KR101048713B1 - 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기발광 디바이스 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101048713B1
KR101048713B1 KR1020080102499A KR20080102499A KR101048713B1 KR 101048713 B1 KR101048713 B1 KR 101048713B1 KR 1020080102499 A KR1020080102499 A KR 1020080102499A KR 20080102499 A KR20080102499 A KR 20080102499A KR 101048713 B1 KR101048713 B1 KR 101048713B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
nanostructures
seed layer
covering
electrode
Prior art date
Application number
KR1020080102499A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100043457A (ko
Inventor
김용진
조정희
이규철
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020080102499A priority Critical patent/KR101048713B1/ko
Publication of KR20100043457A publication Critical patent/KR20100043457A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101048713B1 publication Critical patent/KR101048713B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02603—Nanowires
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
    • H01L2221/1073—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L2221/1084—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/202—Electromagnetic wavelength ranges [W]
    • H01L2924/2024—Visible spectrum wavelength 390=<W<700 nm, i.e. 400-790 THz

Abstract

본 발명은 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 유기발광 디바이스는, i) 광을 투과하는 기판, ii) 기판 바로 위에 위치한 씨드층, iii) 씨드층 위에 위치하고, 상호 이격되어 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들, iv) 씨드층과 복수의 나노 구조체들을 덮은 발광체, 및 v) 발광체를 덮은 전극을 포함한다. 발광체는, i) 씨드층을 덮는 제1 발광부, 및 ii) 제1 발광부와 연결되고, 복수의 나노 구조체들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 발광부들을 포함한다. 전극은, i) 제1 발광부를 덮는 제1 전극부, 및 ii) 제1 전극부와 연결되고, 복수의 제2 발광부들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 전극부들을 포함한다.
유기발광 디바이스, 발광체, 나노 구조체

Description

유기발광 디바이스 및 그 제조 방법 {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 좀더 상세하게는, 본 발명은 나노 구조체를 포함하는 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 음극표시선관(cathode ray tube, CRT)이 표시 장치로서 널리 사용되어 왔다. 그러나 음극표시선관은 그 부피가 너무 커서 휴대가 불가능한 문제점이 있었다. 따라서 최근 들어 음극표시관선이 플라스마 표시장치(plasma display panel, PDP) 또는 액정표시장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다. 플라스마 표시장치 또는 액정표시장치는 얇으면서 가볍다. 그러나 플라스마 표시장치는 가스 방전에 의해 화상을 표시하므로, 발열량이 커서 부품들이 쉽게 열화되는 문제점이 있다. 또한, 액정표시장치는 선명도가 낮고 응답속도가 느리며, 수광형 소자라는 문제점이 있다.
따라서 전술한 플라스마 표시장치 또는 액정표시장치의 단점을 극복할 수 있는 유기발광 표시장치(organic light emitting display, OLED)가 개발되고 있다. 유기발광 표시장치는 능동형 발광소자이므로, 색을 왜곡하지 않고 그대로 표현할 수 있으며, 백라이트가 불필요하므로 액정표시장치에 비해 그 두께가 얇다. 또한, 그 전력 소모량도 적으며, 잔상없이 액정표시장치의 1000배로 동영상을 재생할 수 있다.
나노 구조체를 이용하여 전력 효율을 향상시킨 유기발광 디바이스를 제공하고자 한다.
전술한 유기발광 디바이스의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디바이스는, i) 광을 투과하는 기판, ii) 기판 바로 위에 위치한 씨드층, iii) 씨드층 위에 위치하고, 상호 이격되어 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들, iv) 씨드층과 복수의 나노 구조체들을 덮은 발광체, 및 v) 발광체를 덮은 전극을 포함한다. 발광체는, i) 씨드층을 덮는 제1 발광부, 및 ii) 제1 발광부와 연결되고, 복수의 나노 구조체들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 발광부들을 포함한다. 전극은, i) 제1 발광부를 덮는 제1 전극부, 및 ii) 제1 전극부와 연결되고, 복수의 제2 발광부들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 전극부들을 포함한다.
기판은 400nm 내지 800nm의 파장을 가진 광을 투과할 수 있다. 복수의 나노 구조체들의 표면적에 대한 상기 발광체의 표면적의 비는 1.038 내지 1.079일 수 있다. 기판의 판면의 면적에 대한 발광체의 표면적의 비는 10.42 내지 16.71일 수 있다.
복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체는 산화아연(ZnO), 산화주석(ITO), 산화카드뮴(CdO), 산화마그네슘(MgO), 질화갈륨(GaN) 및 질화알루미늄(AlN)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 물질은 Al, Mg, Cd, Ni, Ca, Mn, La, Ta, Ga. Ln, Ta, Ga, Ln, Cr, B, N, Sn 및 H로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소로 도핑될 수 있다.
복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체의 직경에 대한 나노 구조체의 길이의 비는 100 내지 200일 수 있다. 나노 구조체의 직경은 1nm 내지 300nm일 수 있다. 나노 구조체의 길이는 50nm 내지 2000nm일 수 있다. 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체는 나노막대, 나노튜브, 나노선 또는 나노벽일 수 있다.
