KR100818459B1 - 발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

p형 반도체층을 무기반도체를 이용하여 형성하는 경우 발생하는 문제점을 해소하고, 보다 간단하고 다양한 공정을 통하여 경제적으로 제조될 수 있는 발광효율이 우수한 발광소자 및 그의 제조방법이 제안된다. 본 발명의 발광소자는 제 1도전형 무기반도체층, 제 1도전형 무기반도체층 상에 형성되어 빛을 발광하는 양자우물층을 포함하는 활성층 및 활성층 상에 형성된 제 2도전형 유기반도체층을 포함하고, 양자우물층은 복수의 나노막대를 포함하는 것을 특징으로 한다.

발광소자, 활성층, 유기반도체, 나노막대

Description

발광소자 및 그의 제조방법{Light emitting devices and manufacturing method of the same}

도 1은 종래의 발광소자의 단면도이다.

도 2는 도 1에 도시된 발광소자의 에너지 다이어그램이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.

도 5는 도 4에 도시된 발광소자의 에너지 다이어그램이다.

도 6은 본 발명에 따른 발광소자의 제조방법을 설명하는 흐름도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 발광소자 110 n형 반도체층

120 활성층 121 나노막대

122 절연물질 130 p형 반도체층

140 p형 전극 150 n형 전극

본 발명은 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, p 형 반도체층을 무기반도체를 이용하여 형성하는 경우 발생하는 문제점을 해소하고, 보다 간단하고 다양한 공정을 통하여 경제적으로 제조될 수 있는 발광효율이 우수한 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

발광소자는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 예를 들면, LED와 같이 다이오드를 이용하여 반도체를 접합한 형태로 전자/정공결합에 따른 에너지를 광으로 변환하여 방출하는 소자가 있다.

반도체 접합 LED 구조는 p형 반도체 및 n형 반도체의 접합구조인 것이 일반적이다. 반도체 접합 LED 구조에서는 양 반도체 사이에 활성층이 있어 원하는 파장으로 조절된 빛을 발광할 수 있게 한다.

도 1은 종래의 발광소자의 단면도이다.

발광소자(1)는 n형 반도체층(10), 활성층(20), 및 p형 반도체층(30)을 포함한다. n형 반도체층(10)측에는 n형 전극(50)이, p형 반도체층(30) 측에는 p형 전극(40)이 형성되어 있어 전압 등의 인가를 위하여 외부전원과 전기적으로 연결되어 있다.

전극을 통하여 발광소자(1)에 전압이 인가되면, n형 반도체층(10)으로부터 전자가 이동하고, p형 반도체층(30)으로부터 정공이 이동하여 전자 및 정공의 재결 합을 통하여 발광이 일어난다. 도 1에 따른 발광소자(1)는 활성층(20)을 포함하고, 발광은 활성층(20)에서 발생한다. 활성층(20)에서는 발광소자(1)의 발광이 활성화된다.

n형 반도체층(10) 및 p형 반도체층(30)은 예를 들면, GaN계 반도체, ZnO계 반도체, GaAs계 반도체, GaP계 반도체, 및 GaAsP계 반도체와 같은 무기 반도체를 포함할 수 있다. 각 반도체층(10, 30)은 각각의 타입에 따라 도핑되어 있다.

이 때 통상 p형 반도체층(30)에의 도핑시 공정이 용이하지 않은 문제점이 발생할 수 있다. 이와 더불어, p형 전극(40)의 형성시 금속 및 반도체 간의 이종접합이므로 쇼트키 장벽과 같은 전위장벽의 형성으로 p형 전극(40)으로부터의 p형 반도체층(30)으로의 전류의 흐름상 문제가 발생할 수 있다.

도 2는 도 1에 도시된 발광소자의 에너지 다이어그램이다. 이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 활성층(20)에서의 발광활성화 메커니즘을 설명하기로 한다.

