JP5986225B2 - 分散型el用蛍光体の製造方法 - Google Patents

分散型el用蛍光体の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は,分散型エレクトロルミネッセンス(以下,分散型ELという)用蛍光体の製造方法に関する。
分散型ELは,粉末状の蛍光体材料を樹脂バインダーなどに分散させたものを,電極上に塗布し,その上にさらに電極を形成して,蛍光体材料に電界を印加して発光させるデバイスである。これに対して,蛍光体材料を蒸着,スパッタリングなどによって薄膜状に形成したものを薄膜ELと呼ぶ。薄膜ELでは,蛍光体の層が1μm以下と薄く,高電界が印加できるため,各種の蛍光体材料を発光させることができる。
一方,分散型ELは,粉末状の蛍光体を塗布して蛍光体の層を形成するため,層の厚さが数10μm以上となり,高電界を印加させることができない。そのため,分散型ELに利用できるのはいわゆるDAペア型蛍光体であり,その種類が限られる。現在,分散型EL用蛍光体としては,Cu,Agなどの賦活剤,Cl,I,Alなどの共賦活剤を添加したZnSが知られている。このタイプの蛍光体では,蛍光体粒子の伝導帯または価電子帯に注入された電子または正孔が,共賦活剤によって導入されたドナー準位および賦活剤によって形成されたアクセプタ準位を介して再結合することで発光が得られる。
キャリア注入の機構としては,ZnS結晶中の積層欠陥にCuS(硫化第一銅)を析出させ,電界を掛けたときに導電性のCuSから放出される電子あるいは正孔をZnS結晶中に供給するというメカニズムによるものと理解されている(非特許文献1参照)。
ZnS粒子中に十分な量のCuSから析出させる電子あるいは正孔をZnS結晶中に積層欠陥(閃亜鉛鉱型結晶とウルツ鉱型結晶の界面)を多数,形成するとともに複雑な熱工程を経て針状のCuS結晶をこの界面に析出させる必要があることが知られている。そのため,蛍光体の製造工程では,歪みを与えるためにZnS結晶に衝撃を加えたり(特許文献1参照),高い圧力を掛けたり(特許文献2参照)する工程を導入する。また衝撃波を加える(特許文献3参照),密閉容器中で爆薬とともに爆発させるという方法も提案されている(特許文献4参照)。
特許第2696809号公報 特開平08−283711号公報 特開2007−224174号公報 国際公開第2007/043676号
テレビジョン学会技術報告 14(4), pp. 31-35, 1990.
しかしながら,特許文献1〜4に記載された方法では工程の制御が難しく,必ずしも最適の条件で製造できるとは限らず,また製品の収率(歩留り)も悪かった。加えて,工程で高いエネルギーを必要とすることも課題で,コストの増大につながっていた。
本発明は,上記従来技術の課題に鑑みてなされたものであり,その目的は,高輝度,高発光効率が得られる分散型EL用蛍光体を,複雑な制御や高いエネルギーを必要とする特殊な工程を必要とせず,簡便な工程のみで効率良く製造できる方法を提供することにある。
本発明は,母体粒子に賦活剤および共賦活剤が添加されてなる分散型EL用蛍光体の製造方法に関する。本発明は、この方法において、母体粒子に賦活剤または共賦活剤を含浸させた後,焼成することにより,母体粒子に賦活剤または共賦活剤を添加することを特徴としている。
具体的に、本発明の分散型EL用蛍光体の製造方法は,少なくとも最初の焼成工程,第1含浸工程,第2含浸工程,最後の焼成工程,および洗浄工程を含んでいる。最初の焼成工程では母体粒子が焼成される。第1含浸工程では最初の焼成工程を行った後の母体粒子に,賦活剤または共賦活剤が含浸される。第2含浸工程では,第1含浸工程を行った後の母体粒子に,共賦活剤または賦活剤が含浸される。洗浄工程では第2含浸工程を行った後の母体粒子が洗浄される。
上記製造方法により得られた分散型EL用蛍光体では,母体粒子の一部が賦活剤に置換され,他の一部が共賦活剤に置換されることにより,蛍光体粒子中にpn接合が形成された構造を備える。この構造によってpn接合部分で電子と正孔の再結合が生じて,分散型EL構造のように低い電界しか印加できない条件でも発光が起こる。