복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체는 씨드층으로부터 성장할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디바이스의 제조 방법은, i) 광을 투과하는 기판을 제공하는 단계, ii) 기판 위에 씨드층을 제공하는 단계, iii) 씨드층 위에 상호 이격되어 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계, iv) 씨드층과 복수의 나노 구조체들을 덮는 발광체를 제공하는 단계, 및 v) 발광체를 덮는 전극을 제공하는 단계를 포함한다. 발광체를 제공하는 단계는, i) 씨드층을 덮는 제1 발광부를 제공하는 단계, 및 ii) 제1 발광부와 연결되고, 복수의 나노 구조체들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 발광부들을 제공하는 단계를 포함한다. 전극을 제공하는 단계는, i) 제1 발광부를 덮는 제1 전극부를 제공하는 단계, 및 ii) 제1 전극부와 연결되고, 복수의 제2 발광부들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 전극부들을 제공하는 단계를 포함한다.
복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 복수의 나노 구조체들을 씨드층 바로 위에 제공할 수 있다. 발광체를 제공하는 단계에서, 복수의 나노 구조체들의 표면적에 대한 상기 발광체의 표면적의 비는 1.038 내지 1.079일 수 있다. 기판의 판면의 면적에 대한 발광체의 표면적의 비는 10.42 내지 16.71일 수 있다.
유기발광 디바이스를 나노 구조체를 이용하여 제조시, 유기발광 디바이스의 전극 표면적을 넓힐 수 있으므로, 발광체의 표면적까지 넓어져서 단위면적당 발광 효율이 향상된다. 따라서 고효율의 유기발광 디바이스를 제조할 수 있다.
어느 부분이 다른 부분의 "위에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 개재되지 않는다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는 것을 이해할 수 있다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.
여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
"아래", "위" 등의 상대적인 공간을 나타내는 용어는 도면에서 도시된 한 부분의 다른 부분에 대한 관계를 좀더 쉽게 설명하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 용어들은 도면에서 의도한 의미와 함께 사용중인 장치의 다른 의미나 동작을 포함하도록 의도된다. 예를 들면, 도면중의 장치를 뒤집으면, 다른 부분들의 "아래"에 있는 것으로 설명된 어느 부분들은 다른 부분들의 "위"에 있는 것으로 설명된다. 따라서 "아래"라는 예시적인 용어는 위와 아래 방향을 전부 포함한다. 장치는 90°회전 또는 다른 각도로 회전할 수 있고, 상대적인 공간을 나타내는 용어도 이에 따라서 해석된다.
다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
사시도 및 단면도를 참조하여 설명된 본 발명의 실시예는 본 발명의 이상적인 실시예를 구체적으로 나타낸다. 그 결과, 도해의 다양한 변형, 예를 들면 제조 방법 및/또는 사양의 변형이 예상된다. 따라서 실시예는 도시한 영역의 특정 형태에 국한되지 않으며, 예를 들면 제조에 의한 형태의 변형도 포함한다. 예를 들면, 편평하다고 도시되거나 설명된 영역은 일반적으로 거칠거나/거칠고 비선형인 특성을 가질 수 있다. 또한, 날카로운 각도를 가지는 것으로 도시된 부분은 라운드질 수 있다. 따라서 도면에 도시된 영역은 원래 대략적인 것에 불과하며, 이들의 형태는 영역의 정확한 형태를 도시하도록 의도된 것이 아니고, 본 발명의 범위를 좁히려고 의도된 것이 아니다.
이하에서는 도 1 내지 도 10을 통하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디바이스(100)를 개략적으로 나타낸다. 도 1의 우측에서는 편의상 설명을 위해 유기발광 디바이스(100)의 일부분을 절개하여 나타낸다. 도 1의 유기발광 디바이스(100)는 실제로는 매우 작으므로, 도 1에는 이를 확대하여 나타낸다.
도 1에 도시한 바와 같이, 유기발광 디바이스(100)는 기판(10), 씨드층(seed layer)(50), 나노 구조체들(20), 발광체(30) 및 전극(40)을 포함한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판(10)은 광을 투과하므로, 발광체(30)에서 방출되는 광은 기판(10)을 통하여 외부로 출사된다. 기판(10)은 400nm 내지 800nm의 파장을 가진 광을 투과한다. 400nm 내지 800nm의 파장을 가진 광은 가시광선을 포함한다. 광의 파장이 400nm 미만이면 자외선에 가깝고, 광의 파장이 800nm를 초과하면 적외선에 가까우므로 육안으로 잘 삭별되지 않는다. 따라서 전술한 범위의 파장 범위를 가진 광이 출사될 수 있는 기판(10)을 사용한다.
또한, 기판(10)의 광투과율은 70% 이상이고 100% 미만일 수 있다. 기판(10)의 광투과율이 70% 미만인 경우, 기판(10)을 통해 방출되는 광의 양이 적어서 가 충분히 발광 소자로서 기능하지 못한다. 또한, 기판(10)의 소재를 고려하는 경우, 광투과율이 100%인 기판(10)의 구현이 거의 어렵다.
