CN103956432A - 一种发光二极管及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种发光二极管及电子设备。所述发光二极管包括相对设置的第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的发光层，所述发光层包括量子点和至少一种有机发光材料。由于量子点具有与磷光材料相同的发光效率，通过设置量子点来取代或补偿低发光效率的荧光材料，发出所需的光色，可以提高发光二极管的发光效率，且量子点和有机发光材料的制作相容，制作工艺简单。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种发光二极管及电子设备。
背景技术
目前实现白光有机电致发光显示（OLED）的结构包括很多种，有多个器件叠层结构、色转换结构、单层发光层结构、多层发光层结构等。其中，多层发光结构由于工艺相对简单、色稳定性较好等优点被广泛运用于白光OLED中。
如图1所示，一种比较常见的多层发光结构的OLED，包括阴极和阳极，以及位于阴极和阳极之间的多层有机发光层。具体的工作原理为：当元件受到直流电（Direct Current，DC）所衍生的顺向偏压时，外加的电压能量将驱动电子（Electron）与空穴（Hole）分别由阴极与阳极注入有机发光层。有机分子不稳定激发态的分子从激发态回到基态时，产生发光现象。当有机分子受到外来能量激发后，若电子自旋（Electron Spin）和基态电子成对，则为单重态（Singlet），其所释放的光为所谓的荧光（Fluorescence）；反之，若激发态电子和基态电子自旋不成对且平行，则称为三重态（Triplet），其所释放的光为所谓的磷光（Phosphorescence）。其中，磷光OLED的发光效率是荧光OLED的四倍，使用更普遍。
目前，受激发出红光、黄光、绿光的磷光材料，都有非常好的特性，可选择的材料种类也很多，早已进入量产中。但受激发出蓝光的磷光材料，尚无任何可商业化应用的材料，导致多层发光结构的白光OLED中的蓝光只能使用发光效率较低的荧光材料，造成白光OLED的发光效率较低。当然，发光效率较低的荧光材料也可以是受激发出其他颜色光的材料。
发明内容
本发明提供一种发光二极管及电子设备，用以解决OLED由于使用发光效率较低的荧光材料，导致发光效率较低的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供发光二极管，包括相对设置的第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的发光层，其中，所述发光层包括量子点和至少一种有机发光材料。
进一步地，所述量子点和有机发光材料的发光光色不同。
进一步地，所述量子点和至少一种有机发光材料的发光光色相同。
进一步地，所述发光二极管还包括第一载流子传输层和第二载流子传输层；
所述第一载流子传输层、发光层和第二载流子传输层顺序排列在所述第一电极和第二电极之间。
进一步地，所述量子点和有机发光材料为单层结构。
进一步地，所述发光层中，有机发光材料的最高占据分子轨道的能级的绝对值大于量子点的价电带的绝对值,且有机发光材料的最低未占分子轨道的能级的绝对值小于量子点的导电带的绝对值。
进一步地，所述量子点和有机发光材料为通过一次成膜工艺同时形成。
进一步地，所述发光层包括第一有机发光层、第二有机发光层和量子点层；
所述量子点层位于所述第一有机发光层和第二有机发光层之间。
进一步地，所述量子点层的厚度小于10nm。
进一步地，所述有机发光材料为磷光材料。
本发明还提供一种电子设备，包括如上所述的发光二极管。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
上述技术方案中，发光二极管的发光层包括量子点和至少一种有机发光材料。由于量子点具有与磷光材料相同的发光效率，通过设置量子点来取代或补偿低发光效率的荧光材料，发出所需的光色，可以提高发光二极管的发光效率。且量子点和有机发光材料的制作相容，制作工艺简单。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示现有技术中OLED的结构示意图；
图2表示本发明实施例中发光二极管的结构示意图一；
图3表示本发明实施例中发光二极管的一个具体应用结构示意图；
图4表示本发明实施例中发光二极管的结构示意图二；
图5表示本发明实施例中发光二极管的另一个具体应用结构示意图。
具体实施方式
本发明针对OLED发出的光线中，某种颜色的光只能通过低发光效率的荧光材料实现，造成发光效率较低的问题，提供一种发光二极管，其包括第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的发光层，所述发光层包括量子点和至少一种有机发光材料，有机发光材料最好为磷光材料。由于量子点具有与磷光材料相同的发光效率，通过设置量子点补偿或取代低发光效率的荧光材料，发出所需的光色（荧光材料受激发出的光色），可以提高发光二极管的发光效率。且量子点和有机发光材料的制作相容，制作工艺简单。下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施例中定义第一电极为阳极，第二电极为阴极。
实施例一
结合图2和图3所示，本发明实施例中的发光二极管，包括相对设置的第一电极和第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的发光层，为增强发光二极管的载流子传输性能，本发明实施例中的发光二极管还包括第一载流子传输层（具体可以为空穴传输层，位于第一电极和发光层之间）和第二载流子传输层（具体可以为电子传输层，位于第二电极和发光层之间），所述发光层包括相对的第一表面和第二表面。空穴传输层、发光层和电子传输层顺序排列。所述空穴传输层与阳极电性连接，传输的载流子（空穴）通过所述第一表面进入所述发光层，所述电子传输层与阴极电性连接，传输的载流子（电子）通过所述第二表面进入所述发光层。其中，所述发光层包括量子点和至少一种有机发光材料，当然，为提高发光二极管的发光性能，根据需要，发光二极管还可以包含其他功能层，如电子注入层、空穴注入层等，在此不对发光二极管的具体结构作限定。
