JP6006202B2 - Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＺｎＯ系スパッタリングターゲット - Google Patents

Description

本発明は、酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜作製用のスパッタリングターゲット、特に、薄膜トランジスタ用の酸化物薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲットに関する。

電界効果型トランジスタは、半導体メモリ集積回路の単位電子素子、高周波信号増幅素子、液晶駆動用素子等として広く用いられており、現在、最も多く実用化されている電子デバイスである。そのなかでも、近年における表示装置の発展に伴い、液晶表示装置（ＬＣＤ）のみならず、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等の各種表示装置において、表示素子に駆動電圧を印加して表示装置を駆動させるスイッチング素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が多用されている。

ＴＦＴ駆動素子には、現在、シリコン系半導体薄膜が最も広く用いられている。一方、シリコン系半導体薄膜よりも安定性が優れることから、金属酸化物からなる透明半導体薄膜が注目されている。
金属酸化物を利用した半導体膜の１つとして、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜があり、多数の検討がなされている。しかしながら、工業的に一般に行われているスパッタリング法で成膜した場合には、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜は、酸素欠陥が入りやすく、キャリア電子が多数発生し、電気伝導度を小さくすることが難しいという問題があった。また、スパッタリング法による成膜の際に、異常放電が発生し、成膜の安定性が損なわれ、得られる膜の均一性及び再現性が低下する問題があった。

また、特に、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜は、その電界効果移動度（以下、単に「移動度」という場合がある）が１ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ程度と低く、ｏｎ−ｏｆｆ比が小さい上、漏れ電流が発生しやすい。このため、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜を、ＴＦＴの活性層（チャネル層）として使用する際には、ゲート電圧無印加時であってもソース端子及びドレイン端子間に大きな電流が流れてしまい、ＴＦＴのノーマリーオフ動作を実現できないという問題があった。また、トランジスタのオン・オフ比を大きくすることも難しかった。
このように、酸化亜鉛を含有する酸化物半導体膜を使用して得られるＴＦＴは、移動度が低い、ｏｎ−ｏｆｆ比が低い、漏れ電流が大きい、ピンチオフが不明瞭、ノーマリーオンになりやすい等、ＴＦＴの性能が低くなるおそれがあった。また、耐薬品性が劣るため、ウェットエッチングが難しい等製造プロセスや使用環境の制限があった。

ところで、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜では、移動度等の性能を上げるために、高い圧力で成膜する必要がある。そのため、成膜速度が遅かった。また、７００℃以上の高温処理が必要であるため、工業化にも問題があった。
また、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜を用いたＴＦＴの場合、ボトムゲート構成での移動度等のＴＦＴ性能が低い。性能を上げるにはトップゲート構成で膜厚を１００ｎｍ以上にする必要等がある。従って、ＴＦＴの素子構成に制限もあった。

このような問題を解決するため、酸化インジウム、酸化ガリウム及び酸化亜鉛からなる非晶質酸化物半導体膜を薄膜トランジスタとして駆動させる方法が検討されている。また、酸化インジウム、酸化ガリウム及び酸化亜鉛からなる非晶質酸化物半導体膜を工業的に量産性に優れたスパッタリング法で形成する検討も行われている。しかし、ガリウムは希少金属で原料コストが高く、ガリウムの添加量を少なくしてしまうと、成膜時の酸素分圧を高くしないとＴＦＴのノーマリーオフ動作を実現できないといった問題があった。

一方、ガリウムを含まずに、酸化インジウム及び酸化亜鉛からなる非晶質酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタも提案されている（特許文献１、非特許文献１）。しかしながら、上記と同様、成膜時の酸素分圧を高くしないとＴＦＴのノーマリーオフ動作を実現できないといった問題があった。
また、酸化錫を主成分としたＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２−ＺｎＯ系酸化物にＴａやＹ、Ｓｉといった添加元素を含む光情報記録媒体の保護層用のスパッタリングターゲットが検討されている（特許文献２、３）。しかしながら、酸化物半導体用ではなく、また、絶縁性物質の凝集体が形成され易く、抵抗値が高くなってしまうことや異常放電が起こり易いという問題があった。

特許第４６２００４６号公報 国際公開第２００５／０７８１５２号パンフレット 国際公開第２００５／０７８１５３号パンフレット

Ｋａｃｈｉｒａｙｉｌ Ｊ．Ｓａｊｉ ｅｔ ａｌ．， ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＴＨＥ ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ ＳＯＣＩＥＴＹ，１５５（６），Ｈ３９０−３９５（２００８）

本発明の目的は、スパッタリング法を用いて酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を成膜する際の酸素分圧を高くすることなく、良好なＴＦＴ特性を実現させるスパッタリングターゲットを提供するものである。