また上記製造工程には,ZnS結晶を歪ませCuSを析出させる必要がないことから,高圧,爆発,衝撃波などの高エネルギーを要し,また制御が難しい工程が含まれず,低コストで歩留り良く分散型EL用蛍光体を製造することができる。
上記複数の工程は本発明において必須であるが,製造効率を向上させるために,種々の工程が更に追加されてもよい。具体的には,第1含浸工程を行った後の母体粒子を焼成する中間の焼成工程が追加されても良い。また,中間の焼成工程を行った後の母体粒子が洗浄される洗浄工程が追加されても良い。また,最初の焼成工程を行った後の母体粒子が洗浄される洗浄工程が追加されても良い。
なお,賦活剤と共賦活剤を別々に含浸させるために上記のように含浸工程を2回に分けても良いが,より簡便な手法としては,賦活剤および共賦活剤の両方を1回の含浸工程で同時に含浸させても良い。
また本発明の分散型EL用蛍光体の製造方法は、少なくとも合成工程、最初の焼成工程、含浸工程、最後の焼成工程、および洗浄工程を含んでいる。合成工程では、賦活剤または共賦活剤を含む液相中で、母体粒子が合成される。最初の焼成工程では合成工程によって得られた母体粒子が焼成される。含浸工程では、最初の焼成工程を行った後の母体粒子に、共賦活剤または賦活剤が含浸される。最後の焼成工程では、含浸工程を行った後の母体粒子が焼成される。洗浄工程では含浸工程を行った後の母体粒子が洗浄される。
上記製造方法により得られた分散型EL用蛍光体では、母体粒子の一部が賦活剤に置換され、他の一部が共賦活剤に置換されることにより、蛍光体粒子中にpn接合が形成された構造を備える。この構造によってpn接合部分で電子と正孔の再結合が生じて、分散型EL構造のように低い電界しか印加できない条件でも発光が起こる。
また上記製造工程には、高圧、爆発、衝撃波などの高エネルギーを要し、また制御が難しい工程が含まれず、低コストで歩留り良く分散型EL用蛍光体を製造することができる。
上記複数の工程は本発明において必須であるが、製造効率を向上させるために、種々の工程が更に追加されてもよい。具体的には、最初の焼成工程を行った後の母体粒子が洗浄される洗浄工程が追加されても良い。
本発明によれば,高輝度,高発光効率が得られる分散型EL用蛍光体を,複雑な制御や高いエネルギーを必要とする特殊な工程を必要とせず,簡便な工程のみで効率良く製造できる。
本発明の第1の実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第2の実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の第3の実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法の流れを示すフローチャートである。
本発明の第1の実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法を説明する。
図1に示すように,本実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法は,母体材料の結晶粒子の準備工程(ステップS1),最初の焼成工程(ステップS2),洗浄工程(ステップS3),第1含浸工程(ステップS4),中間の焼成工程(ステップS5),洗浄工程(ステップS6),乾燥工程(ステップS7),第2含浸工程(ステップS8),最後の焼成工程(ステップS9),洗浄工程(ステップS10),および乾燥工程(ステップS11)を備える。
準備工程(ステップS1)では,本発明の分散型EL用蛍光体の元となる母体粒子が用意される。母体粒子として,分散型EL用蛍光体として最も一般的であるZnS結晶粒子が好適である。ZnS結晶粒子は公知の種々の方法によって合成することができるが,一例として液相合成法を用いて合成される。液相合成法では,生成物が微粒子の結晶として得られる。
最初の焼成工程(ステップS2)では,母体粒子であるZnS結晶粒子が焼成される。焼成によって母体粒子が,分散型EL用蛍光体に適した性質へと変化する。続いて,洗浄工程(ステップS3)で,焼成後の母体粒子が水洗される。この洗浄工程は省略可能である。
