JP4727533B2 - ナノワイヤ発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ナノワイヤ発光素子に関するものであって、より詳しくは半導体ナノワイヤを利用した新たな形態の発光素子及びその製造方法に関する。
一般的に、半導体発光素子は図１に示すように、化合物半導体エピタキシャル層を利用したＰＮ接合構造として実現されてきた。即ち、窒化物半導体発光素子１０はサファイア基板１１に成長された第１導電型窒化物半導体層１４、多重量子井構造である活性層１５及び、第２導電型窒化物半導体層１７とを含み、上記第１及び第２導電型窒化物半導体層１４、１７に各々接続された第１及び第２電極１８、１９とを含む。
このような半導体エピタキシャル層１４、１５、１７は、格子定数と熱膨脹係数の差によって結晶欠陥が生じ、この結晶欠陥は素子の発光特性を大きく低下させる。特に、窒化物半導体の場合にこういった結晶欠陥の問題はより深刻である。特に、活性層１５を構成するＩｎＧａＮ層は相対的にＩｎ含量が多く要求される波長帯域を実現する際に、成長中に相分離によって短波長化される傾向があり、結果的に素子の信頼性に深刻な問題を生じる。
また、通常の半導体発光素子では互いに異なる波長を実現するために異なる組成を有する活性層を形成しなければならないため、モノリシックで白色発光素子を実現するのに困難があった。
近年では、上述されたエピタキシャル層を基盤とする素子とは異なって、ナノワイヤ（ｎａｎｏｗｉｒｅ、またはナノ棒とも言う）を利用した接合素子の研究が活発に行われている。このようなナノ棒は直径が１００ｎｍ以下の素子としてバルク構造とは異なる物理的特性を有している。このようなナノワイヤ２５を利用した発光ディスプレイ２０が図２ａに示されている。
図２ａに示したディスプレイ装置２０はＩＴＯのような下部電極層２３が形成された透明基板２１と、上部電極層２７が形成されたカバー基板２６が絶縁構造物２９で連結された構造を有する。上記絶縁構造物２９の間にはナノワイヤ２５が配列される。上記ナノワイヤ２５は図２ｂのように、ｐ型半導体物質２５ａとｎ型半導体物質２５ｂが成長方向に沿って形成された同軸ケーブル形態を有する。このようなナノワイヤ２５は、上下部電極層２７、２１に電圧が印加される際に特定波長の光を発し、発光された光は透明基板２１の下部に備えられた蛍光体層２８に含まれる蛍光体物質によって所望の波長に変換できる。
しかしながら、上記した方式では特定波長光を発するナノワイヤを利用するので、白色光を得るためには、別の蛍光体層を利用しなければならない。また、図２ａのようにナノワイヤをＰＮ接合素子で直接蒸着した形態では小型化された形態で実現し難く、ナノワイヤを個別的に配列する場合には正確な配列を実現し難い問題がある。
このように、ナノワイヤ発光素子は所望の色、特に白色光を実現するのが困難であり、発光素子の形態に開発できていない。
本発明は、上述した従来技術の問題を解決するためのものであって、その目的は、特定組成の半導体ナノワイヤ粉末が不規則的に分散された形態の発光構造体構成層、例えば第１導電型クラッド層、第２導電型クラッド層および／または活性層を有するナノワイヤ発光素子を提供することである。
本発明の他の目的は、上記したナノワイヤ発光素子の製造方法を提供することにある。
上記した技術的課題を達成するために、本発明は、第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層とその間に活性層を含んだナノワイヤ発光素子において、上記第１導電型クラッド層、上記第２導電型クラッド層及び上記活性層の少なくとも一層（該当層ともいう）は、半導体ナノワイヤと有機バインダーの混合物を塗布し、上記有機バインダーの脱脂によって得られた半導体ナノワイヤ層であることを特徴とするナノワイヤ発光素子を提供する。
上記少なくとも一層（該当層）は上記活性層であるのが好ましい。この場合に多様な形態の発光波長を容易に実現することができる。例えば、上記活性層を構成する半導体ナノワイヤは互いに異なる波長帯域から発光する少なくとも２種の半導体物質で提供することができる。特に、上記少なくとも２種の半導体ナノワイヤは各々の波長光が組合されて白色光を生成するように選択することによって、白色発光素子を製造することもできる。