本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
１．インジウム元素（Ｉｎ）、錫元素（Ｓｎ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、下記のＸ群から選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなり、各元素の原子比が下記式（１）〜（４）を満たすスパッタリングターゲット。
Ｘ群：Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．８５ （１）
０．０１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．４０ （２）
０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．７０ （３）
０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９ （４）
（式中、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）
２．スパッタリングターゲットに含まれるＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}）と、前記元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉ_ｘ）が、下記式（５）を満たす１に記載のスパッタリングターゲット。
Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}≦０．１５ （５）
３．スパッタリングターゲットに含まれるＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}）と、前記元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉ_ｘ）が、下記式（６）を満たす１に記載のスパッタリングターゲット。
Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}≦０．１５ （６）
４．元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径が１０μｍ以下である１〜３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
５．前記スパッタリングターゲットにおいて、焼き上がり面を除去した後のターゲット表面部と該表面から平面研削盤で２ｍｍ研削した部分とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差（ΔＥ^＊）が３．０以下である１〜４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
６．比抵抗が３０ｍΩｃｍ以下、相対密度が９０％以上である１〜５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
７．元素ＸがＺｒである１〜６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
８．酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合、粉砕する工程Ａと、前記工程Ａで得た混合粉を７００〜１２００℃の温度で熱処理する工程Ｂと、前記工程Ｂで得た熱処理粉に、酸化錫粉及び酸化亜鉛粉を加えて混合粉砕する工程Ｃと、を含む１〜７のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
９．上記１〜７のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて作製した酸化物薄膜。
１０．上記９に記載の酸化物薄膜を用いた薄膜トランジスタ。

本発明によれば、スパッタリング法を用いて酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を成膜する際に、酸素分圧を高くする必要がなく、かつ、凝集体ができにくく異常放電の発生を抑制したスパッタリングターゲットが得られる。

実施例１で得たスパッタリングターゲットのＸ線チャートである。

本発明のスパッタリングターゲットは、インジウム元素（Ｉｎ）、錫元素（Ｓｎ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群（以下、Ｘ群という）より選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなる。そして、各元素の原子比が下記式（１）〜（４）を満たすことを特徴とする。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．８５ （１）
０．０１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．４０ （２）
０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．７０ （３）
０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９ （４）
（式中、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）

スパッタリングターゲットに、上記Ｘ群から選択される１以上の元素Ｘを含有させることにより、スパッタリング時の酸素分圧を低くできる。
上記Ｘ群の元素の中でも、Ｉｎ元素、Ｓｎ元素又はＺｎ元素と複合酸化物を作るものが好ましい。複合酸化物を作らない元素の場合、Ｉｎ含有酸化物への固溶量が大きい元素が好ましい。尚、Ｉｎ含有酸化物への固溶は、インジウム元素と元素Ｘのイオン半径の差が少ないほど生じやすい。また、元素Ｘと酸素との電気陰性度の差が、Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎ元素と、酸素との電気陰性度の差よりも大きい方が好ましい。この場合、元素Ｘの酸化物はイオン結合性が非常に強い酸化物となるため、スパッタリング時の酸素分圧を低くすることができる。
尚、Ｘ群はＭｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍ以外にも酸素との電気陰性度の差がＩｎ、Ｓｎ及びＺｎ元素と、酸素との電気陰性度の差よりも大きければ、同様の効果が得られるため、これら元素に限定されることは無い。
Ｘ群の元素のうち、好ましくはＭｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｚｒ及びＨｆであり、特に好ましくはＡｌ，Ｚｒ及びＨｆである。

本発明のスパッタリングターゲットでは、ターゲット中のＩｎ元素、Ｓｎ元素及びＺｎ元素の合計（原子比）に占めるＩｎ元素の量[Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）]は、下記式（１）の関係を満たす。
０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．８５ （１）

式（１）において、Ｉｎ元素の量が０．１０よりも少ないと、スパッタリングターゲットのバルク抵抗値が高くなるため、ＤＣスパッタリングが不可能となる。
一方、Ｉｎ元素の量が０．８５よりも多いと、元素Ｘの添加によるスパッタリング中の酸素分圧を低くする効果が得られなくなり、良好なＴＦＴ特性を有する酸化物薄膜を成膜することが難しくなる。また、Ｚｎが少ないため得られる膜が非晶質膜となり、安定した酸化物薄膜が得られない場合がある。
Ｉｎ元素の量[Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）]は、好ましくは０．２０〜０．７５であり、さらに好ましくは、０．３０〜０．６０である。

また、ターゲット中のＩｎ元素、Ｓｎ元素及びＺｎ元素の合計（原子比）に占めるＳｎ元素の量[Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）]は、下記式（２）の関係を満たす。
０．０１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．４０ （２）