기판(10)의 소재로는 사파이어, 쿼츠(quartz), 파이렉스, ITO(indium tin oxide, 인듐 틴 옥사이드), FTO(fluorine doped tin oxide, SnO2:F), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 고분자 탄화수소 등의 유기 물질을 사용할 수 있다. 또한, 전술한 소재들 중에서 2가지 이상의 소재들을 혼합하여 기판(10)에 사용할 수 있다. 기판(10)의 소재로서 유리 또는 유기 물질을 사용하는 경우, 기판(10)의 제조 비용을 크게 저감시킬 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 씨드층(50)은 기판(10) 위에 위치한다. 씨드층(50)은 이방적 표면 에너지를 가진다. 씨드층(50)은 나노 구조체들(20)을 지지하는 기초 박막과 나노 구조체들(20)이 성장하기 위한 성장핵으로서 작용한다. 씨드층(50)의 소재로는 실리콘, 산화 알루미늄, 비소화 갈륨, 스피넬, 실리콘, 인화 인듐, 인화 갈륨, 인화 알루미늄, 질화 갈륨, 질화 인듐, 질화 알루미늄, 산화 아연, 산화 마그네슘, 실리콘 카바이드, 또는 산화 티타늄을 사용할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 씨드층(50) 위에는 발광체(30) 및 전극(40)이 차례로 위치한다. 도 1의 우측 상단에 유기발광 디바이스(100)를 절개하여 도시한 바와 같이, 발광체(30) 및 전극(40)은 나노 구조체들(20)을 차례로 덮는다. 즉, 도 1에는 도시하지 않았지만, 나노 구조체들(20)은 씨드층(50) 위에 위치한다. 발광체(30) 및 전극(40)은 나노 구조체들(20)을 덮으면서 씨드층(50) 위에 차례로 적층된다.
나노 구조체들(20)은 씨드층(50)으로부터 성장하여 씨드층(50) 위에 형성된다. 따라서 나노 구조체들(20)의 소재는 씨드층(50)의 소재와 동일할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 나노 구조체들(20)은 x축 방향 및 y축 방향을 따라 규칙적으로 배열된다. 상호 이웃하는 나노 구조체들(20) 사이의 거리는 실질적으로 동일하다. 그 결과, 발광체(30)를 나노 구조체들(20)의 표면에 균일하게 형성하여 넓은 발광 면적을 실현할 수 있다.
도 1에는 나노 구조체(20)로서 나노막대를 형성한 경우를 예시한다. 이외에 나노 구조체(20)로서 나노튜브, 나노선 또는 나노벽을 형성할 수도 있다. 즉, 나노 구조체(20)는 그 표면적을 넓힐 수 있는 다양한 형상으로 제조될 수 있다. 또한, 도 1에는 복수의 나노막대들만 사용한 경우를 예시하였지만, 나노막대, 나노튜브, 나노선 및 나노벽을 함께 혼합해 형성할 수도 있다.
나노 구조체(20)의 소재로는 산화아연(ZnO), 산화인주석(ITO), 산화카드뮴(CdO), 산화마그네슘(MgO), 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN) 등을 사용할 수 있다. 또한, 이러한 소재들 중에서 2 이상의 소재들을 함께 사용하여 나노 구조체(20)를 제조할 수 있다. 이들 소재들은 광투과율이 높으므로 유기발광 디바이스에 사용하기에 적합하다.
한편, Al, Mg, Cd, Ni, Ca, Mn, La, Ta, Ga. Ln, Ta, Ga, Ln, Cr, B, N, Sn 또는 H(수소원자)로 나노 구조체(20)를 도핑하거나 코팅할 수 있다. 또한, 이러한 원소들 중에서 2 이상의 원소들을 함께 이용하여 나노 구조체(20)를 도핑하거나 코팅할 수 있다. 나노 구조체(20)를 도핑하는 경우, 나노 구조체(20)의 전기적 특성 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 나노 구조체(20)를 플라스마 처리 또는 열처리하여 전술한 원소들을 나노 구조체(20)의 표면 위에 코팅함으로써 나노 구조체(20)의 전기적 특성 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1에 도시한 발광체(30)는 유기 소재 또는 무기 소재로 제조할 수 있다. 발광체(30)는 전류가 인가된 경우 여기자를 형성하고, 여기자가 재결합하면서 발광한다. 이러한 특성을 가진 발광체(30)을 제한없이 사용할 수 있다.
