JP5947389B2 - サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 - Google Patents
サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5947389B2 JP5947389B2 JP2014538381A JP2014538381A JP5947389B2 JP 5947389 B2 JP5947389 B2 JP 5947389B2 JP 2014538381 A JP2014538381 A JP 2014538381A JP 2014538381 A JP2014538381 A JP 2014538381A JP 5947389 B2 JP5947389 B2 JP 5947389B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- single crystal
- base material
- sapphire single
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/06—Metallic material
- C23C4/08—Metallic material containing only metal elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/18—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B14/00—Crucible or pot furnaces
- F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
- F27B14/10—Crucibles
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
- F27D5/0068—Containers
- F27D2005/0075—Pots, e.g. slag pots, ladles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1092—Shape defined by a solid member other than seed or product [e.g., Bridgman-Stockbarger]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Description
母材3は坩堝形状を有し、耐熱性に優れた材料であり、本実施形態ではモリブデンと不可避不純物で構成されているが、モリブデンより高融点であるタングステンを添加しより高温強度が高いタングステンモリブデン合金を用いても良い。さらにランタンやその酸化物をドープしたモリブデンを用い、結晶粒子がインターロッキング構造を有するものとしてもよい。このような構造とすることにより、耐熱性をより向上できる。
コーティング層5は溶融したサファイアと母材3の反応を防ぎ、坩堝に耐熱性を付与する材料である。
本発明のサファイア単結晶育成用坩堝1の製造方法としては、効率的かつ均一にコーティング層5を形成でき、さらに、コーティング層5の表面粗さや空孔等が上記した範囲となる方法であれば特に限定されるものではなく、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)等によりコーティング層5を形成することにより、サファイア単結晶育成用坩堝1を製造してもよい。
以上がサファイア単結晶育成用坩堝1の製造方法である。
溶射法によりコーティング層5を形成したサファイア単結晶育成用坩堝1を作製してサファイアを溶融させ、冷却後、サファイアの坩堝からの取り出しを試みた。具体的な手順は以下の通りである。
まず、予備試験として、本発明の適用対象として想定している寸法よりも小型の坩堝を作製してアルミナ(サファイア原料)を溶融し、面粗さによる剥離の容易性の比較を行った。
次に、予備試験の結果を元に、本発明の適用対象として想定している大型の坩堝を作製してアルミナを溶融し、コーティング層5の表面粗さと、サファイアの剥離性の関係について、より詳細に評価した。
次に、断面形状と剥離性の関係を評価するため、<表面粗さ評価試験>と同様の寸法の坩堝を用意し、20メッシュ(目開き864μm)目開きのアルミナ粒子でショットブラストを行い、後述する表2に示す種々の成膜条件(粉末供給量、ノズル移動速度)でコーティング層5を形成し、他の条件は、<表面粗さ評価試験>と同様の条件にてサファイア単結晶育成用坩堝1を得て、アルミナを溶融した。
実施例1において、母材3としてMoにランタン酸化物を0.3〜2質量%添加し、断続的に酸化物を加工組織に沿って分散させることにより、一部繊維組織としたものを用い、コーティング層5を形成してサファイア単結晶の成長を試みた。母材3の断面の観察結果の例を図8〜図10に示す。なお、図8〜図10はEPMA1720Hにより加速電圧15kVにて撮影した結果であり、図8はLaの分布を、図9はMoの組織を示すBSE(Back Scatter Electron)画像を、図10はMo下地を示している。
実施例1の試料をEPMA1720Hにより加速電圧15kVにて撮影し、ショットブラストの際に使用した粒子(ここでは20メッシュ)が母材3とコーティング層5の間に残留しているか否かを評価した。結果を図11に示す。
3 :母材
3a :内側面
3b :底面
4 :開口部
5 :コーティング層
6 :つば
7 :中心軸
11 :プラズマスプレーガン
α :テーパ角
Claims (16)
- モリブデンを主成分とする坩堝形状の母材と、
前記母材の内周にコーティングされ、タングステンと不可避不純物で構成されるコーティング層と、
を有し、
前記コーティング層は、表面粗さがRa5μm以上、20μm以下であり、かつ、
前記母材の軸方向の断面50×50μmの面積に相当する領域で10個以上、100個未満の空孔が内部に存在する、サファイア単結晶育成用坩堝。 - 前記母材は、モリブデンと不可避不純物で構成される、請求項1に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- 前記母材は、LaまたはLa酸化物がドープされたモリブデンと不可避不純物で構成される、請求項1に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- 前記母材は、インターロッキング構造を呈する結晶粒子を有する、請求項3に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- 前記母材は、タングステンモリブデン合金と不可避不純物で構成される、請求項1に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- 前記コーティング層は、前記母材の内周にのみ形成されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- 前記母材の内側面が1°以上、15°未満のテーパを有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- HEM(Heat Exchange Method)法によるサファイア単結晶育成に用いられる、請求項1〜7のいずれか一項に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- (a)モリブデンを主成分とする坩堝形状の母材の内周にショットブラストを行い、
(b)タングステンと不可避不純物で構成されるコーティング層を前記母材の内周に溶射で形成する、
ことにより請求項1〜8のいずれか一項に記載のサファイア単結晶育成用坩堝を製造する、サファイア単結晶育成用坩堝の製造方法。 - 前記(a)は、20メッシュ以上、60メッシュ未満の粒子でショットブラストを行う、請求項9記載のサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法。
