CN107785496A - 一种白光量子点发光二极管及电子设备 - Google Patents

一种白光量子点发光二极管及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN107785496A
CN107785496A CN201711082804.0A CN201711082804A CN107785496A CN 107785496 A CN107785496 A CN 107785496A CN 201711082804 A CN201711082804 A CN 201711082804A CN 107785496 A CN107785496 A CN 107785496A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
white light
quanta point
emitting diode
quantum dot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711082804.0A
Other languages
English (en)
Inventor
吴元均
袁伟
矫士博
徐征
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201711082804.0A priority Critical patent/CN107785496A/zh
Publication of CN107785496A publication Critical patent/CN107785496A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H10K50/121—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants for assisting energy transfer, e.g. sensitization
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种白光量子点发光二极管及电子设备。其中，所述白光发光二极管包括：相对设置的阳极电极和阴极电极，以及位于阳极电极和阴极电极之间的发光层，其中，发光层包括黄光量子点主体材料和蓝色磷光辅助材料。通过上述方式，本发明能够提高量子点的发光效率，进而提高二极管的发光效率。

Description

一种白光量子点发光二极管及电子设备
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种白光量子点发光二极管及电子设备。
背景技术
目前，量子点在电致发光器件上的研究吸引了大批科学家的关注，很多国内外的研究组及显示公司都开始大力投资研究量子点在显示、照明方面的理论及产品。量子点材料由于其发光颜色可调，发光效率高、线宽窄(一般<30nm)，可溶液合成，利于柔性设备，形成的器件的色域非常广等特点，被业界认为是第三代显示技术的核心，将其用于显示照明应用的优势巨大。量子点材料的光致发光应用已经商业化进入市场，而量子点电致发光器件的研究还处在试验阶段。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种白光量子点发光二极管及电子设备，能够提高量子点的发光效率，进而提高二极管的发光效率。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种白光量子点发光二极管，包括相对设置的阳极电极和阴极电极，以及位于阳极电极和阴极电极之间的发光层，其中，发光层包括黄光量子点主体材料和蓝色磷光辅助材料。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种电子设备。其中，该电子设备包括上述白光量子点发光二极管。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的白光量子点发光二极管包括相对设置的阳极电极和阴极电极，以及位于阳极电极和阴极电极之间的发光层，其中发光层包括黄光量子点主体材料和蓝色磷光辅助材料，利用了蓝色磷光材料作为辅助，通过与黄光量子点主体材料能量的不完全转移机制，提高了黄光量子点主体材料发光效率，进而提高了白光量子点发光二极管的发光效率。
附图说明
图1是本发明白光量子点发光二极管第一实施方式的结构示意图；
图2是本发明白光量子点发光二极管第二实施方式的结构示意图；
图3是本发明白光量子点发光二极管第三实施方式的结构示意图；
图4是本发明白光量子点发光二极管其中一具体的结构示意图；
图5是本发明白光量子点发光二极管第四实施方式的结构示意图；
图6是本发明白光量子点发光二极管第五实施方式的结构示意图。
具体实施方式
参阅图1，图1是本发明白光量子点发光二极管第一实施方式的结构示意图。如图1所示，本实施方式的白光量子点发光二极管10包括：阳极电极11、空穴传输层12、蓝色磷光辅助材料13、黄光量子点主体材料14、电子传输层15以及阴极电极16。其中，蓝色磷光辅助材料13与黄光量子点主体材料14为发光层。另外，空穴传输层12与阳极电极11电性连接，传输的空穴通过蓝色磷光辅助材料13的一侧进入发光层，电子传输层15与阴极电极16电性连接，传输的电子通过黄光量子点主体材料14的一侧进入发光层。
其中，量子点(Quantum Dot)是准零维的纳米材料，由少量的原子所构成。粗略地说，量子点三个维度的尺寸都在100纳米以下，外观恰似一极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子限域效应特别显著。通过控制量子点的形状、结构和尺寸，就可以方便地调节其能隙宽度、激子束缚能的大小以及激子的能量蓝移等电子状态。随着量子点尺寸的逐渐减小，量子点的光吸收谱出现蓝移现象。尺寸越小，则量子点的光吸收谱谱蓝移现象也越显著，这就是人所共知的量子尺寸效应。随着量子点的粒径减小，大部分原子位于量子点的表面，量子点的比表面积随粒径减小而增大。由于纳米颗粒大的比表面积，表面相原子数的增多，导致了表面原子的配位不足、不饱和键和悬键增多使这些表面原子具有高的活性，极不稳定，很容易与其它原子结合，这就是量子点的表面效应。