式（２）において、Ｓｎ元素の量が０．０１よりも少ないと、焼結体密度が十分に向上せず、ターゲットのバルク抵抗値が高くなるおそれがある。
一方、Ｓｎ元素の量が０．４０よりも多いと、得られる薄膜のウェットエッチャントへの溶解性が低下するため、ウェットエッチングが困難になる。
Ｓｎ元素の量[Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）]は、好ましくは０．０５〜０．３０であり、さらに好ましくは、０．１０〜０．２０である。

また、ターゲット中のＩｎ元素、Ｓｎ元素及びＺｎ元素の合計（原子比）に占めるＺｎ元素の量[Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）]は、下記式（３）の関係を満たす。
０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．７０ （３）

式（３）において、Ｚｎ元素の量が０．１０よりも少ないと、得られる膜が非晶質膜として安定しないおそれがある。一方、Ｚｎ元素の量が０．７０よりも多いと、得られる薄膜のウェットエッチャントへの溶解速度が高すぎるため、ウェットエッチングが困難になる。
Ｚｎ元素の量[Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）]は、好ましくは０．２５〜０．６０であり、さらに好ましくは、０．４０〜０．５０である。

また、本発明のスパッタリングターゲットでは、ターゲット中のＩｎ元素及び元素Ｘの合計（原子比）に占めるＩｎ元素の量[Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）]は、下記式（４）の関係を満たす。
０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９ （４）

式（４）において、Ｉｎ元素の量が０．７０よりも少ないと、ターゲット中の元素Ｘの割合が高くなり、その結果、絶縁性物質の凝集体が形成され易くなり、ターゲットの抵抗値が高くなる。また、スパッタリング時において異常放電（アーキング）が起こりやすくなる。
一方、Ｉｎ元素の量が０．９９よりも多いと、元素Ｘの添加量が足りないため、元素Ｘの添加による効果が得られなくなる。
Ｉｎ元素の量[Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）]は、好ましくは０．８０〜０．９９であり、さらに好ましくは、０．８５〜０．９９である。
尚、スパッタリングターゲットに元素Ｘを２種以上添加する場合、式（４）のＸが示す原子比は、添加した元素Ｘの原子比の合計を意味する。

本発明のスパッタリングターゲットでは、ターゲットに含まれるＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}）と、元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉ_ｘ）の比（Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}）が、下記式（５）を満たすことが好ましい。
Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}≦０．１５ （５）

また、スパッタリングターゲットに含まれるＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}）と、元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉ_ｘ）の比（Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}）が、下記式（６）を満たすことが好ましい。
Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}≦０．１５ （６）

上記式（５）及び（６）で表される比は、スパッタリングターゲットに含まれる元素Ｘと酸素からなる化合物量を相対的に示すものである。元素Ｘと酸素からなる化合物は絶縁性物質であるため、上記比が０．１５よりも大きいと、スパッタリングターゲットのバルク抵抗が高くなるおそれがある。
上記比は０．１以下であることが好ましく、特に、０．０５以下であることが好ましい。

ターゲットが、Ｉｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物、及び元素Ｘと酸素からなる化合物を含むことは、Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）で確認できる。
Ｉｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物（あるいは希土類酸化物Ｃ型の結晶構造）とは、希土類酸化物Ｃ型あるいはＭｎ_２Ｏ_３（Ｉ）型酸化物とも言われる。「透明導電膜の技術」（（株）オーム社出版、日本学術振興会、透明酸化物・光電子材料第１６６委員会編、１９９９）等に開示されている通り、化学量論比がＭ_２Ｘ_３（Ｍは陽イオン、Ｘは陰イオンで通常酸素イオン）で、一つの単位胞はＭ_２Ｘ_３：１６分子、合計８０個の原子（Ｍが３２個、Ｘが４８個）により構成されている。

尚、結晶構造中の原子やイオンが一部他の原子で置換された置換型固溶体、他の原子が格子間位置に加えられた侵入型固溶体もビックスバイト構造化合物に含まれる。
本発明のターゲットの構成成分であるビックスバイト構造化合物は、これらの内、Ｉｎ_２Ｏ_３で表される化合物、即ちＸ線回折で、ＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ｏｎ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）データベースのＮｏ．０６−０４１６のピークパターンか、あるいは類似の（シフトした）パターンを示すものである。

Ｚｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造とは、「結晶化学」（講談社、中平光興著、１９７３）等に開示されている通り、通常ＡＢ_２Ｘ_４の型あるいはＡ_２ＢＸ_４の型をスピネル構造と呼び、このような結晶構造を有する化合物をスピネル構造化合物という。
一般にスピネル構造では、陰イオン（通常は酸素）が立方最密充填をしており、その四面体隙間及び八面体隙間の一部に陽イオンが存在している。尚、結晶構造中の原子やイオンが一部他の原子で置換された置換型固溶体、他の原子が格子間位置に加えられた侵入型固溶体もスピネル構造化合物に含まれる。