上記半導体ナノワイヤは、組成式ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮを満足する窒化物半導体であり、ここで、ｘは０≦ｘ≦１で、ｙは０≦ｙ≦１であり得る。
上記該当層における上記半導体ナノワイヤの含有量は、上記混合物の全体体積に対して７０〜９５体積％であるのが好ましい。
さらに、上記混合物は、前記半導体ナノワイヤが均一に分散するように分散剤をさらに含んでいてもよい。
異なる層の上下部面との接触を確保するために、上記半導体ナノワイヤは該当層の厚さより１．５倍以上の長さを有することが好ましい。
本発明の他の実施形態は、第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層とその間に活性層を含んだナノワイヤ発光素子において、上記第１導電型クラッド層、上記第２導電型クラッド層及び上記活性層の少なくとも一層（該当層ともいう）は、半導体ナノワイヤが分散された伝導性ポリマーを塗布し、前記伝導性ポリマーを硬化させることによって得られた半導体ナノワイヤ層であることを特徴とするナノワイヤ発光素子を提供する。
上記半導体ナノワイヤは、上記該当層、好ましくは上記活性層の全体体積に対して３０〜８０体積％で含まれ、上記半導体ナノワイヤは上記該当層、好ましくは上記活性層の厚さより１．５倍以上の長さを有することができる。
上記透明伝導性ポリマーはポリピロール、ポリアニリン、ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリアセチレン、ポリ（ｐ−フェニレン)、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン) 及び、ポリ（チエニレンビニレン）から成る群より選択するのが好ましい。
さらに、本発明はナノワイヤ発光素子の製造方法を提供する。上記ナノワイヤ発光素子の製造方法は、第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層とその間に活性層を含んだナノワイヤ発光素子の製造方法であり、上記第１及び第２導電型クラッド層と活性層の少なくとも一層を形成する段階は、半導体ナノワイヤと有機バインダーの混合物を塗布する段階と、上記有機バインダーが脱脂されるよう加熱／加圧して半導体ナノワイヤ層を形成する段階とを含むことを特徴とする。
上記混合物は、上記半導体ナノワイヤが均一に分散するよう分散剤をさらに含むことができ、上記半導体ナノワイヤと上記有機バインダーの混合物を塗布する段階はこれに限定されないが、スピンコーティング工程、スプレー工程、スクリーンプリンティング工程及びインクジェットプリンティング工程で構成された群から選択された工程によって行うことができる。
本発明の他の実施形態による製造方法は、第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層とその間に活性層を含んだナノワイヤ発光素子の製造方法において、上記第１導電型クラッド層、上記第２導電型クラッド層及び上記活性層の少なくとも一層を形成する段階は、半導体ナノワイヤが分散された伝導性ポリマーを塗布する段階と、上記伝導性ポリマーを硬化させる段階とを含むことを特徴とする。
上記該当層が上記活性層である場合は、上記伝導性ポリマーとしては透明伝導性ポリマーを使用する。
本発明によれば、半導体ナノワイヤを伝導性ポリマーと適切に混合して活性層、さらに他の特定導電型クラッド層を形成することによって、所望の発光素子を容易に製造することができる。本発明ではエピタキシャル成長工程を代替できるので、結晶欠陥のようにエピタキシャル層の不利益な問題を解決することができる。
特に、活性層を構成するナノワイヤを異なる波長光を発光する互いに異なる２種の半導体物質で形成することができるので、モノリシック白色発光素子を容易に形成することができるという長所がある。
図３は、本発明の一実施形態によるナノワイヤ発光素子３０を示す断面斜視図である。図３に示したナノワイヤ発光素子３０は第１及び第２導電型クラッド層３１、３７の間に形成された活性層３５と、上記第１及び第２導電型クラッド層３１、３７に各々接続された第１及び第２電極３８、３９とを含む。本実施形態において、上記第１及び第２導電型クラッド層３１、３７は通常の蒸着工程で得られた半導体エピタキシャル層であるが、上記活性層３５は半導体ナノワイヤ３５ａで構成された層として提供される。