其中，量子点(quantum dot)是准零维的纳米材料，由少量的原子所构成。粗略地说，量子点三个维度的尺寸都在100nm以下，外观恰似一极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子局限效应特别显著。通过控制量子点的形状、结构和尺寸，就可以方便地调节其能隙宽度、激子束缚能的大小，改变量子点发出的光色，这就是量子尺寸效应。随着量子点的粒径减小，大部分原子位于量子点的表面，量子点的比表面积随粒径减小而增大。由于纳米颗粒大的比表面积，表面相原子数的增多，导致了表面原子的配位不足、不饱和键和悬键增多。使这些表面原子具有高的活性，极不稳定，很容易与其它原子结合，这就是量子点的表面效应。
因此，量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制。通过改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。以CdTe量子点为例，当它的粒径从2.5nm生长到4.0nm时，它们的发射波长可以从510nm红移到660nm。而且量子点会吸引捕捉经过它的载流子（包括电子和空穴），对载流子的传输能力很差。
本发明的技术方案中，发光二极管的发光层包括量子点和至少一种有机发光材料，由于量子点具有与磷光材料相同的发光效率，发光效率高，通过设置量子点来补偿或取代低发光效率的荧光材料，发出所需的光色，可以提高发光二极管的发光效率。且量子点和有机发光材料的制作相容，制作工艺简单。同时，由于量子点的载流子传输能力不佳，载流子通过有机发光材料传输，使得载流子不会被量子点捕捉，实现电子和空穴的复合，在量子点发光的同时，还可以实现电致有机发光材料发光。
其中，量子点可以和有机发光材料的发光光色不同，取代低发光效率的荧光材料，发出所需的光色，提高发光效率。也可以和至少一种有机发光材料（尤其为低发光效率的荧光材料）的发光光色相同，补偿荧光材料，发出所需的光色，提高光色饱和度和发光效率。
在一个具体的实施方式中，所述发光层为单层结构，如图2所示。其中，量子点和至少一种有机发光材料可以通过一次成膜工艺（如蒸镀成膜工艺）同时形成。
进一步地，为了提高载流子的传输特性，所述发光层中，有机发光材料的最高占据分子轨道的能级（空穴传输的能带）的绝对值大于量子点的价电带的绝对值，使得空穴不会被量子点捕捉，通过有机发光材料实现对空穴载流子的传输，且有机发光材料的最低未占分子轨道的能级（电子传输的能带）的绝对值小于量子点的导电带的绝对值，使得电子不会被量子点捕捉，通过有机发光材料实现对电子载流子的传输。
在另一个具体的实施方式中，所述发光层为多层结构，包括第一有机发光层、第二有机发光层和量子点层，所述量子点层位于所述第一有机发光层和第二有机发光层之间，如图3所示。具体的，首先，发光层中的有机发光材料（包括至少一种有机发光材料）可以通过一次蒸镀成膜工艺形成第一有机发光层，然后，在所述第一有机发光层的一个表面（与发光层的第一表面相对的表面）上形成量子点层，最后，发光层中的有机发光材料可以再通过一次蒸镀成膜工艺在所述量子点层的表面上形成第二有机发光层，所述第二有机发光层的表面为发光层的第二表面。电子传输层的电子载流子从发光层的第二表面进入第二有机发光层，空穴传输层的空穴载流子从发光层的第一表面进入第一有机发光层。
进一步地，由于量子点载流子传输能力不佳，且可能与有机发光材料的能级不匹配（即有机发光材料的最高占据分子轨道的能级的绝对值大于量子点的价电带的绝对值，有机发光材料的最低未占分子轨道的能级的绝对值小于量子点的导电带的绝对值），为了提高载流子的传输特性，所述发光层中，量子点层在载流子的传输方向上必须具有极薄的厚度，优选小于10nm，从而量子点层可以吸引载流子穿过第一有机发光层和第二有机发光层，且较薄的量子点层,使载流子穿过量子点层机率增加，使得电子和空穴载流子复合的区域局限于第一有机发光层和第二有机发光层，实现电致有机材料发光。
其中，所述发光层中的有机发光材料最好为磷光材料，如：红色磷光材料可以为铂-卟啉配合物（PtOET），蓝色磷光材料可以为吡啶甲酰合铱（FIrpic），绿色磷光材料可以为三(苯基吡啶)铱（Ir（ppy）3）或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱（Ir(ppy)2(acac)），提高发光效率。
相应地，在一个具体的实施方式中，当发光层为单层结构时，如图4所示，量子点和至少一种磷光材料可以通过一次成膜工艺（如蒸镀成膜工艺）同时形成。且磷光材料的HOMO能级的绝对值大于量子点的价电带的绝对值，实现对空穴载流子的传输，磷光材料的LUMO能级的绝对值小于量子点的导电带的绝对值，实现对电子载流子的传输。由于磷光OLED的发光效率较高，为了提供足够多的载流子，还需制作空穴注入层和电子注入层，其中，空穴注入层位于空穴传输层和阳极之间，电子注入层位于电子传输层和阴极之间。
在另一个具体的实施方式中，当所述发光层为多层结构时，如图5所示，具体的，所述发光层包括第一磷光发光层、第二磷光发光层和量子点层，所述量子点层位于所述第一磷光发光层和第二磷光发光层之间。具体的，首先，发光层中的磷光材料（包括至少一种磷光材料）可以通过一次蒸镀成膜工艺形成第一磷光发光层，然后，在第一磷光发光层的一个表面（与发光层的第一表面相对的表面）上形成量子点层，最后，发光层中的磷光材料可以再通过一次蒸镀成膜工艺在量子点层的表面上形成第二磷光发光层，第二磷光发光层的表面为发光层的第二表面，且所述量子点层的厚度小于10nm。电子传输层的电子载流子从发光层的第二表面进入第二磷光发光层，空穴传输层的空穴载流子从发光层的第一表面进入第一磷光发光层。同样，为了提供足够多的载流子，本实施方式中的磷光OLED还包括空穴注入层和电子注入层，其中，空穴注入层位于空穴传输层和阳极之间，电子注入层位于电子传输层和阴极之间。
