WO2012153522A1 - Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系スパッタリングターゲット - Google Patents

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将之 糸瀬
麻美 西村
美佐 砂川
雅司 笠見
矢野　公規
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出光興産株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target for forming an oxide thin film such as an oxide semiconductor or a transparent conductive film, and more particularly to a sputtering target suitable for forming an oxide thin film for a thin film transistor.
  • Field effect transistors are widely used as unit electronic elements, high-frequency signal amplifying elements, liquid crystal driving elements, etc. for semiconductor memory integrated circuits, and are the most widely used electronic devices at present.
  • LCD liquid crystal display devices
  • EL electroluminescence display devices
  • FED field emission displays
  • TFTs Thin film transistors
  • silicon-based semiconductor thin films are most widely used for TFT drive elements.
  • a transparent semiconductor thin film made of a metal oxide has attracted attention because it is more stable than a silicon-based semiconductor thin film.
  • semiconductor films using a metal oxide there is an oxide semiconductor film containing a crystalline material containing zinc oxide as a main component, and many studies have been made.
  • an oxide semiconductor film containing a crystalline material mainly composed of zinc oxide is likely to have oxygen defects, and a large number of carrier electrons are generated.
  • oxygen defects There was a problem that it was difficult to reduce the electrical conductivity.
  • an oxide semiconductor film containing a crystalline material containing zinc oxide as a main component has a field-effect mobility (hereinafter, sometimes simply referred to as “mobility”) as low as about 1 cm 2 / V ⁇ sec,
  • mobility a field-effect mobility
  • the on-off ratio is small and leakage current is likely to occur. Therefore, when an oxide semiconductor film containing zinc oxide as a main component and containing a crystalline material is used as an active layer (channel layer) of a TFT, even when no gate voltage is applied, between the source terminal and the drain terminal Therefore, there is a problem that a normally-off operation of the TFT cannot be realized. It was also difficult to increase the on / off ratio of the transistor.
  • a TFT obtained using an oxide semiconductor film containing zinc oxide has low mobility, low on-off ratio, large leakage current, unclear pinch-off, and is likely to be normally on. For example, the performance of the TFT may be lowered.
  • the chemical resistance is inferior, there are limitations on the manufacturing process and use environment such as difficulty in wet etching.
  • an oxide semiconductor film containing a crystalline material containing zinc oxide as a main component needs to be formed at a high pressure in order to improve performance such as mobility. Therefore, the film formation rate was slow. Moreover, since the high temperature process of 700 degreeC or more is required, there also existed a problem also in industrialization. In the case of a TFT using a crystalline oxide semiconductor film containing zinc oxide as a main component, TFT performance such as mobility in a bottom gate configuration is low. In order to improve performance, it is necessary to increase the film thickness to 100 nm or more with a top gate configuration. Therefore, there is a limit to the element configuration of the TFT.
  • a method of driving an amorphous oxide semiconductor film made of indium oxide, gallium oxide and zinc oxide as a thin film transistor has been studied.
  • studies have been made to form an amorphous oxide semiconductor film made of indium oxide, gallium oxide, and zinc oxide by a sputtering method that is industrially excellent in mass productivity.
  • gallium is a rare metal and has a high raw material cost. If the amount of gallium added is reduced, there is a problem that a normally-off operation of the TFT cannot be realized unless the oxygen partial pressure during film formation is increased.
  • Patent Document 1 a thin film transistor using an amorphous oxide semiconductor film made of indium oxide and zinc oxide without containing gallium has also been proposed.
  • Patent Document 2 A sputtering target containing an additive element such as Hf, Zr, or Ti in an In 2 O 3 —ZnO-based oxide has been studied (Patent Document 2).
  • this target has a problem that an aggregate of an insulating substance is easily formed, a resistance value is increased, and abnormal discharge is likely to occur.
  • An object of the present invention is to provide an In 2 O 3 —ZnO-based sputtering target that can reduce the oxygen partial pressure when an oxide thin film such as an oxide semiconductor or a transparent conductive film is formed using a sputtering method. .
  • the following sputtering target and the like are provided.
  • It consists of an oxide containing indium element (In), zinc element (Zn), and one or more elements X selected from the following group X, and the atomic ratio of each element is represented by the following formulas (1) and (2)
  • X group Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.30 ⁇ In / (In + Zn) ⁇ 0.90 (1) 0.70 ⁇ In / (In + X) ⁇ 0.99 (2) (In the formula, In, Zn and X each represent an atomic ratio of each element in the sputtering target.) 2.
  • the sputtering target according to 1 or 2 wherein the compound comprising the element X and oxygen has an average crystal grain size of 10 ⁇ m or less. 4).
  • the L * a * b * color difference ( ⁇ E * ) measured in the CIE 1976 space between the target surface portion after removing the baked surface and the portion ground by 2 mm from the surface portion with a surface grinder is 3
  • Step A in which indium oxide powder and element X oxide are mixed and pulverized
  • Step B in which the mixed powder obtained in Step A is heat treated at a temperature of 700 to 1200 ° C., and the heat treated powder obtained in Step B are oxidized.
  • an oxide thin film such as an oxide semiconductor or a transparent conductive film using a sputtering method
  • a sputtering target with suppressed generation is obtained.
  • FIG. 2 is an X-ray chart of a sputtering target obtained in Example 1.
  • the sputtering target of the present invention includes a group consisting of indium element (In) and zinc element (Zn) and Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, and Sm (hereinafter, It is made of an oxide containing one or more elements X selected from the group (X group). And the atomic ratio of each element satisfy
  • the oxygen partial pressure during sputtering can be lowered.
  • the X group elements those that form a composite oxide with In or Zn elements are preferred.
  • an element having a large solid solution amount in the In-containing oxide is preferable. Note that solid solution in the In-containing oxide is more likely to occur as the difference in ionic radius between the indium element and the element X is smaller. Further, it is preferable that the difference in electronegativity between the element X and oxygen is larger than the difference in electronegativity between the In and Zn elements and oxygen.
  • the oxide of the element X is an oxide having strong ionic bonding properties, the oxygen partial pressure during sputtering can be reduced.
  • X group has Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, and Sm, and the difference in electronegativity with oxygen is between In and Zn elements and oxygen. If it is larger than the difference in electronegativity, the same effect can be obtained, and therefore, the element is not limited to these elements.
  • Mg, Si, Al, Sc, Zr and Hf are preferred, Al, Zr and Hf are more preferred, and Zr is particularly preferred.
  • the amount [In / (In + Zn)] of In element in the total (atomic ratio) of In element and Zn element in the target satisfies the relationship of the following formula (1). 0.30 ⁇ In / (In + Zn) ⁇ 0.90 (1)
  • the amount of In element is less than 0.30, the bulk resistance value of the sputtering target becomes high, and DC sputtering becomes impossible. Moreover, since there is much Zn, the melt
  • the amount of In element [In / (In + Zn)] is preferably 0.35 to 0.70, and more preferably 0.40 to 0.60.
  • the amount [In / (In + X)] of the In element in the total (atomic ratio) of the In element and the element X in the target satisfies the relationship of the following formula (2). 0.70 ⁇ In / (In + X) ⁇ 0.99 (2)
  • the amount of In element when the amount of In element is less than 0.70, the ratio of the element X in the target is increased, and as a result, aggregates of insulating substances are easily formed, and the resistance value of the target is reduced. Get higher. Also, abnormal discharge (arcing) is likely to occur during sputtering. On the other hand, if the amount of In element is greater than 0.99, the amount of addition of element X is insufficient, and the effect of addition of element X cannot be obtained.
  • the amount of In element [In / (In + X)] is preferably 0.80 to 0.99, and more preferably 0.85 to 0.99.
  • the atomic ratio which X of Formula (2) shows means the sum total of the atomic ratio of the added element X.
  • the atomic ratio can be measured by an induction plasma emission analyzer (ICP-AES).