第1含浸工程(ステップS4)では,最初の焼成工程を行った母体粒子(厳密には,焼成後,洗浄した母体粒子。)に,賦活剤または共賦活剤が含浸される。
本発明で賦活剤とは,母体粒子であるZnS結晶粒子中に電子受容性(正孔キャリアを生じさせる性質)を付与するもので,具体的には,11族または15族の元素から選ばれる1つ以上の元素である。例えば,Cu,Ag,P,Asなどが挙げられる。Cu,AgはZnS粒子のZnと置き換わり,P,AsはZnS粒子のSと置き換わる。
また,本発明で共賦活剤とは,母体粒子であるZnS結晶粒子中に電子供与性(電子キャリアを生じさせる性質)を付与するもので,具体的には,13族または17族の元素から選ばれる1つ以上の元素である。例えば,Al,Ga,Cl,Br,Iなどが挙げられる。Al,GaはZnS粒子のZnと置き換わり,Br,IはZnS粒子のSと置き換わる。
第1含浸工程は,賦活剤または共賦活剤の化合物の水溶液に母体粒子を含浸することにより行う。このような水溶液としては,例えば,賦活剤としてCuをターゲットにするときは,CuCl水溶液,共賦活剤としてAl,Clをターゲットにするときは,AlCl水溶液を用いることができる。
中間の焼成工程(ステップS5)では,第1含浸工程を行った母体粒子が焼成される。これによって,母体粒子に賦活剤または共賦活剤が添加される。続いて,洗浄工程(ステップS6)で焼成後の母体粒子が洗浄され,乾燥工程(ステップS7)で乾燥される。洗浄液は含浸される賦活剤または共賦活剤の元素によって適宜選択される。例えば,含浸液にCuCl水溶液を使用したときは,洗浄液にはアンモニア水を好適に使用でき,含浸液にAlCl水溶液を使用したときは,洗浄液には塩酸を好適に使用することができる。
第2含浸工程(ステップS8)では,第1含浸工程を行った母体粒子(厳密には,第1含浸工程を行った後,焼成・洗浄された母体粒子)に,共賦活剤または賦活剤が含浸される。つまり,第1含浸工程で賦活剤を含浸させた場合は,第2含浸工程で共賦活剤が含浸される。他方,第1含浸工程で共賦活剤を含浸させた場合は,第2含浸工程で賦活剤が含浸される。第2含浸工程で含浸させる共賦活剤または賦活剤については上述したものを用いることができる。第2含浸工程は,共賦活剤または賦活剤の化合物の水溶液に母体粒子を含浸することにより行う。このような水溶液は上述したものを用いることができる。
最後の焼成工程(ステップS9)では,第2含浸工程を行った母体粒子が焼成される。これによって,母体粒子に共賦活剤または賦活剤が添加される。また,焼成温度は,好ましくは100℃〜500℃,より好ましくは200℃〜400℃とする。これによって,母体粒子の表面に賦活剤及び共賦活剤の偏析による発光中心を形成させることができる。続いて,洗浄工程(ステップS10)で焼成後の母体粒子が洗浄され,乾燥工程(ステップS11)で乾燥される。洗浄液には上述したものが用いられる。この結果,母体粒子に賦活剤および共賦活剤が添加されてなる無機EL用蛍光体が得られる。
以上のようにして得られた分散型EL用蛍光体では,母体粒子の一部が賦活剤で置換されてp型となり,他の一部が共賦活剤で置換されてn型となり,蛍光体粒子中にpn接合が形成される。この構造によってpn接合部分で電子と正孔の再結合が生じて,分散型EL構造のように低い電界しか印加できない条件でも発光が起こる。
本発明の第2の実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法を説明する。第1の実施形態では,賦活剤と共賦活剤とを第1含浸工程と第2含浸工程との2回に分けて母体粒子に含浸させていたが,本実施形態では,1回の含浸工程で賦活剤と共賦活剤の両方を同時に含浸させるようにして製造工程の簡略化を図ったものである。
図2に示すように,本実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法は,母体材料の結晶粒子の準備工程(ステップS21),最初の焼成工程(ステップS22),洗浄工程(ステップS23),含浸工程(ステップS24),最後の焼成工程(ステップS25),洗浄工程(ステップS26),および乾燥工程(ステップS27)を備える。
