JP5984981B2

JP5984981B2 - 電子部品用Ｓｎめっき材

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Publication number: JP5984981B2
Application number: JP2015034246A
Authority: JP
Inventors: 真之長野; 浩崇山崎; 勝哉中谷
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2015-02-24
Filing date: 2015-02-24
Publication date: 2016-09-06
Anticipated expiration: 2035-02-24
Also published as: TWI585244B; KR102043490B1; TW201638397A; KR20160103534A; KR20170120547A; CN105908230A; CN105908230B; JP2016156051A

Description

本発明は、電子部品、特にコネクタや端子等の導電性ばね材として好適なＳｎめっき材に関する。

端子やコネクタ等の導電性ばね材として、Ｓｎめっきを施した銅又は銅合金条（以下、「Ｓｎめっき材」という）が用いられている。一般的に、Ｓｎめっき材は、連続めっきラインにおいて脱脂および酸洗の後、電気めっき法によりＣｕ下地めっき層を形成し、次に電気めっき法によりＳｎ層を形成し、最後にリフロー処理を施しＳｎ層を溶融させる工程で製造される。

上記Ｓｎめっき材をプレス加工してコネクタ等を製造する際、Ｓｎめっき材をパッドで押さえるが、Ｓｎめっき材の表面にパッドが接触することでＳｎめっき材のＳｎめっき層からＳｎ粉が発生し、プレス機に混入する問題が生じていた。

また、一般的に、コネクタ等の組み立てラインでは、表面欠陥を検出するための検出器が設置されており、欠陥は端子表面に光を照射し、その反射光を検出することで機能する。したがって、高精度で欠陥を検出するためには端子の表面光沢が高いこと、つまり導電性ばね材の表面光沢が高いことが求められる。
近年のコネクタの小型化に伴い、Ｓｎめっき材には上記Ｓｎ粉の発生抑制及び良好な表面光沢が強く求められている。

上記Ｓｎ粉の問題に対し、特許文献１では銅合金条に下地めっき、Ｓｎめっきを行った後、リフロー処理のファンの周波数を制御することで、Ｓｎめっき材の最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層を露出させ、その露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率を０．５〜４％に、個数を０．０３３ｍｍ²当たり１００〜９００個にする方法が開示されている。

特許文献２では銅合金条に下地めっき、Ｓｎめっきを行った後、リフロー炉で加熱し、空冷した後、水冷することでリフロー後のＳｎ層中に粒径１０〜１００ｎｍのＣｕ−Ｓｎ合金粒子が５０〜１０００個／μｍ²の個数密度で存在させる方法が開示されている。

特許第５３８９０９７号公報特許第５５８７９３５号公報

上記Ｓｎめっき材はＳｎ粉の発生を抑制する上で有効であるものの、近年のコネクタの小型化に伴うＳｎ粉の発生抑制の要求に応えるには不充分である。さらに、高い精度で表面検査を行うために、表面光沢の向上が求められている。

本発明は、Ｓｎ粉の発生を抑制するための更なる改良と同時に、良好な表面光沢を得ることを目的とする。本発明者らが知る限り、従来においてＳｎ粉の発生を抑制し、且つ良好な表面光沢が得られる発明は見当たらなかった。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであって、コネクタや端子等の導電性ばね材としてＳｎ粉の発生を防止し、且つ良好な表面光沢を有するＳｎめっき材を提供することを目的とする。

本発明者が鋭意研究した結果、Ｓｎ粉の発生を抑制するためにはＳｎめっき材の表面平滑性を向上させることが有効であることを見出した。Ｓｎ粉はプレス加工時にパッドでＳｎめっき材を保持する際にＳｎ層が削られることで発生する。パッドは一定の荷重でＳｎめっき材を押さえるが、Ｓｎめっき材の表面粗さが大きいと、図１に示すように、パッドと接触する面積が小さくなるため、パッドとＳｎめっき材との接触部の単位面積当たりの荷重が大きくなり、パッドのＳｎめっき材に対する食い込み量が大きくなる。その結果、Ｓｎめっき材の削られる量が多くなり、Ｓｎ粉の発生量も多くなる。

