JP5954491B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、組み立て効率と品質を向上させることができる半導体装置に関する。
従来は、ケースにナットが入った状態で製品組み立てを行っていた。このため、電極をケースに挿入した状態で配線基板にケースと電極を同時に接合するか、又は電極を接合した後にケースを取り付ける必要があった。
特開2011−66255号公報
しかし、電極接合とケース付けを同時に行うと、ケースが邪魔になって電極の接合部の洗浄・品質確認性が悪くなる。また、電極接合後にケース付けを行うと、ケース付けの後に電極を曲げることになり、電極の曲げ不良や電極曲げ時にケースに応力が加わってクラックなどが生じる。従って、組み立て効率と品質が劣化するという問題がある。
なお、電極の折り曲げ部にナットボックスを挿入する装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。しかし、ナットボックスは電極に固定されておらず、折り曲げ部から抜け落ちてしまうため、組み立て効率を向上させることはできなかった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は組み立て効率と品質を向上させることができる半導体装置を得るものである。
本発明に係る半導体装置は、配線基板と、開口と折り曲げ部を有し、前記配線基板に接合された電極と、ナットを有し、前記ナットが前記開口に位置合わせされるように前記電極の前記折り曲げ部に挿入されたナットボックスと、前記配線基板を覆うケースとを備え、前記ナットボックスと前記ケースは別部材であり、前記ナットボックスは前記折り曲げ部から抜けないように前記電極に固定されていることを特徴とする。
本発明により、組み立て効率と品質を向上させることができる。
本発明の実施の形態1に係る半導体装置の各パーツを分離した状態を示す斜視図である。 図1の電極にナットボックスを挿入する様子を示す斜視図である。 図1の電極にナットボックスが挿入された状態を示す側面図である。 比較例に係る半導体装置の各パーツを分離した状態を示す斜視図である。 本発明の実施の形態2に係る電極とナットボックスを示す斜視図である 本発明の実施の形態3に係る電極とナットボックスを示す斜視図である。 本発明の実施の形態4に係る電極とナットボックスを示す斜視図である。 図7の電極とナットボックスを上側から見た断面図である。 本発明の実施の形態5に係る電極とナットボックスを示す斜視図である。 本発明の実施の形態5に係る電極とナットボックスを示す斜視図である。
本発明の実施の形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の各パーツを分離した状態を示す斜視図である。図2は、図1の電極にナットボックスを挿入する様子を示す斜視図である。図3は、図1の電極にナットボックスが挿入された状態を示す側面図である。
複数の半導体素子1が実装された配線基板2に電極3が接合されている。この電極3は開口4と折り曲げ部5を有する。ナット6を有するナットボックス7が電極3の折り曲げ部5に挿入されている。ナットボックス7のナット6は電極3の開口4に位置合わせされている。電極3は例えば金属材料からなり、ナットボックス7は例えば樹脂材料からなる。ケース8が配線基板2の複数の半導体素子1を覆うように配線基板2に取り付けられている。ナットボックス7とケース8は別部材である。
電極3はナットボックス7を支持する支持部9を有する。この支持部9には窪み10が設けられている。一方、ナットボックス7は突起11を有する。ナットボックス7の突起11が支持部9の窪み10に嵌め合わさることでナットボックス7が電極3に固定される。即ち、ナットボックス7は折り曲げ部5から抜けないように電極3に固定されている。
支持部9には、ナットボックス7の突起11を窪み10に導くための誘い12が設けられている。誘い12は支持部9の先端に設けられた傾斜部であり、ナットボックス7を電極3の折り曲げ部5に挿入する際に突起11が当たる部分である。
本実施の形態の効果について比較例と比較して説明する。図4は、比較例に係る半導体装置の各パーツを分離した状態を示す斜視図である。比較例では、ケース8にナット6が入った状態で製品組み立てを行う。このため、電極3をケース8に挿入した状態で配線基板2にケース8と電極3を同時に接続するか、又は電極3を接合した後にケース8を取り付ける必要がある。
しかし、電極接合とケース付けを同時に行うと、ケース8が邪魔になって電極3の接合部の洗浄・品質確認性が悪くなる。また、電極接合後にケース付けを行うと、ケース付けの後に電極3を曲げることになり、電極3の曲げ不良や電極曲げ時にケース8に応力が加わってクラックなどが生じる。従って、組み立て効率と品質が劣化するという問題がある。
これに対して、本実施の形態では、電極3を配線基板2に取り付ける工程と、ケース8を配線基板2に取り付ける工程とを別々の工程にすることができる。これにより、電極3を配線基板2に接合した後に洗浄・品質確認を行う際にケース8を配線基板2に取り付けておく必要がないため、洗浄・品質確認性を損なわない。そして、ナットボックス7は電極3に固定されているため、組立時及び製品使用時に折り曲げ部5から抜け落ちない。従って、組み立て効率が向上する。また、ケース付けの後に電極3を曲げる必要がないため、電極3の曲げ不良やクラックが発生することもなく、品質が向上する。
また、支持部9に誘い12を設けたことより、ナットボックス7を電極3の折り曲げ部5に挿入しやすくなり、組立効率が更に向上する。
実施の形態2.