도 2에서는 전술한 바와 같은 발광 매커니즘에 대한 에너지 다이어그램이 나타나 있다. 특히, 도 2에서는, 발광소자(1)에 n형 반도체층(10) 측에는 (-) 전압이, p형 반도체층(30) 측에는 (+) 전압이 인가된 경우의 에너지 준위에 대하여 도시되어 있다.

n형 반도체층(10)에 (-)전압이 인가되면, 전자(e^-)는 p형 반도체층(30) 측으로 이동하게 된다. 그에 따라 이동하던 전자(e^-)는 n형 반도체층(10)과 p형 반도체층(30) 사이의 활성층(20)으로부터 기인한 양자우물에 갇히게 된다.

이와 유사하게, p형 반도체층(30)에 (+) 전압이 인가되면, p형 반도체층(30)의 정공(h⁺)이 n형 반도체층(10) 측으로 이동하게 된다. 이동하던 정공(h⁺)은 활성층(20)에 기인한 양자우물에 갇히게 된다.

이러한 활성층(20)을 이용하여 단순 pn 접합 발광과 비교하여서는 발광효율이 높아졌으나, 여전히 발광소자로서 발광효율의 증대가 기대되었다.

따라서, 전술한 p형 반도체층(30)의 도핑문제, p형 오믹 접촉 문제, 및 효율증대와 같은 지적을 해결할 수 있는 구조의 발광소자에 대한 지속적인 요청이 있어왔다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 p형 반도체층을 무기반도체를 이용하여 형성하는 경우 발생하는 문제점을 해소하고, 보다 간단하고 다양한 공정을 통하여 경제적으로 제조될 수 있는 발광효율이 우수한 발 광소자 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 발광소자는 제 1도전형 무기반도체층; 제 1도전형 무기반도체층 상에 형성되며, 빛을 발광하는 양자우물층을 포함하는 활성층; 및 활성층 상에 형성된 제 2도전형 유기반도체층;을 포함하고, 양자우물층은 복수의 나노막대를 포함한다.

여기서, 제 1도전형 무기반도체층은 n형 반도체이고, 제 2도전형 유기 반도체층은 p형 반도체일 수 있다.

상세하게, 제 1도전형 무기반도체층은 3족-5족 화합물 반도체, 2족-6족 화합물 반도체 및 Si 반도체로 구성된 군으로부터 선택되는 반도체일 수 있다. 또한, 제 1도전형 무기반도체층은 GaN 및 ZnO 중 어느 하나일 수 있다.

활성층에 포함되는 양자우물층의 나노막대는 In_xGa_(1-x)N(0≤x≤1)으로 구성될 수 있다. 이러한 나노막대의 사이는 절연물질로 충전할 수 있다. 특히, 절연물질은 폴리스티렌일 수 있다.

활성층은 복수의 양자우물층을 포함할 수 있다. 이들 복수의 양자우물층은 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 것이 바람직하다.

제 2도전형 유기반도체층은 정공수송물질로 구성될 수 있다. 특히, 정공수송물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌술포네이트)일 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판상에 제 1도전형 무기반도체층을 형성하는 단계; 제 1도전형 무기반도체층 상에 복수의 나노막대를 포함하는 양자우물층을 형성하여 활성층을 형성하는 단계; 및 활성층 상에 제 2도전형 유기반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법이 제공된다.

본 발명에 따른 발광소자 제조방법에서, 활성층을 형성하는 단계는 복수의 나노막대 사이를 절연물질로 충전하는 단계;를 더 포함할 수 있다.

또한, 제 2도전형 반도체층을 형성하는 단계는, 유기반도체인 제 2도전형 반도체층을 활성층 상에 증착하는 단계;일 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것 이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.

본 발명의 일실시예에 따른 발광소자는 발광소자는 제 1도전형 무기반도체층; 제 1도전형 무기반도체층 상에 형성되며, 빛을 발광하는 양자우물층을 포함하는 활성층; 및 활성층 상에 형성된 제 2도전형 유기반도체층;을 포함하고, 양자우물층은 복수의 나노막대를 포함한다.