발광체(30)는 효율을 높이기 위해 다층막으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 발광체(30)는 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층, 및 전자주입층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 정공주입층으로는 CuPc(copper phthalocyanine), m-MTDAPB(1,3,4,-tris{4-[methylphenyl (phenyl) amino] phenyl} benzene), 1-TNATA(4,4',4"-tris[1-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine), p-DPA-TDAB(1,3,5-tris[N-4-diphenylaminophenyl) phenylamino]benzene), m-MTDATA(4,4′,4″-tris(N-(3-methoxyphenyl)-N-phenyl-amine)triphenylamine), s-TNATA, TDAPB(1, 3, 5-tris (N, N-bis-(4-methoxyphenyl)-aminophenyl) benzene), TDAB(1, 3, 5-tris (N, N-bis-(4, 5-methoxyphenyl)-aminophenyl) benzol), TCTA(4,4',4"-tri(N-carbazolyl) triphenylamine), TDATA(4,4′,4″-tris(N,N-diphenyl-amino)triphenylamine) 등을 사용할 수 있다.
또한, 예를 들면, 정공수송층으로는 디아민(Diamine), TPD, TPM, PDA, α-NPD, OxZ, m-MTDATA 등을 사용할 수 있다. 그리고 예를 들면 발광층으로는 DPVBi, Alq3, Ir(PPy)3, DCJTB, 루베린(ruberene), DCM2 등을 사용할 수 있다. 한편, 예를 들면 정공저지층으로는 BCP, PBD, TAZ, TPBI 등을 사용할 수 있다. 또한, 전자주입층으로는 LiF 등의 무기물을 사용할 수 있으며, 전자수송층으로는 PBD(2-biphenyl-4-yl-5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BMD, TNF, BBOT, BND 등을 사용할 수 있다.
도 1에 도시한 전극(40)은 전압이 인가되는 경우, 전자를 발광층(30)으로 주입한다. 따라서 전극(40)은 일함수가 낮은 금속으로 전자를 주입할 수 있는 소재를 이용하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 전극(40)은 Mg, Ag, Li, Al 또는 Ca의 소재로 제조할 수 있다. 또한, 이들 금속 중 2 이상의 금속을 조합하여 전극(40)을 제조할 수 있다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면을 개략적으로 나타낸다.
도 2에 도시한 바와 같이, 2개의 나노 구조체들(201, 203)은 상호 이격되어 기판(10) 위에 위치한다. 나노 구조체들(201, 203)은 z축 방향으로 뻗어 있다. 발광체(30)는 나노 구조체들(201, 203)을 덮고, 전극(40)은 발광체(30)를 덮는다.
도 2에 도시한 바와 같이, 나노 구조체(201)의 직경(d)에 비해 나노 구조체(201)의 높이(h)는 매우 크다. 예를 들면, 나노 구조체(201)의 직경(d)에 대한 나노 구조체(201)의 높이(h)의 비는 100 내지 200이다. 여기서, 나노 구조체(201)의 직경은 나노 구조체(201)를 기판(10)의 판면(101)에 평행인 xy 평면 방향으로 자른 경우, 그 단면의 최대 길이를 의미한다.
나노 구조체(201)의 직경(d)에 대한 나노 구조체(201)의 높이(h)가 100보다 작은 경우, 유기발광 디바이스(100)(도 1에 도시, 이하 동일)의 표면적을 최대화할 수 없으므로 발광 효율이 저하된다. 또한, 나노 구조체(201)의 직경(d)에 대한 나노 구조체(201)의 높이(h)가 200을 넘는 것은 공정상 어렵다. 따라서 나노 구조체(201)의 종횡비를 전술한 범위로 조절함으로써 작은 공간에서 나노 구조체(201)의 표면적을 최대화할 수 있다.
나노 구조체(201)의 직경(d)은 1nm 내지 300nm일 수 있다. 공정상 나노 구조체(201)의 직경(d)을 1nm 미만으로 유지하기 어렵다. 반대로, 나노 구조체(201)의 직경(d)이 300nm를 초과하는 경우, 이웃하는 나노 구조체들(201)이 서로 붙을 수 있다.
또한, 나노 구조체(201)의 높이(h)는 50nm 내지 2000nm일 수 있다. 나노 구조체(201)의 높이(h)가 50nm 미만인 경우, 유기발광 디바이스(100)의 표면적을 최대화할 수 없으므로 발광 효율이 저하된다. 또한, 나노 구조체(201)의 직경(d)이 2000nm를 초과하는 것은 공정상 불가능하다.
도 2에 도시한 바와 같이. 발광체(30)는 제1 발광부(301) 및 복수의 제2 발광부들(303)을 포함한다. 제1 발광부(301)는 씨드층(50)을 덮는다. 복수의 제2 발광부들(303)은 복수의 나노 구조체들(201, 203)을 덮으면서 상호 이격되어 위치한다. 즉, 제1 발광부(301)는 xy 평면상에 위치하고, 복수의 제2 발광부들(303)은 xy 평면으로부터 돌출하여 +z축 방향으로 뻗어 있다. 복수의 제2 발광부들(303)은 제1 발광부(301)에 연결된다.