本発明のターゲットの構成成分であるスピネル構造化合物は、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４で表される化合物である。即ち、Ｘ線回折で、ＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ｏｎ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ） データベースのＮｏ．２４−１４７０のピークパターンか、あるいは類似の（シフトした）パターンを示すものである。

元素Ｘと酸素からなる化合物としては、例えば、ＭｇＯ，ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，Ｓｃ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２，Ｙ_２Ｏ_３，ＺｒＯ_２，ＨｆＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｎｄ_２Ｏ_３，Ｓｍ_２Ｏ_３等が挙げられる。即ち、Ｘ線回折で、ＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ｏｎ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）データベースのそれぞれＮｏ．４５−０９４６、８９−１６６８、４６−１２１２、４２−１４６３、２１−１２７２、４１−１１０５、３７−１４８４、０６−０３１８、１８−１３０４、０５−０６０２、４３−１０２３、４３−１０３０のピークパターンか、あるいは類似の（シフトした）パターンを示すものである。

本発明のスパッタリングターゲットでは、元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径が１０μｍ以下であることが好ましい。平均結晶粒径を１０μｍ以下とすることにより、スパッタリングターゲットのバルク抵抗を低減でき、異常放電を抑制することができる。元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径は、好ましくは６μｍ以下であり、さらに好ましくは４μｍ以下である。
尚、平均結晶粒径はＸ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定した値である。詳細については実施例で説明する。

本発明のスパッタリングターゲットでは、焼き上がり面を除去した後のターゲット表面部と表面から平面研削盤で２ｍｍ研削した中心部とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差：ΔＥ^＊が３．０以下であることが好ましい。
ΔＥ^＊が３．０以下であると、目視での色差が目立たなくなり、かつ面内の焼結体抵抗値が均一になることで、異常放電の低下、薄膜抵抗値の面内均一性の向上等の効果が得られる。
尚、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊とはｘｙｚ表色系に基づく色空間であり、Ｌ^＊値は明度を表し、ａ^＊とｂ^＊は色度座標になっており、色相と彩度を一緒に表している。Ｌ^＊値は色に関係なく明るさ（明度）だけを表し、Ｌ＝０（黒）からＬ＝１００（白）までの値を取っており，値が大きいほど白く明るいことを意味する。ａ^＊は赤から緑への軸であり、＋ａ^＊は赤方向を−ａ^＊は緑方向を表し、ｂ^＊は黄から青への軸であり、＋ｂ^＊は黄方向を−ｂ^＊は青方向を表している。

本発明のスパッタリングターゲットの比抵抗値は３０ｍΩｃｍ以下であることが好ましく、さらに１０ｍΩｃｍ以下であることが好ましく、特に５ｍΩｃｍ以下であることが好ましい。比抵抗を３０ｍΩｃｍ以下とすることにより、ＤＣスパッタリングが可能となり、得られる薄膜トランジスタのＴＦＴ特性の均一性及びＴＦＴ特性の再現性を向上させることができる。
尚、スパッタリングターゲットの比抵抗値は、四探針法（ＪＩＳ Ｒ １６３７）に基づき測定したバルク抵抗を意味する。

また、本発明のスパッタリングターゲットの相対密度は９０％以上であることが好ましく、さらに９５％以上であることが好ましく、特に９８％以上であることが好ましい。相対密度で９０％未満の場合、成膜中にターゲットが割れたり、成膜速度が遅くなるおそれがある。
尚、相対密度はターゲットの密度の実測値を理論密度で除して求める。

本発明では、本発明の効果を損ねない範囲において、上述したＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及び元素Ｘ以外の他の金属元素を含有していてもよい。しかしながら、本発明においては、酸化物焼結体に含有される金属元素は、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及び元素Ｘのみ、又はＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及び元素Ｘのみであってもよい。本発明において「実質的」とは、スパッタリングターゲットとしての効果が上記Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及び元素Ｘに起因すること、又はスパッタリングターゲットの金属元素の９５重量％以上１００重量％以下（好ましくは９８重量％以上１００重量％以下）がＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及び元素Ｘであることを意味する。上記のように、本発明のスパッタリングターゲットに含有される金属元素は、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及び元素Ｘからなっており、本発明の効果を損なわない範囲で他に不可避不純物を含んでいてもよい。

本発明のスパッタリングターゲットは、例えば酸化物原料を混合粉砕し、得られた粉末を加圧成形し、焼結することにより製造でき、好ましくは下記の工程Ａ〜工程Ｃで調製した原料を、成形し、焼結することにより製造できる。
工程Ａ：酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合粉砕する。
工程Ｂ：前記工程Ａで得た混合粉を７００〜１２００℃の温度で熱処理する。
工程Ｃ：前記工程Ｂで得た混合粉に酸化スズ粉及び酸化亜鉛粉を加えて混合粉砕する。

