JP3987932B2 - リン化インジウムで被覆された窒化インジウムナノワイヤーの製造方法 - Google Patents
リン化インジウムで被覆された窒化インジウムナノワイヤーの製造方法 Download PDFInfo
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- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims description 26
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 23
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- UHGFGRBHRIVOEA-UHFFFAOYSA-N 4-azido-1,3-diaza-2-azonia-4-indacyclobuta-1,2-diene azide Chemical compound [In+3].[N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-] UHGFGRBHRIVOEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
が低いという特徴を有する。III族-N化合物は、高温での電子デバイス、可視-近紫外で
のオプトエレクトロニクス、青〜紫色発光デバイス、レーザーダイオード等への応用が期待されている。中でも窒化インジウムは、電界効果型トランジスター用のガリウム砒素や窒化ガリウムよりも電子の移動度が大きく、応用に有利と考えられる。
ピル]インジウムを用いたCVD法(たとえば、非特許文献3参照)、三塩化インジウムとアンモニアとの反応(たとえば、非特許文献4参照)等によって製造されている。
Y. J. Bai外,ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース(J. Cryst. Grow.),2001年,241巻,p.189 S. D. Dingman外,アンゲバンテ・ヘミー・インターナショナル・エディション(Angew. Chem. Int. Ed.),2000年,39巻,p.1470 H. Parala外,ジャーナル・オブ・クリスタル・グロース(J. Cryst. Grow.),2001年,231巻,p.68 N. Takahashi外,ジャーナル・オブ・マテリアル・ケミストリー(J. Mater. Chem.),2002年,12巻,p.1573
しやすい。インジウムが他の二種に比べ少ないのは、インジウムは、ナノワイヤーが成長する際の触媒や成長核の役割を果たすためである。酸化インジウムがリン化インジウムより多いのは、酸化インジウムはアンモニアと反応して窒化インジウムが生成するため、その収率を考慮してのことである。
)製のインジウム粉末(純度99.9%)0.25g、和光純薬工業(株)製のリン化インジウム粉末(純度99.9%)1.00gを混合し、粉末混合物を和光純薬工業(株)製の純度99%のアルミナウエハー(20mm×20mm×1mm)の上に載せ、アルミナウエハーを横型アルミナ高温管状炉(長さ50cm、直径25cm)の内部中央部に配置した。そして、横型アルミナ高温管状炉をロータリーポンプを用いて8×10-2Torrに減圧した後、アンモニアガスを流量150ml/minで流しながら800℃に2時間加熱した。加熱終了後、横型アルミナ高温管状炉を室温に冷却した。アルミナウエハー上に1.85gの暗灰色の生成物が堆積した。
が存在している。
Claims (1)
- 酸化インジウム、インジウム及びリン化インジウムの粉末混合物をアンモニアガス気流中で750℃〜850℃に加熱することを特徴とするリン化インジウムで被覆された窒化インジウムナノワイヤーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003378946A JP3987932B2 (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | リン化インジウムで被覆された窒化インジウムナノワイヤーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003378946A JP3987932B2 (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | リン化インジウムで被覆された窒化インジウムナノワイヤーの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005139045A JP2005139045A (ja) | 2005-06-02 |
JP3987932B2 true JP3987932B2 (ja) | 2007-10-10 |
Family
ID=34689179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003378946A Expired - Lifetime JP3987932B2 (ja) | 2003-11-07 | 2003-11-07 | リン化インジウムで被覆された窒化インジウムナノワイヤーの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3987932B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4576604B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2010-11-10 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 単結晶窒化インジウムナノチューブの製造方法 |
KR100691276B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | 나노와이어 발광 소자 및 제조방법 |
CN101851114B (zh) * | 2010-05-14 | 2012-08-08 | 华东师范大学 | 一种在硅片上复合In2O3触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法 |
RU2534150C2 (ru) * | 2012-05-22 | 2014-11-27 | Николай Евгеньевич Староверов | Способ получения нитридной наноплёнки или нанонити |
CN105129749A (zh) * | 2015-08-04 | 2015-12-09 | 吉林大学 | 高压制备氮化铟纳米晶粉体材料的方法 |
-
2003
- 2003-11-07 JP JP2003378946A patent/JP3987932B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005139045A (ja) | 2005-06-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070306 |
|
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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