전극(40)은 제1 전극부(401) 및 복수의 제2 전극부들(403)을 포함한다. 제1 전극부(401)는 제1 발광부(301)를 덮는다. 복수의 제2 전극부들(403)은 복수의 제2 발광부들(303)을 덮으면서 상호 이격되어 위치한다. 제1 전극부(401)는 xy 평면상에 위치하고, 복수의 제2 전극부들(403)은 xy 평면으로부터 돌출하여 +z축 방향으로 뻗어 있다. 복수의 제2 전극부들(403)은 제1 전극부(401)에 연결된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 나노 구조체들(201, 203)은 상호 이격되어 위치하고, 복수의 제2 발광부들(303)은 상호 이격되어 나노 구조체들(201, 203)의 표면에 형성된다. 따라서, 나노 구조체들(201, 203)을 이용해 발광 면적을 최대화할 수 있다. 그 결과, 유기발광 디바이스(100)의 발광 효율을 최대화할 수 있다.
예를 들면, 1cm2 면적의 기판에 약 3×109 개의 나노 구조체들(201, 203)이 형성되고, 나노 구조체들(201, 203)의 직경이 100nm인 경우, 기판 표면을 덮는 제1 발광부(301)의 면적은 약 0.7645cm2가 된다. 이는 기판 면적으로부터 나노 구조체들(201, 203)의 총 단면적을 빼서 계산한다.
또한, 나노 구조체들(201, 203)의 높이가 1㎛인 경우, 각 나노 구조체(201, 203)의 표면적은 3.22×10-9cm2 이고, 나노 구조체(201, 203)들의 총 표면적은 9.66cm2이 된다. 여기서, 복수의 제2 발광부들(303)은 나노 구조체(201, 203)들의 표면을 감싸고 있으므로, 복수의 제2 발광부들(303)의 표면적은 나노 구조체(201, 203)들의 표면적과 거의 동일하다고 할 수 있다. 따라서 발광체(30)의 표면적은 제1 발광부(301)의 면적과 나노 구조체(201, 203)들의 표면적을 더하여 구할 수 있다. 이 경우, 발광체(30)의 표면적은 약 10.42cm2 이다.
한편, 1cm2의 판면 면적을 가진 기판에 약 5×109 개의 나노 구조체들(201, 203)이 형성되고, 나머지 조건은 전술한 바와 동일한 경우, 나노 구조체(201, 203)들의 총 표면적은 16.10cm2이 되고, 발광체(30)의 표면적은 약 16.71cm2 이다.
전술한 내용을 요약하면, 기판(10)의 판면의 면적에 대한 발광체(30)의 표면적의 비는 10.42 내지 16.71일 수 있다. 또한, 나노 구조체들(201, 203)의 표면적에 대한 발광체(30)의 표면적의 비는 약 1.038 내지 1.079가 될 수 있다. 나노 구 조체들(201, 203)의 수가 1cm2 면적당 3×109 개 내지 5×109 개인 점을 고려시, 전술한 표면적의 비를 도출할 수 있다.
만약, 복수의 제2 발광부들(303)을 상호 이격시키지 않고, 발광체를 단순히 복수의 나노 구조체들(201, 203) 사이에 매립하는 경우, 발광체의 표면적이 크게 늘어나지 않을 뿐만 아니라 발광체에 사용되는 소재의 양이 불필요하게 증가한다. 따라서 이 경우, 발광체의 효율이 좋지 못하다.
반면에, 본 발명의 일 실시예에서는 복수의 제2 발광부들(303)이 상호 이격되어 위치하므로, 발광체(30)에 사용되는 소재의 양을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 발광 효율을 최대화할 수 있다. 또한, 상호 이격되어 규칙적으로 위치하는 복수의 나노 구조체들(201, 203)의 표면에 발광체(30)를 균일하게 증착할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서는 나노 구조체와 유기 물질을 접합하여 발광 소자를 제조하지 않고, 유기 물질간의 접합을 통하여 발광체(30)를 제조하며, 복수의 나노 구조체들(201, 203)은 전극으로만 이용한다.
따라서 발광체(30)와 복수의 나노 구조체들(201, 203)간의 거리를 최소화할 수 있으므로, 외부에서 주입된 전류를 p-n 접합에 이르기까지 상대적으로 짧은 거리를 이동시켜 발광체(30)의 발광에 이용할 수 있으므로, 전력 효율을 극대화할 수 있다.
이하에서는 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디바이스(100)의 제조 방법을 설명한다. 여기서, 도 3은 유기발광 디바이스(100)의 제조 방법의 순서도를 나타내고, 도 4 내지 도 9는 유기발광 디바이스(100)의 제조 방법의 각 단계별 공정을 개략적으로 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 디바이스(100)(도 1에 도시)의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 먼저 단계(S10)에서는 기판(10)을 준비하여 제공한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(10)의 표면 위에 다양한 소자들을 형성하기 위하여 기판(10)을 순수로 세정해 그 표면을 깨끗하게 할 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시한 바와 같이, 단계(S20)에서는 기판(10) 위에 이방적 표면 에너지를 가지는 씨드층(50)을 제공한다. 씨드층(50)은 기판(10) 위에 증착할 수 있다. 기판(10)의 소재로는 유리 또는 유기 물질을 사용할 수 있으며, 기판(10)은 (111) 방향의 결정면을 가진다. 씨드층(50)의 소재로는 산화아연을 사용할 수 있다. 씨드층(50)의 결정성을 조절하기 위하여 다양한 소재의 기판(10)을 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판(10)은 씨드층(50)과 동일한 단결정 형태로 제조할 수 있다. 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD), 유기금속 화학기상증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 스퍼터링(sputtering), 전자빔 진공증착법(electron beam evaporization), 가열식 진공증착법(thermal evaporization), 펄스 레이저 진공증착법(pulsed laser deposition), 분자빔 증착법(molecular beam epitaxy), 화학빔 진공증착법(chemical beam evaporization), 또는 수열합성법(hydrothermal synthesis)를 사용하여 씨드층(50)을 기판(10) 위에 증착할 수 있다.