反対に、Ｓｎめっき材の表面粗さが小さいと、図２に示すように、パッドと接触する面積が広くなるため、パッドとＳｎめっき材との接触部の単位面積当たりの荷重が小さくなり、パッドのＳｎめっき材に対する食い込み量が小さくなる。その結果、Ｓｎめっき材の削られる量が少なくなり、Ｓｎ粉の発生量も少なくなる。さらに、Ｓｎめっき材の表面粗さが小さくなると、表面光沢は向上する。

Ｓｎめっき材の表面粗さを小さくするためには、リフロー処理にてＳｎめっきを施した銅合金条を加熱した後、冷却水をＳｎめっき材の表面に噴霧し（以下、「霧状水冷」という）、次いでＳｎめっき材を投入する方法で行う必要がある。

一般的に、リフロー処理で加熱されためっき材の冷却方法は加熱後に水槽に投入するか、数秒間空冷した後、水槽に投入する方法である。この場合、リフロー加熱で溶融したＳｎは水槽に投入直後に凝固するため、図３に示すように、そのＳｎの凝固組織の形態は柱状となる。したがって、その断面形状は図１のようになり、表面粗さは大きくなる。

一方、リフロー処理で加熱されためっき材を水槽に投入前に霧状水冷を行うと、表面に噴霧された水粒子が付着し冷却されるため、図４に示すように、そのＳｎの凝固組織の形態は放射状となる。したがって、その断面形状は図２のようになり、表面粗さは小さくなる。

このように、リフロー処理にて加熱されためっき材を霧状水冷した後、水槽に投入する冷却を行い、Ｓｎの凝固組織形態を放射状にし、表面粗さを小さくすることで、Ｓｎ粉の発生が抑制でき良好な表面光沢を得ることができる。

すなわち、本発明は、
（１）銅又は銅合金条の基材上にリフロー処理を施したＳｎめっき層を有するＳｎめっき材であって、リフローＳｎめっき層は上側のＳｎ層と下側のＣｕ−Ｓｎ合金層で構成され、Ｓｎめっき材の最表面において、放射状のＳｎ凝固組織が３５ｍｍ²当たり１個以上存在し、Ｓｎめっき材の最表面の圧延直角方向の表面粗さＲａが０．０５μｍ以下であることを特徴とするＳｎめっき材。
（２）最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率が４０％以下であり、表面から観察したときの前記露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の結晶粒径が３μｍ以下であることを特徴とする（１）のＳｎめっき材。
（３）銅又は銅合金条の基材上がＣｕ下地めっき層、又はＮｉ下地めっき層、又はＮｉ及びＣｕをこの順に積層したＮｉ／Ｃｕ二層下地めっき層で被覆されており、その上にリフローＳｎめっき層を有する（１）又は（２）のＳｎめっき材。
（４）銅又は銅合金条の基材上にＳｎめっき、又はＣｕ、Ｓｎめっき層をこの順で形成した後に、リフロー処理することにより、基材上にＣｕ−Ｓｎ合金層を介してＳｎ層を形成したＳｎめっき材を製造する方法であって、前記Ｃｕめっき層の厚みを０〜０．５μｍ、前記Ｓｎめっき層の厚みを０．５〜１．５μｍとし、前記リフロー処理を温度３００〜６００℃で１〜３０秒加熱した後、２０〜９０℃の冷却水を噴霧し、次いで２０〜９０℃の水槽に投入することを特徴とするＳｎめっき材の製造方法。
（５）銅又は銅合金条の基材上にＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎめっき層をこの順で形成した後に、リフロー処理することにより、基材上にＮｉ下地めっき層、又はＮｉ／Ｃｕ二層下地めっき層で被覆され、Ｃｕ−Ｓｎ合金層を介してＳｎ層を形成したＳｎめっき材を製造する方法であって、前記Ｎｉめっき層を０．０５〜３μｍ、前記Ｃｕめっき層の厚みを０．０５〜０．５μｍ、前記Ｓｎめっき層の厚みを０．５〜１．５μｍとし、前記リフロー処理を温度３００〜６００℃で１〜３０秒加熱した後、２０〜９０℃の冷却水を噴霧し、次いで２０〜９０℃の水槽に投入することを特徴とするＳｎめっき材の製造方法。
（６）（１）〜（３）の何れかに記載されたＳｎめっき材を備えた電子部品。