準備工程(ステップS21)では,本発明の分散型EL用蛍光体の元となる母体粒子が用意される。母体粒子として,分散型EL用蛍光体として最も一般的であるZnS結晶粒子が好適である。ZnS結晶粒子は公知の種々の方法によって合成することができるが,一例として液相合成法を用いて合成される。液相合成法では,生成物の微粒子の結晶として得られる。
最初の焼成工程(ステップS22)では,母体粒子であるZnS結晶粒子が焼成される。焼成によって母体粒子が,分散型EL用蛍光体に適した性質へと変化する。続いて,洗浄工程(ステップS23)で,焼成後の母体粒子が水洗される。この洗浄工程は省略可能である。
含浸工程(ステップS24)では,最初の焼成工程を行った母体粒子(厳密には,焼成後,洗浄した母体粒子。)に,賦活剤および共賦活剤が含浸される。
本発明で賦活剤とは,母体粒子であるZnS結晶粒子中に電子受容性(正孔キャリアを生じさせる性質)を供与するもので,具体的には,11族または15族の元素から選ばれる1つ以上の元素である。例えば,Cu,Ag,P,Asなどが挙げられる。Cu,AgはZnS粒子のZnと置き換わり,P,AsはZnS粒子のSと置き換わる。
また,本発明で共賦活剤とは,母体粒子であるZnS結晶粒子中に電子供与性(電子キャリアを生じさせる性質)を供与するもので,具体的には,13族または17族の元素から選ばれる1つ以上の元素である。例えば,Al,Ga,Cl,Br,Iなどが挙げられる。Al,GaはZnS粒子のZnと置き換わり,Br,IはZnS粒子と置き換わる。
含浸工程は,賦活剤および共賦活剤の化合物の水溶液に母体粒子を含浸することにより行う。このような水溶液としては,例えば,賦活剤としてCuを,共賦活剤としてAl,Clをターゲットにするときは,CuCl,CuClおよびAlClの混合水溶液を用いることができる。
最後の焼成工程(ステップS25)では,含浸工程を行った母体粒子が焼成される。これによって,母体粒子に共賦活剤または賦活剤が添加される。続いて,洗浄工程(ステップS10)で焼成後の母体粒子が洗浄され,乾燥工程(ステップS11)で乾燥される。この結果,母体粒子に賦活剤および共賦活剤が添加されてなる無機EL用蛍光体が得られる。
以上のようにして得られた分散型EL用蛍光体では,母体粒子の一部が賦活剤で置換されてp型となり,他の一部が共賦活剤で置換されてn型となり,蛍光体粒子中にpn接合が形成される。この構造によってpn接合部分で電子と正孔の再結合が生じて,分散型EL構造のように低い電界しか印加できない条件でも発光が起こる。
次に,第1,第2の実施形態による効果を検証した具体的な実施例を説明する。
液相合成法によってZnS蛍光体の前駆体を沈殿させ,これを焼成することによって粒径(D50)が約10μmのZnS微結晶を得た。次にこの結晶粒子を水洗,100℃〜300℃で乾燥した後,CuCl水溶液中に投入してCuを含浸させた。これを焼成,アンモニア水で洗浄し,AlCl水溶液中でAl,Clを含浸させて100℃〜500℃で焼成し,塩酸で洗浄,100℃〜300℃で乾燥させて蛍光体粉末を得た。
片面にITO(酸化インジウム)の透明電極膜を形成したPETフィルムのITO透明電極膜側に,発光層を形成する。発光層は,上記のようにして得た蛍光体粉末を重量比5:1でバインダー樹脂と混合して得た蛍光体ペーストを,透明電極上に塗布,焼成し,焼成後の膜厚が約60μmとなるように成膜した。誘電体層はチタン酸バリウム(BaTiO)粒子とバインダー樹脂を重量比3:1で混合した誘電体ペーストを発光層上に塗布,焼成し,焼成後の膜厚が20μmとなるように成膜した。最後に誘電体上にAgペーストを塗布,焼成して背面電極を形成することにより,実施例1の分散型EL素子を製作した。
液相合成法によってZnS蛍光体の前駆体を沈殿させ,これを焼成することによって粒径(D50)が約10μmのZnS微結晶を得た。次にこの結晶粒子を水洗,100℃〜300℃で乾燥した後,CuCl,AlClの混合水溶液中に投入してCu,AlおよびClを含浸させた。その後,100℃〜500℃で焼成,アンモニア洗浄を行い,100℃〜300℃で乾燥させて蛍光体粉末を得た。