上記工程Ａでは、酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合粉砕する。これにより、添加元素ＸをＩｎ_２Ｏ_３の周りに均一分散させ、酸化インジウムと添加元素の反応率を向上することができる。
原料である酸化インジウム粉は、特に限定はなく、工業的に市販されているものが使用できるが、高純度、例えば、４Ｎ（０．９９９９）以上であることが好ましい。
元素Ｘの酸化物としては、例えば、ＭｇＯ，ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，Ｓｃ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２，Ｙ_２Ｏ_３，ＺｒＯ_２，ＨｆＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｎｄ_２Ｏ_３，Ｓｍ_２Ｏ_３等が挙げられる。

混合粉砕手段については、例えば、ボールミル、ビーズミル、遊星ボールミル、ジェットミル又は超音波装置等の公知の装置が使用できる。
粉砕時間等の条件は、適宜調整すればよいが、湿式ボールミルを使用した場合は、６〜１００時間程度が好ましい。６時間以下での混合時間では、酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物の均一分散が不十分となる場合があるためである。一方、混合時間が、１００時間を超えた場合には、製造時間がかかり過ぎコストが高くなるため、実用上採用できない。
酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合して粉砕する場合、粉砕後の混合物の平均粒径は、通常１０μｍ以下、好ましくは３μｍ以下、特に好ましくは１μm以下とすることが好ましい。混合粉の平均粒径が大きすぎると、酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物の反応率が低下し、絶縁性物質の凝集体が形成され易くなる。
混合物の粉砕後の平均粒径は、ＪＩＳ Ｒ １６２９に記載の方法によって測定した体積平均粒径である。

上記工程Ｂでは、工程Ａで得た混合粉を７００〜１２００℃の温度で熱処理する。混合粉を７００〜１２００℃で熱処理することで、元素ＸがＩｎ_２Ｏ_３のＩｎサイトに固溶限界まで置換し、添加元素の凝集を抑制することができる。
熱処理温度は、好ましくは８００〜１１００℃であり、さらに好ましくは９００〜１０００℃である。尚、熱処理には通常の焼成炉等を使用できる。
熱処理時間は、１〜１００時間程度であり、好ましくは、３〜５０時間である。
７００℃未満又は１時間未満の熱処理条件では、酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物の反応が不十分となる場合があるためである。一方、熱処理条件が、１，２００℃を超えた場合又は１００時間を超えた場合には、粒子の粗大化が起こる場合があり、次工程の混合粉砕で十分に均一混合できないおそれがある。
熱処理雰囲気は、酸化雰囲気であれば特に限定されるものでは無い。例えば、大気雰囲気でもよく、より好ましくは酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下である。
熱処理後、必要な場合は処理物を分級又は粉砕してもよい。粉砕手段は特に制限なく、各種ミル等、公知の手段を使用できる。

上記工程Ｃでは、工程Ｂで得た熱処理粉に酸化錫粉及び酸化亜鉛粉を加えて混合粉砕する。これにより、原料粉を焼結する時における元素Ｘの凝集を抑制でき、ターゲットの色ムラを低減することができる。
原料である酸化錫粉及び酸化亜鉛粉は、特に限定はなく、工業的に市販されているものが使用できるが、高純度、例えば、４Ｎ（０．９９９９）以上であることが好ましい。

本発明では、上記工程Ｂにて元素Ｘを酸化インジウム粉に固溶させることにより、元素Ｘ酸化物粉同士が接触する確率を低減させる。これにより、ターゲットにおいて元素Ｘを主成分とする凝集体の発生を低減している。
尚、工程Ａにおいて酸化錫粉や酸化亜鉛ではなく、酸化インジウム粉を選択した理由は、元素ＸがＩｎ系化合物に固溶し易く、また、酸化亜鉛は昇華性であるため、原料の仕込み値と熱処理物において原子組成が変化するおそれがあるためである。

工程Ａ〜工程Ｃで調製した原料を、公知の方法により成形し、焼結することにより酸化物焼結体とする。
成形工程では、例えば、上記工程Ｃで得た混合粉を加圧成形して成形体とする。この工程により、製品の形状（例えば、ターゲットとして好適な形状）に成形する。
成形処理としては、例えば、金型成形、鋳込み成形、射出成形等が挙げられるが、焼結密度の高い焼結体（ターゲット）を得るためには、冷間静水圧（ＣＩＰ）等で成形するのが好ましい。
尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。