本発明に係るＳｎめっき材では、特に自動車及び電子部品等に使用される端子において、接合時の挿入力が低く、端子組み立て時の表面検査を高い精度で実施できる。

Ｓｎめっき材の最表面の表面粗さが大きい場合の断面模式図である。Ｓｎめっき材の最表面の表面粗さが小さい場合の断面模式図である。リフロー処理にて加熱後に水槽へ投入した場合のＳｎめっき材のエッチング後の最表面組織写真である。リフロー処理にて加熱後に霧状水冷を実施し、次いで水槽へ投入した場合のＳｎめっき材のエッチング後の最表面組織写真である。鏡面反射率測定方法の説明図である。

以下、本発明に係るＳｎめっき材の一実施形態について説明する。なお、本発明において％とは、特に断らない限り、質量％を示すものとする。

（１）基材の組成
Ｓｎめっき材の基材となる銅条としては、純度９９．９％以上のタフピッチ銅、無酸素銅を用いることができ、又、銅合金条としては要求される強度や導電性に応じて公知の銅合金を用いることができる。公知の銅合金としては、例えば、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金、Ｃｕ−Ｚｎ系合金、Ｃｕ−Ｔｉ系合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｃｕ−Ｚｒ系合金等が挙げられる。

（２）放射状のＳｎ凝固組織
前述したように霧状水冷を行うことで、溶融されたＳｎは放射状に凝固する。この放射状のＳｎ凝固組織は３５ｍｍ²当たり１個以上あれば、表面粗さＲａが０．０５μｍ以下となる。放射状のＳｎ凝固組織の個数は、本発明の効果が発揮される範囲では特に制限されないが、製造上、１０個を超えることは困難である。

（３）表面粗さ
リフロー処理後のＳｎめっき材の最表面において圧延直角方向の表面粗さＲａは０．０５μｍ以下とする。好ましくはＲａが０．０３μｍ以下、更に好ましくはＲａが０．０２μｍ以下とする。この圧延直角方向の表面粗さＲａが大きすぎると、Ｓｎ粉の発生が抑制できず、良好な表面光沢も得られない。表面粗さの下限は本発明の効果が発揮される範囲では特に制限されないが、製造上、Ｒａが０．００１μｍ未満は困難である。

（４）Ｃｕ−Ｓｎ系合金層
前記Ｓｎめっき後にリフロー処理を施すと、基材及び／又はＣｕ下地めっき層のＣｕがＳｎめっき層に拡散し、Ｓｎめっき層の下側にＣｕ−Ｓｎ合金層が形成される。通常はＣｕ₆Ｓｎ₅、及び／又はＣｕ₃Ｓｎの組成を有しているが、上記した下地めっきの成分や、基材を銅合金としたときの添加元素を含んでもよい。

Ｓｎ層と比較して、Ｃｕ−Ｓｎ合金層は硬質であるため、これをＳｎめっき材の最表面に露出させることで更なるＳｎ粉の発生の抑制ができる。ただし、Ｓｎめっき材の最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率は４０％以下とする。好ましくは３５％以下、更に好ましくは３０％以下とする。面積率が大きくなり過ぎると、Ｓｎめっき層の表面粗さＲａが大きくなり過ぎてしまい、良好な表面光沢が得られない。

さらに、最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の結晶粒径は３μｍ以下とする。好ましくは２．５μｍ以下、更に好ましくは２μｍ以下とする。結晶粒径が大きすぎると、Ｓｎめっき層の圧延直角方向の表面粗さＲａが大きくなり過ぎてしまい良好な表面光沢が得られない。結晶粒径の下限は本発明の効果が発揮される範囲では特に制限されないが、製造上、０．１μｍ未満は困難である。

（５）製造方法
本発明の実施形態に係るＳｎめっき材は、連続めっきラインにおいて、基材である銅又は銅合金条の表面を脱脂および酸洗の後、電気めっき法により下地めっき層を形成し、次に公知の電気めっき法によりＳｎ層を形成し、最後にリフロー処理を施しＳｎ層を溶融させる工程で製造することができる。下地めっき層は省略しても良い。