본 실시예에서는 n형 반도체층(110)이 무기 반도체로 구성된 제 1도전형 무기반도체층을 나타내고, p형 반도체층(130)이 유기화합물 반도체로 구성된 제 2도전형 유기반도체층을 나타내는 경우를 상정하여 설명하기로 한다. 그러나, n형 반도체층(110)이 제 2도전형 유기화합물 반도체로 구성되고, p형 반도체층(130)이 제 1도전형 무기반도체로 구성된 경우에도 본 실시예와 동일하게 본 발명이 구현될 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.

도 3에 나타나 있는 n형 반도체층(110), p형 반도체층(130), n형 전극(150), 및 p형 전극(140)은 도 1 및 도 2에 관하여 설명한 바와 유사하므로, 동일한 설명은 생략하기로 한다.

제 1도전형 무기반도체층인 n형 반도체층(110)은 무기 반도체라면 어떤 것이 든 사용될 수 있다. 예를 들어, n형 반도체층(110)은 3족-5족 화합물 반도체, 2족-6족 화합물 반도체 및 Si 반도체로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. 상세하게는, 제 1도전형 무기반도체층은 GaN 및 ZnO 중 어느 하나일 수 있다.

활성층(120)은 발광소자(100)의 발광을 활성화시키기 위한 층으로서, 빛을 발광하는 양자우물층을 포함한다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 활성층(120)의 양자우물층에는 복수의 나노막대(121)가 포함될 수 있다. 활성층(120)에 포함되는 나노막대(121)는 각 반도체층(110, 130)의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드갭을 나타내는 물질로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 나노막대(121)가 In_xGa_(1-x)N(0≤x≤1)으로 구성될 수 있다.

활성층(120)의 발광활성메커니즘은 전술한 도 2에 대하여 설명한 바와 유사하다. 따라서, 이에 대하여 동일한 설명은 생략하기로 한다.

다만, 종래의 활성층을 포함하는 발광소자와 달리 본 발명에서는 활성층(120)의 양자우물층이 복수의 나노막대(121)를 가지는 차이가 있다.

나노막대(121)와 같은 저차원 나노구조를 형성하게 되면 활성층(120)내의 양자효과는 증가될 것으로 예상된다. 다시 말하면, 이러한 나노구조내에 이동하던 전 자(e^-) 및/또는 정공(h⁺)이 나노구조내에 더욱 효과적으로 갇히게 되고 이러한 효과로 더욱 효과적인 재결합이 가능하게 되는 것이다.

이러한 나노막대(121)를 형성하는 방법으로는, 크게 두가지 방식이 있는데, 하나의 하향식(top-down)제조방법이고, 다른 하나는 상향식(bottom-down)제조방법이다.

하향식 제조방법은 나노막대를 제조하고자 하는 물질을 식각 등을 통하여 나노수준으로 형성하는 방법이다. 그러나 이러한 방식은 현실적으로 수십 nm 까지가 그 한계로서 지적되었고, 물질이 작아질수록 증가하는 제조비용으로 인하여 최근 상향식 제조방법이 개발되고 있다.

이러한 상향식 제조방법으로, 양극화 산화 알루미늄 주형(Anodic Alunminum Oxide template, AAO template) 방식과 기체-액체-고체상(Vapor-liquid-Liquid-Solid phase, VLS phase) 합성방법을 들 수 있다.

AAO 주형을 이용한 방법에서 알루미늄을 사용하는 이유는 알루미늄은 산화 알루미늄을 형성하기 위한 산화 과정에서 자체적으로 조직된 공동(pore) 배열을 형성하는 독특한 특성을 가지고 있기 때문이다.

이 경우에 형성된 공동의 직경은 알루미늄의 산화공정에서의 산성용액의 농도 및 전압에 따라서 수십에서 수백nm 영역이 되고 길이는 수 ㎛정도 된다. 따라서 이 AAO 주형을 이용하여 공동에 물리, 화학 증착 방법으로 다른 물질을 채우게 되면 공동의 직경과 길이에 일치하는 나노막대를 제조할 수 있다.