因此，量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制。通过改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。以CdTe量子为例，当它的粒径从2.5nm生长到4.0nm时，它们的发射波长可以从510nm红移到660nm。
进一步地，蓝色磷光辅助材料的HOMO(最高占据分子轨道，Highest OccupiedMolecular Orbital)能级的绝对值需要大于黄光量子点主体材料的价电带的绝对值，才可以实现对空穴载流子的传输；蓝色磷光辅助材料的LUMO(最低未占分子轨道，LowestUnoccupied Molecular Orbital)能级的绝对值小于黄光量子点主体材料的导电带的绝对值，才可以实现对电子载流子的传输。另外，为了提供足够多的载流子，还需制作空穴注入层和电子注入层，其中，空穴注入层位于空穴传输层和阳极电极之间，电子注入层位于电子传输层和阴极电极之间。
可选地，如图2所示，图2是本发明白光量子点发光二极管第二实施方式的结构示意图。白光量子点发光二极管20包括阳极电极21、空穴注入层22、空穴传输层23、蓝色磷光辅助材料24、黄光量子点主体材料25、电子传输层26以及阴极电极27。其中，空穴注入层22位于阳极电极21和空穴传输层23之间。
可选地，如图3所示，图3是本发明白光量子点发光二极管第三实施方式的结构示意图。白光量子点发光二极管30包括阳极电极31、空穴注入层32、空穴传输层33、蓝色磷光辅助材料34、黄光量子点主体材料35、电子传输层36、电子注入层37以及阴极电极38。其中，电子注入层37位于电子传输层36和阴极电极38之间。
具体地，本实施方式中的白光量子点发光二极管为全溶液法制备得到的。其中，空穴注入层的材料为PEDOT:PSS；空穴传输层的材料为TFB，TFB的溶剂为氯苯；蓝色磷光辅助材料的溶剂为二甲苯；黄光量子点主体材料的溶剂为辛烷；电子传输层的材料为ZnMgO纳米颗粒，ZnMgO纳米颗粒的溶剂为乙醇。
其中一个具体的实施方式中，如图4所示，图4是本发明白光量子点发光二极管其中一具体的结构示意图。白光量子点发光二极管40包括基板41、阳极电极ITO(氧化铟锡，Indium Tin Oxide)42、空穴注入层PEDOT:PSS 43、空穴传输层TFB 44、蓝色磷光辅助材料TCTA:FIrpic45、黄光量子点主体材料层QDs 46、电子传输层ZnMgO 47、阴极电极Al 48。其中，ITO 42与Al 48电性连接。具体地，ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡(ITO)膜加工制作成的。可选地，还可以在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子的扩散。可选地，还可以在溅镀ITO层之前，对基片玻璃进行抛光处理。PEDOT:PSS是由PEDOT和PSS两种物质构成的一种高分子聚合物的水溶液，导电率很高，根据不同的配方，可以得到导电率不同的水溶液。其中，PEDOT是EDOT(3，4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐，PSS可以提高PEDOT的溶解性。TFB(1,2,4,5-四(三氟甲基)苯)是用来减小阳极电极和发光层之间的能量势垒，使得空穴载流子更易注入发光层，从而增大发光层中空穴和电子的复合率。蓝色磷光辅助材料TCTA:FIrpic是由蓝色磷光材料FIrpic(吡啶甲酰合铱)掺杂在空穴主体材料TCTA(4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)中所组成的。黄光量子点主体材料QDs可以是CdS/CdSe或者CdS/ZnS，粒径的尺寸为3nm～5nm，发光峰位为550nm左右，光谱的半峰宽为30nm。在本实施方式中，阴极电极材料为Al(铝)。在其他一些实施方式，阴极材料还可以是包含但不限于Li(锂)，Mg(镁)，Ca(钙)，Sr(锶)，La(镧)，Ce(铈)，Eu(铕)，Yb(铕)，Cs(铯)，Rb(铷)，Ag(金)或者这些金属的合金，这些阴极材料可以单独使用，也可以两两组合使用，还可以更多组合使用。
可以理解的，在上述实施例中，不对各层的厚度进行限制，本领域技术人员可以根据实际的需求调节各层的厚度。
具体地，白光量子点发光二极管其中一种制备步骤为：先将刻有ITO导电电极的基片用脱脂棉擦洗干净后，依次用去离子水、酒精进行超声处理，用氮气吹干后将基片进行10分钟的紫外臭氧处理，提高其功函数。然后，使用匀胶机旋涂空穴注入层PEDOT:PSS，转速为4000rpm，时间为45s；在旋涂完毕后，将基片放置在140度的加热平台上进行15分钟的退火处理。接着，将旋涂有PEDOT:PSS的基片放入水氧含量0.1ppm的手套箱中，旋涂空穴传输层、磷光掺杂层、黄光量子点发光层以及电子传输层，转速分别为2500、2000、1500、3000rpm。空穴传输层TFB的溶剂为氯苯，溶度为8mg/mL，磷光掺杂层溶剂为二甲苯，量子点材料溶于辛烷中，ZnMgO纳米颗粒溶于乙醇，四层功能层的退火温度分别为110摄氏度，50摄氏度，60摄氏度，60摄氏度。最后，将基片放入真空热蒸发腔中，蒸镀100nm的Al作为阴极。
进一步地，为了提高载流子的传输能力，发光层中的黄光量子点主体材料在载流子的传输方向上必须具有极薄的厚度。具体地，黄光量子点主体材料的厚度可以在10纳米～20纳米之间，进而使得黄光量子点主体材料层可以吸引载流子穿过蓝色磷光辅助材料，且较薄的黄光量子点主体材料层，可增加载流子穿过黄光量子点主体材料层的机率，使得电子和空穴载流子复合的区域局限在黄光量子点主体材料层和蓝色磷光辅助材料层，进而激发出白光。
可选地，如图5所示，图5本发明白光量子点发光二极管第四实施方式的结构示意图。白光量子点发光二极管50的发光层包括阳极电极51、空穴传输层52、第一蓝色磷光辅助材料层53、黄光量子点主体材料层54、第二蓝色磷光辅助材料层55、电子传输层56以及阴极电极57。其中，黄光量子点主体材料层54位于第一蓝色磷光辅助材料层53和第二蓝色磷光辅助材料层55之间。