Ｃｕ下地めっきは行わなくても良いが、Ｃｕ下地めっきを行う場合、その厚みは０．５μｍ以下とする。好ましくは０．４μｍ以下、更に好ましくは０．３５μｍ以下とする。厚みが大き過ぎると、露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の結晶粒径が大きくなり過ぎ、Ｓｎめっき層の圧延直角方向の表面粗さＲａが大きくなり過ぎてしまい良好な表面光沢が得られない。

耐熱性の向上のために、Ｃｕ下地めっきの前にＮｉ下地めっきを行ってもよい。この場合、Ｎｉ下地めっきの厚みは特に制限されないが、厚みが０．０５μｍを下回るとＮｉ下地めっきの効果が発揮されず、３μｍを超えると、経済性が悪いだけでなく、曲げ加工性の劣化を招く。そのためＮｉ下地めっきの厚みは０．０５〜３μｍが好ましい。また、Ｎｉ下地めっき後のＣｕ下地めっきの厚みは特に制限されないが、厚みが０．０５μｍを下回る、又は０．５μｍを超えると、Ｎｉ下地めっき後のＣｕ下地めっきの効果が発揮されない。そのためＮｉ下地めっき後のＣｕ下地めっきの厚みは０．０５〜０．５μｍが好ましい。

Ｓｎめっきの厚みは０．５〜１．５μｍとする。好ましくは０．６〜１．２μｍ、更に好ましくは０．７〜１．１μｍとする。Ｓｎめっきの厚みが小さすぎると、リフロー処理後のＳｎ層の厚みが小さくなり過ぎてしまい、結果として、Ｓｎめっき層の圧延直角方向の表面粗さＲａが大きくなり過ぎてしまい、およびＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率が大きくなり過ぎてしまい良好な表面光沢が得られない。Ｓｎめっき厚みの上限は本発明の効果が発揮される範囲では特に制限されないが、Ｓｎめっき厚みが厚いと経済性が悪くなるため、上限は１．５μｍとする。

リフロー処理は、Ｓｎめっき材を炉内温度３００〜６００℃で１〜３０秒加熱した後、２０〜９０℃の冷却水をＳｎめっき材の表面に噴霧し、次いで２０〜９０℃の水槽にＳｎめっき材を投入する方法で行う。

加熱温度が３００℃、及び／又は加熱時間が１秒を下回ると、Ｓｎの溶融が不充分になる可能性があり、製造が不安定になる。反対に、加熱温度が６００℃、及び／又は加熱時間が３０秒を超えると、最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率が４０％を超え、その結晶粒径が３μｍを超え、圧延直角方向の表面粗さＲａが０．０５μｍを超え、良好な表面光沢が得られない。

前述したように、加熱後に冷却水を噴霧することで放射状のＳｎ凝固組織が得られる。さらに、加熱されためっき材の表面に噴霧された水粒子が付着し、その部分は急冷され、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の成長は抑制される。一方、水粒子が付着しなかった部分は急冷されず、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の成長は抑制されない。したがって、加熱後のめっき表面に局所的な冷却速度の差を生じさせることができ、めっき材の表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の結晶粒径を微細化させる効果もある。

以下に実施例を示すが、以下の実施例に本発明が限定されることを意図するものではない。
タフピッチ銅を原料とし、表１に示す割合（質量％）となるように各元素を添加したインゴットを鋳造し、９００℃以上で厚さ１０ｍｍまで熱間圧延を行い、表面の酸化スケールを面削した後、冷間圧延と熱処理とを繰り返し、厚み０．２ｍｍの板（基材）に仕上げた。

次に、この基材の表面を脱脂及び酸洗の後、電気めっき法によりＮｉめっき層、Ｃｕめっき層の順に下地めっき層を形成し、場合によってはＮｉ下地めっき及びＣｕ下地めっきを省略し、次に電気めっき法によりＳｎめっき層を形成した。Ｎｉ下地めっきを施す場合は硫酸浴（液温約５０℃、電流密度５Ａ／ｄｍ²）で電気めっきし、Ｎｉ下地めっきの厚みを０．３μｍとした。Ｃｕ下地めっきを施す場合は硫酸浴（液温約２５℃、電流密度３０Ａ／ｄｍ²）で電気めっきした。Ｓｎめっきは、フェノールスルホン酸浴（液温約３５℃、電流密度１２Ａ／ｄｍ²）で電気めっきした。Ｃｕ下地めっき及びＳｎめっきの各めっき厚みは電着時間を調整することで調整した。

