JPS589799B2 - 硫化亜鉛結晶成長法 - Google Patents
硫化亜鉛結晶成長法Info
- Publication number
- JPS589799B2 JPS589799B2 JP52110224A JP11022477A JPS589799B2 JP S589799 B2 JPS589799 B2 JP S589799B2 JP 52110224 A JP52110224 A JP 52110224A JP 11022477 A JP11022477 A JP 11022477A JP S589799 B2 JPS589799 B2 JP S589799B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zns
- growth
- temperature
- crystal
- crystals
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は硫化亜鉛結晶即ちＺｎＳ結晶を液相成長させる
方法に関するものである。
方法に関するものである。
■−■族化合物半導体であるＺｎＳは電光変換用可視発
光材料として有望視されており、青色領域にスペクトル
を有する発光ダイオードの製作も可能である。
光材料として有望視されており、青色領域にスペクトル
を有する発光ダイオードの製作も可能である。
従来、高圧溶融成長法、気相反応法昇華法などによるＺ
ｎＳ単結晶の製作が試みられている。
ｎＳ単結晶の製作が試みられている。
しかし、高圧溶融成長法では１９００℃程度の高温が要
求されるし、昇華法でも１５００℃程度の高温となり、
このような高温成長で結晶を作れば結晶組成の化学量論
的平衡からのずれが大きく、結晶中にＺｎ空孔およびＳ
空孔が多量に存在し、これらの空孔の補償作用が生じて
結晶は高抵抗のＮ型結晶になってしまう。
求されるし、昇華法でも１５００℃程度の高温となり、
このような高温成長で結晶を作れば結晶組成の化学量論
的平衡からのずれが大きく、結晶中にＺｎ空孔およびＳ
空孔が多量に存在し、これらの空孔の補償作用が生じて
結晶は高抵抗のＮ型結晶になってしまう。
また高温成長では、成長溶器等からの有害不純物の混入
が避け難く、高純度結晶を得るのが困難である。
が避け難く、高純度結晶を得るのが困難である。
発光効率の高い発光素子を作成するには、母体結晶の結
晶性が良好であること、即ち空孔が少ないこと、高純度
であることなどが第１条件である。
晶性が良好であること、即ち空孔が少ないこと、高純度
であることなどが第１条件である。
しかし、上述のように、高温成長によるＺｎＳの場合、
あまり結晶性のよい単結晶を得ることが出来ず、これが
ＺｎＳ単結晶デバイスの実用化の障壁となって、発光効
率の高いＺｎＳ発光素子が得られるまでに至っていない
、気相反応法は、他の方法に比べると低温成長が可能で
あるが、低温成長であっても化学量論的組成の制御が困
難であるために結晶性のよい単結晶を得るのが難かしく
、しかも大形単結晶を得ることが出来ないという欠点も
ある。
あまり結晶性のよい単結晶を得ることが出来ず、これが
ＺｎＳ単結晶デバイスの実用化の障壁となって、発光効
率の高いＺｎＳ発光素子が得られるまでに至っていない
、気相反応法は、他の方法に比べると低温成長が可能で
あるが、低温成長であっても化学量論的組成の制御が困
難であるために結晶性のよい単結晶を得るのが難かしく
、しかも大形単結晶を得ることが出来ないという欠点も
ある。
また液相成長法でＺｎＳ結晶を作ることも試みられてい
るが、溶質をＺｎＳとし、一般的な液相成長方法のよう