  • the maximum peak intensity (I ( In 2 O 3 )) in X-ray diffraction (XRD) of the bixbite structure compound represented by In 2 O 3 contained in the target, and a compound comprising element X and oxygen It is preferable that the ratio (I x / I (In 2 O 3)) of the maximum peak intensity (I x ) satisfies the following formula (3). I x / I (In 2 O 3) ⁇ 0.15 (3)
  • the above ratio relatively indicates the amount of the compound composed of the element X and oxygen contained in the sputtering target. Since the compound composed of the element X and oxygen is an insulating material, if the ratio is larger than 0.15, the bulk resistance of the sputtering target may be increased.
  • the ratio is preferably 0.1 or less, and particularly preferably 0.05 or less.
  • a bixbite structure compound represented by In 2 O 3 (or a rare earth oxide C-type crystal structure) is also referred to as a rare earth oxide C-type or Mn 2 O 3 (I) -type oxide.
  • the stoichiometric ratio is M 2 X 3 (M is a cation, X is an anion, usually an oxygen ion), and one unit cell is composed of M 2 X 3 : 16 molecules, a total of 80 atoms (M is 32, X is 48) ing.
  • the bixbite structure compound also includes a substitutional solid solution in which atoms and ions in the crystal structure are partially substituted with other atoms, and an interstitial solid solution in which other atoms are added to interstitial positions.
  • the bixbite structure compound which is a constituent component of the target of the present invention is a compound represented by In 2 O 3 , that is, an X-ray diffraction, which is No. of JCPDS (Joint Committee on Powder Diffraction Standards) database. It shows a peak pattern of 06-0416 or a similar (shifted) pattern.
  • Examples of the compound composed of the element X and oxygen include MgO, SiO 2 , Al 2 O 3 , Sc 2 O 3 , TiO 2 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , La 2 O 3. , Nd 2 O 3 , Sm 2 O 3 and the like. That is, in X-ray diffraction, each of Nos. In JCPDS (Joint Committee on Powder Diffraction Standards) database. Peak patterns of 45-0946, 89-1668, 46-1212, 42-1463, 21-1272, 41-1105, 37-1484, 06-0318, 18-1304, 05-0602, 43-1023, 43-1030 Or a similar (shifted) pattern.
  • the average crystal grain size of the compound consisting of the element X and oxygen is 10 ⁇ m or less.
  • the average crystal grain size of the compound consisting of the element X and oxygen is preferably 6 ⁇ m or less, more preferably 4 ⁇ m or less.
  • the average crystal grain size is a value measured with an X-ray microanalyzer (EPMA). Details will be described in Examples.
  • the L * a * b * color difference measured in the CIE 1976 space between the target surface portion after removing the baked surface and the portion ground by 2 mm from the surface portion with a surface grinder . Is preferably 3.0 or less. If ⁇ E * is 3.0 or less, the visual color difference becomes inconspicuous, and the in-plane sintered body resistance value becomes uniform, thereby reducing abnormal discharge and improving the in-plane uniformity of the thin film resistance value. Etc. are obtained.
  • L * a * b * is a color space based on the xyz color system, L * value represents lightness, a * and b * are chromaticity coordinates, and hue and saturation are combined.
  • a * is the axis from red to green
  • + a * is the red direction
  • -a * is the green direction
  • b * is the axis from yellow to blue
  • + b * is the yellow direction
  • -b * is the blue direction It represents the direction.
  • the specific resistance value of the sputtering target of the present invention is preferably 30 m ⁇ cm or less, more preferably 10 m ⁇ cm or less, and particularly preferably 5 m ⁇ cm or less.
  • the specific resistance is 30 m ⁇ cm or less, DC sputtering can be performed, and the uniformity of TFT characteristics and the reproducibility of TFT characteristics of the obtained thin film transistor can be improved.
  • the specific resistance value of a sputtering target means the bulk resistance measured based on the four-point probe method (JISR1637).
  • the relative density of the sputtering target of the present invention is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, and particularly preferably 98% or more. If the relative density is less than 90%, the target may be broken during film formation or the film formation rate may be slow. The relative density is obtained by dividing the measured value of the target density by the theoretical density.
  • metal elements other than In, Zn, and element X described above may be contained within a range not impairing the effects of the present invention.
  • the metal element contained in the oxide sintered body may be substantially only In, Zn, and element X, or only In, Zn, and element X.
  • “substantially” means that the effect as a sputtering target is attributed to the above In, Zn and element X, or 95 wt% to 100 wt% (preferably 98 wt% or more of the metal element of the sputtering target). 100% by weight or less) is In, Zn, and element X.
  • the metal element contained in the sputtering target of the present invention is substantially composed of In, Zn, and element X, and may contain other inevitable impurities as long as the effects of the present invention are not impaired. Good.
  • the sputtering target of the present invention can be manufactured by mixing, forming and sintering raw material powders.
  • the mixing step is not particularly limited, and the raw material powder can be mixed and pulverized once or twice or more.
  • the raw material powder and the mixed pulverization are as described later.
  • the mixing step is preferably performed in the following step A to step C.
  • Process A Indium oxide powder and the oxide of element X are mixed and pulverized.
  • Step B The mixed powder obtained in Step A is heat-treated at a temperature of 700 to 1200 ° C.
  • Step C Zinc oxide powder is added to the mixed powder obtained in Step B and mixed and ground.
  • the indium oxide powder and the oxide of the element X are mixed and pulverized.
  • the additive element X can be uniformly dispersed around In 2 O 3 , and the reaction rate between indium oxide and the additive element can be improved.
  • the indium oxide powder as a raw material is not particularly limited, and commercially available products can be used, but it is preferable that the raw material has a high purity, for example, 4N (0.9999) or more.
  • indium salts such as indium chloride, indium nitrate, and indium acetate may be used.
  • Examples of the element X oxide include MgO, SiO 2 , Al 2 O 3 , Sc 2 O 3 , TiO 2 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , La 2 O 3 , Nd. 2 O 3 , Sm 2 O 3 and the like.
  • the mixing and grinding means for example, a known device such as a ball mill, a bead mill, a jet mill or an ultrasonic device can be used. Conditions such as pulverization time may be adjusted as appropriate, but when a wet ball mill is used, it is preferably about 6 to 100 hours. This is because in the mixing time of less than 6 hours, the uniform dispersion of the indium oxide powder and the element X oxide may be insufficient. On the other hand, if the mixing time exceeds 100 hours, it takes too much production time and the cost becomes high, so that it cannot be used practically.
  • the average particle size of the pulverized mixture is usually 10 ⁇ m or less, preferably 3 ⁇ m or less, and particularly preferably 1 ⁇ m or less. If the average particle diameter of the mixed powder is too large, the reaction rate between the indium oxide powder and the oxide of the element X is lowered, and an aggregate of the insulating substance is easily formed.
  • pulverization of a mixture means the volume average particle diameter measured by the method as described in JISR1629.
  • step B the mixed powder obtained in step A is heat-treated at a temperature of 700 to 1200 ° C.
  • the element X can be substituted at the In site of In 2 O 3 to the solid solution limit, and aggregation of the added element can be suppressed.
  • the heat treatment temperature is preferably 800 to 1100 ° C, more preferably 900 to 1000 ° C.
  • a normal baking furnace etc. can be used for heat processing.
  • the heat treatment time is about 1 to 100 hours, preferably 3 to 50 hours. This is because the reaction between the indium oxide powder and the oxide of element X may be insufficient under heat treatment conditions of less than 700 ° C. or less than 1 hour.
  • the heat treatment atmosphere is not particularly limited as long as it is an oxidizing atmosphere.
  • it may be an air atmosphere, and more preferably an oxygen gas atmosphere or an oxygen gas pressurization.
  • the treated product may be classified or pulverized if necessary.
  • the pulverizing means is not particularly limited, and known means such as various mills can be used.
  • step C zinc oxide powder is added to the heat-treated powder obtained in step B and mixed and ground. Thereby, aggregation of the element X at the time of sintering raw material powder can be suppressed, and color unevenness of the target can be reduced.
  • the zinc oxide powder as the raw material is not particularly limited, and commercially available products can be used. However, it is preferable to have a high purity, for example, 4N (0.9999) or higher. Further, zinc salts such as zinc chloride and zinc nitrate may be used.