VLS 합성방법은 증기상방법 중에서 단결정구조의 나노막대를 다량으로 만들 수 있는 가장 확실한 방법이라 할 수 있는데, 먼저 기체상태의 반응물을 nm 크기의 금속 촉매의 액체 방울에 녹인다. 그에 따라 핵이 생성되고, 단결정막대가 성장되면서 성장이 계속되면 나노막대를 얻을 수 있다.

VLS 합성방법에서, 나노막대의 성장과정은 다양한 방법으로 조절된다. 각각의 나노막대의 직경은 촉매 입자의 크기에 의해서 결정되기 때문에 촉매의 방울이 작을수록 더 가는 나노막대를 얻을 수 있다. 또한 나노막대의 길이는 성장시간에 의해서 조절될 수 있다.

이러한 방식으로 원하는 나노막대(121)구조로 활성층(120)을 형성하면, 발광표면적의 증가로 발광효율이 증가되게 되는 효과가 있다.

활성층(120)은 복수의 나노막대(121) 사이를 충전하는 절연물질(122)을 더 포함할 수 있다. 절연물질(122)은 복수의 나노막대(121) 사이를 채우는 역할을 수행하면서 전자(e^-) 및 정공(h⁺)의 흐름이 나노막대(121)로만 이루어질 수 있도록 이들을 제어한다.

또한, 활성층(20)상에 형성될 유기반도체층은 유기화합물 박막층일 수 있으므로 이러한 유기화합물이 나노막대(121)사이에 채워지는 것을 방지하는 역할도 수행할 수 있다.

절연물질(122)은 예를 들면, 폴리스티렌일 수 있다.

제 2도전형 유기반도체층은 유기화합물 반도체로 구성되는 층으로서, 본 실시예에서는 p형 반도체층(130)일 수 있다.

이 경우, 제 2도전형 유기반도체층인 p형 반도체층(130)은 정공수송물질을 포함할 수 있다. 유기화합물 반도체로서, 정공을 수송하여 전달할 수 있는 물질인 정공수송물질(HTM, Hole Transporting Material)을 사용한다. 만약, 유기반도체층이 n형 반도체층을 구성하는 경우에는 전자수송물질(ETM, Electron TransportingMaterial)을 사용하여 제 2도전형 유기화합물 반도체층을 구현할 수 있을 것이다.

본 발명의 유기화합물 반도체로서 사용할 수 있는 정공수송물질은 예를 들면, 이하의 화학식 1로 표현될 수 있는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌술포네이트)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate); PEDOT-PSS)일 수 있다.

폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트)는 두 이성질체의 고분자 혼합물로서, 그 중 하나는 소듐 폴리스티렌 술포네이트이다. 소듐 폴리스티렌 술포네이트는 음전하는 운반하고, 다른 부분인 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)은 양전하를 운반하는 성질을 나타내 전도성 고분자로 이용된다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.

본 실시예에서는 발광소자(200)는 n형 반도체층(210), p형 반도체층(230), 활성층(220), n형 전극(250), 및 p형 전극(240)을 포함하고 있는데, 활성층(220)은 은 빛을 발광하는 양자우물층을 포함하는데, 양자우물층은 복수의 나노막대(221), 및 그 사이를 채우는 절연물질(222)을 포함한다. 나노막대(221)는 에너지우물 층(221-a) 및 에너지장벽층(221-b)을 교대로 포함하고 있다. 즉, 양자우물층은 복수의 에너지우물층(221-a)을 포함하므로 활성층(220)은 복수의 양자우물층을 포함한다. n형 반도체층(210), p형 반도체층(230), n형 전극(250), 및 p형 전극(240)은 도 3에서 설명한 것과 유사한 기능을 수행하므로 동일한 설명은 생략하기로 한다.

전술한 바와 같이 활성층(220)은 양자우물층인 에너지우물층(221-a) 및 에너지장벽층(221-b)을 교대로 포함하고 있는 나노막대(221)를 복수개 포함한다. 각각의 나노막대(221) 사이에는 절연물질(222)이 충전되어 있다.

