JPH07216581A - 錫又は錫合金めっき材の製造方法 - Google Patents
錫又は錫合金めっき材の製造方法Info
- Publication number
- JPH07216581A JPH07216581A JP1193094A JP1193094A JPH07216581A JP H07216581 A JPH07216581 A JP H07216581A JP 1193094 A JP1193094 A JP 1193094A JP 1193094 A JP1193094 A JP 1193094A JP H07216581 A JPH07216581 A JP H07216581A
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 クエンチステインを防止することができ、表
面反射率が高く、耐食性が優れており、縞状模様の発生
及び金属間化合物の成長を抑制できる錫又は錫合金めっ
き材の製造方法を提供する。 【構成】 銅又は銅合金に錫又は錫合金めっきを施した
後、リフロー処理（加熱溶融処理）を行い、その後、冷
却媒体としてアルコール類を５０重量％以上含む水溶液
又は単体のアルコール類を使用してクエンチ処理（冷却
処理）する。
面反射率が高く、耐食性が優れており、縞状模様の発生
及び金属間化合物の成長を抑制できる錫又は錫合金めっ
き材の製造方法を提供する。 【構成】 銅又は銅合金に錫又は錫合金めっきを施した
後、リフロー処理（加熱溶融処理）を行い、その後、冷
却媒体としてアルコール類を５０重量％以上含む水溶液
又は単体のアルコール類を使用してクエンチ処理（冷却
処理）する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、端子又はコネクタ等の
電気電子部品として好適の銅又は銅合金を基材とする錫
又は錫合金めっき材の製造方法に関し、特にリフロー処
理（加熱溶融処理）後のクエンチ処理を改善した錫又は
錫合金めっき材の製造方法に関する。
電気電子部品として好適の銅又は銅合金を基材とする錫
又は錫合金めっき材の製造方法に関し、特にリフロー処
理（加熱溶融処理）後のクエンチ処理を改善した錫又は
錫合金めっき材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、銅又は銅合金材に錫又は錫合金
めっきを施しためっき材は、耐食性及びはんだ付け性が
優れているため、端子又はコネクタ等の電気電子部品用
材料として利用されている。
めっきを施しためっき材は、耐食性及びはんだ付け性が
優れているため、端子又はコネクタ等の電気電子部品用
材料として利用されている。
【０００３】錫又は錫合金のめっき方法としては、特公
昭４５−２７４４７に示される電気光沢めっき方法、特
開昭５９−７６８６６に示される溶融めっき方法及び特
開昭５０−６８９３０に示されるリフローめっき方法等
がある。
昭４５−２７４４７に示される電気光沢めっき方法、特
開昭５９−７６８６６に示される溶融めっき方法及び特
開昭５０−６８９３０に示されるリフローめっき方法等
がある。
【０００４】この中で、リフローめっき方法は、一般
に、銅又は銅合金材に錫又は錫合金めっきを施し、リフ
ロー処理（加熱溶融処理）により光沢を得る方法であ
る。また、リフロー処理後は、はんだ付け不良を起こす
錫と銅の金属間化合物の成長を抑制するために、水槽に
浸漬して急冷するクエンチ処理を行う。
に、銅又は銅合金材に錫又は錫合金めっきを施し、リフ
ロー処理（加熱溶融処理）により光沢を得る方法であ
る。また、リフロー処理後は、はんだ付け不良を起こす
錫と銅の金属間化合物の成長を抑制するために、水槽に
浸漬して急冷するクエンチ処理を行う。
【０００５】しかしながら、このリフローめっき方法に
は、クエンチ処理時にクエンチステインといわれる外観
不良（肌荒れ）がめっき表面に局部的に生じるという問
題点がある。また、クエンチステインは表面反射率の低
下に加え、耐食性の低下の原因となる。端子又はコネク
タ等の電気電子部品では、均一なめっき表面を必要とす
るので、反射率及び耐食性の低下は重大な問題である。
は、クエンチ処理時にクエンチステインといわれる外観
不良（肌荒れ）がめっき表面に局部的に生じるという問
題点がある。また、クエンチステインは表面反射率の低
下に加え、耐食性の低下の原因となる。端子又はコネク