次に、３００〜６５０℃に加熱した炉中にて１〜３０秒加熱した後、７０℃の冷却水を霧状にして噴きかけた後、７０℃の水槽へ投入した。一部の実施例については加熱した後、霧状の水冷を行わずに７０℃の水槽へ投入した。
このようにして得られた各Ｓｎめっき材について、諸特性の評価を行った。

（１）Ｓｎめっき厚み
ＣＴ−１型電解式膜厚計（株式会社電測製）を用い、Ｓｎめっき層の厚みを測定した。

（２）最表面のＳｎ凝固組織
Ｓｎめっき材を６５％フェノールスルホン酸水溶液に５分間浸漬させ、Ｓｎ凝固組織を現出させた後、マイクロスコープ（キーエンス社（株）製ＶＷ−６０００）を用いて３５ｍｍ²の範囲を観察し、図４のように、Ｓｎ凝固組織の個数を測定した。

（３）表面粗さ
コンフォーカル顕微鏡（Ｌａｓｅｒｔｅｃ（株）社製ＨＤ１００）を用い、ＪＩＳＢ０６０１に準拠してＳｎめっき材の圧延直角方向の表面粗さＲａ及びＲＳｍを測定した。

（４）表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率
ＦＥ−ＳＥＭ（日本ＦＥＩ（株）製ＸＬ３０ＳＦＥＧ）を用いて、７５０倍の倍率で０．０１７ｍｍ²の視野の反射電子像を観察した。表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層は、Ｓｎ層に比較して暗い画像となるため、この像を２値化し、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の面積を求めることで面積率を算出した。２値化は、高度レンジ２５５中１７０に設定して行った。

（５）最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の結晶粒径
ＦＥ−ＳＥＭ（日本ＦＥＩ（株）製ＸＬ３０ＳＦＥＧ）を用いて、２０００倍の倍率で露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の反射電子像を観察した。その後、Ｃｕ−Ｓｎ合金層を無作為に１０個選択し、各Ｃｕ−Ｓｎ合金層が含まれる最大円の直径をそれぞれ求め、１０個の最大円の直径平均値をＣｕ−Ｓｎ合金層の結晶粒径とした。

（６）表面光沢
デジタル変角光沢度計（日本電測工業（株）製ＶＧ−１Ｄ）を用いて、Ｓｎめっき材の鏡面反射率を測定した。図５に示すように、投光部から入射角３０°で光を入射させ、Ｓｎめっき材に角度３０°で反射した光を受光部で検出することでＳｎめっき材の鏡面反射率を測定した。投光部から直接受光させたときの鏡面反射率が１００％であるため、この数値が高いほどＳｎめっき材の表面光沢は良好となる。

（７）Ｓｎ粉
試料を摩擦試験装置（スガ試験機株式会社製、スガ磨耗試験機）上に置き、試料表面にフェルトを載せ、フェルトの上に３０ｇのウェイトを荷重した状態で、フェルトを試料表面で１ｃｍの振幅で往復運動（走査距離１０ｍｍ、走査速度１３ｍｍ／ｓ、往復回数３０回）させた。

その後、試料側のフェルト表面を観察し、Ｓｎ粉の付着度合を目視評価した。評価基準は以下の通りである。評価が△であれば、Ｓｎ粉の発生が殆ど無く実用上問題ないが、○であればより好ましい。
○：フェルトにＳｎ粉の付着が見られない。
△：フェルトにＳｎ粉の付着が薄く認められる。
×：フェルトにＳｎ粉の付着が濃く認められる。
実施例を表２及び表３に示す。

発明例１〜３９は、いずれもＳｎめっき材の最表面の圧延直角方向の表面粗さＲａが０．０５μｍ以下であり、放射状のＳｎ凝固組織は３５ｍｍ²当たり１個以上であり、最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率が４０％以下であり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層が最表面に露出した場合、その結晶粒径は３μｍ以下であった。これらのＳｎめっき材の鏡面反射率は７０％以上であり、良好な表面光沢が得られ、Ｓｎ粉の発生は抑制された。

比較例１はめっき時のＳｎめっき厚みが０．５μｍを下回った例である。リフロー後のＳｎ層厚みが０．２μｍ未満、最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率が４０％を超え、圧延直角方向のＲａが０．０５μｍを超え、鏡面反射率が７０％未満であった。