  • the probability that the oxide powders made of the element X are in contact with each other is reduced.
  • production of the aggregate which has the element X as a main component in the target is reduced.
  • indium oxide powder is selected instead of zinc oxide in step A is that element X is easily dissolved in an In-based compound, and zinc oxide is sublimable. This is because the atomic composition may change.
  • the raw material prepared in the above mixing step preferably step A to step C, is molded by a known method and sintered to obtain an oxide sintered body.
  • the molding step for example, the mixed powder obtained in the step C is pressure-molded to obtain a molded body.
  • the product is formed into a product shape (for example, a shape suitable as a target).
  • the molding process include mold molding, cast molding, and injection molding.
  • CIP cold isostatic pressure
  • molding aids such as polyvinyl alcohol, methylcellulose, polywax, and oleic acid may be used.
  • a sintering process is a process of baking the molded object obtained at the said formation process. Sintering is usually performed at 1200 to 1550 ° C. for 30 minutes to 360 hours, preferably 8 to 180 hours, more preferably 12 to 96 hours in an oxygen gas atmosphere or under an oxygen gas pressure. If the sintering temperature is less than 1200 ° C., the density of the target may be difficult to increase or it may take too much time for sintering. On the other hand, if the temperature exceeds 1550 ° C., the composition may shift due to vaporization of the components, or the furnace may be damaged.
  • the burning time is less than 30 minutes, the density of the target is difficult to increase, and if it is longer than 360 hours, it takes too much production time and the cost increases, so that it cannot be used practically.
  • the relative density can be improved and the bulk resistance can be lowered.
  • the heating rate during firing is usually 8 ° C./min or less, preferably 4 ° C./min or less, more preferably 3 ° C./min or less, and further preferably 2 ° C./min or less. If it is 8 ° C./min or less, cracks are unlikely to occur.
  • the temperature decreasing rate during firing is usually 4 ° C./min or less, preferably 2 ° C./min or less, more preferably 1 ° C./min or less, still more preferably 0.8 ° C./min or less, particularly preferably 0.5 C / min or less. If it is 4 ° C./min or less, cracks are unlikely to occur. Note that the temperature increase or decrease may be changed step by step.
  • a sputtering target is obtained by processing the oxide sintered body into a desired shape as necessary. The processing is performed to cut the oxide sintered body into a shape suitable for mounting on a sputtering apparatus and to attach a mounting jig such as a backing plate.
  • the sintered body is ground by, for example, a surface grinder so that the surface roughness (Ra) is 5 ⁇ m or less.
  • the sputter surface of the sputtering target may be mirror-finished so that the average surface roughness Ra is 1000 angstroms or less. A smaller average surface roughness is preferable because particles generated at the initial stage of sputtering film formation can be reduced.
  • the grinding is preferably performed by 0.1 mm or more, more preferably by 0.3 mm or more, further preferably by 0.5 mm or more, and particularly preferably by 1 mm or more.
  • the thickness of the target is usually 2 to 20 mm, preferably 3 to 12 mm, particularly preferably 4 to 10 mm. Further, a plurality of targets may be attached to one backing plate to substantially serve as one target.
  • the oxide thin film of the present invention can be formed by sputtering an object such as a substrate using the sputtering target of the present invention.
  • the oxygen concentration during film formation can be suppressed, and the film formation speed and productivity can be improved.
  • the oxygen concentration during sputtering is usually about 10 to 100%, but in the present invention, it can be about 1 to 5%.
  • the oxide thin film of the present invention can be used for a transparent electrode, a semiconductor layer of a thin film transistor, an oxide thin film layer, and the like. Especially, it can be conveniently used as a semiconductor layer of a thin film transistor.
  • Example 1 (1) Preparation of raw materials As raw materials, indium oxide (manufactured by Asian Physical Materials Co., Ltd., average particle size: 1 ⁇ m or less, purity: equivalent to 4N) and hafnium oxide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., average particle size: 1 ⁇ m or less, purity) : 4N equivalent) was used. These were mixed so that the atomic ratio [In / (In + Hf)] of the In element to the sum of the In element and the Hf element was 0.88. The mixture was fed to a wet ball mill and mixed and ground for 12 hours. The obtained mixed slurry was taken out, filtered and dried. The dried powder was placed in a firing furnace and heat-treated at 1000 ° C.
  • indium oxide manufactured by Asian Physical Materials Co., Ltd., average particle size: 1 ⁇ m or less, purity: equivalent to 4N
  • hafnium oxide manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., average particle size: 1 ⁇ m or less, purity
  • a mixed powder containing In element and Hf element was obtained.
  • zinc oxide manufactured by Kojundo Chemical Co., Ltd., average particle size: 1 ⁇ m or less, purity: equivalent to 4N
  • the mixed powder was supplied to a wet ball mill and mixed and ground for 24 hours to obtain a raw material fine powder slurry. This slurry was filtered, dried and granulated.
  • the upper and lower surfaces are ground with a surface grinder to produce a sputtering target having a diameter of 2 inches, a thickness of 5 mm, and a surface roughness (Ra) of 0.5 ⁇ m or less. did.
  • IICP-AES induction plasma emission analyzer
  • Relative density (density measured by Archimedes method) ⁇ (theoretical density) x 100 (%) (D) X-ray diffraction measurement It measured with the following apparatus and conditions.
  • An X-ray chart of the sputtering target obtained in Example 1 is shown in FIG.
  • ⁇ E * ⁇ ( ⁇ L * 2 + ⁇ a * 2 + ⁇ b * 2 )
  • L * represents lightness
  • a * and b * represent chromaticity coordinates.
  • “Surface” means the value of the target surface part after removing the baked surface
  • “after grinding” means the value for each part of the surface ground by 2 mm with a surface grinder.
  • TFT n-type highly doped silicon substrate with a thermal oxide film was used as the substrate.
  • the substrate was the gate electrode, and the thermal oxide film (100 nm) was the gate insulating film.
  • an amorphous film having a thickness of 50 nm was formed using a sputtering target by DC sputtering and introducing Ar gas and O 2 gas.
  • a mask for forming a source electrode and a drain electrode was attached, and Au was formed by RF sputtering to form a source electrode and a drain electrode.
  • heat treatment was performed in the atmosphere at 300 ° C. for 60 minutes to obtain a TFT having a channel length of 200 ⁇ m and a channel width of 1000 ⁇ m.
  • the oxygen partial pressure (O 2 / (Ar + O 2 )) at the time of forming the channel layer is varied, the TFT characteristics are Vth ⁇ ⁇ 0.5 V, and the mobility (field effect mobility ( ⁇ )) ) ⁇ 5 cm 2 / Vs, so that the minimum oxygen partial pressure was determined as the required oxygen partial pressure.
  • Examples 2 to 25 A sputtering target was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that in the preparation of the raw materials, the composition of the raw materials and the oxide of the element X were changed as shown in Tables 1 to 3. The results are shown in Tables 1 to 3.
  • the oxides of element X used are all manufactured by Wako Pure Chemical Industries.
  • Examples 26-29 Indium oxide, zinc oxide, and oxide of element X were weighed in the formulation shown in Table 3, and these were mixed in a planetary ball mill for 6 hours to obtain a raw material fine powder slurry. The slurry was filtered, dried and granulated to prepare a raw material. A sputtering target was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.
  • Comparative Examples 1 to 3 (1) Preparation of raw materials The composition of indium oxide and zinc oxide was as shown in Table 4, and these were mixed. This mixture was supplied to a wet ball mill and mixed and ground for 12 hours to obtain a raw material fine powder slurry. This slurry was filtered, dried and granulated.
  • Comparative Examples 4-8 A sputtering target was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that in the preparation of the raw materials, the composition of the raw materials and the oxide of the element X were changed as shown in Table 4. The results are shown in Table 4.