上記のようにして得られた蛍光体粉末を含む発光層を備える以外は,実施例1と同じ方法を用いて,実施例2に係る分散型EL素子を製作した。
[比較例1]
液相合成法によってZnS蛍光体の前駆体を沈殿させ,これを焼成することによって粒径(D50)が約10μmのZnS微結晶を得た。このとき賦活剤としてCu,Alを同時に液相で添加し,800℃〜900℃で焼成後,洗浄,100℃〜300℃で乾燥させて蛍光体粉末を得た。
上記のようにして得られた蛍光体粉末を含む発光層を備える以外は,実施例1と同じ方法を用いて,比較例に係る分散型EL素子を製作した。
<発光特性試験>
上記のようにして作製した実施例1,2および比較例1に係る分散型EL素子の発光特性を評価した。分散型EL素子は10 kHz, 実効値215 V の交流で駆動した。表1はその時の輝度と発光効率をまとめたものである。実施例1,2では,比較例1よりも輝度が約2倍,発光効率は2〜3倍近くになっている。
Figure 0005986225
実施例と比較例で発光性能が大きく異なる理由は以下のように推定される。比較例1では,液相中でZnS結晶を合成するときに賦活剤,共賦活剤を添加している。このため,賦活剤,共賦活剤は結晶中に比較的均一に分散され,明確なpn接合を形成しない。一方,実施例1では,最初に賦活剤を,次に共賦活剤を含浸させることによって蛍光体粒子表面に賦活剤と共賦活剤の二層構造の表面層が作られるため,その界面にpn接合が形成され,輝度,発光効率が向上すると考えられる。
実施例2では,賦活剤,共賦活剤を同時に含浸しているが,両者のZnS結晶表面への吸着率が異なり,また結晶中への拡散係数も異なるため,賦活剤と共賦活剤に濃度差が生じる。そのため賦活剤濃度が高い部分と共賦活剤濃度が高い部分との間にpn接合が形成されるため,分散型EL用蛍光体として用いたときの発光特性が向上するものと推定される。なお実施例1において,含浸の順序を入れ替えてもよい。
本発明の第3の実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法を説明する。
図3に示すように,本実施形態に係る分散型EL用蛍光体の製造方法は,母体材料の結晶粒子の合成工程(ステップS31),最初の焼成工程(ステップS32),洗浄工程(ステップS33),乾燥工程(ステップS34),含浸工程(ステップS35),最後の焼成工程(ステップS36),洗浄工程(ステップS37),および乾燥工程(ステップS38)を備える。
合成工程(ステップS31)では,本発明の分散型EL用蛍光体の元となる母体粒子が,賦活剤または共賦活剤が含浸された状態で合成される。このため,合成工程は,賦活剤または共賦活剤を含む液相中で生成物を沈殿させる液相合成法を用いて実施される。液晶合成法では,生成物が微粒子の結晶として得られる。
母体粒子として,分散型EL用蛍光体として最も一般的であるZnS結晶粒子が好適である。
本発明で賦活剤とは,母体粒子であるZnS結晶粒子中に電子受容性(正孔キャリアを生じさせる性質)を付与するもので,具体的には,11族または15族の元素から選ばれる1つ以上の元素である。例えば,Cu,Ag,P,Asなどが挙げられる。Cu,AgはZnS粒子のZnと置き換わり,P,AsはZnS粒子のSと置き換わる。
また,本発明で共賦活剤とは,母体粒子であるZnS結晶粒子中に電子供与性(電子キャリアを生じさせる性質)を付与するもので,具体的には,13族または17族の元素から選ばれる1つ以上の元素である。例えば,Al,Ga,Cl,Br,Iなどが挙げられる。Al,GaはZnS粒子のZnと置き換わり,Br,IはZnS粒子のSと置き換わる。
最初の焼成工程(ステップS32)では,合成工程で合成され,かつ賦活剤または共賦活剤が含浸された状態で母体粒子であるZnS結晶粒子が焼成される。焼成によって母体粒子が,分散型EL用蛍光体に適した性質へと変化する。続いて,洗浄工程(ステップS33)で,焼成後の母体粒子が洗浄され,乾燥工程(ステップS34)で乾燥される。洗浄液は含浸される賦活剤または共賦活剤の元素によって適宜選択される。例えば,Cuを賦活剤としたときは,洗浄液にはアンモニア水を好適に使用でき,Al,Clを賦活剤としたときは,洗浄液には塩酸を好適に使用することができる。洗浄工程および乾燥工程は省略可能である。
