TWI387654B - Indium target and its manufacturing method - Google Patents

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Description

銦靶及其製造方法
本發明係關於一種銦靶及其製造方法。
以往，銦靶係藉由使銦合金等附著於支持板上後，將銦流入於模具中進行鑄造，藉此來製造。於上述銦靶的熔解鑄造法中，有供給至鑄模之銦原料與空氣中之氧反應而形成氧化物之情形，若此種絕緣性氧化物存在於銦靶中，則會產生下述問題：藉由濺鍍形成薄膜時發生異常放電、或於已形成之薄膜中產生顆粒(particle)等。
針對上述問題，於專利文獻1中，記載有：非一次性地，而是分為多次將特定量之銦原料供給至鑄模，除去每次所生成之熔融液表面之氧化銦，然後，對冷卻所得之鑄錠進行表面研磨而製作銦靶。然後，藉此可抑制所得到之銦靶中產生氧化物。
專利文獻1：日本特開2010-24474號公報
如上所述，以往抑制濺鍍時發生異常放電或形成之膜中產生顆粒的方法，重點著眼在控制銦靶中的氧濃度。因此，以往對於存在於銦靶中的微量夾雜物，並未視為問題，且並未進行有除去或減少該等夾雜物之研究。
因此，本發明之課題為提供一種可良好地抑制濺鍍時發生異常放電或形成之膜中產生顆粒的新穎銦靶及其製造方法。
本發明人為了解決上述課題而潛心研究，結果發現濺鍍時之異常放電發生的原因在於銦靶所含之特定粒徑的異物，並發現藉由控制該特定粒徑之異物的含量，可良好地抑制濺鍍時發生異常放電或形成之膜中產生顆粒。
以上述之見解為基礎而完成之本發明之一態樣，係含有粒徑0.5～20μm之夾雜物1500個/g以下之銦靶。
本發明之銦靶於一實施形態中，含有粒徑0.5～20μm之夾雜物500個/g以下。
本發明之銦靶於另一實施形態中，上述夾雜物係選自由金屬、金屬氧化物、碳、碳化合物、氯化合物所構成之群中之1種以上。
本發明之銦靶於再另一實施形態中，上述夾雜物係選自由Fe、Cr、Ni、Si、Al、Co所構成之群中之1種以上的金屬或其氧化物。
本發明另一態樣係銦的製造方法，其係藉由於容器內將銦原料熔解後，通過配管而供給至鑄模，於鑄模內冷卻來進行鑄造，且於上述容器、上述配管及上述鑄模中，與上述銦原料相接觸之部分的表面粗糙度(Ra)為5μm以下。
根據本發明，可提供一種能良好地抑制濺鍍時發生異常放電或形成之膜中產生顆粒的新穎銦靶及其製造方法。
本發明之銦靶含有粒徑0.5～20μm之夾雜物1500個/g以下。夾雜物係指銦原料所含有之雜質、或主要因製造步驟中混入之雜質或生成物所生成者，且存在於銦靶之組織中的固形物。夾雜物例如為選自由金屬、金屬氧化物、碳、碳化合物、氯化合物所構成之群中之1種以上。又，夾雜物亦可為選自由Fe、Cr、Ni、Si、Al、Co所構成之群中之1種以上的金屬或其氧化物。
銦靶中之夾雜物雖會引起濺鍍時發生異常放電或已形成之膜中產生顆粒等問題，但本發明之銦靶由於如上述般控制粒徑及個數密度，故可良好地抑制上述問題的發生。此處，之所以會將夾雜物之粒徑設為20μm以下，係因為較少混入粒徑超過20μm之夾雜物，並且即使混入有超過20μm之夾雜物，因為該量亦與粒徑在20μm以下之夾雜物的量相關，故只要考慮20μm以下之夾雜物的密度即已足夠。而之所以會將夾雜物之粒徑設為0.5μm以上，係因為粒徑在0.5μm以下之夾雜物非常地小，因此幾乎對異常放電沒有影響。又，藉由使個數密度為1500個/g以下，能夠得到可抑制異常放電之效果。
又，上述夾雜物之粒徑愈小愈好。進而，上述夾雜物之密度較佳為500個/g以下，更佳為300個/g以下。
上述夾雜物的尺寸係利用「液體用光散射式自動粒子計數器」(九州RION股份有限公司製造)測定而獲得。該測定法係因為於液體中分類粒子的尺寸，且測定該粒子濃度或粒子數，故亦被稱為「液體中顆粒計數器」，其係根據JIS B9925者(以下，該測定亦稱為「液體中顆粒計數器」)。
若具體說明此測定方法：係取樣5g，以不溶解夾雜物的方式緩慢地以200ml的酸進行溶解，進而以純水將其稀釋成500ml，取10ml，以上述液體中顆粒計數器進行測定。例如，於夾雜物之個數為800個/ml之情形時，由於10ml中可測得0.1g的樣本，故夾雜物成為8000個/g。
再者，於本發明中，夾雜物的個數並不限定於利用液體中顆粒計數器之測定，只要可測定同樣的個數，則亦可使用其它方法進行測定。
本發明之銦靶，例如可較佳地使用作為CIGS系薄膜太陽電池用光吸收層之濺鍍靶等各種的濺鍍靶。
對本發明之銦靶製造方法的較佳之例依序進行說明。首先，將作為原料之銦於特定之容器內熔解。若所使用之銦原料含有雜質，則利用該原料製作而成之太陽電池之轉換效率會降低，因此理想的是其具有高純度，例如可使用純度99.99質量%(純度4N)以上之銦。接著，將已熔解之銦原料通過配管而供給至鑄模。