にＺｎＳ溶質の一方の構成元素であるＺｎ又はＳを溶媒
として液相成長することは困難である。
るが、溶質をＺｎＳとし、一般的な液相成長方法のよう
にＺｎＳ溶質の一方の構成元素であるＺｎ又はＳを溶媒
として液相成長することは困難である。
またその他の液相成長法例えばＧａやＩｎのような金属
あるいはハロゲン化アルカリなどの溶融塩を溶媒とする
液相成長法によっても良質な結晶を得ることが困難であ
った。
あるいはハロゲン化アルカリなどの溶融塩を溶媒とする
液相成長法によっても良質な結晶を得ることが困難であ
った。
そこで、本発明の目的は、液相成長法で良質なＺｎＳ結
晶を得ることが可能なＺｎＳ結晶成長方法を提供するこ
とにある。
晶を得ることが可能なＺｎＳ結晶成長方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するための本発明は、溶媒としてＴｅ（
テルル）、溶質としてＺｎＳ（硫化亜鉛）を含む溶液に
、６５０〜１３００゜Ｃの温度範囲で熱処理を施すこと
により、実用上ＺｎＳ結晶（硫化亜鉛結晶）と見なせる
ＺｎＳ１−ｘＴｅＸ（Ｘは０．０７以下）結晶を上記溶
液中で液相成長させることを特徴とする硫化亜鉛結晶成
長方法に係わるものである。
テルル）、溶質としてＺｎＳ（硫化亜鉛）を含む溶液に
、６５０〜１３００゜Ｃの温度範囲で熱処理を施すこと
により、実用上ＺｎＳ結晶（硫化亜鉛結晶）と見なせる
ＺｎＳ１−ｘＴｅＸ（Ｘは０．０７以下）結晶を上記溶
液中で液相成長させることを特徴とする硫化亜鉛結晶成
長方法に係わるものである。
上記本発明によれば、第５図に示すように、ＺｎＳがＴ
ｅ溶液に対して比較的低温において実用上有効な溶解度
を有することから、ＺｎＳ結晶の低温成長が可能になる
。
ｅ溶液に対して比較的低温において実用上有効な溶解度
を有することから、ＺｎＳ結晶の低温成長が可能になる
。
このため、化学量論的平衡からのずれが少なく、結晶欠
陥が少なく、また不純物の混入の少ない高純度・高品位
のＺｎＳ結晶を得ることが出来る。
陥が少なく、また不純物の混入の少ない高純度・高品位
のＺｎＳ結晶を得ることが出来る。
また大形のＺｎＳ結晶を得ることが可能になると共に、
液相エピタキシャル成長法への応用も可能である。
液相エピタキシャル成長法への応用も可能である。
依って、本発明は、ＺｎＳ単結晶デバイス、特にＺｎＳ
の発光素子の実用化を一歩前進させることを可能にした
もので、半導体工業に貢献するところ大である。
の発光素子の実用化を一歩前進させることを可能にした
もので、半導体工業に貢献するところ大である。
以下、図面を参照して本発明の実施例に付いて述べる。
実施例 １
本発明の実施例■に係わるＺｎＳ結晶成長法に於いては
、まず第１図Ａに示す内径１５ｍｍの円筒状石英製アン
プル１に、溶媒として９９．９９９９％の高純度Ｔｅ１
０グラムと、溶質として９９．９９９％の高純度ＺｎＳ
多結晶２４０ミリグラムとを１×１０−６ｍｍＨｇの真
空度で封入した後、アンプル全体をＴｅの融点４４９℃
より２１℃高い４７０゜Ｃにて加熱する。
、まず第１図Ａに示す内径１５ｍｍの円筒状石英製アン
プル１に、溶媒として９９．９９９９％の高純度Ｔｅ１
０グラムと、溶質として９９．９９９％の高純度ＺｎＳ
多結晶２４０ミリグラムとを１×１０−６ｍｍＨｇの真
空度で封入した後、アンプル全体をＴｅの融点４４９℃
より２１℃高い４７０゜Ｃにて加熱する。
これにより、第１図Ａに示す如くＴｅ溶液３にこれより
も比重の小さいＺｎＳ多結晶２が浮いた状態となる。
も比重の小さいＺｎＳ多結晶２が浮いた状態となる。