比較例２はめっき時のＣｕ下地めっき厚みが０．５μｍを超えた例である。最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の結晶粒径が３μｍを超え、圧延直角方向のＲａが０．０５μｍを超え、鏡面反射率が７０％未満であった。

比較例３はリフロー処理の炉温が６００℃を超え、比較例４はリフロー処理の加熱時間が３０秒を超えた例である。両方ともリフロー後のＳｎ層厚みが０．２μｍ未満、最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率が４０％を超え、結晶粒径が３μｍを超え、圧延直角方向のＲａが０．０５μｍを超え、鏡面反射率が７０％未満であった。

比較例５及び６は霧状の水冷を実施せず、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層が露出しなかった例である。いずれも放射状のＳｎ凝固組織は認められず、Ｓｎ粉の発生が顕著であった。

比較例７は霧状の水冷を実施せず、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層がわずかに露出した例である。放射状のＳｎ凝固組織は認められず、圧延直角方向のＲａが０．０５μｍを超え、鏡面反射率が７０％未満であり、Ｓｎ粉の発生は顕著であった。

比較例８〜１１は霧状の水冷を実施せず、最表面にＣｕ−Ｓｎ合金層が多く露出した例である。Ｃｕ−Ｓｎ合金層が露出しているため、Ｓｎ粉の発生は抑制されているが、放射状のＳｎ凝固組織は認められず、圧延直角方向のＲａが０．０５μｍを超え、鏡面反射率が７０％未満であった。つまり、Ｓｎ粉の発生抑制と良好な表面光沢の両立ができていなかった。

Claims

銅又は銅合金条の基材上にリフロー処理を施したＳｎめっき層を有するＳｎめっき材であって、リフローＳｎめっき層は上側のＳｎ層と下側のＣｕ−Ｓｎ合金層で構成され、Ｓｎめっき材の最表面において、放射状のＳｎ凝固組織が３５ｍｍ²当たり１個以上存在し、Ｓｎめっき材の最表面の圧延直角方向の表面粗さＲａが０．０５μｍ以下であることを特徴とするＳｎめっき材。
最表面に露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の面積率が４０％以下であり、表面から観察したときの前記露出したＣｕ−Ｓｎ合金層の結晶粒径が３μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のＳｎめっき材。
銅又は銅合金条の基材上がＣｕ下地めっき層、又はＮｉ下地めっき層、又はＮｉ及びＣｕをこの順に積層したＮｉ／Ｃｕ二層下地めっき層で被覆されており、その上にリフローＳｎめっき層を有する請求項１又は２記載のＳｎめっき材。
銅又は銅合金条の基材上にＳｎめっき、又はＣｕ、Ｓｎめっき層をこの順で形成した後に、リフロー処理することにより、基材上にＣｕ−Ｓｎ合金層を介してＳｎ層を形成したＳｎめっき材を製造する方法であって、前記Ｃｕめっき層の厚みを０〜０．５μｍ、前記Ｓｎめっき層の厚みを０．５〜１．５μｍとし、前記リフロー処理を温度３００〜６００℃で１〜３０秒加熱した後、２０〜９０℃の冷却水を噴霧し、次いで２０〜９０℃の水槽に投入することを特徴とするＳｎめっき材の製造方法。
銅又は銅合金条の基材上にＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎめっき層をこの順で形成した後に、リフロー処理することにより、基材上にＮｉ下地めっき層、又はＮｉ／Ｃｕ二層下地めっき層で被覆され、Ｃｕ−Ｓｎ合金層を介してＳｎ層を形成したＳｎめっき材を製造する方法であって、前記Ｎｉめっき層を０．０５〜３μｍ、前記Ｃｕめっき層の厚みを０．０５〜０．５μｍ、前記Ｓｎめっき層の厚みを０．５〜１．５μｍとし、前記リフロー処理を温度３００〜６００℃で１〜３０秒加熱した後、２０〜９０℃の冷却水を噴霧し、次いで２０〜９０℃の水槽に投入することを特徴とするＳｎめっき材の製造方法。
請求項１〜３の何れかに記載されたＳｎめっき材を備えた電子部品。