上記半導体ナノワイヤ３５ａは、図２ｂに示したＰＮ接合構造ではなく、特定導電型またはアンドープ半導体物質から成る。本実施形態のように、上記活性層３５の半導体ナノワイヤ３５ａは特定波長帯域の光を得ることができる半導体物質で構成することができる。例えば、上記半導体ナノワイヤは組成式ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮを満足する窒化物半導体で構成することができ、ここで、ｘは０≦ｘ≦１であり、ｙは０≦ｙ≦１である。
もちろん、本発明に採用可能な半導体ナノワイヤ３５ａは上記した物質に限定されず、必要に応じて他のＧａＡｓ系またはＧａＰ系半導体物質で構成することも可能である。
本発明において、互いに異なる組成を有する半導体物質から成る２種の半導体ナノワイヤを利用して単一の形態の活性層３５を形成することができる。このような単一の活性層３５で少なくとも２種のナノワイヤから互いに異なる少なくとも２個の波長光を得ることができる。また、各異なる種のナノワイヤの量を調整することによって、各波長光の割合を容易に設定することができる。
したがって、このような活性層構造はモノリシック白色発光素子を実現するのに非常に有益に採用できる。例えば、赤色、緑色及び青色を発光する半導体ナノワイヤを白色光が形成されるよう好適な割合で混合し、これを図３のように単一の活性層３５を形成することだけで所望のモノリシック白色発光素子を製造することができる。
本発明に使用される半導体ナノワイヤ３５ａは有機バインダーとの混合物を調製してこれを塗布した後に、加熱及び／又は加圧工程によって脱脂過程を経て形成されることができる。この場合に有機バインダー内に半導体ナノワイヤ３５ａが均一に分散するように分散剤を使用することが好ましい。脱脂された後に半導体ナノワイヤのみが残存して層を構成するため、混合物の７０〜９５体積％範囲でナノワイヤを添加することが好ましい。半導体ナノワイヤが７０体積％未満の場合に脱脂後に空隙比率が高くて構造的に不安定であるという問題があり、十分な量の有機バインダーを確保するためにナノワイヤは９５体積％を超えないことが好ましい。
また、上記活性層３５において、半導体ナノワイヤ３５ａが活性化されるためには、第１及び第２導電型クラッド層３１、３７面に接続されなければならない。このような接続は半導体ナノワイヤを長くして確保することができる。即ち、ナノワイヤ３５ａは不規則に分散されているので、ナノワイヤ３５ａの長さを活性層の厚さよりも長くした場合に、２つのクラッド層３１、３７の間に接続される可能性を充分に確保することができる。好ましくは、上記半導体ナノワイヤは該当層より１．５倍以上長い長さを有する。
このように、有機バインダーを利用して形成された半導体ナノワイヤ３５ａの層は活性層３５のみならず、第１及び第２導電型クラッド層３１、３７も代替できる。
さらに、本発明による活性層３５は微細な構造であるナノワイヤ３５ａで形成されるので、従来のバルク構造に比べて総活性面積が大きく確保できる。したがって、素子が同一のサイズの場合に、より優れた発光効率を期待することができるという長所がある。
本実施形態では、活性層３５を半導体ナノワイヤ３５ａで構成した形態を示したが、第１または第２導電型クラッド層３１、３７も上記活性層３５と類似した方式で形成することができる。また、本実施形態は有機バインダーと半導体ナノワイヤの混合物を塗布して脱脂する過程を経てナノ構造の活性層を形成する方法を提供したが、これと異なって、本発明は半導体ナノワイヤが分散された透明伝導性ポリマーで各層を形成する他の方案をも提供する。このような実施形態は図４に示されている。
図４は、本発明の他の実施形態によるナノワイヤ発光素子を示す断面斜視図である。図４に示すように、ナノワイヤ発光素子４０は基板４１上に順次に形成された第１導電型クラッド層４４、活性層４５及び第２導電型クラッド層４７を含む。
本実施形態では、上記第１導電型クラッド層４４のみが通常の蒸着工程で基板上に形成された半導体エピタキシャル層である。これに対して、上記活性層４５と上記第２導電型クラッド層４７はそれぞれ半導体ナノワイヤ粉末４５ａ、４７ａと伝導性ポリマー４５ｂ、４７ｂの混合体で形成する。但し、上記活性層４５を構成する半導体ナノワイヤ粉末４５ａはアンドープされた半導体で形成されるが、上記第２導電型クラッド層４７を構成する半導体ナノワイヤ粉末４７ａは第２導電型半導体で形成される。