- 前記(b)は、溶射ノズルの移動速度を10〜300mm/秒、コーティング層の堆積速度を1スキャンで20〜100μmとして溶射を行う、請求項9または10記載のサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法。
- さらに、
(c)1000℃以上で10−1Pa以下の真空または還元性雰囲気で熱処理を行う、
を有する、請求項9〜11のいずれか一項に記載のサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法。 - 前記(a)は、ショットブラスト後に前記母材の表面に残留している粒子を除去する、
を有する、請求項9〜12のいずれか一項に記載のサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法。 - 前記(a)は、薬液で母材3の内周を溶かすことにより、ショットブラスト後に前記母材の表面に残留している粒子を除去する、
を有する、請求項13に記載のサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法。 - 前記(a)は、真空雰囲気炉で熱処理を行い、前記母材の表面とともに前記粒子を蒸発させることにより、ショットブラスト後に前記母材の表面に残留している粒子を除去する、
を有する、請求項13に記載のサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法。 - 前記(a)は、超音波またはドライアイスによる洗浄を行うことにより、ショットブラスト後に前記母材の表面に残留している粒子を除去する、
を有する、請求項13に記載のサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012217115 | 2012-09-28 | ||
JP2012217115 | 2012-09-28 | ||
PCT/JP2013/074641 WO2014050585A1 (ja) | 2012-09-28 | 2013-09-12 | サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5947389B2 true JP5947389B2 (ja) | 2016-07-06 |
JPWO2014050585A1 JPWO2014050585A1 (ja) | 2016-08-22 |
Family
ID=50387992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014538381A Active JP5947389B2 (ja) | 2012-09-28 | 2013-09-12 | サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9803291B2 (ja) |
JP (1) | JP5947389B2 (ja) |
KR (1) | KR101676213B1 (ja) |
CN (1) | CN104685114B (ja) |
WO (1) | WO2014050585A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9457405B2 (en) * | 2012-05-29 | 2016-10-04 | H.C. Starck, Inc. | Metallic crucibles and methods of forming the same |
USD771167S1 (en) * | 2013-08-21 | 2016-11-08 | A.L.M.T. Corp. | Crucible |
CN105220223A (zh) * | 2014-07-02 | 2016-01-06 | 攀时(上海)高性能材料有限公司 | 用于晶体培养的坩埚 |
US9685370B2 (en) * | 2014-12-18 | 2017-06-20 | Globalfoundries Inc. | Titanium tungsten liner used with copper interconnects |
AT14854U1 (de) * | 2015-07-03 | 2016-07-15 | Plansee Se | Behälter aus Refraktärmetall |
JP6827461B2 (ja) | 2016-02-26 | 2021-02-10 | 株式会社アライドマテリアル | モリブデン坩堝 |
AT15262U1 (de) | 2016-03-25 | 2017-04-15 | Plansee Se | Glasschmelz-Komponente |
CN107541776A (zh) * | 2017-08-14 | 2018-01-05 | 同济大学 | 一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法 |
CN107858534A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-03-30 | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 | 一种处理蓝宝石长晶炉钨加热体并回收金属钼的方法与装置 |
CN114574939B (zh) * | 2022-04-19 | 2023-03-14 | 北京通美晶体技术股份有限公司 | 一种GaAs单晶的生长方法 |
AT526528B1 (de) * | 2022-10-28 | 2024-04-15 | Fametec Gmbh | Verbesserter Schmelztiegel zur Herstellung eines Einkristalls |
CN117947505B (zh) * | 2024-03-27 | 2024-06-21 | 海朴精密材料(苏州)有限责任公司 | 一种管状钼单晶基体表面钨单晶涂层及其制备方法与应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0625855A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-01 | Tokyo Tungsten Co Ltd | ルツボ及びその製造方法 |
JPH07102376A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-18 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 被覆部材及びその製造方法 |
JP2004299927A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ |
JP2005158971A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子の製造方法およびその半導体発光素子 |
JP2012107782A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Toshiba Corp | ルツボおよびそれを用いたサファイア単結晶の製造方法並びにルツボの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3433976B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2003-08-04 | オリンパス光学工業株式会社 | ガラス溶融ルツボ |
JP2973152B2 (ja) | 1993-08-26 | 1999-11-08 | 東京タングステン株式会社 | 高融点金属被覆部材及びその製造装置 |