含浸工程(ステップS35)では,最初の焼成工程を行った母体粒子(厳密には,焼成後,洗浄・乾燥した母体粒子。)に,共賦活剤または賦活剤が含浸される。つまり,合成工程で賦活剤が含浸される場合は,含浸工程で共賦活剤が含浸される。他方,合成工程で共賦活剤が含浸される場合は,含浸工程で賦活剤が含浸される。
含浸工程は,賦活剤または共賦活剤の化合物の水溶液に母体粒子を含浸することにより行う。このような水溶液としては,例えば,共賦活剤としてAl,Clをターゲットにするときは,AlCl水溶液を用いることができ,賦活剤としてCuをターゲットにするときは,CuCl水溶液を用いることができる。
最後の焼成工程(ステップS36)では,含浸工程を行った母体粒子が焼成される。これによって,母体粒子に共賦活剤または賦活剤が添加される。続いて,洗浄工程(ステップS37)で焼成後の母体粒子が洗浄され,乾燥工程(ステップS38)で乾燥される。この結果,母体粒子に賦活剤および共賦活剤が添加されてなる無機EL用蛍光体が得られる。洗浄液には上述したものが適宜用いられる。
以上にようにして得られた分散型EL用蛍光体では,母体粒子の一部が賦活剤で置換されてp型となり,他の一部が共賦活剤で置換されてn型となり,蛍光体粒子中にpn接合が形成される。この構造によってpn接合部分で電子と正孔の再結合が生じて,分散型EL構造のように低い電界しか印加できない条件でも発光が起こる。
次に,第3の実施形態による効果を検証した具体的な実施例を説明する。
液相合成法によってZnS蛍光体の前駆体を沈殿させ,これを焼成することによって粒径(D50)が約10μmのZnS微結晶を得た。このときCuを賦活剤とし,一旦,p型のZnSが結晶粒子のほぼ全体を占めるようにした。次にこの結晶粒子をアンモニア水で洗浄した後,水洗,100℃〜300℃で乾燥して,ZnS表面からCuを除去した。このZnS粒子をAlCl水溶液中に投入してAl,Clを含浸させた。その後,100℃〜500℃で焼成,塩酸で洗浄を再度行い,乾燥させて蛍光体粉末を得た。
片面にITO(酸化インジウム)の透明電極膜を形成したPETフィルムのITO透明電極膜側に,発光層を形成する。発光層は,上記のようにして得た蛍光体粉末を重量比5:1でバインダー樹脂と混合して得た蛍光体ペーストを,透明電極上に塗布,焼成し,焼成後の膜厚が約60μmとなるように成膜した。誘電体層はチタン酸バリウム(BaTiO)粒子とバインダー樹脂を重量比3:1で混合した誘電体ペーストを発光層上に塗布,焼成し,焼成後の膜厚が20μmとなるように成膜した。最後に誘電体上にAgペーストを塗布,焼成して背面電極を形成することにより,実施例3の分散型EL素子を製作した。
液相合成法によってZnS蛍光体の前駆体を沈殿させ,これを焼成することによって粒径(D50)が約10μmのZnS微結晶を得た。このときAlを共賦活剤とし,一旦,n型のZnSが結晶粒子のほぼ全体を占めるようにした。次にこの結晶粒子を塩酸で洗浄した後,水洗,100℃〜300℃で乾燥して,ZnS表面からAlを除去した。このZnS粒子をCuCl水溶液中に投入してCuを含浸させた。その後,100℃〜500℃で焼成,アンモニア水で洗浄を再度行い,乾燥させて蛍光体粉末を得た。
上記のようにして得られた蛍光体粉末を含む発光層を備える以外は,実施例3と同じ方法を用いて,実施例4に係る分散型EL素子を製作した。
[比較例2]
液相合成法によってZnS蛍光体の前駆体を沈殿させ,これを焼成することによって粒径(D50)が約10μmのZnS微結晶を得た。このとき賦活剤としてCu,共賦活剤としてAlを同時に液相で添加し,焼成後,洗浄,乾燥させて蛍光体粉末を得た。
上記のようにして得られた蛍光体粉末を含む発光層を備える以外は,実施例3と同じ方法を用いて,比較例2に係る分散型EL素子を製作した。
<発光特性試験>
上記のようにして作製した実施例3,4および比較例2に係る分散型EL素子の発光特性を評価した。分散型EL素子は10 kHz, 実効値215 V の交流で駆動した。表2はその時の輝度と発光効率をまとめたものである。実施例3,4では,比較例よりも輝度が約3倍,発光効率は2〜5倍近くになっている。