次に、アンプル全域にわたって１２００℃まで均一に昇
温し、３０分間一定の温度（１２００℃）に保つ。
温し、３０分間一定の温度（１２００℃）に保つ。
これにより、ＺｎＳ多結晶２の全部がＴｅ溶液３中に溶
解し、溶媒としてＴｅ、溶質としてＺｎＳを含む液相成
長用溶液が得られる。
解し、溶媒としてＴｅ、溶質としてＺｎＳを含む液相成
長用溶液が得られる。
しかる後、１０℃／ｈの降温速度で１２００℃から４７
０℃まで、アンプル全体の温度を下げる。
０℃まで、アンプル全体の温度を下げる。
この結果、降温と共に第１図Ｂに示す如く板状及び棒状
のＺｎＳ単結晶４がＴｅ溶液３より析出する。
のＺｎＳ単結晶４がＴｅ溶液３より析出する。
通常ＺｎＳ単結晶４はＴｅ溶液３より比重が小さいため
にＴｅ溶液３の上方に多く得られる。
にＴｅ溶液３の上方に多く得られる。
実施例 ■
本発明の実施例■に係わるＺｎＳ結晶成長法に於いては
、まず、高圧溶融成長法で作ったインゴットから厚さ２
ｍｍ、直径２５ｍｍのＺｎＳウエファを切り出し、これ
を種結晶とする。
、まず、高圧溶融成長法で作ったインゴットから厚さ２
ｍｍ、直径２５ｍｍのＺｎＳウエファを切り出し、これ
を種結晶とする。
次に、第２図Ａに示す内径２８ｍｍの円筒状石英管１１
の底に上記の種結晶１２を入れ、その上にパイロリテイ
ック窒化硼素リング即ちＰＢＮリング１３を載せ、更に
内径２５ｍｍのパイロリティック窒化硼素パイプ即ちＰ
ＢＮパイプ１４を挿入する。
の底に上記の種結晶１２を入れ、その上にパイロリテイ
ック窒化硼素リング即ちＰＢＮリング１３を載せ、更に
内径２５ｍｍのパイロリティック窒化硼素パイプ即ちＰ
ＢＮパイプ１４を挿入する。
その後、９９．９９９９％の高純度Ｔｅ６５グラムと９
９．９９９％の高純度ＺｎＳ多結晶７０グラムとを投入
し、外径２７ｍｍの石英製シールプラグ１５をＰＢＮパ
イプ１４の上端で止まる所で挿入する。
９．９９９％の高純度ＺｎＳ多結晶７０グラムとを投入
し、外径２７ｍｍの石英製シールプラグ１５をＰＢＮパ
イプ１４の上端で止まる所で挿入する。
次に、石英管１１の上方に真空ゴムホース（図示せず）
を結合して石英管１１の内部を７Ｘ１０−６ｍｍ Ｈｇ
まで真空にし、マン１・ルヒータを用いて３００℃で３
時間石英管内のガス出しを行い、しかる後、シールプラ
グ１５の回りの部分に相当する場所を石英管１１の外側
からガスバーナで熱して石英管１１とシールプラグ１５
との融着部１６を作り、ＺｎＳ多結晶１７及びＴｅを石
英管１１内に真空封入する。
を結合して石英管１１の内部を７Ｘ１０−６ｍｍ Ｈｇ
まで真空にし、マン１・ルヒータを用いて３００℃で３
時間石英管内のガス出しを行い、しかる後、シールプラ
グ１５の回りの部分に相当する場所を石英管１１の外側
からガスバーナで熱して石英管１１とシールプラグ１５
との融着部１６を作り、ＺｎＳ多結晶１７及びＴｅを石
英管１１内に真空封入する。
材料を真空封入した石英管１１は第２図Ｂに図示する温
度分布の炉に入れるが、このとき、窒化硼素（ＢＮ）製
ビートシンク１８に石英管１１の底部をはめ込み、ヒー
トシンク１８に結合した窒化硼素製棒１９にて矢印２１
の方向に１〜４ ｒｐｍの回転と、矢印２１の方向に０
．５〜２ｍｍ／ｄａｙの下降とが可能なようにする。
度分布の炉に入れるが、このとき、窒化硼素（ＢＮ）製
ビートシンク１８に石英管１１の底部をはめ込み、ヒー
トシンク１８に結合した窒化硼素製棒１９にて矢印２１
の方向に１〜４ ｒｐｍの回転と、矢印２１の方向に０
．５〜２ｍｍ／ｄａｙの下降とが可能なようにする。
第２図Ａは成長開始前の状態を示し、第２図Ｂは炉の温
度分布を示す。