銦靶中的夾雜物係除了原料之純度以外，亦會被銦原料於靶之製造步驟中所接觸之部位的表面粗糙度(Ra)較大地影響。因此，於本發明中，上述容器、配管及鑄模係使用分別與銦原料接觸部分之表面粗糙度(Ra)為5μm以下者。容器、配管及鑄模之構成材料並無特別限制，例如可列舉如不會汙染銦原料之材料即不鏽鋼等。本發明中使用之容器、配管及鑄模之與銦原料接觸的部分之表面粗糙度(Ra)的值：5μm以下係極度小於該領域中一般所使用者。上述之接觸表面可藉由電解研磨加工等而獲得。容器、配管及鑄模之與銦原料接觸的部分之表面粗糙度(Ra)較佳為3μm以下，更佳為1μm以下。
於本發明之銦靶之製造方法中，如上所述係著眼於銦原料於靶之製造步驟中所接觸之部位的表面粗糙度(Ra)，特別是容器、配管及鑄模的該部位之表面粗糙度(Ra)。因此，於先前之製造方法中，若持續使用上述容器、配管及鑄模則會產生表面粗糙、該表面粗糙度(Ra)變大之問題，相對於此，於本發明中無時無刻皆費心注意於該點，藉由將該部位之表面粗糙度(Ra)保持於5μm以下，銦靶可持續抑制含有粒徑0.5～20μm之夾雜物。
其後，將其冷卻至室溫，形成銦錠。冷卻速度可為利用空氣之自然放置冷卻。接著，若有需要則可將所得之銦錠冷軋至所欲之厚度，進而若有需要則可對其進行酸洗或脫脂及表面之切削加工，藉此製作銦靶。
若根據上述製造方法，則熔解銦原料之容器、供給至鑄模之配管及鑄模的分別與銦原料相接觸部分的表面粗糙度(Ra)為5μm以下，因此於銦流經時等，幾乎不會含有容器、配管及鑄模內部之構成材料即不鏽鋼中所含有的鐵、鉻、鎳等金屬及其氧化物。因此，於製作成之銦靶中，含有粒徑0.5～20μm夾雜物1500個/g以下。
[實施例]
以下，一起揭示本發明之實施例與比較例，該等實施例係為了更好地理解本發明及其優點而提供，並無限定發明之意圖。
(實施例1)
首先，將純度4N之銦用作為原料，於容器內以160℃熔解該銦原料，將該熔體通過配管，而流入周圍為直徑205mm、高7mm之圓柱狀鑄模。接著，藉由自然冷卻進行凝固，將所獲得之銦錠加工成直徑204mm、厚度6mm之圓板狀，而成為濺鍍靶。此處，關於熔解銦原料之容器、供給至鑄模之配管及鑄模，係使用不鏽鋼製，且各自與銦原料相接觸之部分的表面粗糙度(Ra)為3μm者。
(實施例2及3)
除使用熔解銦原料之容器、供給至鑄模之配管及鑄模之各自與銦原料相接觸之部分的表面粗糙度(Ra)為1μm(實施例2)、5μm(實施例3)者以外，以與實施例1相同之條件製作銦靶。
(比較例1及2)
除使用熔解銦原料之容器、供給至鑄模之配管及鑄模之各自與銦原料相接觸之部分的表面粗糙度(Ra)為22μm(比較例1)、10μm(比較例2)者以外，以與實施例1相同之條件製作銦靶。
(夾雜物及異常放電之測定)
對於實施例及比較例中所得到之銦靶，分別僅採取5.0g，以不溶解夾雜物之方式緩慢地以200ml之原液鹽酸將其溶解後，以超純水將其稀釋至500ml。接著，取10ml該稀釋液，利用九州RION股份有限公司製造之液體用光散射式自動粒子計數器(液體中顆粒計數器)測定液體中之夾雜物個數。重覆3次該測定，算出平均值。
進而，利用ANELVA製SPF-313H濺鍍裝置，以濺鍍開始前之腔室內之極限真空壓力為1×10-4 Pa、濺鍍時之壓力為0.5Pa、氬濺鍍氣流量為5SCCM、濺鍍功率為650W之條件對該等實施例及比較例之銦靶進行30分鐘濺鍍，計算利用目測觀察到的濺鍍中之異常放電的次數。
各測定結果顯示於表1中。
(顆粒之分析)
對於實施例1及比較例1，利用孔徑0.2μm之PTFE(聚四氟乙烯)膜濾器將於測定上述夾雜物時經調整之稀釋液進行過濾後，隨意地選取10個(#1～#10)觀察到之顆粒，與膜濾器本身一起進行SEM/EDX(掃描型分析電子顯微鏡)分析。
分析結果(SEM照片及元素分布圖)示於圖1～11。
(評價)
實施例1～3皆為含有粒徑0.5～20μm之夾雜物1500個/g以下，且並未觀察到異常放電。又，藉由顆粒之分析，確認到存在Fe、Cr、Ni、Si、Al、Co、C、Cl。
比較例1及2中，皆含有粒徑0.5～20μm之夾雜物超過1500個/g，且觀察到異常放電。又，藉由顆粒之分析，確認到Fe、Cr、Ni為實施例1的8倍以上。