  • Comparative Example 9 (1) Preparation of raw materials As raw materials, the same indium oxide, zinc oxide as in Example 1 and scandium oxide as in Example 11 were used. These were mixed so that the atomic ratio [In / (In + Sc)] was 0.60 and the atomic ratio [Zn / (In + Zn)] was 0.18. This mixture was supplied to a wet ball mill and mixed and ground for 12 hours to obtain a raw material fine powder slurry. This slurry was filtered, dried and granulated.
  • Comparative Examples 10-18 A sputtering target was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 9 except that the composition of the raw materials was changed as shown in Table 4 or Table 5 in the preparation of the raw materials. The results are shown in Table 4 or Table 5.
  • the sputtering target of the present invention is suitable for producing an oxide thin film such as an oxide semiconductor or a transparent conductive film, particularly for forming an oxide thin film for a thin film transistor.
  • the oxide thin film of the present invention can be used for transparent electrodes, semiconductor layers of thin film transistors, oxide thin film layers, and the like.

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Abstract

インジウム元素（Ｉｎ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、下記のＸ群から選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなり、各元素の原子比が下記式（１）及び（２）を満たすスパッタリングターゲット。　Ｘ群：Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ　０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９０　（１）　０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９　（２） （式中、Ｉｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）

Description

Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系スパッタリングターゲット
　本発明は、酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜作製用のスパッタリングターゲット、特に、薄膜トランジスタ用の酸化物薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲットに関する。
　電界効果型トランジスタは、半導体メモリ集積回路の単位電子素子、高周波信号増幅素子、液晶駆動用素子等として広く用いられており、現在、最も多く実用化されている電子デバイスである。そのなかでも、近年における表示装置の発展に伴い、液晶表示装置（ＬＣＤ）のみならず、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等の各種表示装置において、表示素子に駆動電圧を印加して表示装置を駆動させるスイッチング素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が多用されている。
　ＴＦＴ駆動素子には、現在、シリコン系半導体薄膜が最も広く用いられている。一方、シリコン系半導体薄膜よりも安定性が優れることから、金属酸化物からなる透明半導体薄膜が注目されている。
　金属酸化物を利用した半導体膜の１つとして、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜があり、多数の検討がなされている。しかしながら、工業的に一般に行われているスパッタリング法で成膜した場合には、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜は、酸素欠陥が入りやすく、キャリア電子が多数発生し、電気伝導度を小さくすることが難しいという問題があった。また、スパッタリング法による成膜の際に、異常放電が発生し、成膜の安定性が損なわれ、得られる膜の均一性及び再現性が低下する問題があった。
　また、特に、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜は、その電界効果移動度（以下、単に「移動度」という場合がある）が１ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ程度と低く、ｏｎ－ｏｆｆ比が小さい上、漏れ電流が発生しやすい。このため、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜を、ＴＦＴの活性層（チャネル層）として使用する際には、ゲート電圧無印加時であってもソース端子及びドレイン端子間に大きな電流が流れてしまい、ＴＦＴのノーマリーオフ動作を実現できないという問題があった。また、トランジスタのオン・オフ比を大きくすることも難しかった。
　このように、酸化亜鉛を含有する酸化物半導体膜を使用して得られるＴＦＴは、移動度が低い、ｏｎ－ｏｆｆ比が低い、漏れ電流が大きい、ピンチオフが不明瞭、ノーマリーオンになりやすい等、ＴＦＴの性能が低くなるおそれがあった。また、耐薬品性が劣るため、ウェットエッチングが難しい等製造プロセスや使用環境の制限があった。
　ところで、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜では、移動度等の性能を上げるために、高い圧力で成膜する必要がある。そのため、成膜速度が遅かった。また、７００℃以上の高温処理が必要であるため、工業化にも問題があった。
　また、酸化亜鉛を主成分とした結晶質を含む酸化物半導体膜を用いたＴＦＴの場合、ボトムゲート構成での移動度等のＴＦＴ性能が低い。性能を上げるにはトップゲート構成で膜厚を１００ｎｍ以上にする必要等がある。従って、ＴＦＴの素子構成に制限もあった。
　このような問題を解決するため、酸化インジウム、酸化ガリウム及び酸化亜鉛からなる非晶質酸化物半導体膜を薄膜トランジスタとして駆動させる方法が検討されている。また、酸化インジウム、酸化ガリウム及び酸化亜鉛からなる非晶質酸化物半導体膜を工業的に量産性に優れたスパッタリング法で形成する検討も行われている。しかし、ガリウムは希少金属で原料コストが高く、ガリウムの添加量を少なくしてしまうと、成膜時の酸素分圧を高くしないとＴＦＴのノーマリーオフ動作を実現できないといった問題があった。
　一方、ガリウムを含まずに、酸化インジウム及び酸化亜鉛からなる非晶質酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタも提案されている（特許文献１）。しかしながら、上記と同様、成膜時の酸素分圧を高くしないとＴＦＴのノーマリーオフ動作を実現できないといった問題があった。
　またＩｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系酸化物にＨｆやＺｒ、Ｔｉといった添加元素を含むスパッタリングターゲットが検討されている（特許文献２）。しかしながら、このターゲットは、絶縁性物質の凝集体が形成され易く、抵抗値が高くなってしまうことや異常放電が起こり易いという問題点があった。
特許第４６２００４６号公報 特開２００９－２０３５５４号公報
　本発明の目的は、スパッタリング法を用いて酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を成膜する際の酸素分圧を低くできるＩｎ２Ｏ３－ＺｎＯ系スパッタリングターゲットを提供するものである。
　本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
１．インジウム元素（Ｉｎ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、下記のＸ群から選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなり、各元素の原子比が下記式（１）及び（２）を満たすスパッタリングターゲット。
　Ｘ群：Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ
　０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９０　　（１）
　０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９　　　（２）
（式中、Ｉｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）
２．スパッタリングターゲットに含まれるＩｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３））と、前記元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉｘ）が、下記式（３）を満たす１に記載のスパッタリングターゲット。
　Ｉｘ／Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３）≦０．１５　　（３）
３．前記元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径が１０μｍ以下である１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
４．前記スパッタリングターゲットにおいて、焼き上がり面を除去した後のターゲット表面部と該表面部から平面研削盤で２ｍｍ研削した部分とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊色差（ΔＥ＊）が３．０以下である１～３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