도 5는 도 3의 단계(S20)를 개략적으로 나타낸다. 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 산화아연으로 된 씨드층(50)을 제공한다.
다음으로, 도 3에 도시한 바와 같이, 단계(S30)에서는 씨드층(50) 위에 나노 구조체(20)를 제공하기 위해 반응 전구체를 챔버 내에 주입한다. 따라서 도 6에 화살표로 도시한 바와 같이, 반응 전구체가 씨드층(50) 위에 작용하여 나노 구조체(20)(도 7에 도시)를 제공한다.
만약, 산화 아연으로 된 나노 구조체(20)를 제공하는 경우, 반응 전구체로서 아연 니트레이트, 아연 아세테이트 또는 이들의 유도체와 헥사메틸렌테트라아민 또는 암모니아수를 이용한다. 기설정된 농도를 가진 반응 전구체를 포함하는 영양 용액을 챔버내에 주입하는 경우, 반응 전구체가 씨드층(50)과 반응하여 산화 아연으로 된 나노 구조체(20)가 씨드층(50) 위에서 성장한다.
즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 단계(S40)에서는 씨드층(50) 위에 나노 구조체(20)가 제공된다. 도 7에 도시한 바와 같이, 나노 구조체(20)는 씨드층(50) 위에서 성장한다. 나노 구조체들(20)은 씨드층(50) 위에서 잘 성장하므로 대면적의 기판(10) 위에 복수의 나노 구조체들(20)을 형성할 수 있다. 나노 구조체(20)는 기판(10)의 판면(101)에 수직인 방향으로 성장한다. 챔버내의 온도 또는 압력을 조절하거나 반응 전구체의 양을 조절하여 나노 구조체(20)의 길이 및 직경 등의 형상을 변형시킬 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시한 바와 같이, 단계(S50)에서는 나노 구조체(20)의 표면에 발광체(30)를 증착하여 제공한다. 즉, 도 8에 도시한 바와 같이, 나노 구조체(20)의 표면에 발광체(30)를 균일하게 형성시킨다. 여기서, 발광체(30)를 다층 구조로 형성하므로, 각 층을 이루는 소재들을 순서대로 증착함으로써 발광체(30)를 구현할 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시한 바와 같이, 단계(S60)에서는 발광체(30)의 표면 위에 전극(40)을 증착하여 제공한다. 즉, 도 9에 도시한 바와 같이, 전극(40)이 발광체(30)의 표면 위에 균일하게 증착된다. 전술한 방법을 통하여 유기발광 디바이스(100)를 제조할 수 있다.
도 10은 도 1의 유기발광 디바이스(100)의 작동 방법을 개략적으로 나타낸다.
도 10에 도시한 바와 같이, 전원(60)의 양극을 전극(40)에 연결하고, 전원(60)의 음극을 씨드층(50)에 연결한다. 이 경우, 유기발광 디바이스(100)에 전압이 인가되어 전류가 흐르면서 발광체(30)로부터 광이 출사된다. 특히, 상호 이격된 복수의 나노 구조체들(20)의 표면적이 넓고, 발광체(30)가 나노 구조체들(20)의 표면에 위치하므로, 발광체(30)의 발광 효율이 우수하다. 따라서 저전력으로도 높은 발광 효율을 얻을 수 있다.
이하에서는 실험예를 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실험예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
실험예 1
유기금속 화학증착법을 이용하여 유리로 제조된 기판 위에 씨드층을 형성하였다. 씨드층이 형성된 기판을 수열합성 챔버 내로 로딩하여 수열합성 챔버 내에서 60℃ 이상의 온도에서 4시간 동안 유지하였다. 또한, 아연 니트레이트와 암모니아수를 디이오나이즈(deionized)된 물에 녹인 반응 전구체를 수열합성 챔버내에 주입하였다. 그 결과, 씨드층 위에 산화아연으로 된 나노 구조체가 성장하였다.
다음으로, 스핀 코팅법을 이용하여 나노 구조체의 표면 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 순차적으로 형성하여 나노 구조체의 표면 위에 발광체를 형성하였다. 그리고 발광체 위에 열 증착법을 이용해 알루미늄을 증착하여 전극을 형성하였다. 전술한 방법들을 통하여 유기발광 디바이스를 제조하였다.
도 11은 실험예 1에 따라 제조한 유기발광 디바이스에 포함된 산화아연 나노 구조체의 입체주사전자현미경 사진을 나타낸다.