圖1A：實施例1之#1之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖1B：實施例1之#1之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖2A：實施例1之#2之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖2B：實施例1之#2之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖3A：實施例1之#3之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖3B：實施例1之#3之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖4A：實施例1之#4之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖4B：實施例1之#4之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖5A：實施例1之#5之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖5B：實施例1之#5之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖6A：實施例1之#6之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖6B：實施例1之#6之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖7A：實施例1之#7之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖7B：實施例1之#7之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖8A：實施例1之#8之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖8B：實施例1之#8之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖9A：實施例1之#9之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖9B：實施例1之#9之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖10A：實施例1之#10之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖10B：實施例1之#10之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。
圖11A：實施例1之膜濾器之利用SEM/EDX分析而得的SEM照片。
圖11B：實施例1之膜濾器之利用SEM/EDX分析而得的元素分布圖。

Claims (5)

  1. 一種銦靶，其含有粒徑0.5～20μm之夾雜物1500個/g以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之銦靶，其含有粒徑0.5～20μm之夾雜物500個/g以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之銦靶，其中，該夾雜物係選自由金屬、金屬氧化物、碳、碳化合物、氯化合物所構成之群中之1種以上。
  4. 如申請專利範圍第3項之銦靶，其中，該夾雜物係選自由Fe、Cr、Ni、Si、Al、Co所構成之群中之1種以上的金屬或其氧化物。
  5. 一種銦靶製造方法，係藉由於容器內將銦原料熔解後，通過配管而供給至鑄模，於鑄模內冷卻來進行鑄造，於該容器、該配管及該鑄模中，與該銦原料相接觸之部分的表面粗糙度(Ra)為5μm以下。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4948634B2 (ja) 2010-09-01 2012-06-06 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
JP5140169B2 (ja) 2011-03-01 2013-02-06 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
JP4884561B1 (ja) * 2011-04-19 2012-02-29 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
JP5026611B1 (ja) 2011-09-21 2012-09-12 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 積層構造体及びその製造方法
JP5074628B1 (ja) 2012-01-05 2012-11-14 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法