５．比抵抗が３０ｍΩｃｍ以下、相対密度が９０％以上である１～４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
６．元素ＸがＺｒである１～５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
７．酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合、粉砕する工程Ａと、前記工程Ａで得た混合粉を７００～１２００℃の温度で熱処理する工程Ｂと、前記工程Ｂで得た熱処理粉に酸化亜鉛粉を加えて混合粉砕する工程Ｃと、を含む１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
８．上記１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて作製した酸化物薄膜。
９．８に記載の酸化物薄膜を用いた薄膜トランジスタ。
　本発明によれば、スパッタリング法を用いて酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を成膜する際に、酸素分圧を高くする必要がなく、かつ、凝集体ができにくく異常放電の発生を抑制したスパッタリングターゲットが得られる。
実施例１で得たスパッタリングターゲットのＸ線チャートである。
　本発明のスパッタリングターゲットは、インジウム元素（Ｉｎ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍからなる群（以下、Ｘ群という）より選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなる。そして、各元素の原子比が下記式（１）及び（２）を満たすことを特徴とする。
　０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９０　　（１）
　０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９　　　（２）
（式中、Ｉｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）
　スパッタリングターゲットに、上記Ｘ群から選択される１以上の元素Ｘを含有させることにより、スパッタリング時の酸素分圧を低くできる。
　上記Ｘ群の元素の中でも、Ｉｎ元素又はＺｎ元素と複合酸化物を作るものが好ましい。複合酸化物を作らない元素の場合、Ｉｎ含有酸化物への固溶量が大きい元素が好ましい。尚、Ｉｎ含有酸化物への固溶は、インジウム元素と元素Ｘのイオン半径の差が少ないほど生じやすい。また、元素Ｘと酸素との電気陰性度の差が、Ｉｎ及びＺｎ元素と、酸素との電気陰性度の差よりも大きい方が好ましい。この場合、元素Ｘの酸化物はイオン結合性が強い酸化物となるため、スパッタリング時の酸素分圧を低くすることができる。
　尚、Ｘ群はＭｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ及びＳｍ以外にも、酸素との電気陰性度の差がＩｎ及びＺｎ元素と、酸素との電気陰性度の差よりも大きければ、同様の効果が得られるため、これら元素に限定されることは無い。
　Ｘ群の元素のうち、好ましくはＭｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｚｒ及びＨｆであり、さらに好ましくはＡｌ，Ｚｒ及びＨｆであり、特に好ましくはＺｒである。
　本発明のスパッタリングターゲットでは、ターゲット中のＩｎ元素及びＺｎ元素の合計（原子比）に占めるＩｎ元素の量[Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）]は、下記式（１）の関係を満たす。
　　０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９０　　　（１）
　式（１）において、Ｉｎ元素の量が０．３０よりも少ないと、スパッタリングターゲットのバルク抵抗値が高くなるため、ＤＣスパッタリングが不可能となる。また、Ｚｎが多いため得られる薄膜のウェットエッチャントへの溶解速度が高すぎ、ウェットエッチングが困難になる。
　一方、Ｉｎ元素の量が０．９０よりも多いと、元素Ｘの添加によるスパッタリング中の酸素分圧を低くする効果が得られなくなり、良好なＴＦＴ特性を有する酸化物薄膜を成膜することが難しくなる。また、Ｚｎが少ないため得られる膜が非晶質膜として安定しないおそれがある。
　Ｉｎ元素の量[Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）]は、好ましくは０．３５～０．７０であり、さらに好ましくは、０．４０～０．６０である。
　また、本発明のスパッタリングターゲットでは、ターゲット中のＩｎ元素及び元素Ｘの合計（原子比）に占めるＩｎ元素の量[Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）]は、下記式（２）の関係を満たす。
　　０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９　　　（２）
　式（２）において、Ｉｎ元素の量が０．７０よりも少ないと、ターゲット中の元素Ｘの割合が高くなり、その結果、絶縁性物質の凝集体が形成され易くなり、ターゲットの抵抗値が高くなる。また、スパッタリング時において異常放電（アーキング）が起こりやすくなる。
　一方、Ｉｎ元素の量が０．９９よりも多いと、元素Ｘの添加量が足りないため、元素Ｘの添加による効果が得られなくなる。
　Ｉｎ元素の量[Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）]は、好ましくは０．８０～０．９９であり、さらに好ましくは、０．８５～０．９９である。
　尚、スパッタリングターゲットに元素Ｘを２種以上添加する場合、式（２）のＸが示す原子比は、添加した元素Ｘの原子比の合計を意味する。
　尚、上記の原子比は誘導プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ－ＡＥＳ）により測定できる。
　本発明のスパッタリングターゲットでは、ターゲットに含まれるＩｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３））と、元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉｘ）の比（Ｉｘ／Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３））が、下記式（３）を満たすことが好ましい。
　　Ｉｘ／Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３）≦０．１５　　（３）
　上記比は、スパッタリングターゲットに含まれる元素Ｘと酸素からなる化合物量を相対的に示すものである。元素Ｘと酸素からなる化合物は絶縁性物質であるため、上記比が０．１５よりも大きいと、スパッタリングターゲットのバルク抵抗が高くなるおそれがある。
　上記比は０．１以下であることが好ましく、特に、０．０５以下であることが好ましい。
　Ｉｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造化合物と元素Ｘと酸素からなる化合物を含むことは、Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）で確認できる。
　Ｉｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造化合物（あるいは希土類酸化物Ｃ型の結晶構造）とは、希土類酸化物Ｃ型あるいはＭｎ２Ｏ３（Ｉ）型酸化物とも言われる。「透明導電膜の技術」（（株）オーム社出版、日本学術振興会、透明酸化物・光電子材料第１６６委員会編、１９９９）等に開示されている通り、化学量論比がＭ２Ｘ３（Ｍは陽イオン、Ｘは陰イオンで通常酸素イオン）で、１つの単位胞はＭ２Ｘ３：１６分子、合計８０個の原子（Ｍが３２個、Ｘが４８個）により構成されている。
　尚、結晶構造中の原子やイオンが一部他の原子で置換された置換型固溶体、他の原子が格子間位置に加えられた侵入型固溶体もビックスバイト構造化合物に含まれる。
　本発明のターゲットの構成成分であるビックスバイト構造化合物は、これらの内、Ｉｎ２Ｏ３で表される化合物、即ちＸ線回折で、ＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ　Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ　ｏｎ　Ｐｏｗｄｅｒ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）データベースのＮｏ．０６－０４１６のピークパターンか、あるいは類似の（シフトした）パターンを示すものである。
　元素Ｘと酸素からなる化合物としては、例えば、ＭｇＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＨｆＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ｌａ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３等が挙げられる。即ち、Ｘ線回折で、ＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ　Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ　ｏｎ　Ｐｏｗｄｅｒ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）データベースのそれぞれＮｏ．４５－０９４６、８９－１６６８、４６－１２１２、４２－１４６３、２１－１２７２、４１－１１０５、３７－１４８４、０６－０３１８、１８－１３０４、０５－０６０２、４３－１０２３、４３－１０３０のピークパターンか、あるいは類似の（シフトした）パターンを示すものである。
　本発明のスパッタリングターゲットでは、元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径が１０μｍ以下であることが好ましい。平均結晶粒径を１０μｍ以下とすることにより、スパッタリングターゲットのバルク抵抗を低減でき、異常放電を抑制することができる。元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径は、好ましくは６μｍ以下であり、さらに好ましくは４μｍ以下である。
　尚、平均結晶粒径はＸ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定した値である。詳細については実施例で説明する。
　本発明のスパッタリングターゲットでは、焼き上がり面を除去した後のターゲット表面部と、この表面部から平面研削盤で２ｍｍ研削した部分とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊色差：ΔＥ＊が３．０以下であることが好ましい。
　ΔＥ＊が３．０以下であると、目視での色差が目立たなくなり、かつ面内の焼結体抵抗値が均一になることで、異常放電の低下、薄膜抵抗値の面内均一成の向上等の効果が得られる。
