JP5768809B2 - 半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
半導体単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5768809B2 JP5768809B2 JP2012508317A JP2012508317A JP5768809B2 JP 5768809 B2 JP5768809 B2 JP 5768809B2 JP 2012508317 A JP2012508317 A JP 2012508317A JP 2012508317 A JP2012508317 A JP 2012508317A JP 5768809 B2 JP5768809 B2 JP 5768809B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron oxide
- single crystal
- boron
- crucible
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
≪製造装置の構成≫
図1は、第1の実施形態で用いられる製造装置の概略的な断面図である。まず、図1を用いて本実施形態において用いられる製造装置の構成について説明する。
次に、図1および図2を用いて、本実施形態における半導体単結晶の製造方法について説明する。図2は、第1の実施形態に係る製造方法の各工程における成長容器内の状態を示す図である。
まず、酸化ホウ素膜形成工程として、底部および該底部と連続する胴部を有する坩堝10の内壁に酸化ホウ素膜31を形成する。
次に、酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程として、酸化ホウ素膜31に酸化ケイ素を含む酸化ホウ素融液を接触させて、坩堝10の内壁に酸化ケイ素−酸化ホウ素膜32を形成する。
次に、原料融液形成工程として、坩堝10の底部に配置された種結晶20上に原料融液を配置する。
次に、半導体単結晶成長工程として、原料融液34を種結晶20側から凝固させることにより、半導体単結晶を成長させる。
≪製造装置の構成≫
本実施の形態に用いる製造装置の構成は、図1の製造装置と同じ構成であるため、その説明は繰り返さない。
図1および図3を用いて、本実施形態における半導体単結晶の製造方法について説明する。図3は、第2の実施形態に係る製造方法の各工程における成長容器内の状態を示す図である。
まず、酸化ホウ素膜形成工程として、底部および該底部と連続する胴部を有する坩堝10の内壁に酸化ホウ素膜31を形成する。
次に、酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程として、酸化ホウ素膜31に酸化ケイ素−酸化ホウ素融液33を接触させて、坩堝10の内壁に酸化ケイ素−酸化ホウ素膜32を形成する。
本工程は、第1の実施形態の原料融液形成工程と同様であるので、その説明は繰り返さない(図3d参照)。
本工程は、第1の実施形態の半導体単結晶成長工程と同様であるので、その説明は繰り返さない。
≪製造装置の構成≫
図4は、第3の実施形態で用いられる製造装置の概略的な断面図である。まず、図4を用いて本実施形態において用いられる製造装置の構成について説明する。なお、図1の製造装置と異なる構成についてのみ説明する。
次に、図4および図5を用いて、本実施形態における半導体単結晶の製造方法について説明する。図5は、第3の実施形態に係る製造方法の各工程における成長容器内の状態を示す図である。
本工程は、第2の実施形態の酸化ホウ素膜形成工程と同様であるので、その説明は繰り返さない。
酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程として、図5(a)に示す酸化ホウ素膜31に酸化ケイ素−酸化ホウ素融液33を接触させて、坩堝10の内壁に酸化ケイ素−酸化ホウ素膜32を形成する。
次に、原料融液形成工程として、坩堝10の底部に配置された種結晶20上に原料融液を形成する。
本工程は、第1の実施形態の半導体単結晶成長工程と同様であるので、その説明は繰り返さない。
図1の製造装置100を用いて、以下の製造方法により、ドーパントとしてSiを含有するGaAs単結晶(以下、「Si−GaAs単結晶」という。)を製造した。坩堝10として内径が105mm(4インチ)のPBN製の坩堝を用い、アンプル11として石英製アンプルを用いた。なお、理解を容易とするために、本実施例について図6を参照しながら説明する。
1.酸化ホウ素膜形成工程
まず、坩堝10内に、図6(a)に示す配置となるように、種結晶としてのGaAs単結晶60、100gのB2O361、総重量5000gのGaAs多結晶62、100gのSiO2−B2O363および1400mgのSi64を収容させた。また、Si64とともに、内圧調整用の2000mgのAsを配置した。なお、B2O361の含有水分濃度は60ppmであり、不純物無添加であってその純度は99atm%以上であった。
次に、坩堝10全体が600℃になるようにヒータ16によってアンプル11を加熱してSiO2−B2O363を融解させて、図6(c)に示すようにSiO2−B2O3融液73を坩堝10内に配置させた。このSiO2−B2O3融液73はB2O3融液70とSiO2−B2O363の融液が混在したものである。そして、3時間坩堝10全体を600℃の温度に維持し、坩堝10内にSiO2−B2O3膜72を形成した。
次に、ヒータ16によって、GaAs単結晶60が配置された部分を除く坩堝10全体の温度が1240℃となるようにアンプル11を加熱し、GaAs多結晶62を融解させて、図6(d)に示すように坩堝10内にSiが混在するGaAs融液74(以下、「Si−GaAs融液」という。)を坩堝10内に配置させた。
次に、Si−GaAs融液74のGaAs単結晶60へのシーディングを行った後、ヒータ16を制御することによって、アンプル11の上下方向に対して、図7に示す温度勾配を与えた。なお、図7において縦軸はアンプル11の上下方向を、横軸は温度を示しており、図7におけるGaAs融点の温度以下の領域は、図6(d)のGaAs単結晶60が配置されている領域に該当する。