図5は、本発明の実施の形態2に係る電極とナットボックスを示す斜視図である。電極3は穴13を有する。ナットボックス7は突起14を有する。ナットボックス7の突起14は電極3の穴13に挿入されて電極3に溶着されている。このように溶着することでナットボックス7の保持力が高くなる。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
実施の形態3.
図6は、本発明の実施の形態3に係る電極とナットボックスを示す斜視図である。ナットボックス7は金属ネジ15により電極3に固定されている。これにより、ナットボックス7の保持力を高めることができる。また、金属ネジ15の代わりに樹脂ネジを用いれば絶縁性が高くなる。そして、金属ネジ15の代わりにスナップフィットを用いれば、組立が容易である。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
実施の形態4.
図7は、本発明の実施の形態4に係る電極とナットボックスを示す斜視図である。図8は、図7の電極とナットボックスを上側から見た断面図である。ナットボックス7は爪16を有する。ナットボックス7が電極3の折り曲げ部5に挿入される際に爪16が変形し、挿入後に爪16が元の形状に戻ることによりナットボックス7は電極3に固定される。これにより、電極3側に特殊な構造を設ける必要が無いため電極3の加工が容易になる。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
実施の形態5.
図9及び図10は、本発明の実施の形態5に係る電極とナットボックスを示す斜視図である。本実施の形態では、ナットボックス7は電極3に直接溶接されて電極3に固定されている。これにより、電極3側に特殊な構造を設ける必要が無いため電極3の加工が容易になる。そして、溶接することでナットボックス7の保持力が高くなる。その他の構成及び効果は実施の形態1と同様である。
1 半導体素子、2 配線基板、3 電極、4 開口、5 折り曲げ部、6 ナット、7 ナットボックス、8 ケース、9 支持部、10 窪み、11,14 突起、13 穴、15 金属ネジ、16 爪

Claims (7)

  1. 配線基板と、
    開口と折り曲げ部を有し、前記配線基板に接合された電極と、
    ナットを有し、前記ナットが前記開口に位置合わせされるように前記電極の前記折り曲げ部に挿入されたナットボックスと、
    前記配線基板を覆うケースとを備え、
    前記ナットボックスと前記ケースは別部材であり、
    前記ナットボックスは前記折り曲げ部から抜けないように前記電極に固定されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記電極は前記ナットボックスを支持する支持部を有し、
    前記支持部には窪みが設けられ、
    前記ナットボックスは突起を有し、
    前記ナットボックスの前記突起が前記支持部の前記窪みに嵌め合わさることで前記ナットボックスが前記電極に固定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記支持部には、前記ナットボックスの前記突起を前記窪みに導くための誘いが設けられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
  4. 前記電極は穴を有し、
    前記ナットボックスは突起を有し、
    前記ナットボックスの前記突起は前記電極の前記穴に挿入されて前記電極に溶着されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  5. 前記ナットボックスは、金属ネジ、樹脂ネジ、及びスナップフィットの何れかにより前記電極に固定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  6. 前記ナットボックスは爪を有し、
    前記ナットボックスが前記電極の前記折り曲げ部に挿入される際に前記爪が変形し、挿入後に前記爪が元の形状に戻ることにより前記ナットボックスは前記電極に固定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  7. 前記ナットボックスは前記電極に直接溶接されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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