タ等の電気電子部品では、均一なめっき表面を必要とす
るので、反射率及び耐食性の低下は重大な問題である。
【０００６】そこで、クエンチステインを防止するため
の方法が提案されている（特開昭５０−７５１３１号公
報）。この方法はリフロー処理後のめっき材に高圧の水
をスプレーするという第１段の冷却と、水槽にて冷却す
る第２段の冷却からなり、クエンチステインの発生が少
ないスプレー方式を第１段の冷却に使用していることに
特徴がある。
の方法が提案されている（特開昭５０−７５１３１号公
報）。この方法はリフロー処理後のめっき材に高圧の水
をスプレーするという第１段の冷却と、水槽にて冷却す
る第２段の冷却からなり、クエンチステインの発生が少
ないスプレー方式を第１段の冷却に使用していることに
特徴がある。
【０００７】また、別のクエンチステインの防止技術と
して、めっき材を鉛直状態で通板させ、加熱溶融後鉛直
方向に落下する水流中にめっき材を通過させることによ
り、クエンチステインが少ないリフロー錫めっきを得よ
うとする方法が提案されている（特開平２−２４３７９
３号公報）。
して、めっき材を鉛直状態で通板させ、加熱溶融後鉛直
方向に落下する水流中にめっき材を通過させることによ
り、クエンチステインが少ないリフロー錫めっきを得よ
うとする方法が提案されている（特開平２−２４３７９
３号公報）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの従来
の方法ではクエンチステインを十分に防止することはで
きない。クエンチステインを十分に防止する方法とし
て、エアー等の気体を冷却媒体として使用する方法があ
るが、エアー等の気体による冷却方法では、めっき材表
面に縞状の模様が発生するという問題点と、冷却時間が
長くなるために錫と銅との金属間化合物が厚く成長して
しまうという問題点とが生じるため、実用化に到ってい
ない。
の方法ではクエンチステインを十分に防止することはで
きない。クエンチステインを十分に防止する方法とし
て、エアー等の気体を冷却媒体として使用する方法があ
るが、エアー等の気体による冷却方法では、めっき材表
面に縞状の模様が発生するという問題点と、冷却時間が
長くなるために錫と銅との金属間化合物が厚く成長して
しまうという問題点とが生じるため、実用化に到ってい
ない。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、クエンチステインを十分に防止することが
でき、表面反射率が高く、耐食性が優れており、縞状模
様の発生及び金属間化合物の成長を抑制することができ
る錫又は錫合金めっき材の製造方法を提供することを目
的とする。
のであって、クエンチステインを十分に防止することが
でき、表面反射率が高く、耐食性が優れており、縞状模
様の発生及び金属間化合物の成長を抑制することができ
る錫又は錫合金めっき材の製造方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る錫又は錫合
金めっき材の製造方法は、銅又は銅合金材に錫又は錫合
金めっきを施してめっき材を得る工程と、めっき表面を
加熱溶融するリフロー処理を行う工程と、このリフロー
処理しためっき材をアルコール類を５０重量％以上含む
水溶液又は単体のアルコール類からなる冷却媒体を使用
して冷却することによりクエンチ処理する工程とを有す
ることを特徴とする。
金めっき材の製造方法は、銅又は銅合金材に錫又は錫合
金めっきを施してめっき材を得る工程と、めっき表面を
加熱溶融するリフロー処理を行う工程と、このリフロー
処理しためっき材をアルコール類を５０重量％以上含む
水溶液又は単体のアルコール類からなる冷却媒体を使用
して冷却することによりクエンチ処理する工程とを有す
ることを特徴とする。
【００１１】前記アルコール類としてはメタノール、エ
タノール、プロパノール又はこれらの混合物とすること
ができる。
タノール、プロパノール又はこれらの混合物とすること
ができる。
【００１２】また、クエンチ工程における冷却時間は、
１乃至１００秒で十分である。
１乃至１００秒で十分である。
【００１３】更に、冷却媒体の温度は−２０乃至２５℃
であることが好ましい。
であることが好ましい。
【００１４】
【作用】本願発明者等は、クエンチステインの発生を防
止すべく種々実験研究した結果、冷却媒体として５０重