US9761421B2 (en) 2012-08-22 2017-09-12 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof
JP5281186B1 (ja) * 2012-10-25 2013-09-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
CN104919080B (zh) 2013-07-08 2018-10-16 Jx日矿日石金属株式会社 溅射靶及其制造方法
ES2629579T3 (es) 2014-02-21 2017-08-11 Philips Lighting Holding B.V. Un módulo de emisión de luz, una lámpara, una luminaria y un método de iluminación de un objeto
JP6960363B2 (ja) * 2018-03-28 2021-11-05 Ｊｘ金属株式会社 Ｃｏアノード、Ｃｏアノードを用いた電気Ｃｏめっき方法及びＣｏアノードの評価方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57185973A (en) * 1981-05-07 1982-11-16 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Production of target for sputtering
JP3974945B2 (ja) * 1992-01-30 2007-09-12 東ソー株式会社 チタンスパッタリングターゲット
JP3560393B2 (ja) * 1995-07-06 2004-09-02 株式会社日鉱マテリアルズ アルミニウム合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP3081602B2 (ja) * 1998-02-23 2000-08-28 株式会社神戸製鋼所 スパッタリングターゲット材料及びその製造方法
JP4817486B2 (ja) * 2000-09-29 2011-11-16 株式会社東芝 タングステン粉末およびその製造方法ならびにスパッタ・ターゲットおよび切削工具
TWI239552B (en) * 2001-02-06 2005-09-11 Sumitomo Chemical Co Methods for producing indium-containing aqueous solutions containing reduced amounts of metal impurities
KR100663617B1 (ko) * 2001-03-12 2007-01-05 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 아이티오 스퍼터링 타겟트용 산화 주석 분말 및 아이티오막형성용 소결체 스퍼터링 타겟트
US20090065354A1 (en) * 2007-09-12 2009-03-12 Kardokus Janine K Sputtering targets comprising a novel manufacturing design, methods of production and uses thereof
JP4992843B2 (ja) * 2008-07-16 2012-08-08 住友金属鉱山株式会社 インジウムターゲットの製造方法
JP4884561B1 (ja) * 2011-04-19 2012-02-29 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法

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Publication number Publication date
JP4884561B1 (ja) 2012-02-29
KR101184961B1 (ko) 2012-10-02
US20120273348A1 (en) 2012-11-01
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JP2012224911A (ja) 2012-11-15
WO2012144089A1 (ja) 2012-10-26
TW201229247A (en) 2012-07-16
CN102933740B (zh) 2016-05-11
CN102933740A (zh) 2013-02-13

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