度分布を示す。
第２図Ａに示す成長開始前に於いては、説明的に付して
あるａ０，ａ４，ａ６，ａ８，ａ１０，ａ１２，ａ１４
は第２図Ｂの縦軸の相対的距離０、４、６、８、１０、
１２、１４ｃｍに夫々対応している。
あるａ０，ａ４，ａ６，ａ８，ａ１０，ａ１２，ａ１４
は第２図Ｂの縦軸の相対的距離０、４、６、８、１０、
１２、１４ｃｍに夫々対応している。
第２図Ｂの温度分布は、低温部１０００℃、高温部１１
５０℃であり、高温部と低温部との間に５０℃／ｃｍの
温度勾配がある。
５０℃であり、高温部と低温部との間に５０℃／ｃｍの
温度勾配がある。
材料が真空封入された石英管１１をしばらく炉の中に入
れておくと、Ｔｅが完全に融解し、Ｔｅ中にＺｎＳが溶
解した成長溶液が出来る。
れておくと、Ｔｅが完全に融解し、Ｔｅ中にＺｎＳが溶
解した成長溶液が出来る。
即ち溶媒としてＴｅ、溶質としてＺｎＳを含んだＴｅ溶
液２２が出来る。
液２２が出来る。
そこで、約２ｒｐｍで石英管１１を回転しながら約１ｍ
ｍ／ｄａｙの下降速度で石英管１１を徐々に下げて成長
を開始させる。
ｍ／ｄａｙの下降速度で石英管１１を徐々に下げて成長
を開始させる。
このような成長操作を約４０日間続ければ、第３図に示
す如く種結晶１２を基にした単結晶に近いＺｎＳ イン
ゴット２３が得られる。
す如く種結晶１２を基にした単結晶に近いＺｎＳ イン
ゴット２３が得られる。
実施例 ■
本発明の実施例■に係わるＺｎＳ結晶成長法に於いては
、ＺｎＳを液相エピタキシャル成長させるために、第４
図に示す石英管３１の内のグラファイト製レール３２に
ＺｎＳ基板３３を固定し、グラファイト製スライドボー
ト３４の上流側の第１のスロット３５にはＺｎＳ１００
ミリグラムとＴｅ３０グラムとを入れ、グラファイト製
蓋３６を覆せ、下流側の第２のスロット３７にはＺｎＳ
ｅ３５０ミリグラムとＴｅ３０グラムとを入れ、蓋３８
を覆せる。
、ＺｎＳを液相エピタキシャル成長させるために、第４
図に示す石英管３１の内のグラファイト製レール３２に
ＺｎＳ基板３３を固定し、グラファイト製スライドボー
ト３４の上流側の第１のスロット３５にはＺｎＳ１００
ミリグラムとＴｅ３０グラムとを入れ、グラファイト製
蓋３６を覆せ、下流側の第２のスロット３７にはＺｎＳ
ｅ３５０ミリグラムとＴｅ３０グラムとを入れ、蓋３８
を覆せる。
次に成長装置全体を９００℃に加熱し、溶媒としてＴｅ
、溶質としてＺｎＳを含み、ＺｎＳが９００℃で飽和す
るまで溶解している第１のＴｅ溶液３９を作る。
、溶質としてＺｎＳを含み、ＺｎＳが９００℃で飽和す
るまで溶解している第１のＴｅ溶液３９を作る。
また溶媒としてＴｅ、溶質としてＺｎＳｅを含む第２の
Ｔｅ溶液４０を作る。
Ｔｅ溶液４０を作る。
尚レール３２は石英製ストツパ４１により固定し、ポー
ト３４を石英製スライド棒４２で移動したときに移動し
ないようにしておく。
ト３４を石英製スライド棒４２で移動したときに移動し
ないようにしておく。
９００℃、３０分間の加熱処理で第１のＴｅ溶液３９が
得られたら、スライド棒４２でボート３４のスロット３
５の部分を基板３３の上に導き、９００℃の状態で基板
３３を第１のＴｅ溶液３９に１０分間なじませる。
得られたら、スライド棒４２でボート３４のスロット３
５の部分を基板３３の上に導き、９００℃の状態で基板
３３を第１のＴｅ溶液３９に１０分間なじませる。
しかる後、９００℃から７５０℃まで１℃／ｍｉｎの降
温速度で炉の温度を下げ、ＺｎＳ結晶を基板３３の上に
成長させる。
温速度で炉の温度を下げ、ＺｎＳ結晶を基板３３の上に
成長させる。
尚、石英管３１の中にはＡｒ＋Ｈ２（１００ｃｃ：１０