また、上記活性層４５を構成する伝導性ポリマー４５ｂには透明性が要求されるが、光出射方向によって、上記第２導電型クラッド層４７を構成する伝導性ポリマー４７ｂは低い光透過率を有するポリマーであることも考えられる。例えば、上記伝導性ポリマー４７ｂは光出射方向が基板４１側に形成される場合には必ずしも透明性を要しない。
本実施形態でも、図３に説明された発光素子と類似して微細なナノワイヤ構造で活性層を形成して同一のサイズでより大きな発光面積を確保することができるので、高い発光効率を期待することができ、活性層４５を構成する半導体ナノワイヤ４５ａを異なる波長光を有する少なくとも２種のナノワイヤを好適な割合で混合することによって、白色光発光素子を容易に得ることができる。
本発明で使用される半導体ナノワイヤは、ＰＮ接合構造の代わりに特定波長光を発光する単一組成の半導体から成る。例えば、活性層のナノワイヤで使用する場合には、特定光を発することのできる単一なアンドープ半導体物質で形成し、特定導電型クラッド層で使用する場合には、当該導電型の単一な半導体物質で形成することができる。このような半導体ナノワイヤは公知のナノワイヤの製造技術を応用して容易に形成され得る。
図５ａ及び図５ｂは、本発明に使用される半導体ナノワイヤの製造工程の一例を説明するための工程断面図である。
先ず、図５ａに示すように、基板５１上にナノ粒子級の大きさの触媒金属パターン５２を形成する。上記触媒金属パターン５２はニッケル、クロムのような転移金属から成り、基板５１の上面に塗布した後に加熱してナノ級の大きさで凝集させることで得られる。
続いて、図５ｂのように、適した蒸着工程によって触媒金属パターン５２上に半導体を成長させる。触媒金属パターン５２上に形成される半導体は、触媒金属パターン５２のサイズで定義される直径を有するナノワイヤ５３として成長させることができる。このように、成長させたナノワイヤ５３を収去した後に、これを伝導性ポリマーと溶剤を混合して所望の活性層またはクラッド層を形成することができる。
図６ａ乃至図６ｃは、本発明によるナノワイヤ発光素子製造工程の一例を説明するための工程断面図である。本実施形態は図３及び図４に示された発光素子と異なって、第１及び第２導電型クラッド層と活性層の全てを伝導性ポリマーとナノワイヤを混合した形態で形成した例を示す。
先ず、図６ａに示すように、基板６１上に第１導電型半導体ナノワイヤ６４ａと伝導性ポリマー６４ｂを混合したペーストを塗布した後に熱処理して硬化させることによって、第１導電型クラッド層６４を形成する。本工程で使用される塗布工程はスピンコーティング工程、スプレー工程、スクリーンプリンティング工程またはインクジェットプリンティング工程を利用することができる。上記基板は図４と異なって、窒化物半導体層のような特定エピタキシャル層を成長するための基板ではないため、通常のガラス基板であってもよい。
続いて、図６ｂに示すように、上記第１導電型クラッド層６４上に類似した方式で活性層６５を形成する。即ち、図５ａ及び図５ｂに示す工程により得られた半導体ナノワイヤ６５ａと透明な伝導性ポリマー６５ｂを混合したペーストを塗布し、塗布された混合ペーストを熱処理して硬化させることで活性層６５を形成する。
次に、図６ｃのように、上記活性層６１上に第２導電型半導体ナノワイヤ６７ａと伝導性ポリマー６７ｂを混合したペーストを塗布した後に熱処理して硬化させることにより第２導電型クラッド層６４を形成する。このように、本発明によると、通常の塗布工程を利用して発光素子に必要な全ての層構造を容易に形成することができる。
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、添付された請求範囲によって限定される。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において当該技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形および変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属すると言える。
３０、４０ ナノワイヤ発光素子
３１、４４ 第１導電型クラッド層
３５、４５、６５ 活性層
３７、４７ 第２導電型クラッド層
３８、３９ 電極
４１、５１、６１ 基板
３５ａ、４５ａ、４７ａ、６４ａ、６５ａ、６７ａ 半導体ナノワイヤ（粉末）
４５ｂ、４７ｂ、６７ｂ 伝導性ポリマー
５２ 触媒金属パターン