量％以上のアルコール類を含む水溶液又はアルコール類
単体を使用することにより、クエンチステインを抑制で
きることを見い出した。このようなアルコール類として
は、メタノール、エタノール、プロパノール及びそれら
の混合物があり、リフロー処理後のめっき材を従来の水
中に冷却するのではなく、アルコール類を含む水溶液又
はアルコール類単体により冷却することにより、クエン
チステインを防止することができる。しかも、このアル
コール類は揮発性が高いため、めっき材の冷却後は蒸発
し、めっき表面に残留することはない。
止すべく種々実験研究した結果、冷却媒体として５０重
量％以上のアルコール類を含む水溶液又はアルコール類
単体を使用することにより、クエンチステインを抑制で
きることを見い出した。このようなアルコール類として
は、メタノール、エタノール、プロパノール及びそれら
の混合物があり、リフロー処理後のめっき材を従来の水
中に冷却するのではなく、アルコール類を含む水溶液又
はアルコール類単体により冷却することにより、クエン
チステインを防止することができる。しかも、このアル
コール類は揮発性が高いため、めっき材の冷却後は蒸発
し、めっき表面に残留することはない。
【００１５】アルコール類は単体で使用してもよいが、
水溶液とした場合は、少なくとも５０重量％以上含有す
る必要がある。アルコール類が５０重量％未満の場合は
冷却媒体の性質が従来の水の場合と同様になり、水で冷
却した場合と同様にクエンチステインを十分に抑制する
ことができない。
水溶液とした場合は、少なくとも５０重量％以上含有す
る必要がある。アルコール類が５０重量％未満の場合は
冷却媒体の性質が従来の水の場合と同様になり、水で冷
却した場合と同様にクエンチステインを十分に抑制する
ことができない。
【００１６】冷却時間はめっき材の板厚により、１乃至
１００秒の範囲で設定することができる。このような冷
却時間でめっき材を常温まで冷却することができる。
１００秒の範囲で設定することができる。このような冷
却時間でめっき材を常温まで冷却することができる。
【００１７】また、冷却媒体の温度は−２０乃至２５℃
にすることが好ましい。冷却媒体の温度が−２０℃未満
の場合は高価な冷却装置を必要とし、経済性の点で問題
がある。冷却媒体の温度が２５℃を超えると、アルコー
ル類の蒸気圧は急速に高くなり、冷却媒体の管理上好ま
しくない。
にすることが好ましい。冷却媒体の温度が−２０℃未満
の場合は高価な冷却装置を必要とし、経済性の点で問題
がある。冷却媒体の温度が２５℃を超えると、アルコー
ル類の蒸気圧は急速に高くなり、冷却媒体の管理上好ま
しくない。
【００１８】更に、冷却媒体の温度の好ましい上限は、
使用するアルコール類の種類によっても異なり、その使
用するアルコール類の引火点温度以下にすることが好ま
しい。冷却媒体がアルコール類の引火点温度以上に昇温
すると引火する危険性があり、また、高温になりすぎる
と、アルコール類が水溶液中から蒸発してしまい、冷却
媒体中の濃度が低下してしまう。なお、メタノールの引
火点温度は１２．２℃（密閉空間の場合）及び１５．６
℃（開放空間の場合）、エタノールの引火点温度は１
２．２℃（密閉空間の場合）及び１５．８℃（開放空間
の場合）、プロパノールの引火点温度は１５℃（密閉空
間の場合）及び３２．２℃（開放空間の場合）である。
使用するアルコール類の種類によっても異なり、その使
用するアルコール類の引火点温度以下にすることが好ま
しい。冷却媒体がアルコール類の引火点温度以上に昇温
すると引火する危険性があり、また、高温になりすぎる
と、アルコール類が水溶液中から蒸発してしまい、冷却
媒体中の濃度が低下してしまう。なお、メタノールの引
火点温度は１２．２℃（密閉空間の場合）及び１５．６
℃（開放空間の場合）、エタノールの引火点温度は１
２．２℃（密閉空間の場合）及び１５．８℃（開放空間
の場合）、プロパノールの引火点温度は１５℃（密閉空
間の場合）及び３２．２℃（開放空間の場合）である。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。１００ｍｍ四方で板厚が０．３ｍｍのリン青銅か
らなる素材に下記条件で錫めっきを施した。錫めっき条件 めっき浴組成；硫酸第一錫：４０ｇ／リットル、硫酸：１０
０ｇ／リットル、クレゾールスルホン酸：３０ｇ／リットル、添