각각의 에너지우물층(221-a) 사이에는 양자우물구조를 형성하기 위한 에너지 장벽층(221-b)이 위치한다. 에너지장벽층(221-b)은 에너지우물층(221-a)보다 에너지 밴드 갭이 큰 물질로서 구성하여 양자우물 구조에 전자나 정공을 보다 효율적으로 갇히게 할 수 있도록 한다. 예를 들어, 에너지우물층(221-a)이 InGaN으로 구성되는 경우, 에너지장벽층(221-b)은 GaN으로 구성될 수 있다.

비록, 도 4에서는 에너지우물층이 2개 구현되어 있으나, 활성층(220)은 3이상의 에너지우물층을 포함하고 그에 따라 에너지장벽층(221-b)을 포함할 수 있다. 활성층(220)이 다층구조를 나타내기 때문에 활성층(220)으로 인한 양자우물구조는 에너지우물층(221-a)의 수에 따른다.

이러한 우물층-장벽층의 반복횟수는 발광효율을 고려하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의하여 적절히 선택될 수 있음은 자명할 것이다.

도 5는 도 4에 도시된 발광소자의 에너지 다이어그램이다.

도 5를 참조하면, 활성층(220)은 2개의 에너지우물층(221-a)을 포함하고 있으므로 양자우물이 2개 나타나고 있다. 즉, n형 반도체층(210)의 에너지 밴드와 p형 반도체층(230)의 에너지 밴드 사이에 우물-장벽-우물이 반복되고 있다. 그에 따라 양 반도체층(210, 230)사이에 복수의 양자우물층이 형성되게 되어, 발광소자(100')의 발광효율이 보다 높아질 것으로 예상된다.

이 경우, 각각의 에너지우물층(221-a)의 활성물질을 다르게 사용하여 발광되는 빛의 파장을 조절할 수 있다.

직접천이형의 활성층의 경우, 다음의 수학식 1로 발광파장을 얻을 수 있다.

λ = 1240/E_g

식 중, λ는 발광파장(nm)이고, E_g는 에너지 밴드 갭(eV)이다.

따라서, 적절한 에너지 밴드 갭을 나타내는 활성물질을 사용하면 빛의 파장을 조절하여 원하는 색의 빛을 얻을 수 있다.

도 6은 본 발명에 따른 발광소자의 제조방법을 설명하는 흐름도이다.

발광소자를 제조하기 위하여 먼저, 기판상에 제 1도전형 반도체층인 제 1도전형 무기반도체층을 형성한다(S300). 기판은 부도전성 기판인 사파이어 기판을 사용할 수도 있고, 도전성 기판인 금속, 금속합금, Si, 및 SiC 중 어느 하나의 기판을 사용할 수 있다.

기판은 기판상에 형성되는 제 1도전형 반도체층에 사용되는 반도체물질과 격자상수 및 열팽창계수가 가능한한 유사하여 스트레인 발생이나 부정합과 같은 문제점이 없도록 당업자가 적절히 선택할 수 있다. 사파이어 기판과 같은 부도전성 기판을 이용하는 경우, 수평구조의 발광소자를 제작할 수 있고, Si 기판과 같은 도전성 기판을 이용하는 경우, 수직구조의 발광소자를 형성할 수 있다.

제 1도전형 반도체층인 무기반도체층은 반도체 에피성장과 같은 통상의 방법으로 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이 제 1도전형 무기반도체층은 GaN 또는 ZnO 반도체일 수 있다. 제 1도전형 무기반도체층이 형성되면, 전술한 바와 같은 방법, 예를 들면 AAO 주형을 이용하는 방법을 이용하여 활성물질을 나노막대형태로 형성하여 활성층을 형성한다(S310).

나노막대가 형성되면, 그 사이를 절연물질로 충전(S320)하여 제 1도전형 반 도체층과의 절연을 유도한다. 전술한 바와 같이 절연물질로는 폴리스티렌을 사용할 수 있다.

나노막대사이에 절연물질을 충전하여 활성층을 형성하면, 제 2도전형 반도체층인 유기화합물 반도체층을 형성한다(S330). 본 발명에서 제 2도전형 반도체층은 유기화합물 반도체를 이용하기 때문에 통상 액체이므로 제 1도전형 무기 반도체층의 형성보다 다양한 방법 및 보다 용이한 방법으로 경제적으로 수행할 수 있다.