５３ ナノワイヤ
６５ｂ 透明伝導性ポリマー
３１、４４ 第１導電型クラッド層
３５、４５、６５ 活性層
３７、４７ 第２導電型クラッド層
３８、３９ 電極
４１、５１、６１ 基板
３５ａ、４５ａ、４７ａ、６４ａ、６５ａ、６７ａ 半導体ナノワイヤ（粉末）
４５ｂ、４７ｂ、６７ｂ 伝導性ポリマー
５２ 触媒金属パターン
５３ ナノワイヤ
６５ｂ 透明伝導性ポリマー
Claims (25)
- 第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層とその間に活性層を含んだナノワイヤ発光素子において、
前記第１導電型クラッド層、前記第２導電型クラッド層及び前記活性層の少なくとも一層（以下、該当層という）は、半導体ナノワイヤと有機バインダーの混合物を塗布し、前記有機バインダーの脱脂によって残存する前記半導体ナノワイヤから成る半導体ナノワイヤ層であり、
前記活性層に含まれた前記半導体ナノワイヤは、前記第１及び第２導電型クラッド層と接続されることを特徴とするナノワイヤ発光素子。 - 前記半導体ナノワイヤは、前記混合物の全体体積に対して７０〜９５体積％で含まれたことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤ発光素子。
- 前記混合物は、前記半導体ナノワイヤが均一に分散するように分散剤をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載のナノワイヤ発光素子。
- 第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層とその間に活性層を含んだナノワイヤ発光素子において、
前記第１導電型クラッド層、第２導電型クラッド層及び活性層の少なくとも一層（以下、該当層という）は、半導体ナノワイヤが分散された伝導性ポリマーを塗布し、前記伝導性ポリマーを硬化させることによって残存する前記半導体ナノワイヤから成る半導体ナノワイヤ層であり、
前記活性層に含まれた前記半導体ナノワイヤは、前記第１及び第２導電型クラッド層と接続されることを特徴とするナノワイヤ発光素子。 - 前記半導体ナノワイヤは、前記該当層の全体体積に対して３０〜８０体積％で含まれたことを特徴とする請求項４に記載のナノワイヤ発光素子。
- 前記伝導性ポリマーは、透明伝導性ポリマーであることを特徴とする請求項４または５に記載のナノワイヤ発光素子。
- 前記透明伝導性ポリマーは、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリアセチレン、ポリ（ｐ−フェニレン)、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン) 及び、ポリ（チエニレンビニレン）から成る群より選択されたことを特徴とする請求項６に記載のナノワイヤ発光素子。
- 前記該当層は、前記活性層であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のナノワイヤ発光素子。
- 前記活性層を構成する半導体ナノワイヤは、互いに異なる波長帯域から発光する少なくとも２種の半導体物質からそれぞれ成る少なくとも２種の半導体ナノワイヤであることを特徴とする請求項８に記載のナノワイヤ発光素子。
- 前記少なくとも２種の半導体ナノワイヤは、各々の波長光が組合されて白色光を生成することを特徴とする請求項９に記載のナノワイヤ発光素子。
- 前記半導体ナノワイヤは、組成式ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮを満足する窒化物半導体であり、ここで、ｘは０≦ｘ≦１で、ｙは０≦ｙ≦１であり、０≦ｘ＋ｙ≦１であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のナノワイヤ発光素子。
- 前記半導体ナノワイヤは、前記該当層の厚さより１．５倍以上の長さを有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のナノワイヤ発光素子。
- 第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層とその間に活性層を含んだナノワイヤ発光素子の製造方法において、
前記第１導電型クラッド層、前記第２導電型クラッド層及び前記活性層の少なくとも一層（以下、該当層という）を形成する段階は、