GaAs多結晶62として、Siを4×10-5mol%ドープしたGaAsを用いた以外は、実施例1と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。成長させたSi−GaAs単結晶の結晶の様子を実施例1と同様の方法で観察したところ、Si−GaAs単結晶の表面および内部において、双晶の発生や多結晶化は観察されなかった。また、結晶の表面における砒化ホウ素の析出が7箇所観察された。
酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程における坩堝10全体の加熱温度を900℃とした以外は、実施例1と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。成長させたSi−GaAs単結晶の結晶の様子を実施例1と同様の方法で観察したところ、Si−GaAs単結晶の表面および内部において、双晶の発生や多結晶化は観察されなかった。また、結晶の表面における砒化ホウ素の析出も観察されなかった。
酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程における坩堝10全体の加熱温度を1200℃とした以外は、実施例1と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。成長させたSi−GaAs単結晶の結晶の様子を実施例1と同様の方法で観察したところ、Si−GaAs単結晶の表面および内部において、双晶の発生や多結晶化は観察されなかった。また、結晶の表面における砒化ホウ素の析出も観察されなかった。
SiO2−B2O363として、SiO2が1mol%ドープされたB2O3を100g用いた以外は、実施例1と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。成長させたSi−GaAs単結晶の結晶の様子を実施例1と同様の方法で観察したところ、Si−GaAs単結晶の表面および内部において、双晶の発生や多結晶化は観察されなかった。また、結晶の表面における砒化ホウ素の析出が12箇所で観察された。
酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程における坩堝10全体の加熱温度を900℃とした以外は、実施例5と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。成長させたSi−GaAs単結晶の結晶の様子を実施例1と同様の方法で観察したところ、Si−GaAs単結晶の表面および内部において、双晶の発生や多結晶化は観察されなかった。また、結晶の表面における砒化ホウ素の析出が3箇所で観察された。
酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程において、SiO2−B2O3融液73を坩堝10内に配置させた後、1時間坩堝10全体を600℃の温度に維持した以外は、実施例5と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。成長させたSi−GaAs単結晶の結晶の様子を実施例1と同様の方法で観察したところ、Si−GaAs単結晶の表面および内部において、双晶の発生や多結晶化は観察されなかった。また、結晶の表面における砒化ホウ素の析出が16箇所で観察された。
酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程において、SiO2−B2O3融液73を坩堝10内に配置させた後、5時間坩堝10全体を600℃の温度に維持した以外は、実施例5と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。成長させたSi−GaAs単結晶の結晶の様子を実施例1と同様の方法で観察したところ、Si−GaAs単結晶の表面および内部において、双晶の発生や多結晶化は観察されなかった。また、結晶の表面における砒化ホウ素の析出は5箇所で観察された。
酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程において、坩堝10を10rpmで回転させた以外は、実施例7と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。成長させたSi−GaAs単結晶の結晶の様子を実施例1と同様の方法で観察したところ、Si−GaAs単結晶の表面および内部において、双晶の発生や多結晶化は観察されなかった。また、結晶の表面における砒化ホウ素の析出も観察されなかった。
図1の製造装置100を用いて、以下の製造方法により、Si−GaAs単結晶を製造した。坩堝10として内径が105mm(4インチ)のPBN製の坩堝を用い、アンプル11として石英製アンプルを用いた。なお、理解を容易とするために、本実施例について図8を参照しながら説明する。
1.酸化ホウ素膜形成工程
まず、GaAs単結晶60などの各物質が配置される前の空の坩堝10の内壁に、メチルアルコールにオルトホウ酸を飽和濃度になるように融解した溶液を噴霧した。なお、噴霧には噴霧器を用いた。次に、噴霧によって溶液が塗布された坩堝10の内壁に向けて乾燥窒素ガスを流してメチルアルコールを素早く乾燥させた。この噴霧および乾燥の操作を繰り返して坩堝10の内壁に厚さ約100μmのオルトホウ酸膜を形成した。
次に、B2O3膜71が形成された坩堝10をアンプル11内に収容し、この坩堝10内に、図8(b)に示す配置となるように、種結晶としてのGaAs単結晶60、総重量5000gのGaAs多結晶62、150gのSiO2−B2O363および1400mgのSi64を収容させた。また、Si64とともに、内圧調整用の2000mgのAsを配置した。SiO2−B2O3としては、実施例1と同様に、SiO2が12mol%ドープされたB2O3を用いた。
石英製の坩堝10を有する製造装置100を用い、さらに、酸化ホウ素膜形成工程において、蒸着法によりB2O3膜71を形成した以外は、実施例10と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。蒸着法は、以下の手順に従った。