焼結工程は、上記成形工程で得られた成形体を焼成する必須の工程である。
焼結条件としては、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下に、通常、１２００〜１５５０℃において、通常３０分〜３６０時間、好ましくは８〜１８０時間、より好ましくは１２〜９６時間焼結する。焼結温度が１２００℃未満であると、ターゲットの密度が上がり難くなったり、焼結に時間がかかり過ぎるおそれがある。一方、１５５０℃を超えると成分の気化により、組成がずれたり、炉を傷めたりするおそれがある。
燃焼時間が３０分未満であると、ターゲットの密度が上がり難く、３６０時間より長いと、製造時間がかかり過ぎコストが高くなるため、実用上採用できない。前記範囲内であると相対密度を向上させ、バルク抵抗を下げることができる。

焼成時の昇温速度は、通常８℃／分以下、好ましくは４℃／分以下、より好ましくは３℃／分以下、さらに好ましくは２℃／分以下である。８℃／分以下であるとクラックが発生しにくい。
また、焼成時の降温速度は、通常４℃／分以下、好ましくは２℃／分以下、より好ましくは１℃／分以下、さらに好ましくは０．８℃／分以下、特に好ましくは０．５℃／分以下である。４℃／分以下であるとクラックが発生しにくい。
尚、昇温や降温は段階的に温度を変化させてもよい。

酸化物焼結体を必要に応じて所望の形状に加工することによりスパッタリングターゲットが得られる。
加工は、上記の酸化物焼結体をスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、また、バッキングプレート等の装着用治具を取り付けるために行う。酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとするには、焼結体を、例えば、平面研削盤で研削して表面粗さ（Ｒａ）を５μｍ以下とする。さらに好ましくは、スパッタリングターゲットのスパッタ面に鏡面加工を施して、平均表面粗さＲａが１０００オングストローム以下としてもよい。表面が平滑であるほどスパッタ成膜初期に発生するパーティクルを低減することができる。
研削は、０．１ｍｍ以上行うことが好ましく、０．３ｍｍ以上行うことがより好ましく、０．５ｍｍ以上がさらに好ましく、１ｍｍ以上行うことが特に好ましい。０．１ｍｍ以上研削することで、亜鉛等の成分が気化することなどで発生する表面付近の組成ずれした部位を取り除くことができる。

得られたスパッタリングターゲットをバッキングプレートへボンディングする。ターゲットの厚みは通常２〜２０ｍｍ、好ましくは３〜１２ｍｍ、特に好ましくは４〜１０ｍｍである。また、複数のターゲットを一つのバッキングプレートに取り付け、実質一つのターゲットとしてもよい。

本発明のスパッタリングターゲットを用いて、基板等の対象物にスパッタすることにより、本発明の酸化物薄膜を成膜することができる。本発明のスパッタリングターゲットを用いることで、成膜時における酸素分圧を抑えることができ、成膜速度及び生産性を向上できる。
例えば、スパッタ時における酸素分圧は、通常１０〜１００％程度であるが、本発明の場合、１〜５％程度にすることができる。

本発明の酸化物薄膜は、透明電極、薄膜トランジスタの半導体層、酸化物薄膜層等に使用できる。なかでも、薄膜トランジスタの半導体層として好適に使用できる。

以下、本発明の実施例を基に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。

実施例１
（１）原料の調製
原料として、酸化インジウム粉（アジア物性材料社製、平均粒径：１μｍ以下、純度：４Ｎ相当）、及び酸化ハフニウム粉（和光純薬工業社製、平均粒径：１μｍ以下、純度：４Ｎ相当）を使用した。これらを、Ｉｎ元素とＨｆ元素の合計に対するＩｎ元素の原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）〕が０．８８となるように混合した。混合物を湿式ボールミルに供給し、１２時間混合粉砕した。
得られた混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥した。この乾燥粉を焼成炉に装入し、大気雰囲気下、１０００℃で５時間熱処理した。
以上により、Ｉｎ元素とＨｆ元素を含有する混合粉を得た。
この混合粉に、酸化錫粉（高純度化学社製、平均粒径：１μｍ以下、純度：４Ｎ相当）及び酸化亜鉛粉（高純度化学社製、平均粒径：１μｍ以下、純度：４Ｎ相当）を、原子比〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．１１、〔Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．５３となるように混合した。混合粉を湿式ボールミルに供給し、２４時間混合粉砕して、原料微粉末のスラリーを得た。このスラリーを、濾過、乾燥及び造粒した。

（２）スパッタリングターゲットの製造
上記（１）で得た造粒物をプレス成形し、さらに、２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力をかけて冷間静水圧プレスで成形した。
成形物を焼成炉に装入し、大気圧、酸素ガス流入条件で、１４００℃、１２時間の条件で焼成し、焼結体を得た。尚、室温から４００℃までは昇温速度を０．５℃／分とし、４００〜１４００℃までは１℃／分とした。一方、降温速度は１℃／分とした。
得られた焼結体の側辺をダイヤモンドカッターで切断後、上下面を平面研削盤で研削して、直径２インチ、厚さ５ｍｍ、表面粗さ（Ｒａ）０．５μｍ以下のスパッタリングターゲットを作製した。