半導体ナノワイヤと有機バインダーの混合物を塗布する段階と、
前記有機バインダーが脱脂されるよう加熱／加圧して半導体ナノワイヤ層を形成する段階と、
を含み、
前記活性層に含まれた前記半導体ナノワイヤは、前記第１及び第２導電型クラッド層と接続されることを特徴とするナノワイヤ発光素子の製造方法。 - 前記半導体ナノワイヤは、前記混合物の全体体積に対して７０〜９５体積％で含まれたことを特徴とする請求項１３に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記混合物は、前記半導体ナノワイヤが均一に分散するように分散剤をさらに含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記半導体ナノワイヤと前記有機バインダーの混合物を塗布する段階は、スピンコーティング工程、スプレー工程、スクリーンプリンティング工程及びインクジェットプリンティング工程で構成された群から選択された工程によって行われることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか一項に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 第１導電型クラッド層及び第２導電型クラッド層とその間に活性層を含んだナノワイヤの発光素子製造方法において、
前記第１導電型クラッド層、前記第２導電型クラッド層及び前記活性層の少なくとも一層（以下、該当層という）を形成する段階は、
半導体ナノワイヤが分散された伝導性ポリマーを塗布する段階と、
前記伝導性ポリマーを硬化させる段階と、
を含み、
前記活性層に含まれた前記半導体ナノワイヤは、前記第１及び第２導電型クラッド層と接続されることを特徴とするナノワイヤ発光素子の製造方法。 - 前記半導体ナノワイヤは、前記該当層の全体体積に対して３０〜８０体積％を有するよう前記伝導性ポリマーに分散されたことを特徴とする請求項１７に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記伝導性ポリマーは、透明伝導性ポリマーであることを特徴とする請求項１７または１８に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記透明伝導性ポリマーは、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリアセチレン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン) 及び、ポリ（チエニレンビニレン）から成る群より選択されたことを特徴とする請求項１９に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記該当層は、前記活性層であることを特徴とする請求項１３〜２０のいずれか一項に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記活性層を構成する半導体ナノワイヤは、互いに異なる波長帯域から発光する少なくとも２種の半導体物質からそれぞれ成る少なくとも２種の半導体ナノワイヤであることを特徴とする請求項２１に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記少なくとも２種の半導体ナノワイヤは、各々の波長光が組合されて白色光を生成することを特徴とする請求項２２に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記半導体ナノワイヤは、組成式ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮを満足する窒化物半導体であり、ここで、ｘは０≦ｘ≦１で、ｙは０≦ｙ≦１であり、０≦ｘ＋ｙ≦１であることを特徴とする請求項１３〜２３のいずれか一項に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
- 前記半導体ナノワイヤは、該当層の厚さより１．５倍以上の長さを有することを特徴とする請求項１３〜２４のいずれか一項に記載のナノワイヤ発光素子の製造方法。
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