酸化ホウ素膜形成工程において、PBN製の坩堝10の内壁を酸化処理してB2O3膜71を形成した以外は、実施例10と同様の方法によって、Si−GaAs単結晶を成長させた。酸化処理は、以下の手順に従った。
図4の製造装置200を用いて、以下の製造方法によりSi−GaAs単結晶を製造した。坩堝10として内径が105mm(4インチ)のPBN製の坩堝を用い、石英製のリザーバ40および石英製の支持体41を用いた。支持体41の収容部41aの外径は80mmであった。なお、理解を容易とするために、本実施例について図9を参照しながら説明する。
1.酸化ホウ素膜形成工程
まず、実施例12と同様の方法により、図9(a)に示すように、坩堝10の内壁に厚さ60μmのB2O3膜71を形成した。
次に、B2O3膜71が形成された坩堝10を坩堝台14上に載置し、この坩堝10内に、図9(b)に示す配置となるように、まず、種結晶としてのGaAs単結晶60を坩堝10の底部に配置し、その上方近傍に500gのGaAs多結晶62を配置した。一方、リザーバ40内に、総重量4500gの不定形のGaAs多結晶62を収容し、該GaAs多結晶62上に1400mgのSi64を載置した。また、Si64とともに、内圧調整用のAsを2000mg配置した。
次に、ヒータ16によって、GaAs単結晶60が配置された部分を除く坩堝10全体およびリザーバ40全体の温度が1240℃となるようにそれぞれを加熱して、坩堝10内のGaAs多結晶62を融解させ、さらに、リザーバ40内のGaAs多結晶62を融解させてSi64と共にリザーバ40の下方の坩堝10内に滴下した。全ての融液が坩堝10内に滴下することによって、Si−GaAs融液74を坩堝10内のGaAs単結晶60上に配置させた。
次に、図9(d)に示すように、支持体41の下端が半導体単結晶を成長させるための領域である領域Aから外れるように支持体41を上昇させ、その後、実施例1の半導体単結晶成長工程と同様の方法に従って、Si−GaAs単結晶を成長させた。
実施例1と同様の製造装置を用いて、以下の方法によってSi−GaAs単結晶を製造した。
図11に示すように、坩堝10内にB2O361を配置せず、SiO2−B2O363としてSiO2が12mol%ドープされたB2O3を150g配置し、酸化ホウ素膜形成工程を行わず、酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程において坩堝10全体を600℃の温度で1時間維持した以外は、実施例1と同様の方法によってSi−GaAs単結晶を成長させた。
図11に示すように、酸化ケイ素−酸化ホウ素膜形成工程において、SiO2−B2O363としてSiO2が15mol%ドープされたB2O3を用い、坩堝10全体を600℃の温度で3時間維持した以外は、比較例2と同様の方法によってSi−GaAs単結晶を成長させた。
Claims (18)
- 底部および該底部と連続する胴部を有する成長容器の内壁に酸化ホウ素膜を形成する工程と、
前記酸化ホウ素膜に酸化ケイ素を含む酸化ホウ素融液を接触させて、前記成長容器の内壁に酸化ケイ素を含む酸化ホウ素膜を形成する工程と、
前記成長容器内であって前記底部に配置された種結晶上に、原料融液を配置する工程と、
前記原料融液を前記種結晶側から凝固させて半導体単結晶を成長させる工程と、を備える半導体単結晶の製造方法。 - 前記酸化ケイ素を含む酸化ホウ素膜を形成する工程は、
前記成長容器内に酸化ケイ素を含む酸化ホウ素融液を配置する工程と、
前記酸化ケイ素を含む酸化ホウ素融液を前記成長容器の内壁に形成されている前記酸化ホウ素膜に接触させた状態を、所定温度で所定時間維持する工程と、を備える請求項1に記載の半導体単結晶の製造方法。 - 前記所定温度は600℃以上、かつ前記半導体単結晶を構成する半導体の融点未満である、請求項2に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記所定時間は1時間以上である、請求項2に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記酸化ケイ素を含む酸化ホウ素融液は、前記成長容器を加熱して、前記成長容器内に配置された酸化ケイ素を含む酸化ホウ素の固体を融解させることによって前記成長容器内に配置される、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記酸化ケイ素を含む酸化ホウ素の固体に含まれる酸化ケイ素が、二酸化ケイ素である、請求項5に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記酸化ケイ素を含む酸化ホウ素の固体における前記二酸化ケイ素の濃度が1mol%以上12mol%以下である、請求項6に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記成長容器が、窒化ホウ素、熱分解窒化ホウ素、パイロリティックグラファイト、グラファイト、ガラス化カーボン、炭化ケイ素、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、または石英からなる、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記種結晶は、前記酸化ホウ素膜が形成される前の前記成長容器内に配置される、請求項1〜8のいずれかに記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記種結晶は、前記酸化ケイ素を含む酸化ホウ素膜が形成される前であって、前記酸化ホウ素膜が形成された前記成長容器内に配置される、請求項1〜8のいずれかに記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記酸化ホウ素膜を形成する工程において、前記成長容器の内壁に窒化ホウ素を含む膜を形成し、酸素ガス雰囲気下または酸素ガスを含む混合ガス雰囲気下で前記窒化ホウ素を含む膜を熱処理することによって、前記成長容器の内壁に前記酸化ホウ素膜を形成する、請求項10に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記窒化ホウ素を含む膜は、スパッタリングまたは蒸着によって前記成長容器の内壁に形成される、