DE102008060520A1 (de) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | Schott Ag | Ein Tiegel zur Prozessierung hochschmelzender Materialien |
CN101914805B (zh) * | 2010-09-07 | 2013-03-20 | 王楚雯 | 具有改进坩埚盖部的定向凝固炉 |
KR20140085448A (ko) * | 2011-09-09 | 2014-07-07 | 이노벤트 테크놀로지스 | 코팅된 도가니 및 코팅된 도가니를 제조하는 방법 |
CN102628184B (zh) * | 2012-05-07 | 2013-03-13 | 江苏浩瀚蓝宝石科技有限公司 | 真空感应加热生长宝石晶体的方法和实现该方法的设备 |
-
2013
- 2013-09-12 JP JP2014538381A patent/JP5947389B2/ja active Active
- 2013-09-12 CN CN201380049391.XA patent/CN104685114B/zh active Active
- 2013-09-12 KR KR1020157008358A patent/KR101676213B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-12 US US14/430,591 patent/US9803291B2/en active Active
- 2013-09-12 WO PCT/JP2013/074641 patent/WO2014050585A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0625855A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-01 | Tokyo Tungsten Co Ltd | ルツボ及びその製造方法 |
JPH07102376A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-18 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 被覆部材及びその製造方法 |
JP2004299927A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ |
JP2005158971A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子の製造方法およびその半導体発光素子 |
JP2012107782A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Toshiba Corp | ルツボおよびそれを用いたサファイア単結晶の製造方法並びにルツボの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9803291B2 (en) | 2017-10-31 |
KR101676213B1 (ko) | 2016-11-14 |
CN104685114B (zh) | 2017-07-28 |
JPWO2014050585A1 (ja) | 2016-08-22 |
KR20150046339A (ko) | 2015-04-29 |
CN104685114A (zh) | 2015-06-03 |
US20150225870A1 (en) | 2015-08-13 |
WO2014050585A1 (ja) | 2014-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5947389B2 (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 | |
KR100851833B1 (ko) | 석영 글라스 부품, 세라믹 부품 및 그 제조방법 | |
EP1094039B1 (en) | Method for manufacturing quartz glass crucible | |
JP6537590B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP5459004B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
EP2455515B1 (en) | Process for producing sic single crystal | |
TWI387654B (zh) | Indium target and its manufacturing method | |
JP4995069B2 (ja) | 内面結晶化ルツボおよび該ルツボを用いた引上げ方法 | |
JP4866924B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ用の石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶の製造方法 | |
US20100139550A1 (en) | Crucible for processing a high-melting material and method of processing said material in said crucible | |
KR101165703B1 (ko) | 실리콘 단결정 인상용 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법 | |
JP6363992B2 (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成方法 | |
TW201350628A (zh) | 由矽組成的單晶 | |
JP2005281085A (ja) | 黒鉛製るつぼ | |
JP6028754B2 (ja) | SiC単結晶基板の製造方法 | |
KR102290102B1 (ko) | 단결정 실리콘 인상용 석영 유리 도가니 및 그의 제조방법 | |
JP6134814B2 (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝、サファイア単結晶育成方法およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 | |
JP2009274905A (ja) | シリコン溶融ルツボ | |
JPH01148783A (ja) | 単結晶引き上げ用石英ルツボ | |
JP2009203499A (ja) | ターゲット材およびその製造方法 | |
JP2014189425A (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝 | |
KR101409424B1 (ko) | 탄화규소 종자정의 결함 저감방법 | |
JP2009280411A (ja) | フッ化金属単結晶体製造用の種結晶体 | |
TW202408929A (zh) | 碳化矽粉末、其製造方法和使用其製造碳化矽晶圓的方法 | |
JP2006327895A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法とそのための縦型pbn容器およびその容器の選別方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160506 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5947389 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |