CN111052410B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种能够得到更高效率、长寿命的荧光发光的发光器件，本发明提供一种发光器件(2)，其具备：分散有量子点(20)的激子生成层(8)；分散有发光体(22)并与所述激子生成层(8)在上下方向上相邻的发光层(10)，其中，所述发光体(22)是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层(8)以及所述发光层(10)靠下层的第一电极(4)；以及比所述激子生成层(8)以及所述发光层(10)靠上层的第二电极(16)，所述量子点(20)的发光频谱与所述发光体(22)的吸收频谱至少在一部分上是重叠的。

Description

发光器件
技术领域
本发明涉及一种具备包含量子点的发光元件的发光器件。
背景技术
在专利文献1中，存在与发光器件相关的记载，该发光器件具备两个电极和包含量子点的该电极间的发光层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开特许公报“特开2006-185985号(2006年7月13日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1中，在发光层中含有的量子点进行激子的生成。这样，在发光层中，当进行激子的生成时，存在发光效率降低的问题。
另外，在通过涂布形成发光层的情况下，与通过蒸镀形成发光层的情况相比，在发光器件中容易混入杂质，存在发光器件的元件的发光寿命变短的问题。
解决问题的手段
为了解决上述问题，本发明的发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，其中，所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的。
另外，本发明的发光器件的制造方法，所述发光器件具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体，吸收频谱的至少一部分与所述量子点的发光频谱重叠；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，所述发光器件的制造方法具备如下工序：形成所述激子生成层的激子生成层形成工序；以及形成所述发光层的发光层形成工序。所述发光层可以通过涂布工序形成，但更优选通过蒸镀工序形成。
另外，本发明的发光器件的制造装置，具备成膜装置，所述成膜装置形成：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体，吸收频谱的至少一部分与所述量子点的发光频谱重叠；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极。
发明效果
通过上述结构，能够提供一种能够得到更高效率、长寿命的发光的发光器件。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1所涉及的发光器件的概略截面图、和该发光器件的量子点的发光频谱和荧光体的吸收频谱的例子的图。
图2是本发明的实施方式1所涉及的发光器件中的量子点和荧光体的分子轨道图、和用于说明该发光器件的发光机构的图。
图3是用于说明本发明的实施方式1所涉及的发光器件的制造方法的流程图。
图4是本发明的变形例所涉及的发光器件的概略截面图。
图5是本发明的实施方式2所涉及的发光器件的概略俯视图和概略截面图。
图6是用于说明本发明的实施方式2所涉及的发光器件的边缘罩、激子生成层以及发光层的形成位置的关系的概略俯视图。
图7是表示本发明的实施方式2所涉及的发光器件的红色像素区域中的量子点的发光频谱和荧光体的吸收频谱的例子的图。
图8是表示本发明的实施方式2所涉及的发光器件的绿色像素区域中的量子点的发光频谱和荧光体的吸收频谱的例子的图。
图9是表示本发明的实施方式2所涉及的发光器件的蓝色像素区域中的量子点的发光频谱和荧光体的吸收频谱的例子的图。
图10是表示本发明的各实施方式所涉及的发光器件的制造装置的框图。
具体实施方式
在本说明书中，将从发光器件的发光层向第一电极的方向记载为“下方向”，将从发光器件的发光层向第二电极的方向记载为“上方向”。
图1(a)是本实施方式所涉及的发光器件2的概略截面图。
如图1(a)所示，发光器件2具备在形成有未图示的TFT(Thin Fi lm Transistor)的阵列基板3上叠层有各层的结构。形成于阵列基板3的上层的第一电极4与阵列基板3的TFT电连接。发光器件2在第一电极4上从下层依次具备空穴注入层6、激子生成层8、发光层10、电子输送层12、电子注入层14和第二电极16。在本实施方式中，第一电极4是阳极，第二电极16是阴极。激子生成层8和发光层10在发光器件2的上下方向上相邻。
激子生成层8具有激子生成层主体17和量子点(半导体纳米粒子)20。量子点20分散在激子生成层主体17中。发光层10具有发光层主体18和作为发光体的荧光体22。荧光体22分散在发光层主体18中。
激子生成层主体17具备具有空穴的注入和输送的功能的化合物。发光层主体18具备具有电子的注入和输送的功能的化合物。激子生成层主体17和发光层主体18也可以具备感光性材料。激子生成层主体17和发光层主体18也可以进一步具备未图示的分散材料。
在发光器件2中，通过在第一电极4和第二电极16之间施加电位差，从第一电极4向发光层10注入空穴，从第二电极16向发光层10注入电子。如图1(a)所示，来自第一电极4的空穴经由空穴注入层6到达激子生成层8。来自第二电极16的电子经由电子注入层14、电子输送层12以及发光层10，到达激子生成层8。
到达激子生成层8的空穴和电子经由激子生成层主体17，在量子点20中再结合，生成激子。这样，为了在激子生成层8中生成激子，调节空穴注入层6的空穴输送性以及电子注入层14、电子输送层12和发光层10的电子输送性。
量子点20具有价带能级和导带能级。量子点20在从通过空穴与电子的再结合而产生的激子给予能量时，从量子点20的价带能级向导带能级激发激子。作为量子点20，例如也可以是在核中具备CdSe且在壳中具有ZnS的、具有核/壳结构的半导体纳米粒子。
荧光体22是具有基底能级、单重态激发能级以及三重态激发能级，从基底能级向单重态激发能级激发的激子在向基底能级跃迁时发出荧光的荧光材料。
图1(b)是用实线表示量子点20的荧光频谱的例子，用虚线表示荧光体22的吸收频谱的例子的频谱图。图1(b)中的阴影部位表示量子点20的荧光频谱与荧光体22的吸收频谱重叠的部分。本说明书中的频谱图均采用横轴为波长，纵轴为标准化的频谱强度。图1(b)中的各个频谱将最大强度作为1地进行标准化。
图2是用于说明本实施方式所涉及的发光器件2的发光机构的图。图2的左右的分子轨道图分别是表示量子点20和荧光体22的分子轨道的图。另外，在量子点的分子轨道图中，VB表示价带能级，CB表示导带能级。另外，在荧光体的分子轨道图中，S0表示基底能级，S1表示单重态激发能级，关于三重态激发能级，省略图示。另外，如图2所示，在本实施方式中，量子点20的导带能级比荧光体22的单重态激发能级高。这相当于量子点20的发光频谱的峰值波长比荧光体22的发光频谱的峰值波长短。
参照图1和图2，对本实施方式所涉及的发光器件2的发光机构进行详细说明。
如图2所示，当到达激子生成层8的空穴和电子经由激子生成层主体17在量子点20中再结合时，在量子点20中产生激子。该激子从量子点20的价带能级被激发到导带能级。
这里，量子点20的导带能级的激子通过基于费尔斯特机构的能量移动，向分散于相邻的发光层10的荧光体22的单重态激发能级跃迁。在本实施方式中，费尔斯特机构是通过量子点20与荧光体22之间的偶极振动的共振现象而产生能量移动的机构。在基于费尔斯特机构的能量移动中，不需要量子点20与荧光体22的直接接触。如果将费尔斯特机构的速度常数设为kh*→g，则kh*→g由下述的数学式(1)表示。
[数学式1]
Figure GDA0004156619570000051
这里，ν表示振动数。f’h(ν)表示量子点20的标准化的荧光频谱。εg(ν)表示荧光体22的摩尔吸光系数。N表示阿伏伽德罗数。n表示激子生成层主体17和发光层主体18的折射率。R表示量子点20与荧光体22的分子间距离。τ表示实际测量的量子点20的激发状态的荧光寿命。Φ表示量子点20的荧光量子产率。K是表示量子点20和荧光体22的跃迁偶极矩的取向的系数。另外，在随机取向的情况下，K2＝2/3。
速度常数kh*→g越大，基于费尔斯特机构的能量移动越有优势。由此，要求从量子点20向荧光体22的能量移动具有量子点20的发光频谱与荧光体22的吸收频谱的重叠。
如图1(b)所示，本实施方式中的量子点20的荧光频谱与荧光体22的吸收频谱在至少一部分上是重叠的。因此，在彼此的分子间距离充分接近的量子点20与萤光体22之间，产生上述能量移动。
另外，如图1(b)所示，在本实施方式中，量子点20的发光频谱的峰值波长包含在荧光体22的吸收频谱中。另外，荧光体22的吸收频谱的峰值波长包含在量子点20的发光频谱中。因此，上述能量移动更有优势地发生。
最后，在激子从荧光体22的单重态激发能级向基底能级跃迁时，从荧光体22发射具有与单重态激发能级与基底能级的能量差相等的能量的荧光。通过上述机构，从发光器件2得到荧光。
图3是表示本实施方式中的发光器件2的制造方法的一例的流程图。参照图3，对发光器件2的制造方法进行说明。
首先，在形成有TFT的阵列基板上形成第一电极4(步骤S1)。第一电极的形成方法也可以适当采用以往已知的制造方法。接着，在第一电极4上通过涂布形成空穴输送层6(步骤S2)。接着，通过在空穴输送层6上涂布量子点20分散的激子生成层主体17，形成激子生成层8(步骤S3)。接着，在激子生成层8上通过使用了具有多个开口的掩膜的蒸镀，形成荧光体22分散的发光层10(步骤S4)。接着，在发光层10上依次通过蒸镀形成电子输送层12和电子注入层14(步骤S5)。最后，在电子注入层14上形成第二电极16(步骤S6)。通过上述方法，能够得到本实施方式所涉及的发光器件2。
在本实施方式的发光器件2中，所产生的激子通过费尔斯特机构的能量移动，从激子生成层8的量子点20向发光层10的荧光体22移动，在荧光体22中产生荧光。即，生成激子的层与产生荧光的层不同。因此，能够减小随着在该层中生成激子而荧光的产生效率的降低。
另外，在本实施方式中，能够将激子生成层8和发光层10的制造工序分开地进行发光器件2的制造。因此，能够降低在激子生成层8的形成中可能产生的杂质混入发光层10的可能性。特别是在本实施方式中，通过涂布形成激子生成层8，通过使用了掩模的蒸镀形成发光层10。因此，能够降低因激子生成层8的涂布而可能产生的杂质混入发光层10的可能性。因此，通过本实施方式的发光器件2的制造方法，能够得到对元件寿命的可靠性更高的发光器件2。
量子点20的发光层10中的浓度例如为0.1质量百分比至1质量百分比。如果量子点20的浓度在上述范围内，则减少了由于浓度消失而发光效率下降的情形，能够减少分散材料中的激子的产生。
另外，荧光体22的发光层中的浓度为10质量百分比至30质量百分比。如果荧光体22的浓度在上述范围内，则能够有效地产生上述的能量移动。
另外，为了使从激子生成层8的量子点20向发光层10的荧光体22的能量移动有效地发生，在本实施方式所涉及的发光器件2中，优选激子生成层8和发光层10的层厚均为15nm以下。更优选的是，激子生成层8和发光层10的层厚为5nm以上且10nm以下。如果是上述层厚，则量子点20与荧光体22的分子间距离接近，有效地产生能量移动。
另外，在本实施方式中，发光层10作为发光体而具备荧光体22。但是，不限于此，发光层10也可以作为发光体而具备发出磷光的磷光体，以代替荧光体。即使在这种情况下，也会发生从量子点向磷光体的基于费尔斯特机构的能量移动。然后，通过项间交叉，激子从磷光体的单重态激发能级向三重态激发能级跃迁。在激子从磷光体的三重态激发能级向基底能级跃迁时，能够从磷光体得到磷光。因此，在上述结构中，由于生成激子的层与产生磷光的层不同，因此能够减小随着在该层中生成激子而磷光的产生效率的降低。
进而，在本实施方式所涉及的发光器件2中，也可以在空穴注入层6与激子生成层8之间还具备空穴输送层。另一方面，激子生成层8的激子生成层主体17具备空穴输送性高的材料，由此激子生成层8也可以具备空穴输送层的功能。另外，在本实施方式所涉及的发光器件2中，也可以在空穴注入层6与激子生成层8之间还具备电子阻挡层，在发光层10与电子输送层12之间还具备空穴阻挡层。
图4是表示本发明的变形例所涉及的发光器件2的侧截面图。发光层10还具备空穴阻挡层19。空穴阻挡层19形成于比量子点20分散的激子生成层主体17靠上层，并且形成于比荧光体22分散的发光层主体18靠下层。因此，由于来自第一电极4的空穴不通过空穴阻挡层19，因此防止了空穴侵入到发光层主体18。因此，防止了在荧光体22中生成激子，能够促使更高效地在量子点20中产生激子。
[实施方式2]
图5是本实施方式所涉及的发光器件2的放大俯视图以及放大截面图。图5(a)是透过电子输送层12、电子注入层14以及第二电极16而表示发光器件2的像素周边的上表面的图。图5(b)是图5(a)的A-A线向视截面图。
在本实施方式中，发光器件2与前实施方式相比，具备多个像素区域RP、GP、BP。在像素区域RP中，在第一电极4上，从下方依次形成有空穴注入层6R、激子生成层8R以及发光层10R。在像素区域GP、BP中也同样地，从下方依次形成有空穴注入层6G、6B、激子生成层8G、8B以及发光层10G、10B。发光器件2还具备边缘罩24。边缘罩24具有多个开口，分别规定多个像素区域RP、GP、BP。
图6是说明本实施方式所涉及的发光器件2的边缘罩、激子生成层以及发光层的形成位置的关系的图。图6(a)是对图5中的像素区域RP进行放大的侧截面图。图6(b)是表示在像素区域RP中边缘罩的开口、激子生成层以及发光层的形成位置的俯视图。
如图6(a)所示，边缘罩24具有像素区域RP中的开口26R和上端28R。开口26R形成为比上端28R小，边缘罩24的空孔形成为从开口26R向上端28R逐渐变大。
因此，如图6(a)及(b)所示，激子生成层的下端8RE比边缘罩24的开口26R大。即，激子生成层8覆盖边缘罩24的开口26R。另外，发光层10以其上端10RE超过边缘罩24的上端28R的方式形成。即，发光层10跨越边缘罩24的上端28R，覆盖激子生成层8以及边缘罩24的开口26R。
再次参照图5，像素区域RP中的激子生成层8具备激子生成层主体17R和量子点20R。同样地，激子生成层8在像素区域GP中具备激子生成层主体17G和量子点20G，在像素区域BP中具备激子生成层主体17B和量子点20B。
像素区域RP中的发光层10具备发光层主体18R和荧光体22R。同样地，发光层10在像素区域GP中具备发光层主体18G和荧光体22G，在像素区域BP中具备发光层主体18B和荧光体22B。
在本实施方式中，在多个像素区域RP、GP、BP中，一部分像素区域中的发光层10具有其他不同像素区域中的发光层10所具有的荧光体和不同的荧光体。例如，在本实施方式中，图像区域RP中的发光层10具备将红色光作为荧光而发出的荧光体22R。同样地，图像区域GP中的发光层10具备将绿色光作为荧光而发出的荧光体22G，图像区域BP中的发光层10具备将蓝色光作为荧光而发出的荧光体22B。
在此，蓝色光是指在400nm以上500nm以下的波段中具有发光中心波长的光。另外，绿色光是指在500nm以上600nm以下的波段中具有发光中心波长的光。另外，红色光是指在600nm以上780nm以下的波段中具有发光中心波长的光。
另外，多个像素区域RP、GP、BP中的一部分像素区域中的激子生成层8也可以具有其他不同的像素区域中的激子生成层8所具有的激子生成层主体或量子点和不同的激子生成层主体或量子点。但是，在本实施方式中，各像素区域中的激子生成层主体17R、G、B以及量子点20R、G、B也可以分别采用相同的部件。
进而，多个像素区域RP、GP、BP中的一部分像素区域中的发光层10也可以具有其他不同像素区域中的发光层10所具有的发光层主体和不同的发光层主体。但是，在本实施方式中，各像素区域中的发光层主体18R、G、B也可以分别采用相同的部件。
图7是用实线表示量子点20R的荧光频谱的例子，用虚线表示荧光体22R的吸收频谱的例子的频谱图。图8是用实线表示量子点20G的荧光频谱的例子，用虚线表示荧光体22G的吸收频谱的例子的频谱图。图9是用实线表示量子点20B的荧光频谱的例子，用虚线表示荧光体22B的吸收频谱的例子的频谱图。图7至图9中的阴影部位表示各个量子点的荧光频谱与各个荧光体的吸收频谱重叠的部分。图7至9中的各个频谱将最大强度作为1地进行标准化。
在本实施方式中，量子点20R是Mesolight公司制的CdSe-ZnS量子点。另外，量子点20G是Sigma Aldrich公司制的CdSe量子点。另外，量子点20B是Sigma Aldrich公司制的ZnSe-ZnS量子点。
如图7至图9所示，在相同的像素区域中包含的量子点和萤光体中，量子点的发光频谱与荧光体的吸收频谱的至少一部分重叠。因此，本实施方式所涉及的发光器件2利用与前实施方式所涉及的发光器件2相同的发光机构发出荧光。因此，在本实施方式中，也与前实施方式同样地，能够得到从荧光体能够高效地得到荧光的发光器件2。
另外，由于来自各像素区域中的荧光体的荧光的波长不同，因此通过TFT的控制，控制来自各像素区域中的荧光体的发光，由此能够提供能够进行多色显示的发光器件2。
另外，在本实施方式中，像素区域RP、GP中的发光层10也可以作为发光体而具备发出磷光的磷光体，以代替荧光体。在这种情况下，也会发生从像素区域RP、GP中的量子点向磷光体的基于费尔斯特机构的能量移动。将红色光和绿色光作为磷光而发出的磷光体，合成比较容易，能够从量子点进行了能量移动的激子高效地得到发光。
本实施方式中的发光器件2的制造方法也可以在阵列基板上形成边缘罩24，然后通过执行图3的步骤S1至S6来制造。在这种情况下，也可以对每个像素区域RP、GP、BP通过涂布形成激子生成层8，通过蒸镀形成发光层10。
图10是表示上述各实施方式所涉及的发光器件的制造装置30的框图。发光器件的制造装置30也可以具备控制器32和成膜装置34。控制器32也可以对成膜装置34进行控制。成膜装置34也可以对发光器件2的各层进行成膜。
[总结]
方式1的发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，其中，所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的。
在方式2中，在所述量子点中产生的激子通过偶极振动的共振现象，向所述发光体的激发能级跃迁，从而所述发光体发光。
在方式3中，所述量子点的发光频谱的峰值波长比所述发光体的发光频谱的峰值波长短。
在方式4中，所述量子点的发光频谱的峰值波长包含在所述发光体的吸收频谱中。
在方式5中，所述发光体的吸收频谱的峰值波长包含在所述量子点的发光频谱中。
在方式6中，所述量子点在所述激子生成层中的浓度为10质量百分比至30质量百分比。
在方式7中，所述发光体在所述发光层中的浓度为0.1质量百分比至1质量百分比。
在方式8中，具备边缘罩，所述边缘罩具有多个开口，并在多个像素区域规定所述激子生成层和所述发光层，在所述多个开口的各个中，所述激子生成层覆盖开口，所述发光层跨越所述边缘罩的上端，覆盖所述激子生成层和所述开口。