도 11에 도시한 바와 같이, 유기발광 디바이스에 포함된 복수의 나노 구조체들은 상호 이격되어 위치하였다. 복수의 나노 구조체들은 규칙적으로 배열되어 있었다. 각 나노 구조체의 길이는 수 ㎛이었다.
도 12는 실험예 1에 따라 제조한 유기발광 디바이스에 포함된 산화아연 나노 구조체의 평면주사전자현미경 사진을 나타낸다.
도 12에 도시한 바와 같이, 유기발광 디바이스에 포함된 복수의 나노 구조체들은 상호 이격되어 위치하였다. 각 나노 구조체의 직경은 수십 nm 내지 수백 nm이었다.
도 13은 실험예 1에 따라 제조한 유기발광 디바이스의 입체 주사전자현미경 사진을 나타낸다.
도 13에 도시한 바와 같이, 막대 형상을 가진 유기발광 디바이스가 얻어졌다. 유기발광 디바이스의 직경은 수십 내지 수백 nm이었고, 그 길이는 수 ㎛이었다.
실험예 2
비촉매 유기금속 화학증착법을 이용하여 유리로 제조된 기판 위에 씨드층을 형성하였다. 씨드층이 형성된 기판을 챔버 내로 로딩하고 챔버 내에 디메틸 아연과 산소를 주입한 후 챔버내의 압력을 10torr 이하로 조절하고, 그 온도는 400℃ 내지 800℃로 유지하였다. 화학 반응에 의해 씨드층 위에 산화아연으로 된 나노 구조체가 성장되었다.
다음으로, 스핀 코팅법을 이용하여 나노 구조체의 표면 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 순차적으로 형성하여 나노 구조체의 표면 위에 발광체를 형성하였다. 그리고 발광체 위에 열 증착법을 이용해 알루미늄을 증착하여 전극을 형성하였다. 전술한 방법들을 통하여 유기발광 디바이스를 제조하였다.
실험예 2에 따른 실험 결과, 막대 형상을 가진 유기발광 디바이스가 얻어졌다. 유기발광 디바이스의 직경은 수십 내지 수백 nm이었고, 그 길이는 수 ㎛이었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 디바이스의 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 부분 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 디바이스의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4 내지 도 9는 도 3의 발광 디바이스의 제조 방법의 각 단계를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 10은 도 1의 발광 디바이스의 작동 방법을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 11은 본 발명의 실험예 1에 따라 제조한 발광 디바이스에 포함된 산화아연 나노 구조체의 입체주사전자현미경 사진이다.
도 12는 본 발명의 실험예 1에 따라 제조한 발광 디바이스에 포함된 산화아연 나노 구조체의 평면주사전자현미경 사진이다.
도 13은 본 발명의 실험예 1에 따라 제조한 발광 디바이스의 입체주사전자현미경 사진이다.

Claims (15)

  1. 광을 투과하는 기판,
    상기 기판 바로 위에 위치한 씨드층,
    상기 씨드층 위에 위치하고, 상호 이격되어 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들,
    상기 씨드층과 상기 복수의 나노 구조체들을 덮은 발광체, 및
    상기 발광체를 덮은 전극
    을 포함하고,
    상기 발광체는,
    상기 씨드층을 덮는 제1 발광부, 및
    상기 제1 발광부와 연결되고, 상기 복수의 나노 구조체들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 발광부들
    을 포함하고,
    상기 전극은,
    상기 제1 발광부를 덮는 제1 전극부, 및
    상기 제1 전극부와 연결되고, 상기 복수의 제2 발광부들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 전극부들
    을 포함하는 유기발광 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 400nm 내지 800nm의 파장을 가진 광을 투과하는 유기발광 디바이스.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 나노 구조체들의 표면적에 대한 상기 발광체의 표면적의 비는 1.038 내지 1.079인 유기발광 디바이스.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 기판의 판면의 면적에 대한 상기 발광체의 표면적의 비는 10.42 내지 16.71인 유기발광 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체는 산화아연(ZnO), 산화주석(ITO), 산화카드뮴(CdO), 산화마그네슘(MgO), 질화갈륨(GaN) 및 질화알루미늄(AlN)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 유기발광 디바이스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 물질은 Al, Mg, Cd, Ni, Ca, Mn, La, Ta, Ga. Ln, Ta, Ga, Ln, Cr, B, N, Sn 및 H로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소로 도핑된 유기발광 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체의 직경에 대한 상기 나노 구조체의 길이의 비는 100 내지 200인 유기발광 디바이스.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 나노 구조체의 직경은 1nm 내지 300nm인 유기발광 디바이스.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 나노 구조체의 길이는 50nm 내지 2000nm인 유기발광 디바이스.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체는 나노막대, 나노튜브, 나노선 또는 나노벽인 유기발광 디바이스.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 나노 구조체들은 상기 씨드층으로부터 성장한 유기발광 디바이스.
