ２６でプローブ
テストで不良と判定されたチップの上に不良マーキング
されたマップ情報と照合し、チップの良品と不良品を選
別してピックアップヘッド２７でピックアップし、良品
をトレー２９に搬送し、ピックアップ後洗浄機１９（図
１参照）で洗浄する。また、不良品をピックアップヘッ
ド２７でトレー２９に搬送する。また、ピックアップ
後、図９（ｂ）に示すように、テープレスカットテーブ
ル１５を洗浄する。

【００３６】次に、図１０に示すように、全てのウエー
ハの処理が完了するまで、上述したように繰り返してダ
イシング処理を行う。このように、ウエーハ１をテープ
レスカットテーブル１５にセットし、ウエーハ１の切断
パターンに対応するブレード逃げ溝２２に沿ってウエー
ハ１を切断して、切断したウエーハ１からなる複数のチ
ップ６を一括でピックアップステージ１７へ搬送するこ
とにより、粘着テープを使用する必要がなく、ウエーハ
１のダイシング処理を行うことができる。

【００３７】このように本実施の形態においては、ダイ
シング処理をする際に、チップ６のサイズに適した複数
の真空吸着部２１とウエーハ１の切断パターンに対応す
るブレード逃げ溝２２を有するテープレスカットテーブ
ル１５にウエーハ１を真空吸着した状態でダイシングを
行うものであり、粘着テープを使用する必要がなく、粘
着テープの切断屑による品質低下、ピックアップすると
き静電気の発生を防止し、コストを削減し得ることが可
能となる。また、切断後のチップの保持も充分になし得
る。

【００３８】また、テープレスカットテーブル１５に対
応して設置された検出機構３０ａでウエーハ１とテープ
レスカットテーブル１５の相対位置が検出され、その検
出結果に基づいて、ウエーハ１とテープレスカットテー
ブル１５の相対位置を調節することにより、ウエーハ１
の切断パターンとテープレスカットテーブル１５の切断
ブレード逃げ溝２２とを正確に合わせることができ、ダ
イシング時の誤カットを防止することが可能となる。

【００３９】また、搬送ロボット１４に備えられたコレ
ット１４ａの下部に複数の吸着パッド１４が配置されて
おり、ウエーハ１が切断されて得られた複数のチップ６
をテープレスカットテーブル１５からピックアップステ
ージ１７に一括して搬送することができる。これによ
り、搬送時間を短縮できると共に、複数のチップ６を確
実に搬送できる。

【００４０】なお、上述実施の形態においては、テープ
レスカットテーブル１５の真空吸着部２１には吸着角穴
２５を設けたものであったが、これに限定されるもので
はない。例えば、吸着穴として丸穴あるいは多辺形穴を
設けてもよい。

【００４１】また、上述実施の形態においては、テープ
レスカットテーブル１５の素材には、金属を使用したも
のであったが、これに限定されるものではない。例え
ば、セラミックにしてもよい。

【００４２】

【発明の効果】この発明によれば、複数のチップ部およ
び複数の破材部のそれぞれに対応した複数の真空吸着部
と、この複数の真空吸着部の境界部分に形成された複数
の切断逃げ溝とを有し、複数のチップ部に対応する複数
の真空吸着部の吸着ポートと複数の破材部に対応する複
数の真空吸着部の吸着ポートとが分割されて真空装置に
接続されている保持部に半導体ウエーハを保持して切断
を行うものである。

【００４３】したがって、この発明によれば、ウエーハ
保持用粘着テープを使用する必要がなく、粘着テープの
切断屑による品質の低下およびピックアップ時の静電気
の発生を防止でき、またコストの削減を図ることができ
る。また、この発明によれば、切断時に破材部が飛散
し、破材部に対応する真空吸着部の吸着ポートに真空リ
ークが発生する場合であっても、チップ部に対応する真
空吸着部の吸着ポートにはその影響がなく、チップを安
定して保持することができる。また、ウエーハの飛散し
易い破材部を先に切断し、ピックアップ装置で取り除い
た後に、チップ部を切断することができる。

【００４４】また、この発明によれば、保持手段に保持
される半導体ウエーハと保持手段の相対位置を検出し、
半導体ウエーハの切断パターンが上記保持手段の切断逃
げ溝に一致するように位置合わせを行うものであり、半
導体ウエーハを切断パターンに沿って正しく切断するこ
とができる。

【００４５】また、この発明によれば、切断手段で切断
されて得られた複数のチップを、各チップを個々にピッ
クアップするためのピックアップステージに一括して搬
送する搬送手段を設けるものであり、搬送時間の短縮化
を図ることができる。この場合、搬送手段が複数のチッ
プにそれぞれ対応した複数の真空吸着パッドを有する構
成とすることで、複数のチップを安定して搬送できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態のダイシング装置の平面図である。