또한, 유기화합물 반도체는 우수한 정확도로 비교적 넓은 면적에 박막을 형성하는 것이 가능하다. 이러한 제 2도전형 반도체층 형성방법으로는 예를 들면, 활성층 상에 유기화합물의 박막을 증착시키는 것을 들 수 있다.

반도체층이 형성되면, 각각의 전극을 형성(S340)한다. 특히, 제 1도전형 반도체층이 무기반도체로서 n형 반도체층이고, 제 2도전형 반도체층이 p형 반도체층인 경우에는 유기화합물 반도체를 이용하여 형성된 p형 반도체층에는 p형 전극이 형성되어야 한다.

이 때, p형 반도체층이 유기화합물 반도체이므로 일반적으로 p형 반도체층이 무기 반도체인 경우에 발생할 수 있는 문제점이 해소되게 된다. 예를 들어, 무기 반도체의 p형 도핑에서의 문제점 및 p형 전극과 p형 무기 반도체간의 오믹 접 촉(ohmic comtact)문제점은 유기화합물 반도체를 이용하여 해소될 수 있다.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 발광소자는 p형 반도체층을 무기반도체를 이용하여 형성하는 경우 p형 도핑공정의 어려움 및 p형 전극 형성의 어려움과 같은 문제점을 해소하여 보다 용이하게 제조될 수 있다.

또한, 유기화합물 반도체를 이용하면, 다양한 방법으로 반도체층을 형성할 수 있고, 형성방법이 용이하여 보다 경제적으로 발광소자가 제조될 수 있다.

아울러, 활성층에 나노막대를 채용하여 발광면적이 넓어져 발광효율이 향상되는 효과가 있다.

Claims (14)

1. 제 1도전형 무기반도체층;

   상기 제 1도전형 무기반도체층 상에 형성되며, 빛을 발광하는 양자우물층을 포함하는 활성층; 및

   상기 활성층 상에 형성된 제 2도전형 유기반도체층;을 포함하고,

   상기 양자우물층은 복수의 나노막대를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1도전형 무기반도체층은 n형 반도체이고,

   상기 제 2도전형 유기 반도체층은 p형 반도체인 것을 특징으로 하는 발광소자.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1도전형 무기반도체층은 3족-5족 화합물 반도체, 2족-6족 화합물 반도체 및 Si 반도체로 구성된 군으로부터 선택되는 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 제 1도전형 무기반도체층은 GaN 및 ZnO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광소자.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 나노막대는 In_xGa_(1-x)N(0≤x≤1)으로 구성된 것을 특징으로 하는 발광소자.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 활성층은 상기 복수의 나노막대 사이를 충전하는 절연물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
7. 제6항에 있어서,

   상기 절연물질은 폴리스티렌인 것을 특징으로 하는 발광소자.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 활성층은 복수의 양자우물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
9. 제8항에 있어서,

   상기 복수의 양자우물층은 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자.
10. 제 1항에 있어서,

    상기 제 2도전형 유기반도체층은 정공수송물질로 구성된 것을 특징으로 하는 발광소자.
11. 제 10항에 있어서,

    상기 정공수송물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌술포네이트)인 것을 특징으로 하는 발광소자.
12. 기판상에 제 1도전형 무기반도체층을 형성하는 단계;

    상기 제 1도전형 무기반도체층 상에 복수의 나노막대를 포함하는 양자우물층을 형성하여 활성층을 형성하는 단계; 및

    상기 활성층 상에 제 2도전형 유기반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법.
13. 제 12항에 있어서,

    상기 활성층을 형성하는 단계는 상기 복수의 나노막대 사이를 절연물질로 충전하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법.
14. 제 12항에 있어서,

    상기 제 2도전형 반도체층을 형성하는 단계는,

    유기반도체인 상기 제 2도전형 반도체층을 상기 활성층 상에 증착하는 단계;인 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법.

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