  12. 광을 투과하는 기판을 제공하는 단계,
    상기 기판 위에 씨드층을 제공하는 단계,
    상기 씨드층 위에 상호 이격되어 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계,
    상기 씨드층과 상기 복수의 나노 구조체들을 덮는 발광체를 제공하는 단계, 및
    상기 발광체를 덮는 전극을 제공하는 단계
    를 포함하고,
    상기 발광체를 제공하는 단계는,
    상기 씨드층을 덮는 제1 발광부를 제공하는 단계, 및
    상기 제1 발광부와 연결되고, 상기 복수의 나노 구조체들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 발광부들을 제공하는 단계,
    를 포함하고,
    상기 전극을 제공하는 단계는,
    상기 제1 발광부를 덮는 제1 전극부를 제공하는 단계, 및
    상기 제1 전극부와 연결되고, 상기 복수의 제2 발광부들을 덮으면서 상호 이격되어 위치하는 복수의 제2 전극부들을 제공하는 단계
    를 포함하는 유기발광 디바이스의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 제12항에 있어서,
    상기 발광체를 제공하는 단계에서, 복수의 나노 구조체들의 표면적에 대한 상기 발광체의 표면적의 비는 1.038 내지 1.079인 유기발광 디바이스의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 발광체를 제공하는 단계에서, 기판의 판면의 면적에 대한 상기 발광체의 표면적의 비는 10.42 내지 16.71인 유기발광 디바이스의 제조 방법.
KR1020080102499A 2008-10-20 2008-10-20 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법 KR101048713B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080102499A KR101048713B1 (ko) 2008-10-20 2008-10-20 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080102499A KR101048713B1 (ko) 2008-10-20 2008-10-20 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100043457A KR20100043457A (ko) 2010-04-29
KR101048713B1 true KR101048713B1 (ko) 2011-07-14

Family

ID=42218431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080102499A KR101048713B1 (ko) 2008-10-20 2008-10-20 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101048713B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101331312B1 (ko) * 2011-03-24 2013-11-20 성균관대학교산학협력단 금속산화물 나노구조체 및 그 제조방법
KR102357269B1 (ko) * 2014-12-12 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050098539A (ko) * 2004-04-07 2005-10-12 삼성전자주식회사 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법
KR20070024006A (ko) * 2005-08-25 2007-03-02 삼성전기주식회사 나노와이어 발광 소자 및 제조방법
KR20080055546A (ko) * 2006-12-15 2008-06-19 삼성전기주식회사 나노와이어 구조체를 이용한 반도체 발광소자 및 그제조방법
KR100849473B1 (ko) 2007-02-13 2008-07-30 주식회사 나모텍 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050098539A (ko) * 2004-04-07 2005-10-12 삼성전자주식회사 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법
KR20070024006A (ko) * 2005-08-25 2007-03-02 삼성전기주식회사 나노와이어 발광 소자 및 제조방법
KR20080055546A (ko) * 2006-12-15 2008-06-19 삼성전기주식회사 나노와이어 구조체를 이용한 반도체 발광소자 및 그제조방법
KR100849473B1 (ko) 2007-02-13 2008-07-30 주식회사 나모텍 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100043457A (ko) 2010-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7592618B2 (en) Nanoparticle electroluminescence and method of manufacturing the same
US7638345B2 (en) Method of manufacturing silicon nanowires and device comprising silicon nanowires formed by the same
Choi et al. Nearly single-crystalline GaN light-emitting diodes on amorphous glass substrates
TWI470828B (zh) 半導體光元件陣列及其製造方法
US8878231B2 (en) Light emission device and manufacturing method thereof
TWI389596B (zh) 有機電致發光元件及其製備方法
KR100718765B1 (ko) 버퍼층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제작 방법
US7309531B2 (en) El device
EP2040514A1 (en) Quantum dot light emitting inorganic el element
US20080227230A1 (en) Quantum dot vertical cavity surface emitting laser and fabrication method of the same
KR101217210B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
Gong et al. Aluminum-doped zinc oxide formed by atomic layer deposition for use as anodes in organic light emitting diodes
Ma et al. A blue electroluminescent molecular device from a tetranucluear zinc (II) compound [Zn4O (AID) 6](AID= 7-azaindolate)
KR101048713B1 (ko) 유기발광 디바이스 및 그 제조 방법
US7981710B2 (en) Light emitting device and manufacturing method
JP5115925B2 (ja) 結晶軸配向性とファセット（結晶面）を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子
JPH1167460A (ja) 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2017145184A (ja) 遷移金属ダイカルコゲナイドの合成方法
US20150311476A1 (en) Light emitting device with improved internal out-coupling and method of providing the same
US20050186435A1 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2009267002A (ja) 発光素子および発光素子の製造方法
KR20130027991A (ko) 투명 전극용 ｉｔｏ층, 이를 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
Nagai et al. Crystallization and aggregation processes of vacuum-evaporated TPD films
JPH02139893A (ja) 発光素子
KR20100130296A (ko) 고온 공정에서 버퍼층을 이용한 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 및 이를 이용하는 전자 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150629

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190617

Year of fee payment: 9