　尚、Ｌ＊ａ＊ｂ＊とはｘｙｚ表色系に基づく色空間であり、Ｌ＊値は明度を表し、ａ＊とｂ＊は色度座標になっており、色相と彩度を一緒に表している。Ｌ＊値は色に関係なく明るさ（明度）だけを表し、Ｌ＝０（黒）からＬ＝１００（白）までの値を取っており，値が大きいほど白く明るいことを意味する。ａ＊は赤から緑への軸であり、＋ａ＊は赤方向を－ａ＊は緑方向を表し、ｂ＊は黄から青への軸であり、＋ｂ＊は黄方向を－ｂ＊は青方向を表している。
　本発明のスパッタリングターゲットの比抵抗値は３０ｍΩｃｍ以下であることが好ましく、さらに１０ｍΩｃｍ以下であることが好ましく、特に５ｍΩｃｍ以下であることが好ましい。比抵抗を３０ｍΩｃｍ以下とすることにより、ＤＣスパッタリングが可能となり、得られる薄膜トランジスタのＴＦＴ特性の均一性及びＴＦＴ特性の再現性を向上させることができる。
　尚、スパッタリングターゲットの比抵抗値は、四探針法（ＪＩＳ　Ｒ　１６３７）に基づき測定したバルク抵抗を意味する。
　また、本発明のスパッタリングターゲットの相対密度は９０％以上であることが好ましく、さらに９５％以上であることが好ましく、特に９８％以上であることが好ましい。相対密度で９０％未満の場合、成膜中にターゲットが割れたり、成膜速度が遅くなるおそれがある。
　尚、相対密度はターゲットの密度の実測値を理論密度で除して求める。
　本発明では、本発明の効果を損ねない範囲において、上述したＩｎ、Ｚｎ及び元素Ｘ以外の他の金属元素を含有していてもよい。しかしながら、本発明においては、酸化物焼結体に含有される金属元素は、実質的にＩｎ，Ｚｎ及び元素Ｘのみ、又はＩｎ，Ｚｎ及び元素Ｘのみであってもよい。本発明において「実質的」とは、スパッタリングターゲットとしての効果が上記Ｉｎ、Ｚｎ及び元素Ｘに起因すること、又はスパッタリングターゲットの金属元素の９５重量％以上１００重量％以下（好ましくは９８重量％以上１００重量％以下）がＩｎ、Ｚｎ及び元素Ｘであることを意味する。上記のように、本発明のスパッタリングターゲットに含有される金属元素は、実質的にＩｎ，Ｚｎ及び元素Ｘからなっており、本発明の効果を損なわない範囲で他に不可避不純物を含んでいてもよい。
　本発明のスパッタリングターゲットは、原料粉末を混合、成形、焼結することにより製造できる。
　混合工程は特に制限されず、原料粉末を１度に又は２回以上に分けて混合粉砕して行うことができる。原料粉末、混合粉砕については後述する通りである。
　混合工程は、下記の工程Ａ～工程Ｃで行うことが好ましい。
　工程Ａ：酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合粉砕する。
　工程Ｂ：前記工程Ａで得た混合粉を７００～１２００℃の温度で熱処理する。
　工程Ｃ：前記工程Ｂで得た混合粉に酸化亜鉛粉を加えて混合粉砕する。
　上記工程Ａでは、酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合粉砕する。これにより、添加元素ＸをＩｎ２Ｏ３の周りに均一分散させ、酸化インジウムと添加元素の反応率を向上することができる。
　原料である酸化インジウム粉は、特に限定はなく、工業的に市販されているものが使用できるが、高純度、例えば、４Ｎ（０．９９９９）以上であることが好ましい。また、酸化物だけでなく、塩化インジウム、硝酸インジウム、酢酸インジウム等のインジウム塩を用いても構わない。
　元素Ｘの酸化物としては、例えば、ＭｇＯ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｏ３，ＴｉＯ２，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＨｆＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ｌａ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３等が挙げられる。
　混合粉砕手段については、例えば、ボールミル、ビーズミル、ジェットミル又は超音波装置等の公知の装置が使用できる。
　粉砕時間等の条件は、適宜調整すればよいが、湿式ボールミルを使用した場合は、６～１００時間程度が好ましい。
　６時間未満での混合時間では、酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物の均一分散が不十分となる場合があるためである。一方、混合時間が、１００時間を超えた場合には、製造時間がかかり過ぎコストが高くなるため、実用上採用できない。
　酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合して粉砕する場合、粉砕後の混合物の平均粒径は、通常１０μｍ以下、好ましくは３μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以下とすることが好ましい。混合粉の平均粒径が大きすぎると、酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物の反応率が低下し、絶縁性物質の凝集体が形成され易くなる。
　尚、混合物の粉砕後の平均粒径は、ＪＩＳ　Ｒ　１６２９に記載の方法によって測定した体積平均粒径を意味する。
　上記工程Ｂでは、工程Ａで得た混合粉を７００～１２００℃の温度で熱処理する。混合粉を７００～１２００℃で熱処理することで、元素ＸがＩｎ２Ｏ３のＩｎサイトに固溶限界まで置換し、添加元素の凝集を抑制することができる。
　熱処理温度は、好ましくは８００～１１００℃であり、さらに好ましくは９００～１０００℃である。尚、熱処理には通常の焼成炉等を使用できる。
　熱処理時間は、１～１００時間程度であり、好ましくは、３～５０時間である。
　７００℃未満又は１時間未満の熱処理条件では、酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物の反応が不十分となる場合があるためである。一方、熱処理条件が、１２００℃を超える場合又は１００時間を超える場合には、粒子の粗大化が起こる場合があり、次工程の混合粉砕で十分に均一混合できないおそれがある。
　熱処理雰囲気は、酸化雰囲気であれば特に限定されるものでは無い。例えば、大気雰囲気でもよく、より好ましくは酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下である。
　熱処理後、必要な場合は処理物を分級や粉砕をしてもよい。粉砕手段は特に制限なく、各種ミル等、公知の手段を使用できる。
　上記工程Ｃでは、工程Ｂで得た熱処理粉に酸化亜鉛粉を加えて混合粉砕する。これにより、原料粉を焼結する時における元素Ｘの凝集を抑制でき、ターゲットの色ムラを低減することができる。
　原料である酸化亜鉛粉は、特に限定はなく、工業的に市販されているものが使用できるが、高純度、例えば、４Ｎ（０．９９９９）以上であることが好ましい。また塩化亜鉛、硝酸亜鉛等の亜鉛塩を用いても構わない。
　本発明では、上記工程Ｂにて元素Ｘを酸化インジウム粉に固溶させることにより、元素Ｘからなる酸化物粉同士が接触する確率を低減させる。これにより、ターゲットにおいて元素Ｘを主成分とする凝集体の発生を低減している。
　尚、工程Ａにおいて酸化亜鉛ではなく、酸化インジウム粉を選択した理由は、元素ＸがＩｎ系化合物に固溶し易く、また、酸化亜鉛は昇華性であるため、原料の仕込み値と熱処理物において原子組成が変化するおそれがあるためである。
　上記の混合工程、好ましくは工程Ａ～工程Ｃで調製した原料を、公知の方法により成形し、焼結することにより酸化物焼結体とする。
　成形工程では、例えば、上記工程Ｃで得た混合粉を加圧成形して成形体とする。この工程により、製品の形状（例えば、ターゲットとして好適な形状）に成形する。
　成形処理としては、例えば、金型成形、鋳込み成形、射出成形等が挙げられるが、焼結密度の高い焼結体（ターゲット）を得るためには、冷間静水圧（ＣＩＰ）等で成形するのが好ましい。
　尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。
　焼結工程は、上記成形工程で得られた成形体を焼成する工程である。
　焼結条件としては、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下に、通常、１２００～１５５０℃において、通常３０分～３６０時間、好ましくは８～１８０時間、より好ましくは１２～９６時間焼結する。焼結温度が１２００℃未満であると、ターゲットの密度が上がり難くなったり、焼結に時間がかかり過ぎるおそれがある。一方、１５５０℃を超えると成分の気化により、組成がずれたり、炉を傷めたりするおそれがある。
　燃焼時間が３０分未満であると、ターゲットの密度が上がり難く、３６０時間より長いと、製造時間がかかり過ぎコストが高くなるため、実用上採用できない。前記範囲内であると相対密度を向上させ、バルク抵抗を下げることができる。
　焼成時の昇温速度は、通常８℃／分以下、好ましくは４℃／分以下、より好ましくは３℃／分以下、さらに好ましくは２℃／分以下である。８℃／分以下であるとクラックが発生しにくい。
　また、焼成時の降温速度は、通常４℃／分以下、好ましくは２℃／分以下、より好ましくは１℃／分以下、さらに好ましくは０．８℃／分以下、特に好ましくは０．５℃／分以下である。４℃／分以下であるとクラックが発生しにくい。
　尚、昇温や降温は段階的に温度を変化させてもよい。
　酸化物焼結体を必要に応じて所望の形状に加工することによりスパッタリングターゲットが得られる。
　加工は、上記の酸化物焼結体をスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、また、バッキングプレート等の装着用治具を取り付けるために行う。酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとするには、焼結体を、例えば、平面研削盤で研削して表面粗さ（Ｒａ）を５μｍ以下とする。さらに、スパッタリングターゲットのスパッタ面に鏡面加工を施して、平均表面粗さＲａが１０００オングストローム以下としてもよい。平均表面粗さが小さいほどスパッタ成膜初期に発生するパーティクルを低減することができ好ましい。
　研削は、０．１ｍｍ以上行うことが好ましく、０．３ｍｍ以上行うことがより好ましく、０．５ｍｍ以上がさらに好ましく、１ｍｍ以上行うことが特に好ましい。０．１ｍｍ以上研削することで、亜鉛等の成分が気化することなどで発生する表面付近の組成ずれした部位を取り除くことができる。
　得られたスパッタリングターゲットをバッキングプレートへボンディングする。ターゲットの厚みは通常２～２０ｍｍ、好ましくは３～１２ｍｍ、特に好ましくは４～１０ｍｍである。また、複数のターゲットを１つのバッキングプレートに取り付け、実質１つのターゲットとしてもよい。
　本発明のスパッタリングターゲットを用いて、基板等の対象物にスパッタすることにより、本発明の酸化物薄膜を成膜することができる。本発明のスパッタリングターゲットを用いることで、成膜時における酸素濃度を抑えることができ、成膜速度及び生産性を向上できる。
　例えば、スパッタ時における酸素濃度は、通常１０～１００％程度であるが、本発明の場合、１～５％程度にすることができる。
　本発明の酸化物薄膜は、透明電極、薄膜トランジスタの半導体層、酸化物薄膜層等に使用できる。なかでも、薄膜トランジスタの半導体層として好適に使用できる。
　以下、本発明の実施例を基に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
実施例１
（１）原料の調製