加剤：１０ｇ／リットル めっき浴の温度；２０℃ 電流密度；３Ａ／ｄｍ2 めっき厚さ；１μｍ。
する。１００ｍｍ四方で板厚が０．３ｍｍのリン青銅か
らなる素材に下記条件で錫めっきを施した。錫めっき条件 めっき浴組成；硫酸第一錫：４０ｇ／リットル、硫酸：１０
０ｇ／リットル、クレゾールスルホン酸：３０ｇ／リットル、添
加剤：１０ｇ／リットル めっき浴の温度；２０℃ 電流密度；３Ａ／ｄｍ2 めっき厚さ；１μｍ。
【００２０】次いで、このめっき材を温度が６００℃の
電気炉内に１０秒間入れてリフロー処理した。その後、
このようにしてリフロー処理しためっき材を下記表１に
示す冷却媒体中に浸漬して冷却した。
電気炉内に１０秒間入れてリフロー処理した。その後、
このようにしてリフロー処理しためっき材を下記表１に
示す冷却媒体中に浸漬して冷却した。
【００２１】
【表１】
【００２２】なお、濃度が１００重量％のものは純物質
であり、そのアルコール類単体である。実施例１〜６は
本発明の特許請求の範囲の規定を満足するものであり、
比較例１，２はアルコール類の濃度が５０重量％未満と
低いもの、従来例は水で冷却してクエンチ処理したもの
である。
であり、そのアルコール類単体である。実施例１〜６は
本発明の特許請求の範囲の規定を満足するものであり、
比較例１，２はアルコール類の濃度が５０重量％未満と
低いもの、従来例は水で冷却してクエンチ処理したもの
である。
【００２３】これらの実施例１〜６、比較例１，２及び
従来例のめっき材のめっき表面の状態を観察し、クエン
チステインが占める面積の割合を測定した。また、ＪＩ
ＳＺ ２３７１に規定する塩水噴霧試験を行い、各めっ
き材について白錆が発生するまでの時間を測定した。こ
れらの測定結果を下記表２に示す。
従来例のめっき材のめっき表面の状態を観察し、クエン
チステインが占める面積の割合を測定した。また、ＪＩ
ＳＺ ２３７１に規定する塩水噴霧試験を行い、各めっ
き材について白錆が発生するまでの時間を測定した。こ
れらの測定結果を下記表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】但し、表２のクエンチステイン防止評価欄
において、○はクエンチステインが１０％以下、△は１
０％を超え３０％以下、×は３０％を超えるものであ
る。
において、○はクエンチステインが１０％以下、△は１
０％を超え３０％以下、×は３０％を超えるものであ
る。
【００２６】この表２から明らかなように、実施例１〜
６はめっき表面のクエンチステインが発生した面積の割
合が１０％以下と良好であり、塩水噴霧試験では２４時
間経過後でも白錆が発生しなかった。このように、本発
明の実施例の場合は、クエンチステインが少なく、耐食
性が優れたリフロー錫めっき銅合金材が得られる。
６はめっき表面のクエンチステインが発生した面積の割
合が１０％以下と良好であり、塩水噴霧試験では２４時
間経過後でも白錆が発生しなかった。このように、本発
明の実施例の場合は、クエンチステインが少なく、耐食
性が優れたリフロー錫めっき銅合金材が得られる。
【００２７】これに対し、比較例１，２は１０〜３０％
の割合でクエンチステインが発生した。また、比較例
１，２は１５〜２４時間塩水を噴霧すると、白錆が発生
した。更に、従来例では３０％を超えるクエンチステイ
ンが発生し、白錆も短時間で発生した。
の割合でクエンチステインが発生した。また、比較例
１，２は１５〜２４時間塩水を噴霧すると、白錆が発生
した。更に、従来例では３０％を超えるクエンチステイ
ンが発生し、白錆も短時間で発生した。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、リフロー処理後のクエ
ンチ処理において、クエンチステインを抑制することが
でき、クエンチステインが少なく、表面反射率が高く、
耐食性が優れたリフローめっき材を製造することができ
る。
ンチ処理において、クエンチステインを抑制することが
でき、クエンチステインが少なく、表面反射率が高く、
耐食性が優れたリフローめっき材を製造することができ
る。
【００２９】また、本発明により縞状模様の発生を防止
でき、金属間化合物の成長も抑制することができる。
でき、金属間化合物の成長も抑制することができる。
【００３０】更に、本発明を電気電子部品の端子又はコ
ネクタの製造に適用すれば、耐食性が優れ、光沢があ