請求項11に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記窒化ホウ素を含む膜は、窒化ホウ素の粉末と溶媒とを混合した混合液を前記成長容器の内壁に噴霧または塗布することによって形成される、請求項11に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記酸化ホウ素膜を形成する工程において、前記成長容器の内壁に酸化ホウ素またはホウ酸を含む膜を形成し、前記酸化ホウ素またはホウ酸を含む膜を熱処理することによって、前記成長容器の内壁に前記酸化ホウ素膜を形成する、請求項10に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記酸化ホウ素またはホウ酸を含む膜は、スパッタリングまたは蒸着によって前記成長容器の内壁に形成される、請求項14に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記酸化ホウ素またはホウ酸を含む膜は、酸化ホウ素またはホウ酸の粉末と溶媒とを混合した混合液を前記成長容器の内壁に噴霧または塗布することによって形成される、請求項14に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記成長容器が窒化ホウ素または熱分解窒化ホウ素からなり、前記酸化ホウ素膜を形成する工程は、前記成長容器の内壁を酸化処理することによって、前記成長容器の内壁に前記酸化ホウ素膜を形成する、請求項10に記載の半導体単結晶の製造方法。
- 前記原料融液は、固体の原料が融解することによって前記種結晶上に配置され、前記固体の原料は、前記半導体単結晶を構成する化合物半導体および前記半導体単結晶にドープされるドーパントを含む、請求項1〜17のいずれかに記載の半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012508317A JP5768809B2 (ja) | 2010-03-29 | 2011-03-28 | 半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010075524 | 2010-03-29 | ||
JP2010075524 | 2010-03-29 | ||
PCT/JP2011/057665 WO2011122570A1 (ja) | 2010-03-29 | 2011-03-28 | 半導体単結晶の製造方法 |
JP2012508317A JP5768809B2 (ja) | 2010-03-29 | 2011-03-28 | 半導体単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011122570A1 JPWO2011122570A1 (ja) | 2013-07-08 |
JP5768809B2 true JP5768809B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=44712265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012508317A Active JP5768809B2 (ja) | 2010-03-29 | 2011-03-28 | 半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9797068B2 (ja) |
JP (1) | JP5768809B2 (ja) |
CN (1) | CN102859050B (ja) |
DE (1) | DE112011101177B4 (ja) |
WO (1) | WO2011122570A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170109298A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage system that includes a plurality of routing circuits and a plurality of node modules connected thereto |
JP6940236B2 (ja) | 2015-12-18 | 2021-09-22 | ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 溶融炉内での露点監視による石英ガラス体の調製 |
KR20180095618A (ko) | 2015-12-18 | 2018-08-27 | 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 | 다중-챔버 가열로에서 실리카 유리체의 제조 |
TWI794150B (zh) | 2015-12-18 | 2023-03-01 | 德商何瑞斯廓格拉斯公司 | 自二氧化矽顆粒製備石英玻璃體 |
EP3390304B1 (de) | 2015-12-18 | 2023-09-13 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Sprühgranulieren von siliziumdioxid bei der herstellung von quarzglas |
WO2017103131A1 (de) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verringern des erdalkalimetallgehalts von siliziumdioxidgranulat durch behandlung von kohlenstoffdotiertem siliziumdioxidgranulat bei hoher temperatur |
US11299417B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-04-12 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of a quartz glass body in a melting crucible of refractory metal |