得られたスパッタリングターゲットについて、元素組成比、バルク抵抗値（ｍΩｃｍ）、相対密度、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度比[Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}]、[Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}]、元素Ｘと酸素からなる酸化物の平均結晶粒径、色差ΔＥ^＊、異常放電、及び成膜時の必要酸素分圧を以下の方法で評価した。
結果を表１に示す。

（Ａ）元素組成比（原子比）
誘導プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）により測定した。
（Ｂ）スパッタリングターゲットのバルク抵抗値
抵抗率計（三菱化学(株)製、ロレスタ）を使用し四探針法（ＪＩＳ Ｒ １６３７）に基づき、焼結体の任意の１０箇所についてバルク抵抗を測定し、その平均値を焼結体のバルク抵抗値とした。
（Ｃ）相対密度
原料粉の密度から計算した理論密度と、アルキメデス法で測定した焼結体の密度から、下記計算式にて算出した。
相対密度＝（アルキメデス法で測定した密度）÷（理論密度）×１００（％）
（Ｄ）Ｘ線回折測定
下記の装置・条件で測定した。
装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ−ＩＩＩ
Ｘ線：Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４０６Å、グラファイトモノクロメータにて単色化）
２θ−θ反射法、連続スキャン（１．０°／分）
サンプリング間隔：０．０２°
スリット ＤＳ、ＳＳ：２／３°、ＲＳ：０．６ｍｍ
尚、実施例１で得たスパッタリングターゲットのＸ線チャートを図１に示す。

（Ｅ）平均結晶粒径
焼結体を樹脂に包埋し、その表面を粒径０．０５μｍのアルミナ粒子で研磨した後、Ｘ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）であるＪＸＡ−８６２１ＭＸ（日本電子社製）を用いて研磨面を１０００倍に拡大し、焼結体表面の１００μｍ×１００μｍ四方を任意の３箇所測定し、それぞれの枠内で観察される添加元素Ｘと酸素からなる全ての結晶粒子の最大径（長径）を測定した。この全ての結晶粒子の最大径（長径）の相加平均値を平均結晶粒径とした。

（Ｆ）色差ΔＥ^＊
研削後の焼結体表面部及び表面から平面研削盤で２ｍｍ研削した部分を、分光測色計ＮＲ１１Ａ（日本電色工業製）を用いて測定し、ＣＩＥ１９７６空間で評価した。尚、任意の５箇所について色彩を測定し、基準値は測定値の平均値とした。
ΔＥ^＊＝√（ΔＬ^＊２＋Δａ^＊２＋Δｂ^＊２）

（Ｇ）異常放電
スパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、Ｏ_２×１００／（Ａｒ＋Ｏ_２）＝３％の条件下で、９６時間連続してスパッタリングした際の異常放電の有無を観察した。
異常放電が１度も確認されなかった場合を「○」、確認された場合を「×」とした。

（Ｈ）必要酸素分圧
作製したスパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、以下の方法でトップコンタクトボトムゲート型のＴＦＴを作製した。そして、チャネル層を形成する際の酸素分圧（Ｏ_２／（Ａｒ＋Ｏ_２））について評価した。
尚、表中、「−」との評価は、ＤＣ放電ができないためにチャネル層を形成することができなかったことを意味する。

（１）ＴＦＴの作製
基板は、熱酸化膜付ｎ型高ドープシリコン基板を用いた。基板をゲート電極、熱酸化膜（１００ｎｍ）をゲート絶縁膜とした。
シリコン基板にチャネル層形成用のマスクを装着した後、ＤＣスパッタ法によりスパッタリングターゲットを使用し、Ａｒガス及びＯ_２ガスを導入し、膜厚５０ｎｍの非晶質膜を成膜した。
次に、ソース電極及びドレイン電極形成用のマスクを装着し、ＲＦスパッタ法によりＡｕを成膜して、ソース電極及びドレイン電極を形成した。
その後、大気中３００℃で６０分間熱処理し、チャネル長が２００μｍで、チャネル幅が１０００μｍのＴＦＴを得た。

（２）必要酸素濃度の測定
チャネル層成膜時の酸素濃度（Ｏ_２／（Ａｒ＋Ｏ_２））を振り、ＴＦＴ特性がＶｔｈ≧−０．５Ｖかつ移動度（電界効果移動度（μ））≧５ｃｍ^２／Ｖｓとなるために最も少ない酸素分圧を必要酸素濃度とした。
尚、ＴＦＴ特性は半導体パラメーターアナライザー（ケースレー４２００）を用い、室温、遮光環境下で、窒素を噴きかけながら、ドレイン電圧Ｖｄｓ＝５Ｖ及びゲート電圧Ｖｇｓ＝−２０〜２０Ｖの条件で評価した。