【図２】搬送ロボットの構成を示す図である。

【図３】テープレスカットテーブルの構成を示す図であ
る。

【図４】テープレスカットテーブルの真空吸着部の構成
を示す図である。

【図５】ピックアップステージの構成を示す図である。

【図６】ダイシング処理のウエーハ供給工程を示す図で
ある。

【図７】ダイシング処理のウエーハ切断工程を示す図で
ある。

【図８】ダイシング処理のチップ搬送工程を示す図であ
る。

【図９】ピックアップおよびテープレスカットテーブル
洗浄を示す図である。

【図１０】テープレスダイシングフローチャートであ
る。

【図１１】粘着テープを用いるダイシング処理の例を示
す図である。

【図１２】粘着テープを用いるダイシング処理の他の例
を示す図である。

【図１３】粘着テープを使用しない、テープレスダイシ
ング処理の例を示す図である。

【符号の説明】

１・・・ウエーハ、２・・・粘着テープ、３・・・フレ
ーム、４・・・カットテーブル、５，１６・・・切断ブ
レード、６・・・チップ、７・・・キーバーコート、８
・・・ネスト、９・・・真空ペデスタル、１０・・・真
空保持プレート、１１・・・ウエーハローダー、１２・
・・搬送アーム、１３・・・アライメントステージ、１
４・・・搬送ロボット、１４ａ・・・コレット、１４ｂ
・・・吸着パッド、１５・・・テープレスカットテーブ
ル、１７・・・ピックアップステージ、１８・・・ピッ
クアップロボット、１９・・・洗浄機、２０・・・ウエ
ーハキャリア、２１・・・真空吸着部、２１ａ・・・接
触面、２２・・・ブレード逃げ溝、２３・・・チップ吸
着ポート、２４・・・破材吸着ポート、２５・・・吸着
角穴、２６・・・カメラ、２７・・・ピックアップヘッ
ド、２８，２９・・・トレー、３０，３０ａ・・・検出
機構、３１・・・洗浄・乾燥器、１００・・・ダイシン
グ装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のチップ部とこの複数のチップ部の
周囲に存在する複数の破材部とからなる半導体ウエーハ
を切断して複数のチップを得るためのダイシング装置で
あって、上記半導体ウエーハの上記複数のチップ部および上記複
数の破材部のそれぞれに対応した複数の真空吸着部と、
該複数の真空吸着部の境界部分に形成された複数の切断
逃げ溝とを有し、上記半導体ウエーハを保持する保持手
段と、上記保持手段に保持された半導体ウエーハを、上記保持
手段の切断逃げ溝に沿って切断して複数のチップを得る
切断手段とを備え、上記保持手段の上記複数のチップ部に対応する複数の真
空吸着部の吸着ポートと上記複数の破材部に対応する複
数の真空吸着部の吸着ポートとは、分割されて真空装置
に接続されることを特徴とする半導体ウエーハのダイシ
ング装置。
【請求項２】上記保持手段に保持される上記半導体ウ
エーハと上記保持手段の相対位置を検出し、上記半導体
ウエーハの切断パターンが上記保持手段の切断逃げ溝に
一致するように位置合わせをする位置合わせ手段をさら
に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエ
ーハのダイシング装置。
【請求項３】上記切断手段で切断されて得られた上記
複数のチップを、各チップを個々にピックアップするた
めのピックアップステージに一括して搬送する搬送手段
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導
体ウエーハのダイシング装置。
【請求項４】上記搬送手段は、上記複数のチップにそ
れぞれ対応した複数の真空吸着パッドを有することを特
徴とする請求項３に記載の半導体ウエーハのダイシング
装置。
【請求項５】複数のチップ部とこの複数のチップ部の
周囲に存在する複数の破材部とからなる半導体ウエーハ
を切断して複数のチップを得るためのダイシング方法で
あって、上記半導体ウエーハの上記複数のチップ部および上記複
数の破材部のそれぞれに対応した複数の真空吸着部と、
該複数の真空吸着部の境界部分に形成された複数の切断
逃げ溝とを有し、上記複数のチップ部に対応する複数の
真空吸着部の吸着ポートと上記複数の破材部に対応する
複数の真空吸着部の吸着ポートとが分割されて真空装置
に接続されている保持部に、上記半導体ウエーハを保持
する工程と、上記保持部に保持された半導体ウエーハを、上記保持手
段の切断逃げ溝に沿って切断して複数のチップを得る工
程とを備えることを特徴とする半導体ウエーハのダイシ
ング方法。