在方式9中，所述激子生成层和所述发光层具备感光性材料，所述量子点和所述发光体分散在所述激子生成层和所述发光层的各自的所述感光性材料中。
在方式10中，所述激子生成层作为空穴输送层发挥功能。
在方式11中，在所述激子生成层与所述发光层之间，具备空穴不通过的空穴阻挡层。
方式12的发光器件的制造方法，所述发光器件具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体，吸收频谱的至少一部分与所述量子点的发光频谱重叠；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，所述发光器件的制造方法具备如下工序：形成所述激子生成层的激子生成层形成工序；以及形成所述发光层的发光层形成工序。
在方式13中，在所述量子点中产生的激子通过偶极振动的共振现象，向所述发光体的激发能级跃迁，从而所述发光体发光。
在方式14中，在所述发光层形成工序中，通过使用具有多个开口的掩模的蒸镀形成所述发光层。
在方式15中，在所述激子生成层形成工序中，通过涂布形成所述激子生成层。
方式16的发光器件的制造装置，形成：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体，吸收频谱的至少一部分与所述量子点的发光频谱重叠；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极。
本发明并不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，对于在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当进行组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。进而，通过对在各实施方式中分别公开的技术手段进行组合，能够形成新的技术特征。
附图标记说明
2 发光器件
4 第一电极
8 激子生成层
10 发光层
16 第二电极
17 激子生成层主体
18 发光层主体
20 量子点
22 荧光体

Claims (10)

1.一种发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，所述发光器件的特征在于，
所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的，
具备边缘罩，所述边缘罩具有多个开口，并在多个像素区域规定所述激子生成层和所述发光层，在所述多个开口的各个中，所述激子生成层覆盖开口，所述发光层跨越所述边缘罩的上端，覆盖所述激子生成层和所述开口。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
在所述量子点中产生的激子通过偶极振动的共振现象，向所述发光体的激发能级跃迁，从而所述发光体发光。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点的发光频谱的峰值波长比所述发光体的发光频谱的峰值波长短。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点的发光频谱的峰值波长包含在所述发光体的吸收频谱中。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述发光体的吸收频谱的峰值波长包含在所述量子点的发光频谱中。
6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述量子点在所述激子生成层中的浓度为10质量百分比至30质量百分比。
7.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述发光体在所述发光层中的浓度为0.1质量百分比至1质量百分比。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述激子生成层和所述发光层具备感光性材料，所述量子点和所述发光体分散在所述激子生成层和所述发光层的各自的所述感光性材料中。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述激子生成层作为空穴输送层发挥功能。
10.一种发光器件，具备：分散有量子点的激子生成层；分散有发光体并与所述激子生成层在上下方向上相邻的发光层，其中，所述发光体是荧光体或者磷光体；比所述激子生成层以及所述发光层靠下层的第一电极；以及比所述激子生成层以及所述发光层靠上层的第二电极，所述发光器件的特征在于，
所述量子点的发光频谱与所述发光体的吸收频谱至少在一部分上是重叠的，
在所述激子生成层与所述发光层之间，具备空穴不通过的空穴阻挡层。
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