０ｃｃ）のガスを流した状態で成長を進める。
０ｃｃ）のガスを流した状態で成長を進める。
上述の如き方法により、基板３３の上に約１５μｍのＺ
ｎＳエピタキシャル成長層を平面性の良い状態で得るこ
とが出来る。
ｎＳエピタキシャル成長層を平面性の良い状態で得るこ
とが出来る。
ＺｎＳ層の成長が終了したら、炉の温度を７００℃とし
、ＺｎＳを成長させた基板３３の上に第２のスロット３
７の部分を導き、基板３３を第２のＴｅ溶液４０に１０
分間なじませる。
、ＺｎＳを成長させた基板３３の上に第２のスロット３
７の部分を導き、基板３３を第２のＴｅ溶液４０に１０
分間なじませる。
しかる後、７００℃から６２０℃まで１℃／ｍｉｎの降
温速度で炉の温度を下げ、ＺｎＳの上にＺｎＳｅを成長
させる。
温速度で炉の温度を下げ、ＺｎＳの上にＺｎＳｅを成長
させる。
これにより、約１５μｍのＺｎＳｅエピタキシャル成長
層が得られる。
層が得られる。
第５図はＴｅ中のＺｎＳの溶解度の測定結果を示すもの
である。
である。
上述の実施例■、■、■によれば、いずれの場合も正確
にはＴｅを小量含んだ実用上ＺｎＳ結晶と見なせるＺｎ
Ｓ１−ＸＴｅＸの単結晶、又は比較的大形の単結晶粒を
含んだ単結晶に近い結晶を得ることが出来る。
にはＴｅを小量含んだ実用上ＺｎＳ結晶と見なせるＺｎ
Ｓ１−ＸＴｅＸの単結晶、又は比較的大形の単結晶粒を
含んだ単結晶に近い結晶を得ることが出来る。
Ｔｅの含有量はＸ線マイクロアナライザで分析してみた
ところ、実施例■で得た結晶の場合で、ＺｎＳ１−ｘＴ
ｅｘに於いてｘ＝０．０１９であった。
ところ、実施例■で得た結晶の場合で、ＺｎＳ１−ｘＴ
ｅｘに於いてｘ＝０．０１９であった。
尚このｘの値は結晶の成長温度が１３００℃のときｘ＝
０．０７程度であり、成長温度が下るにつれて小さくな
る。
０．０７程度であり、成長温度が下るにつれて小さくな
る。
上述の如くＴｅを小量含んでいても、ＴｅはＳと同族元
素であるので、Ｔｅは不準物準位を作らず、ＺｎＳの結
晶性を殆んど悪くしない。
素であるので、Ｔｅは不準物準位を作らず、ＺｎＳの結
晶性を殆んど悪くしない。
このことは、結晶の光学的特性、電気的特性の測定結果
でも判明している。
でも判明している。
上述の実施例■、■、■ではいずれも１３００℃以下の
温度で結晶成長しているので、結晶欠陥が少なく且つ不
純物混入の少ない良質な結晶を得ることが出来る。
温度で結晶成長しているので、結晶欠陥が少なく且つ不
純物混入の少ない良質な結晶を得ることが出来る。
液相成長時の熱処理は、良質な結晶を実用的成長速度で
得るために、Ｔｅの融点４４９℃以上の約６５０℃から
１３００℃の範囲で行うことが望ましい。
得るために、Ｔｅの融点４４９℃以上の約６５０℃から
１３００℃の範囲で行うことが望ましい。
６５０℃未満であれば、Ｔｅ中へのＺｎＳ溶解度が零に
近くて結晶が実用的成長速度で成長しない。
近くて結晶が実用的成長速度で成長しない。
また１３００℃を越えると、結晶欠陥及び有害不純物の
混入が多くなり、良質な結晶を得ることが出来ない。
混入が多くなり、良質な結晶を得ることが出来ない。
６５０〜１３００℃の範囲での熱処理で結晶を成長させ
る方法として実施例■に示すように溶液の少なくとも１
部に温度勾配を付与し、低温部で結晶を成長させる方法
と、実施例■及び■に示すように溶液温度を徐々に下降
させて結晶を成長させる方法との２つがある。
る方法として実施例■に示すように溶液の少なくとも１
部に温度勾配を付与し、低温部で結晶を成長させる方法
と、実施例■及び■に示すように溶液温度を徐々に下降