实施例二
本发明实施例中还提供了一种电子设备，包括实施例一中的发光二极管，由于提高了发光二极管的发光效率，从而提高了电子设备的性能。
上述的电子设备为显示装置或用于液晶显示装置的背光源。
其中，发光二极管的结构同上述实施例，在此不再赘述。另外，显示装置其他部分的结构可以参考现有技术，对此本文不再详细描述。而显示装置可以为：数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
本发明的技术方案中，发光二极管的发光层包括量子点和至少一种有机发光材料。由于量子点具有与磷光材料相同的发光效率，通过设置量子点来取代或补偿低发光效率的荧光材料，发出所需的光色，可以提高发光二极管的发光效率。且量子点和有机发光材料的制作相容，制作工艺简单。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种发光二极管，包括相对设置的第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的发光层，其特征在于，
所述发光层包括量子点和至少一种有机发光材料。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点和有机发光材料的发光光色不同。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点和至少一种有机发光材料的发光光色相同。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括第一载流子传输层和第二载流子传输层；
所述第一载流子传输层、发光层和第二载流子传输层顺序排列在所述第一电极和第二电极之间。
5.根据权利要求1-4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点和有机发光材料为单层结构。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层中，有机发光材料的最高占据分子轨道的能级的绝对值大于量子点的价电带的绝对值，且有机发光材料的最低未占分子轨道的能级的绝对值小于量子点的导电带的绝对值。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点和有机发光材料为通过一次成膜工艺同时形成。
8.根据权利要求1-4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层包括第一有机发光层、第二有机发光层和量子点层；
所述量子点层位于所述第一有机发光层和第二有机发光层之间。
9.根据权力要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点层的厚度小于10nm。
10.根据权利要求1-4任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光材料为磷光材料。
11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-10中任意一项所述的发光二极管。
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|---|---|---|---|---|
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| CN105261709A (zh) * | 2015-10-08 | 2016-01-20 | 华南理工大学 | 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法 |
| CN105552184A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-04 | Tcl集团股份有限公司 | 一种全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN106450021A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-02-22 | 南方科技大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| WO2017161615A1 (zh) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置 |
| CN107527942A (zh) * | 2017-09-05 | 2017-12-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
| CN107785496A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-03-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种白光量子点发光二极管及电子设备 |
| CN110429188A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及显示装置 |
| CN111052410A (zh) * | 2017-09-05 | 2020-04-21 | 夏普株式会社 | 发光器件、发光器件的制造方法、发光器件的制造装置 |
| CN113419353A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-09-21 | 中国科学技术大学 | 实现三维显示的显示器、制备方法及三维显示方法 |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