可选地，如图6所示，图6是本发明白光量子点发光二极管第五实施方式的结构示意图。白光量子点发光二极管60包括阳极电极61、空穴注入层62、空穴传输层63、第一蓝色磷光辅助材料层64、黄光量子点主体材料层65、第二蓝色磷光辅助材料层66、电子传输层67、电子注入层68以及阴极电极69。其中，空穴注入层62位于阳极电极61和空穴传输层63之间，电子注入层68位于阴极电极69和电子传输层67之间。
本实施方式中，白光量子点发光二极管包括相对设置的阳极电极和阴极电极，以及位于阳极电极和阴极电极之间的发光层，其中发光层包括黄光量子点主体材料和蓝色磷光辅助材料，利用了蓝色磷光材料作为辅助，通过与黄光量子点主体材料能量的不完全转移机制，提高了黄光量子点主体材料发光效率，进而提高了白光量子点发光二极管的发光效率。
本发明实施方式中还提供了一种电子设备，该电子设备包括上一实施方式中的白光量子点发光二极管，由于提高了量子点的发光效率，因此也提高了白光量子点发光二极管的发光效率，进而提高了电子设备的性能。
上述的电子设备为显示装置的背光源，例如指示标识灯、信号灯之类的电子设备。其中，白光量子点发光二极管的结构如上述实施方式，在此不再赘述。另外，显示装置其他部分的结构可以参考现有技术，对此本文不再详细描述。
本实施方式中，白光量子点发光二极管包括相对设置的阳极电极和阴极电极，以及位于阳极电极和阴极电极之间的发光层，其中发光层包括黄光量子点主体材料和蓝色磷光辅助材料，利用了蓝色磷光材料作为辅助，通过与黄光量子点主体材料能量的不完全转移机制，提高了黄光量子点主体材料发光效率，进而提高了白光量子点发光二极管的发光效率。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种白光量子点发光二极管，包括相对设置的阳极电极和阴极电极，以及位于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光层，其特征在于，
所述发光层包括黄光量子点主体材料和蓝色磷光辅助材料。
2.根据权利要求1所述的白光量子点发光二极管，其特征在于，所述白光量子点发光二极管还包括空穴传输层和电子传输层，所述空穴传输层、发光层和电子传输层依次顺序排列在所述阳极电极和所述阴极电极之间。
3.根据权利要求2所述的白光量子点发光二极管，其特征在于，所述白光量子点发光二极管还包括一层空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极电极和所述空穴传输层之间。
4.根据权利要求1至3任一项所述的白光量子点发光二极管，其特征在于，所述发光层包括第一蓝色磷光辅助材料层、第二蓝色磷光辅助材料层和黄光量子点主体材料层，其中，所述黄光量子点主体材料层位于所述第一蓝色磷光辅助材料层和所述第二蓝色磷光辅助材料层之间。
5.根据权利要求4所述的白光量子点发光二极管，其特征在于，所述发光层中，蓝色磷光辅助材料的最高占据分子轨道的能级的绝对值大于所述黄光量子点主体材料的价电带的绝对值，且蓝色磷光辅助材料的最低未占分子轨道的能级的绝对值小于所述黄光量子点主体材料的导电带的绝对值。
6.根据权利要求4所述的白光量子点发光二极管，其特征在于，
所述黄光量子点主体材料层的厚度在10纳米～20纳米之间。
7.根据权利要求4所述的白光量子点发光二极管，其特征在于，所述白光量子点发光二极管为全溶液法制备得到的。
8.根据权利要求7所述的白光量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS；所述空穴传输层的材料为TFB，所述TFB的溶剂为氯苯；所述蓝色磷光辅助材料的溶剂为二甲苯；所述黄光量子点主体材料的溶剂为辛烷；所述电子传输层的材料为ZnMgO纳米颗粒，所述ZnMgO纳米颗粒的溶剂为乙醇。
9.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的白光量子点发光二极管。
CN201711082804.0A 2017-11-06 2017-11-06 一种白光量子点发光二极管及电子设备 Pending CN107785496A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711082804.0A CN107785496A (zh) 2017-11-06 2017-11-06 一种白光量子点发光二极管及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711082804.0A CN107785496A (zh) 2017-11-06 2017-11-06 一种白光量子点发光二极管及电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107785496A true CN107785496A (zh) 2018-03-09

Family

ID=61432759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711082804.0A Pending CN107785496A (zh) 2017-11-06 2017-11-06 一种白光量子点发光二极管及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107785496A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019227960A1 (zh) * 2018-05-31 2019-12-05 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101810056A (zh) * 2007-09-28 2010-08-18 大日本印刷株式会社 发光装置
CN101937975A (zh) * 2010-08-20 2011-01-05 电子科技大学 一种有机/无机复合发光二极管及其制备方法