WO2017103124A2 (de) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Erhöhen des siliziumgehalts bei der herstellung von quarzglas |
US11236002B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-02-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of an opaque quartz glass body |
US20190031554A1 (en) * | 2015-12-18 | 2019-01-31 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Preparation of a quartz glass body in a standing sinter crucible |
WO2019008663A1 (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム結晶体およびヒ化ガリウム結晶基板 |
CN110546315B (zh) * | 2018-03-29 | 2021-09-03 | 株式会社水晶系统 | 单晶制造装置 |
US11821782B2 (en) | 2020-09-17 | 2023-11-21 | Delta Electronics, Inc. | Load cell for measuring a loading force under a specific range with limitation element to prevent irreversible deformation |
CN112458536B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-10-25 | 西北工业大学 | 一种液封熔体法生长锑化铝晶体的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07300385A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-11-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造用るつぼ |
JPH08133882A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-28 | Kobe Steel Ltd | 化合物半導体製造用るつぼ |
JPH08151290A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の育成方法 |
JPH0948691A (ja) * | 1995-05-26 | 1997-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ii−vi族またはiii−v族化合物単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2887603B2 (ja) | 1989-07-26 | 1999-04-26 | 富士通電装株式会社 | 図形登録制御方式 |
JPH06219900A (ja) | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | Siドープn型ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
JP3216298B2 (ja) * | 1993-02-17 | 2001-10-09 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体結晶成長用縦型容器 |
US5584929A (en) * | 1994-03-11 | 1996-12-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for preparing compound semiconductor crystal |
EP0744476B1 (en) * | 1995-05-26 | 2000-08-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group II-VI or III-V compound single crystal |
JPH10259100A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Japan Energy Corp | GaAs単結晶の製造方法 |
JP4086006B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2008-05-14 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
-
2011
- 2011-03-28 CN CN201180017185.1A patent/CN102859050B/zh active Active
- 2011-03-28 DE DE112011101177.6T patent/DE112011101177B4/de active Active
- 2011-03-28 JP JP2012508317A patent/JP5768809B2/ja active Active
- 2011-03-28 WO PCT/JP2011/057665 patent/WO2011122570A1/ja active Application Filing