させて結晶を成長させる方法との２つがある。
前者の方法は主として大形結晶（半導体インゴット）を
作るのに用いられ、実用上ある程度の成長速度が要求さ
れるので、９００〜１３００℃の温度範囲で熱処理をす
ることが望ましく、また結晶成長方向に於ける炉の温度
勾配を２０〜１００℃／ｃｍとし、石英管１１を０．５
〜２ｍｍ／ｄａｙで徐々に下げながら成長させることが
望ましい。
作るのに用いられ、実用上ある程度の成長速度が要求さ
れるので、９００〜１３００℃の温度範囲で熱処理をす
ることが望ましく、また結晶成長方向に於ける炉の温度
勾配を２０〜１００℃／ｃｍとし、石英管１１を０．５
〜２ｍｍ／ｄａｙで徐々に下げながら成長させることが
望ましい。
後者の本法は主として液相エピタキシャル成長を行うと
きに用いられ、液相エピタキシャルでは成長層は薄くて
も結晶性が良いことが要求されるので、６５０〜１００
０℃の比較的低い温度範囲で熱処理を施すことが望まし
い。
きに用いられ、液相エピタキシャルでは成長層は薄くて
も結晶性が良いことが要求されるので、６５０〜１００
０℃の比較的低い温度範囲で熱処理を施すことが望まし
い。
またエピタキシャル成長時の降温速度は０．５〜１０℃
／ｍｉｎの範囲で行うことが望ましい。
／ｍｉｎの範囲で行うことが望ましい。
但し、後者の方法でも実施例■のような成長方法をとる
場合には６５０〜１３００℃の範囲の熱処理を施しても
よい。
場合には６５０〜１３００℃の範囲の熱処理を施しても
よい。
以上、本発明の実施例に付いて述べたが、本発明は上述
の実施例に限定されるものではなく、更に変形可能なも
のである。
の実施例に限定されるものではなく、更に変形可能なも
のである。
例えば、実施例では導電型決定不純物を入れない場合の
成長に付いて述べたが、導電型決定不純物を入れて結晶
を成長させることも勿論可能であり、勿論これは本発明
の技術的範囲内である。
成長に付いて述べたが、導電型決定不純物を入れて結晶
を成長させることも勿論可能であり、勿論これは本発明
の技術的範囲内である。
また実施例■ではＺｎＳ基板３３の上にＺｎＳを成長さ
せたが、ＺｎＳ以外の基板に成長させてもよい。
せたが、ＺｎＳ以外の基板に成長させてもよい。
第１図は本発明の実施例■を示すものであり、Ａは成長
前の状態を示し、Ｂは成長後の状態を示す説明的断面図
である。 第２図は本発明の実施例■を示すものであり、Ａは成長
前の状態を示す説明的断面図、ＢはＡの装置の温度分布
図である。 第３図は実施例■の方法で作られたインゴットの正面図
である。 第４図は本発明の実施例■の成長装置を示す説明的断面
図である。 第５図はＴｅ溶液でＺｎＳの溶解度を示すグラフである
。 尚図面に用いられている符号に於いて、１はアンプル、
２はＺｎＳ多結晶、３はＴｅ溶液、４はＺｎＳ単結晶、
１１は石英管、１２は種結晶、１７はＺｎＳ多結晶、１
８はヒートシンク、１９は窒化硼素製棒、２２はＴｅ溶
液、２３はインゴットである。
前の状態を示し、Ｂは成長後の状態を示す説明的断面図
である。 第２図は本発明の実施例■を示すものであり、Ａは成長
前の状態を示す説明的断面図、ＢはＡの装置の温度分布
図である。 第３図は実施例■の方法で作られたインゴットの正面図
である。 第４図は本発明の実施例■の成長装置を示す説明的断面
図である。 第５図はＴｅ溶液でＺｎＳの溶解度を示すグラフである
。 尚図面に用いられている符号に於いて、１はアンプル、
２はＺｎＳ多結晶、３はＴｅ溶液、４はＺｎＳ単結晶、
１１は石英管、１２は種結晶、１７はＺｎＳ多結晶、１
８はヒートシンク、１９は窒化硼素製棒、２２はＴｅ溶