WO2013157563A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN103500803A (zh) * 2013-10-21 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
CN103956432A (zh) * 2014-04-14 2014-07-30 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管及电子设备
GB2516930A (en) * 2013-08-07 2015-02-11 Cambridge Display Tech Ltd Organic Light-Emitting Device
CN105826481A (zh) * 2016-04-07 2016-08-03 上海大学 白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101810056A (zh) * 2007-09-28 2010-08-18 大日本印刷株式会社 发光装置
CN101937975A (zh) * 2010-08-20 2011-01-05 电子科技大学 一种有机/无机复合发光二极管及其制备方法
WO2013157563A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
GB2516930A (en) * 2013-08-07 2015-02-11 Cambridge Display Tech Ltd Organic Light-Emitting Device
CN103500803A (zh) * 2013-10-21 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
CN103956432A (zh) * 2014-04-14 2014-07-30 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管及电子设备
CN105826481A (zh) * 2016-04-07 2016-08-03 上海大学 白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019227960A1 (zh) * 2018-05-31 2019-12-05 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板
US11462706B2 (en) 2018-05-31 2022-10-04 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Quantum dot light emitting diode and method for manufacturing the same, and display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kalyani et al. Novel materials for fabrication and encapsulation of OLEDs
CN101946340B (zh) 有机光电子器件及其制造方法
WO2019080246A1 (zh) Qled器件的制作方法及qled器件
CN102097598B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
Cheng et al. High‐performance blue quantum dot light‐emitting diodes with balanced charge injection
CN104681731A (zh) 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法
Ji et al. Highly efficient flexible quantum-dot light emitting diodes with an ITO/Ag/ITO cathode
CN102651454B (zh) 一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法
CN105895820B (zh) 有机发光器件及其显示器
CN112993177B (zh) 一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN107452886A (zh) 一种复合薄膜和有机发光二极管及其制备方法
CN102683608B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104321896B (zh) 堆叠式有机发光二极管
KR20130006754A (ko) 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자
CN111326664A (zh) 量子点发光二极管器件及用于制作其的墨水
KR100923197B1 (ko) 양면 발광 백색유기발광다이오드 및 그의 제조 방법
CN111048672B (zh) 一种基于钙钛矿电致发光的白光led及其制备方法
CN110115109A (zh) 有机电致发光器件、照明装置和显示装置
CN107785496A (zh) 一种白光量子点发光二极管及电子设备
CN102130301A (zh) 基于色转换的白光有机电致发光器件及其制备方法
CN109390489A (zh) 发光二极管及其制备方法与应用
Ahn et al. White organic light-emitting devices incorporating nanoparticles of II–VI semiconductors
CN104183714A (zh) 有机电致发光装置及制备方法、显示屏及其终端
CN108649128B (zh) 一种单组分电致白光器件及其制备方法
CN104078622A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180309