り、表面反射率が高いと共に、はんだ付け性が優れた端
子又はコネクタを得ることができる。
ネクタの製造に適用すれば、耐食性が優れ、光沢があ
り、表面反射率が高いと共に、はんだ付け性が優れた端
子又はコネクタを得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 銅又は銅合金材に錫又は錫合金めっきを
施してめっき材を得る工程と、めっき表面を加熱溶融す
るリフロー処理を行う工程と、このリフロー処理しため
っき材をアルコール類を５０重量％以上含む水溶液又は
単体のアルコール類からなる冷却媒体を使用して冷却す
ることによりクエンチ処理する工程とを有することを特
徴とする錫又は錫合金めっき材の製造方法。 - 【請求項２】 前記アルコール類は、メタノール、エタ
ノール、プロパノール又はこれらの混合物であることを
特徴とする請求項１に記載の錫又は錫合金めっき材の製
造方法。 - 【請求項３】 前記クエンチ工程における冷却時間は１
乃至１００秒であることを特徴とする請求項１又は２に
記載の錫又は錫合金めっき材の製造方法。 - 【請求項４】 前記冷却媒体の温度は−２０乃至２５℃
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
に記載の錫又は錫合金めっき材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193094A JPH07216581A (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 錫又は錫合金めっき材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193094A JPH07216581A (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 錫又は錫合金めっき材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07216581A true JPH07216581A (ja) | 1995-08-15 |
Family
ID=11791402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193094A Pending JPH07216581A (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 錫又は錫合金めっき材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07216581A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100985347B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2010-10-04 | 주식회사 포스코 | 내식성 및 표면품질이 우수한 전기주석도금강판의 제조방법 |
| JP2016156050A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品用Ｓｎめっき材 |
| JP2016156051A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品用Ｓｎめっき材 |
-
1994
- 1994-02-03 JP JP1193094A patent/JPH07216581A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100985347B1 (ko) * | 2003-07-08 | 2010-10-04 | 주식회사 포스코 | 내식성 및 표면품질이 우수한 전기주석도금강판의 제조방법 |
| JP2016156050A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品用Ｓｎめっき材 |
| JP2016156051A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品用Ｓｎめっき材 |
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