液、２３はインゴットである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 溶媒としてＴｅ（テルル）、溶質としてＺｎＳ（硫
化亜鉛）を含む溶液に６５０〜１３００℃の温度範囲で
熱処理を施すことにより、実用上ＺｎＳ結晶（硫化亜鉛
結晶）と見なせる ＺｎＳ１−ｘＴｅｘ（ｘは０．０７以下）結晶を上記溶
液中で液相成長させることを特徴とする硫化亜鉛結晶成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52110224A JPS589799B2 (ja) | 1977-09-12 | 1977-09-12 | 硫化亜鉛結晶成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52110224A JPS589799B2 (ja) | 1977-09-12 | 1977-09-12 | 硫化亜鉛結晶成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5443460A JPS5443460A (en) | 1979-04-06 |
| JPS589799B2 true JPS589799B2 (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=14530222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52110224A Expired JPS589799B2 (ja) | 1977-09-12 | 1977-09-12 | 硫化亜鉛結晶成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589799B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147063U (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-10 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58217679A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-17 | Tateyama Alum Kogyo Kk | アルミニウム又はアルミニウム合金のラミネ−ト処理方法 |
| JP2706204B2 (ja) * | 1992-08-19 | 1998-01-28 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 液相結晶成長方法および液相結晶成長装置 |
| JP2706218B2 (ja) * | 1994-04-20 | 1998-01-28 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 溶液結晶成長方法及び溶液結晶成長装置 |
-
1977
- 1977-09-12 JP JP52110224A patent/JPS589799B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147063U (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5443460A (en) | 1979-04-06 |
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