KR101129733B1 - 전력용 반도체 디바이스 - Google Patents
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Abstract
커버와, 셀프 얼라인되어 상기한 커버에 삽입된 후 절곡되어 결합되어 있는 적어도 하나 이상의 메인 터미널과, 셀프 얼라인되어 상기한 커버에 삽입된 후 절곡되어 결합되어 있는 적어도 하나 이상의 보조 터미널과, 상기한 보조 터미널이 삽입 성형사출되어 있으며 상기한 커버와 결합되는 케이스를 포함하여 이루어진다.
Description
도 2는 이 발명의 일실시예에 따른 전력용 반도체 디바이스의 커버에 메인 터미널이 결합되어 있는 상태를 보여주는 사시도이다.
도 3은 이 발명의 일실시예에 따른 전력용 반도체 디바이스의 커버에 메인 터미널이 결합되어 있는 상태를 보여주는 다른 사시도이다.
도 4는 이 발명의 일실시예에 따른 전력용 반도체 디바이스의 커버에 메인 터미널과 보조 터미널이 결합되어 터미널이 절곡되기 전의 상태를 보여주는 사시도이다.
도 5는 이 발명의 일실시예에 따른 전력용 반도체 디바이스의 케이스에 보조 터미널이 삽입 성형 사출되어 있는 상태를 보여주는 사시도이다.
도 6은 이 발명의 일실시예에 따른 전력용 반도체 디바이스의 케이스에 제1 보조 터미널의 사시도이다.
도 7은 이 발명의 일실시예에 따른 전력용 반도체 디바이스의 케이스에 제2 보조 터미널의 사시도이다.
도 8은 이 발명의 일실시예에 따른 전력용 반도체 디바이스의 케이스에 제3 보조 터미널의 사시도이다.
3 : 제2 메인 터미널 4 : 제1 보조 터미널
5 : 제2 보조 터미널 6 : 제3 보조 터미널
7 : 케이스
Claims (12)
- 솔더링 접합시 지지대 역할을 하는 지지대가 형성되어 있는 커버와,
셀프 얼라인되어 상기한 커버에 삽입된 후 절곡되어 결합되어 있는 적어도 하나 이상의 메인 터미널과,
셀프 얼라인되어 상기한 커버에 삽입된 후 절곡되어 결합되어 있는 적어도 하나 이상의 보조 터미널과,
상기한 보조 터미널이 삽입 성형사출되어 있으며 상기한 커버와 결합되는 케이스를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 1항에 있어서,
상기 커버는,
본체면과,
상기한 본체면의 양쪽에 단차 형성된 제1 단차면 및 제2 단차면과,
상기 제1 단차면 및 제2 단차면의 하부에 형성되어 있는 지지대를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 2항에 있어서,
상기 본체면의 중앙에는 메인 터미널을 분리하기 위한 분리홈이 형성되며, 메인 터미널의 단자부가 절곡되는 경우에 이를 고정하기 위한 볼트체결홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 3항에 있어서,
상기 메인 터미널의 단자부는 볼트와 너트를 이용하여 볼트체결홈에 고정되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 2항에 있어서,
상기 제2 단차면의 중앙에는 보조 터미널을 분리하기 위한 분리벽이 형성되며, 상기 보조 터미널의 단자부가 절곡되는 경우에 이를 고정하기 위한 볼트체결홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 5항에 있어서,
상기 메인 터미널의 단자부는 볼트와 너트를 이용하여 볼트체결홈에 고정되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 1항에 있어서,
상기 보조 터미널은 제1 보조 터미널, 제2 보조 터미널, 제3 보조 터미널의 3개의 보조 터미널로 이루어지며, 상기 제1 보조 터미널, 제2 보조 터미널, 제3 보조 터미널은 케이스에 삽입되어 성형사출되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 7항에 있어서,
상기 제1 보조 터미널은 제1 수평연결부의 끝단에 제2 수평연결부가 연결되고 제2 수평연결부의 끝에 제3 수평 연결부가 연장되며, 제1 수평연결부의 상부면에 단자부가 형성되고, 제2 수평연결부와 제3 수평 연결부의 끝부분 하부면에 리드부가 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 7항에 있어서,
상기 제2 보조 터미널은 제4 수평연결부의 한쪽끝에 제5 수평연결부가 연장되고, 제5 수평연결부의 한쪽끝에 제6 수평연결부가 연장되며, 제4 수평연결부의 상부면에 단자부가 형성되고, 제4 수평연결부와 제6 수평 연결부의 끝부분 하부면에 리드부가 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 7항에 있어서,
상기 제3 보조 터미널은 제7 수평연결부만으로 형성된 일자 형태로 이루어지며, 제7 수평연결부의 상부면에 단자부가 형성되고, 제7 수평연결부의 끝부분 하부면에 리드부가 형성되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 1항에 있어서,
상기 케이스의 재질은 PPS(Polyphenylene sulfide) 또는 PBT(Polybutylene Terephthalate)중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스. - 제 1항에 있어서,
상기 케이스는 전체적으로 사각형태로 이루어지며 4개의 모서리부분에 곡률을 갖는 라운드부가 내측을 행하여 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 디바이스.
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KR1020100080844A KR101129733B1 (ko) | 2010-08-20 | 2010-08-20 | 전력용 반도체 디바이스 |
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KR1020100080844A KR101129733B1 (ko) | 2010-08-20 | 2010-08-20 | 전력용 반도체 디바이스 |
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KR20120017902A KR20120017902A (ko) | 2012-02-29 |
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KR1020100080844A KR101129733B1 (ko) | 2010-08-20 | 2010-08-20 | 전력용 반도체 디바이스 |
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Cited By (1)
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KR20150046962A (ko) * | 2013-10-23 | 2015-05-04 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 패키지 |
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EP0546731A1 (en) | 1991-12-10 | 1993-06-16 | Fuji Electric Co. Ltd. | Internal wiring structure of a semiconductor device |
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- 2010-08-20 KR KR1020100080844A patent/KR101129733B1/ko active IP Right Grant
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