　原料として、酸化インジウム（アジア物性材料社製、平均粒径：１μｍ以下、純度：４Ｎ相当）、及び酸化ハフニウム（和光純薬工業社製、平均粒径：１μｍ以下、純度：４Ｎ相当）を使用した。これらを、Ｉｎ元素とＨｆ元素の合計に対するＩｎ元素の原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）〕が０．８８となるように混合した。混合物を湿式ボールミルに供給し、１２時間混合粉砕した。
　得られた混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥した。この乾燥粉を焼成炉に装入し、大気雰囲気下、１０００℃で５時間熱処理した。
　以上により、Ｉｎ元素とＨｆ元素を含有する混合粉を得た。
　この混合粉に、酸化亜鉛（高純度化学社製、平均粒径：１μｍ以下、純度：４Ｎ相当）を、原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）〕が０．３７となるように混合した。混合粉を湿式ボールミルに供給し、２４時間混合粉砕して、原料微粉末のスラリーを得た。このスラリーを、濾過、乾燥及び造粒した。
（２）スパッタリングターゲットの製造
　上記（１）で得た造粒物をプレス成形し、さらに、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力をかけて冷間静水圧プレスで成形した。
　成形物を焼成炉に装入し、大気圧、酸素ガス流入条件で、１４００℃、１２時間の条件で焼成し、焼結体を得た。尚、室温から４００℃までは昇温速度を０．５℃／分とし、４００～１４００℃までは１℃／分とした。一方、降温速度は１℃／分とした。
　得られた焼結体の側辺をダイヤモンドカッターで切断後、上下面を平面研削盤で研削して、直径２インチ、厚さ５ｍｍ、表面粗さ（Ｒａ）０．５μｍ以下のスパッタリングターゲットを作製した。
　得られたスパッタリングターゲットについて、元素組成比、バルク抵抗値（ｍΩｃｍ）、相対密度、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度比[Ｉｘ／Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３）]、元素Ｘと酸素からなる酸化物の平均結晶粒径、色差ΔＥ＊、異常放電、及び成膜時の必要酸素分圧を以下の方法で評価した。
　結果を表１に示す。
（Ａ）元素組成比（原子比）
　誘導プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ－ＡＥＳ）により測定した。
（Ｂ）スパッタリングターゲットのバルク抵抗値
　抵抗率計（三菱化学(株)製、ロレスタ）を使用し四探針法（ＪＩＳ　Ｒ　１６３７）に基づき、焼結体の任意の１０箇所についてバルク抵抗を測定し、その平均値を焼結体のバルク抵抗値とした。
（Ｃ）相対密度
　原料粉の密度から計算した理論密度と、アルキメデス法で測定した焼結体の密度から、下記計算式にて算出した。
　相対密度＝（アルキメデス法で測定した密度）÷（理論密度）×１００（％）
（Ｄ）Ｘ線回折測定
　下記の装置・条件で測定した。
　装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ－ＩＩＩ
　Ｘ線：Ｃｕ－Ｋα線（波長１．５４０６Å、グラファイトモノクロメータにて単色化）
　２θ－θ反射法、連続スキャン（１．０°／分）
　サンプリング間隔：０．０２°
　スリット　ＤＳ、ＳＳ：２／３°、ＲＳ：０．６ｍｍ
　尚、実施例１で得たスパッタリングターゲットのＸ線チャートを図１に示す。
（Ｅ）平均結晶粒径
　焼結体を樹脂に包埋し、その表面を粒径０．０５μｍのアルミナ粒子で研磨した後、Ｘ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）であるＪＸＡ－８６２１ＭＸ（日本電子社製）を用いて研磨面を１０００倍に拡大し、焼結体表面の１００μｍ×１００μｍ四方を任意の３箇所で測定し、それぞれの枠内で観察される添加元素Ｘと酸素からなる結晶粒子の最大径を測定した。この結晶粒子の最大径を平均結晶粒径とした。
（Ｆ）色差ΔＥ＊
　研削後（焼き上がり面を除去した後）の焼結体表面部及び表面から平面研削盤で２ｍｍ研削した部分を、分光測色計ＮＲ１１Ａ（日本電色工業製）を用いて測定し、ＣＩＥ１９７６空間で評価した。尚、基準値は、下記式に従い測定値の平均値とした。
　　ΔＥ＊＝√（ΔＬ＊２＋Δａ＊２＋Δｂ＊２）
　式中、ΔＬ＊２＝（Ｌ＊ 表面－Ｌ＊ 研削後）２でありΔａ＊２＝（ａ＊ 表面－ａ＊ 研削後）２であり、Δｂ＊２＝（ｂ＊ 表面－ｂ＊ 研削後）２である。Ｌ＊は明度、ａ＊とｂ＊は色度座標を表す。「表面」は焼き上がり面を除去した後のターゲット表面部、「研削後」は表面から平面研削盤で２ｍｍ研削した部分それぞれについての値であることを意味する。
（Ｇ）異常放電
　スパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、Ｏ２×１００／（Ａｒ＋Ｏ２）＝３％の条件下で、９６時間連続してスパッタリングした際の異常放電の有無を観察した。
　尚、ＤＣ放電ができるか否かについて、できるものには「可能」、できないものには「不可」とした。
　異常放電が１度も確認されなかった場合を「○」、確認された場合を「×」とした。また、ＤＣ放電ができなかったものについては「－」とした。
（Ｈ）必要酸素分圧
　作製したスパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、以下の方法でトップコンタクトボトムゲート型のＴＦＴを作製した。そして、チャネル層を形成する際の酸素分圧（Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２））について評価した。また、ＤＣ放電ができなかったものについては「－」とした。
（１）ＴＦＴの作製
　基板は、熱酸化膜付ｎ型高ドープシリコン基板を用いた。基板をゲート電極、熱酸化膜（１００ｎｍ）をゲート絶縁膜とした。
　シリコン基板にチャネル層形成用のマスクを装着した後、ＤＣスパッタ法によりスパッタリングターゲットを使用し、Ａｒガス及びＯ２ガスを導入し、膜厚５０ｎｍの非晶質膜を成膜した。
　次に、ソース電極及びドレイン電極形成用のマスクを装着し、ＲＦスパッタ法によりＡｕを成膜して、ソース電極及びドレイン電極を形成した。
　その後、大気中３００℃で６０分間熱処理し、チャネル長が２００μｍで、チャネル幅が１０００μｍのＴＦＴを得た。
（２）必要酸素分圧の測定
　チャネル層成膜時の酸素分圧（Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２））を振り、ＴＦＴ特性がＶｔｈ≧－０．５Ｖかつ移動度（電界効果移動度（μ））≧５ｃｍ２／Ｖｓとなるために最も少ない酸素分圧を必要酸素分圧とした。
　尚、ＴＦＴ特性は半導体パラメーターアナライザー（ケースレー４２００）を用い、室温、遮光環境下で、窒素を噴きかけながら、ドレイン電圧Ｖｄｓ＝５Ｖ及びゲート電圧Ｖｇｓ＝－２０～２０Ｖの条件で評価した。
実施例２～２５
　原料の調製において、原料の配合及び元素Ｘの酸化物を表１～表３に示すように変更した他は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表１～表３に示す。
　尚、使用した元素Ｘの酸化物は、いずれも和光純薬工業社製である。
実施例２６～２９
　酸化インジウム及び酸化亜鉛及び元素Ｘの酸化物を表３に示すような配合で秤量し、これらを遊星ボールミルで６時間混合し、原料微粉末のスラリーを得た。このスラリーを、濾過、乾燥及び造粒して原料を調製した。
　実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表３に示す。
比較例１～３
（１）原料の調製
　酸化インジウム及び酸化亜鉛の配合を表４に示すようにし、これらを混合した。この混合物を湿式ボールミルに供給し、１２時間混合粉砕して、原料微粉末のスラリーを得た。このスラリーを、濾過、乾燥及び造粒した。
（２）スパッタリングターゲットの製造
　実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表４に示す。
比較例４～８
　原料の調製において、原料の配合及び元素Ｘの酸化物を表４に示すように変更した他は、実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表４に示す。
比較例９
（１）原料の調製
　原料として、実施例１と同じ酸化インジウム、酸化亜鉛及び実施例１１と同じ酸化スカンジウムを使用した。これらを、原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｃ）〕が０．６０、原子比〔Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）〕が０．１８となるように混合した。この混合物を湿式ボールミルに供給し、１２時間混合粉砕して、原料微粉末のスラリーを得た。このスラリーを、濾過、乾燥及び造粒した。
（２）スパッタリングターゲットの製造
　実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表４に示す。
比較例１０～１８
　原料の調製において、原料の配合を表４又は表５に示すように変更した他は、比較例９と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、評価した。結果を表４又は表５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　本発明のスパッタリングターゲットは、酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜作製、特に、薄膜トランジスタ用の酸化物薄膜の形成に好適である。また、本発明の酸化物薄膜は、透明電極、薄膜トランジスタの半導体層、酸化物薄膜層等に使用できる。
　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (9)

  1. 　インジウム元素（Ｉｎ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）と、
    　下記のＸ群から選択される１以上の元素Ｘを含有する酸化物からなり、
    　各元素の原子比が下記式（１）及び（２）を満たすスパッタリングターゲット。
    　Ｘ群：Ｍｇ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ
    　０．３０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９０　　（１）
    　０．７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９　　　（２）
    （式中、Ｉｎ，Ｚｎ及びＸはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。）
  2. 　スパッタリングターゲットに含まれるＩｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造化合物の、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク強度（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３））と、前記元素Ｘと酸素からなる化合物の最大ピーク強度（Ｉｘ）が、下記式（３）を満たす請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