実施例２〜２５
原料の調製において、原料の配合及び元素Ｘの酸化物を表１又は表２に示すように変更した他は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表１〜表３に示す。
尚、使用した元素Ｘの酸化物は、いずれも和光純薬工業社製である。

実施例２６
原料の調製において、原料の配合及び元素Ｘの酸化物を表３に示すように変更し、遊星ボールミルを用いて６時間混合した他は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価した。

比較例１−５
（１）原料の調製
酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化錫の配合を表４に示すようにし、これらを混合した。この混合物を湿式ボールミルに供給し、１２時間混合粉砕して、原料微粉末のスラリーを得た。このスラリーを、濾過、乾燥及び造粒した。

（２）スパッタリングターゲットの製造
実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表４に示す。

比較例６−１０
原料の調製において、原料の配合及び元素Ｘの酸化物を表４に示すように変更した他は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表４に示す。

比較例１１
（１）原料の調製
原料として、実施例１と同じ酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛及び実施例１９と同じ酸化タンタルを使用した。これらを、原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｔａ）〕が０．５１、原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．５０、原子比〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．１４、原子比〔Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．３６となるように混合した。この混合物を湿式ボールミルに供給し、１２時間混合粉砕して、原料微粉末のスラリーを得た。このスラリーを、濾過、乾燥及び造粒した。

（２）スパッタリングターゲットの製造
実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表５に示す。

比較例１２〜２０
原料の調製において、原料の配合を表５に示すように変更した他は、比較例１１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表５に示す。

本発明のスパッタリングターゲットは、酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜作製、特に、薄膜トランジスタ用の酸化物薄膜の形成に好適である。また、本発明の酸化物薄膜は、透明電極、薄膜トランジスタの半導体層、酸化物薄膜層等に使用できる。

上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (10)

1. インジウム元素（Ｉｎ）、錫元素（Ｓｎ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、
   下記のＸ群から選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなり、
   各元素の原子比が下記式（１）〜（４）を満たすスパッタリングターゲットであって、
   前記スパッタリングターゲットに含まれるＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}）と、前記元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉ_ｘ）が、下記式（５）を満たし、
   前記スパッタリングターゲットに含まれるＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}）と、前記元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉ_ｘ）が、下記式（６）を満たすスパッタリングターゲット。
   Ｘ群：Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ
   ０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．８５ （１）
   ０．０１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．４０ （２）
   ０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．７０ （３）
   ０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９ （４）
   （式中、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）
   Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}≦０．１５ （５）
   Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}≦０．１５ （６）
2. インジウム元素（Ｉｎ）、錫元素（Ｓｎ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、
   下記のＸ群から選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなり、
   前記元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、
   各元素の原子比が下記式（１）〜（４）を満たすスパッタリングターゲット。
   Ｘ群：Ｓｃ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ
   ０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．８５ （１）
   ０．０１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．４０ （２）
   ０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．７０ （３）
   ０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９ （４）
   （式中、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）
3. スパッタリングターゲットに含まれるＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}）と、前記元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉ_ｘ）が、下記式（５）を満たす請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
   Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｉｎ２Ｏ３）}≦０．１５ （５）
4. スパッタリングターゲットに含まれるＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}）と、前記元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉ_ｘ）が、下記式（６）を満たす請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
   Ｉ_ｘ／Ｉ_{（Ｚｎ２ＳｎＯ４）}≦０．１５ （６）
5. 元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径が１０μｍ以下である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
6. Ｉｎ_２Ｏ_３で表される結晶構造化合物としてビックスバイト構造化合物のみを含む請求項１〜５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
7. 前記スパッタリングターゲットにおいて、焼き上がり面を除去した後のターゲット表面部と該表面から平面研削盤で２ｍｍ研削した部分とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差（ΔＥ^＊）が３．０以下である請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
8. 比抵抗が３０ｍΩｃｍ以下、相対密度が９０％以上である請求項１〜７のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
9. 元素ＸがＺｒである請求項１〜８のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
10. 酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合、粉砕する工程Ａと、
    前記工程Ａで得た混合粉を７００〜１２００℃の温度で熱処理する工程Ｂと、
    前記工程Ｂで得た熱処理粉に、酸化錫粉及び酸化亜鉛粉を加えて混合粉砕する工程Ｃと、
    を含むスパッタリングターゲットの製造方法であって、
    前記スパッタリングターゲットは、インジウム元素（Ｉｎ）、錫元素（Ｓｎ）及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、下記のＸ群から選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなり、
    各元素の原子比が下記式（１）〜（４）を満たすスパッタリングターゲットの製造方法。
    Ｘ群：Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ
    ０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．８５ （１）
    ０．０１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．４０ （２）
    ０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．７０ （３）
    ０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９ （４）
    （式中、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）

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