| CN105514295A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光装置和形成发光装置的方法以及显示装置 |
| US10418578B2 (en) * | 2017-09-22 | 2019-09-17 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Quantum dot light-emitting diode and display device |
| KR102405260B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2022-06-02 | 삼성전자주식회사 | 양자점 소자 및 전자 장치 |
| WO2020245924A1 (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス |
| CN111613731A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1886844A (zh) * | 2003-12-02 | 2006-12-27 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光器件 |
| CN101889480A (zh) * | 2007-10-16 | 2010-11-17 | Hcf合伙人股份两合公司 | 具有电致磷光质涂覆的发射量子点的有机发光二极管 |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR101675109B1 (ko) | 2010-08-06 | 2016-11-11 | 삼성전자주식회사 | 표면 플라즈몬 공명을 이용하여 발광 특성이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| CN101937975A (zh) | 2010-08-20 | 2011-01-05 | 电子科技大学 | 一种有机/无机复合发光二极管及其制备方法 |
| CN103500803B (zh) | 2013-10-21 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1886844A (zh) * | 2003-12-02 | 2006-12-27 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光器件 |
| CN101889480A (zh) * | 2007-10-16 | 2010-11-17 | Hcf合伙人股份两合公司 | 具有电致磷光质涂覆的发射量子点的有机发光二极管 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013157495A1 (ja) * | 2012-04-20 | 2015-12-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| US9583726B2 (en) | 2014-04-14 | 2017-02-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light-emitting diode and electronic device |
| WO2015158085A1 (zh) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光二极管及电子设备 |
| CN105261709A (zh) * | 2015-10-08 | 2016-01-20 | 华南理工大学 | 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法 |
| CN105552184A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-04 | Tcl集团股份有限公司 | 一种全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
| US9978972B2 (en) | 2016-03-25 | 2018-05-22 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Quantum dot light emitting device and manufacture method thereof and liquid crystal display device |
| WO2017161615A1 (zh) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置 |
| CN106450021A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-02-22 | 南方科技大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN107527942B (zh) * | 2017-09-05 | 2020-06-19 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
| CN111052410A (zh) * | 2017-09-05 | 2020-04-21 | 夏普株式会社 | 发光器件、发光器件的制造方法、发光器件的制造装置 |
| CN107527942A (zh) * | 2017-09-05 | 2017-12-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
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