    　Ｉｘ／Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３）≦０．１５　　（３）
  3. 　前記元素Ｘと酸素からなる化合物の平均結晶粒径が１０μｍ以下である請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
  4. 　前記スパッタリングターゲットにおいて、焼き上がり面を除去した後のターゲット表面部と該表面部から平面研削盤で２ｍｍ研削した部分とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ＊ａ＊ｂ＊色差（ΔＥ＊）が３．０以下である請求項１～３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
  5. 　比抵抗が３０ｍΩｃｍ以下、相対密度が９０％以上である請求項１～４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
  6. 　元素ＸがＺｒである請求項１～５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
  7. 　酸化インジウム粉と元素Ｘの酸化物を混合、粉砕する工程Ａと、
    　前記工程Ａで得た混合粉を７００～１２００℃の温度で熱処理する工程Ｂと、
    　前記工程Ｂで得た熱処理粉に酸化亜鉛粉を加えて混合粉砕する工程Ｃと、
    　を含む請求項１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
  8. 　請求項１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて作製した酸化物薄膜。
  9. 　請求項８に記載の酸化物薄膜を用いた薄膜トランジスタ。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013136835A (ja) * 2011-11-29 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法および半導体装置の作製方法
JP2014159634A (ja) * 2012-07-03 2014-09-04 Jx Nippon Mining & Metals Corp 焼結体及びアモルファス膜
JP2015214437A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 出光興産株式会社 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
JP5968462B2 (ja) * 2013-10-24 2016-08-10 Ｊｘ金属株式会社 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
CN114163217A (zh) * 2021-12-15 2022-03-11 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种氧化铟钽钇粉体及其制备方法
WO2023145498A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体の製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6410960B2 (ja) * 2016-01-28 2018-10-24 Ｊｘ金属株式会社 円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材及び円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット材をバッキングチューブに１つ以上接合させることで構成される円筒形セラミックス系スパッタリングターゲット
JP6125689B1 (ja) * 2016-03-31 2017-05-10 Ｊｘ金属株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛系（ｉｚｏ）スパッタリングターゲット
CN108178624A (zh) * 2018-01-03 2018-06-19 京东方科技集团股份有限公司 一种氧化物靶材及其制备方法、薄膜晶体管、显示装置
KR102192713B1 (ko) * 2018-09-08 2020-12-17 바짐테크놀로지 주식회사 박막 증착용 스퍼터링 타겟 조성물 및 이의 제조방법
KR20220023824A (ko) * 2019-06-27 2022-03-02 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 산화물 소결체
KR102253914B1 (ko) * 2019-10-14 2021-05-20 가천대학교 산학협력단 금속산화물 타겟의 제조 방법, 및 이를 이용하여 제조된 다중 유전 박막
CN111410525B (zh) * 2020-03-19 2022-04-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法
WO2022030455A1 (ja) 2020-08-05 2022-02-10 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体
CN112079626A (zh) * 2020-09-16 2020-12-15 韶关市欧莱高新材料有限公司 一种铝钕铟锌氧化物旋转靶及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09152940A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Idemitsu Kosan Co Ltd タッチパネル
JP2000048966A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005307269A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜
WO2009081885A1 (ja) * 2007-12-25 2009-07-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
WO2010032432A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 出光興産株式会社 酸化イットリウムを含有する焼結体及びスパッタリングターゲット
WO2010058533A1 (ja) * 2008-11-20 2010-05-27 出光興産株式会社 ＺｎＯ－ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３系酸化物焼結体及び非晶質透明導電膜
WO2010067571A1 (ja) * 2008-12-12 2010-06-17 出光興産株式会社 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5690504A (en) * 1979-12-24 1981-07-22 Nippon Electric Co Method of manufacturing voltage nonnlinear resistor sintered material
JP5358891B2 (ja) * 2006-08-11 2013-12-04 日立金属株式会社 酸化亜鉛焼結体の製造方法
JP5625907B2 (ja) * 2008-07-15 2014-11-19 東ソー株式会社 複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット及び薄膜の製造方法
JP5288276B2 (ja) * 2009-08-28 2013-09-11 日立金属株式会社 Ｒ−ｔ−ｂ系永久磁石の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09152940A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Idemitsu Kosan Co Ltd タッチパネル
JP2000048966A (ja) * 1998-07-27 2000-02-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005307269A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜
WO2009081885A1 (ja) * 2007-12-25 2009-07-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
WO2010032432A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 出光興産株式会社 酸化イットリウムを含有する焼結体及びスパッタリングターゲット
WO2010058533A1 (ja) * 2008-11-20 2010-05-27 出光興産株式会社 ＺｎＯ－ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３系酸化物焼結体及び非晶質透明導電膜
WO2010067571A1 (ja) * 2008-12-12 2010-06-17 出光興産株式会社 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013136835A (ja) * 2011-11-29 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法および半導体装置の作製方法
JP2014159634A (ja) * 2012-07-03 2014-09-04 Jx Nippon Mining & Metals Corp 焼結体及びアモルファス膜
JP5968462B2 (ja) * 2013-10-24 2016-08-10 Ｊｘ金属株式会社 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
JPWO2015059938A1 (ja) * 2013-10-24 2017-03-09 Ｊｘ金属株式会社 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
JP2015214437A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 出光興産株式会社 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
CN114163217A (zh) * 2021-12-15 2022-03-11 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种氧化铟钽钇粉体及其制备方法
WO2023145498A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体の製造方法

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