JP6410960B2 - 円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材及び円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材をバッキングチューブに1つ以上接合させることで構成される円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット - Google Patents
円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材及び円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材をバッキングチューブに1つ以上接合させることで構成される円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット Download PDFInfo
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Description
ΔE*ab=((ΔL*)^2+(Δa*)^2+(Δb*)^2)^0.5(式1)
Claims (6)
- 軸方向の長さが210mm以下のITO、IGZOまたはIZOからなる円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材であって、
前記円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材を軸方向に等間隔で4分割し、さらに4分割された領域毎に円周方向に0°、90°、180°及び270°の間隔で区分することで区画された各領域内における2点の色差ΔE*abがいずれも1.0未満であることを特徴とする円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材。 - 軸方向の長さが210mmを超えるITO、IGZOまたはIZOからなる円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材であって、
前記円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材の一端部から210mmまでの間において軸方向に等間隔で4分割し、さらに4分割された領域毎に円周方向に0°、90°、180°及び270°の間隔で区分することで区画された各領域内における2点の色差ΔE*abがいずれも1.0未満であり、
前記円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材の一端部から210mmを超える領域において、軸方向に50mm毎に分割し、さらに分割した領域毎に円周方向に0°、90°、180°及び270°の間隔で区分することで区画された各領域内における2点の色差ΔE*abがいずれも1.0未満であることを特徴とする円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材。 - 前記測定領域内で測定した相対密度がいずれも99%以上であることを特徴する請求項1又は2に記載の円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材。
- 前記測定領域内で測定した平均結晶粒径がいずれも10μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材。
- 前記測定領域内で測定した表面粗さがいずれも0.5μm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材が1つ以上バッキングチューブに接合された円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット。
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