Figure 0005986225
実施例と比較例で発光性能が大きく異なる理由は以下のように推定される。比較例2では,液相中でZnS結晶を合成するときに賦活剤,共賦活剤を添加している。このため,賦活剤,共賦活剤は結晶中に比較的均一に分散され,明確なpn接合を形成しない。一方,実施例3,4では,蛍光体粒子のバルク(中心)部に賦活剤が分布し,表面には共賦活剤が主に分布するため,その界面にpn接合が形成され分散型EL用蛍光体として用いたときの発光効率が高くなるものと推定される。
上述の実施形態の説明は,すべての点で例示であって,制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は,上述の実施形態ではなく,特許請求の範囲によって示される。さらに,本発明の範囲には,特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

Claims (10)

  1. 母体粒子に賦活剤および共賦活剤が添加されてなる分散型EL用蛍光体の製造方法であって,
    前記母体粒子に前記賦活剤および前記共賦活剤を含浸させた後,前記母体粒子を100〜500℃で焼成することにより,前記母体粒子に前記賦活剤および前記共賦活剤を添加することを特徴とする分散型EL用蛍光体の製造方法。
  2. 請求項1に記載の分散型EL用蛍光体の製造方法であって,
    前記母体粒子が焼成される最初の焼成工程と,
    前記最初の焼成工程を行った後の前記母体粒子に,賦活剤または共賦活剤を含浸させる第1含浸工程と,
    前記第1含浸工程を行った後の前記母体粒子に,共賦活剤または賦活剤を含浸させる第2含浸工程と,
    前記第2含浸工程を行った後の前記母体粒子が焼成される最後の焼成工程と,
    前記最後の焼成工程を行った後の前記母体粒子が洗浄される洗浄工程と,
    を有する分散型EL用蛍光体の製造方法。
  3. 請求項1に記載の分散型EL用蛍光体の製造方法であって,
    前記母体粒子が焼成される最初の焼成工程と,
    前記最初の焼成工程を行った後の前記母体粒子に,賦活剤および共賦活剤を同時に含浸させる含浸工程と,
    前記含浸工程を行った後の前記母体粒子が焼成される最後の焼成工程と,
    前記最後の焼成工程を行った後の前記母体粒子が洗浄される洗浄工程と,
    を有する分散型EL用蛍光体の製造方法。
  4. 請求項1に記載の分散型EL用蛍光体の製造方法であって,
    賦活剤または共賦活剤を含む液相中で,母体粒子が合成される合成工程と,
    前記合成工程によって得られた前記母体粒子が焼成される最初の焼成工程と,
    前記最初の焼成工程を行った後の前記母体粒子に,共賦活剤または賦活剤を含浸させる含浸工程と,
    前記含浸工程を行った後の前記母体粒子が焼成される最後の焼成工程と,
    前記最後の焼成工程を行った後の前記母体粒子が洗浄される洗浄工程と,
    を有する分散型EL用蛍光体の製造方法。
  5. 前記第1含浸工程を行った後の前記母体粒子が焼成される中間の焼成工程を,さらに有する請求項2に記載の分散型EL用蛍光体の製造方法。
  6. 前記中間の焼成工程を行った後の前記母体粒子が洗浄される洗浄工程を,さらに有する請求項5に記載の分散型EL用蛍光体の製造方法。
  7. 前記最初の焼成工程を行った後の前記母体粒子が洗浄される洗浄工程を,さらに有する請求項3または6に記載の分散型EL用蛍光体の製造方法。
  8. 前記母体粒子がZnS粒子である,請求項1〜7のいずれかに記載の分散型EL用蛍光体の製造方法。
  9. 前記賦活剤が11族または15族の元素から選ばれる1つ以上の元素である,請求項8に記載の分散型EL用蛍光体の製造方法。
  10. 前記共賦活剤が13族または17族の元素から選ばれる1つ以上の元素である,請求項8または9に記載の分散型EL用蛍光体の製造方法。
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