- 2011-03-28 US US13/636,477 patent/US9797068B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-13 US US15/703,342 patent/US10533265B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07300385A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-11-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造用るつぼ |
JPH08151290A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の育成方法 |
JPH08133882A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-28 | Kobe Steel Ltd | 化合物半導体製造用るつぼ |
JPH0948691A (ja) * | 1995-05-26 | 1997-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ii−vi族またはiii−v族化合物単結晶の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6011021359; M. ZHA et al: '"Full encapsulated CdZnTe crystals by the vertical Bridgman method"' Journal of Crystal Growth Vol. 310, 2008, pages 2072-2075 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180010262A1 (en) | 2018-01-11 |
WO2011122570A1 (ja) | 2011-10-06 |
DE112011101177B4 (de) | 2020-09-03 |
CN102859050A (zh) | 2013-01-02 |
US10533265B2 (en) | 2020-01-14 |
DE112011101177T5 (de) | 2013-01-24 |
CN102859050B (zh) | 2015-07-15 |
US20130008370A1 (en) | 2013-01-10 |
US9797068B2 (en) | 2017-10-24 |
JPWO2011122570A1 (ja) | 2013-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5768809B2 (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
JPH03122097A (ja) | 単結晶の2‐6族または3‐5族化合物の製造法及びそれより作られる製品 | |
JPH1036197A (ja) | Iii−v族化合物半導体結晶の製造方法 | |
US6989059B2 (en) | Process for producing single crystal of compound semiconductor and crystal growing apparatus | |
JP3087065B1 (ja) | 単結晶SiCの液相育成方法 | |
JP3656266B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造用るつぼ | |
JPH0244798B2 (ja) | ||
JP3731225B2 (ja) | Ii−vi族またはiii−v族化合物単結晶の製造方法およびその製造用るつぼ | |
EP0159113B1 (en) | Process and apparatus for growing single crystals of iii - v compound semiconductor | |
JP3707110B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の育成方法 | |
JPH11147785A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP3738471B2 (ja) | Ii−vi族またはiii−v族化合物単結晶の製造方法 | |
TW201311948A (zh) | 半導體單晶之製造方法 | |
JP5429022B2 (ja) | GaAs結晶およびGaAs結晶の製造方法 | |
US10815586B2 (en) | Gallium-arsenide-based compound semiconductor crystal and wafer group | |
JP2010030868A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
JP4691909B2 (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
JP3492820B2 (ja) | 化合物半導体の単結晶製造装置 | |
JP2010030847A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
JP2011026176A (ja) | Iii−v族化合物結晶の製造方法 | |
JPH0450188A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JPH08119784A (ja) | 化合物単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JPS589799B2 (ja) | 硫化亜鉛結晶成長法 | |
JP2006160586A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
JPH09286700A (ja) | 単結晶の製造方法および単結晶製造装置並びにそれに用いる原料収納容器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5768809 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |