JPH0948691A - Ｉｉ−ｖｉ族またはｉｉｉ−ｖ族化合物単結晶の製造方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族またはｉｉｉ−ｖ族化合物単結晶の製造方法Info
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- JPH0948691A JPH0948691A JP23304795A JP23304795A JPH0948691A JP H0948691 A JPH0948691 A JP H0948691A JP 23304795 A JP23304795 A JP 23304795A JP 23304795 A JP23304795 A JP 23304795A JP H0948691 A JPH0948691 A JP H0948691A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多結晶化を有効に防止することにより結晶欠
陥の少ないＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結
晶を工業的に製造することができる方法を提供する。 【解決手段】 多結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ
族化合物から単結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族
化合物を製造する方法であって、るつぼの内側の面を粉
末固体とガラス状物質とからなる被膜で被覆するステッ
プと、被覆されたるつぼ内に多結晶の化合物を配置する
ステップと、多結晶の化合物がその中に配置された被覆
されたるつぼを、加熱手段中に配置するステップと、加
熱手段中に配置されたるつぼを加熱手段により加熱し
て、るつぼ中で多結晶の化合物を溶融するステップと、
るつぼと溶融した化合物とを冷却して、単結晶の化合物
を成長させるステップとを備える。
陥の少ないＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結
晶を工業的に製造することができる方法を提供する。 【解決手段】 多結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ
族化合物から単結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族
化合物を製造する方法であって、るつぼの内側の面を粉
末固体とガラス状物質とからなる被膜で被覆するステッ
プと、被覆されたるつぼ内に多結晶の化合物を配置する
ステップと、多結晶の化合物がその中に配置された被覆
されたるつぼを、加熱手段中に配置するステップと、加
熱手段中に配置されたるつぼを加熱手段により加熱し
て、るつぼ中で多結晶の化合物を溶融するステップと、
るつぼと溶融した化合物とを冷却して、単結晶の化合物
を成長させるステップとを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＩ−ＶＩ族ま
たはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法に関するもの
であり、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイ
オード等の光電子分野や、トランジスタ等の電子分野に
利用される、ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単
結晶の製造方法に関するものである。
たはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法に関するもの
であり、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイ
オード等の光電子分野や、トランジスタ等の電子分野に
利用される、ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単
結晶の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩＩ−Ｖ族およびＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体単結晶としては、たとえば、ヒ化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウム
（ＩｎＰ）およびテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）等が
挙げられる。
半導体単結晶としては、たとえば、ヒ化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウム
（ＩｎＰ）およびテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）等が
挙げられる。
【０００３】これらの化合物半導体単結晶は、従来、水
平ブリッジマン法（ＨＢ法）、液体封止引上げ法（ＬＥ
Ｃ法）、垂直ブリッジマン法（ＶＢ法）および垂直温度
勾配法（ＶＧＦ法）等様々な工業的方法により製造され
ることが知られている。
平ブリッジマン法（ＨＢ法）、液体封止引上げ法（ＬＥ
Ｃ法）、垂直ブリッジマン法（ＶＢ法）および垂直温度
勾配法（ＶＧＦ法）等様々な工業的方法により製造され
ることが知られている。
【０００４】これらの方法のうち、たとえば、ＶＢ法に
よる化合物半導体単結晶の製造は、以下のように行なわ
れる。
よる化合物半導体単結晶の製造は、以下のように行なわ
れる。
【０００５】一般に、ＶＢ法は、１以上の高温域および
１以上の低温域を有する垂直炉を使用する。これらの領
域は、約５〜２０℃／ｃｍの温度勾配を有する遷移域に
よって分けられた温度の比較的均一な高温域と、温度の
比較的均一な低温域からなる炉の温度プロファイルを提
供するように設計される。
１以上の低温域を有する垂直炉を使用する。これらの領
域は、約５〜２０℃／ｃｍの温度勾配を有する遷移域に
よって分けられた温度の比較的均一な高温域と、温度の
比較的均一な低温域からなる炉の温度プロファイルを提
供するように設計される。
【０００６】まず、ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化
合物を含有するのに適した、垂直に配置したるつぼ（通
常、ｐＢＮで構成される）が、密閉されたアンプル中に
配置される。単結晶の成長は、るつぼ−アンプル集合体
を不動に保持しながら、炉をゆっくりと上昇させること
によって進行される。
合物を含有するのに適した、垂直に配置したるつぼ（通
常、ｐＢＮで構成される）が、密閉されたアンプル中に
配置される。単結晶の成長は、るつぼ−アンプル集合体
を不動に保持しながら、炉をゆっくりと上昇させること
によって進行される。
【０００７】ＶＢ法による化合物半導体の製造は、るつ
ぼの底部に単結晶の種結晶を配置するステップと、多結
晶の物質をるつぼ中に入れるステップと、るつぼをアン
プル中に配置した後アンプルを密封し、このるつぼ−ア
ンプル集合体を上述の垂直に配置された炉の内側の台座
に配置するステップと、多結晶の物質および単結晶の種
結晶の上部をその融点以上に加熱するステップと、多結
晶物質の溶融によって得られた融液の長さだけ炉を上方
に動かして、固体の単結晶物質を生成するステップとを
備えている。
ぼの底部に単結晶の種結晶を配置するステップと、多結
晶の物質をるつぼ中に入れるステップと、るつぼをアン
プル中に配置した後アンプルを密封し、このるつぼ−ア
ンプル集合体を上述の垂直に配置された炉の内側の台座
に配置するステップと、多結晶の物質および単結晶の種
結晶の上部をその融点以上に加熱するステップと、多結
晶物質の溶融によって得られた融液の長さだけ炉を上方
に動かして、固体の単結晶物質を生成するステップとを
備えている。
【０００８】このように製造されたＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶のインゴットは、次に
るつぼから取出され、種々の電子または光電子用途のた
めのウエハへとスライスされる。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶のインゴットは、次に
るつぼから取出され、種々の電子または光電子用途のた
めのウエハへとスライスされる。
【０００９】このように構成されるＶＢ法は、他の方法
に比べて欠陥密度の低い良質の結晶を低コストで製造で
きる方法として、有望視されている。しかしながら、こ
のＶＢ法によっても、結晶欠陥の発生の問題は完全には
解決されたとは言えない。
に比べて欠陥密度の低い良質の結晶を低コストで製造で
きる方法として、有望視されている。しかしながら、こ
のＶＢ法によっても、結晶欠陥の発生の問題は完全には
解決されたとは言えない。
【００１０】すなわち、るつぼ等の容器と結晶との間の
熱膨張率差などにより、接触部に熱応力が発生する結
果、転位が生じ、この転位が集中することによって多結
晶化が生じるという問題があった。
熱膨張率差などにより、接触部に熱応力が発生する結
果、転位が生じ、この転位が集中することによって多結
晶化が生じるという問題があった。
【００１１】この多結晶化を防止するためには、容器と
結晶の相互作用を小さくするために、容器と結晶との接
触面での摩擦係数を小さくすることが有効である。具体
的には、容器と原料融液とを濡れにくくすること、また
は、潤滑剤を使用することが考えられる。
結晶の相互作用を小さくするために、容器と結晶との接
触面での摩擦係数を小さくすることが有効である。具体
的には、容器と原料融液とを濡れにくくすること、また
は、潤滑剤を使用することが考えられる。
【００１２】従来、容器と原料融液との濡れ性を改善す
る方法としては、たとえば、容器の材質として石英を用
いることが検討されている。この方法によれば、ボロン
の汚染がなくなるという長所を有しているが、石英から
なる容器の大型化が困難なことから、工業的製造に適さ
ないという欠点を有していた。
る方法としては、たとえば、容器の材質として石英を用
いることが検討されている。この方法によれば、ボロン
の汚染がなくなるという長所を有しているが、石英から
なる容器の大型化が困難なことから、工業的製造に適さ
ないという欠点を有していた。
【００１３】一方、潤滑剤を使用する方法としては、た
とえば、液体の酸化ホウ素（Ｂ2 Ｏ 3 ）を使用する方法
が検討されている。なお、このＢ2 Ｏ3 の使用は、溶融
または結晶化したＧａＡｓ等の化合物から砒素（Ａｓ）
等の揮発性成分の分解および揮発を防止する作用も兼ね
備えている。この方法によれば、容器と結晶との潤滑性
が改善され、多結晶化の防止に効果がある。しかしなが
ら、室温ではＢ2 Ｏ3が固体となるため、結晶とるつぼ
が固着し、パイロリティック・ボロン・ナイトライド
（ｐＢＮ）製るつぼの場合には、ｐＢＮが剥離してるつ
ぼの寿命が低下してしまうという問題があった。
とえば、液体の酸化ホウ素（Ｂ2 Ｏ 3 ）を使用する方法
が検討されている。なお、このＢ2 Ｏ3 の使用は、溶融
または結晶化したＧａＡｓ等の化合物から砒素（Ａｓ）
等の揮発性成分の分解および揮発を防止する作用も兼ね
備えている。この方法によれば、容器と結晶との潤滑性
が改善され、多結晶化の防止に効果がある。しかしなが
ら、室温ではＢ2 Ｏ3が固体となるため、結晶とるつぼ
が固着し、パイロリティック・ボロン・ナイトライド
（ｐＢＮ）製るつぼの場合には、ｐＢＮが剥離してるつ
ぼの寿命が低下してしまうという問題があった。
【００１４】また、たとえば、シリコン（Ｓｉ）ドープ
ＧａＡｓ単結晶の成長においては、ＧａＡｓ融液とＢ2
Ｏ3 の界面において、ドーパントのＳｉとＢ2 Ｏ3 中の
ホウ素（Ｂ）との置換反応が起こるため、Ｓｉドープ量
のばらつきが大きくなるとともに、Ｂ濃度が高くなって
しまうという問題があった。
ＧａＡｓ単結晶の成長においては、ＧａＡｓ融液とＢ2
Ｏ3 の界面において、ドーパントのＳｉとＢ2 Ｏ3 中の
ホウ素（Ｂ）との置換反応が起こるため、Ｓｉドープ量
のばらつきが大きくなるとともに、Ｂ濃度が高くなって
しまうという問題があった。
【００１５】そこで、特開平３−１２２０９７号公報
（以下「先行技術」という）には、このような従来の多
結晶化防止方法を改善する方法が開示されている。
（以下「先行技術」という）には、このような従来の多
結晶化防止方法を改善する方法が開示されている。
【００１６】この先行技術は、Ｂ2 Ｏ3 の代わりにるつ
ぼの内側の面を粉末固体でコートすることを特徴とし、
具体的には、固体の窒化ボロン（ＢＮ）を使用すること
を特徴としている。
ぼの内側の面を粉末固体でコートすることを特徴とし、
具体的には、固体の窒化ボロン（ＢＮ）を使用すること
を特徴としている。
【００１７】この先行技術によれば、液体のＢ2 Ｏ3 を
使用した場合のように結晶とるつぼとが固着することが
ないため、るつぼの長寿命化に効果がある。
使用した場合のように結晶とるつぼとが固着することが
ないため、るつぼの長寿命化に効果がある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先行技
術に開示された条件のみでは、ＢＮ粉末のるつぼへの付
着力は十分なものではなく、ＢＮ粉末をるつぼ内面に均
一に付着させることができないという問題があった。
術に開示された条件のみでは、ＢＮ粉末のるつぼへの付
着力は十分なものではなく、ＢＮ粉末をるつぼ内面に均
一に付着させることができないという問題があった。
【００１９】すなわち、この先行技術によれば、ＢＮ粉
末の施与の方法として、たとえば粉末を乾燥した形でる
つぼ内側表面に振りかける方法、または、たとえば水と
アルコールとの混合物等からなるキャリア液体と粉末固
体とのスラリーをるつぼの内側に施与した後、キャリア
液体を蒸発させる方法がとられている。そのため、ＢＮ
粉末のるつぼへの付着力が小さく、施与したＢＮ粉末が
るつぼから脱落してしまうという問題があった。
末の施与の方法として、たとえば粉末を乾燥した形でる
つぼ内側表面に振りかける方法、または、たとえば水と
アルコールとの混合物等からなるキャリア液体と粉末固
体とのスラリーをるつぼの内側に施与した後、キャリア
液体を蒸発させる方法がとられている。そのため、ＢＮ
粉末のるつぼへの付着力が小さく、施与したＢＮ粉末が
るつぼから脱落してしまうという問題があった。
【００２０】図１４は、先行技術によるＧａＡｓ単結晶
の製造における、るつぼとＧａＡｓ融液との界面の状態
を模式的に示す図である。
の製造における、るつぼとＧａＡｓ融液との界面の状態
を模式的に示す図である。
【００２１】図１４を参照して、先行技術によれば、ｐ
ＢＮるつぼ１表面にＢＮ粉末３が施与されているが、一
部においてＢＮ粉末脱落部分Ａが存在している。このよ
うな粉末脱落部分Ａにおいては、るつぼ１とＧａＡｓ融
液２との濡れが生じ、摩擦力が発生することにより多結
晶化による結晶欠陥が発生するという問題があった。
ＢＮるつぼ１表面にＢＮ粉末３が施与されているが、一
部においてＢＮ粉末脱落部分Ａが存在している。このよ
うな粉末脱落部分Ａにおいては、るつぼ１とＧａＡｓ融
液２との濡れが生じ、摩擦力が発生することにより多結
晶化による結晶欠陥が発生するという問題があった。
【００２２】また、ＢＮ粒子３の粒径が大きい場合に
も、ＧａＡｓ融液２とＢＮ粒子３との濡れが生じ、同様
に結晶欠陥が発生してしまうという問題があった。
も、ＧａＡｓ融液２とＢＮ粒子３との濡れが生じ、同様
に結晶欠陥が発生してしまうという問題があった。
【００２３】この発明の目的は、上述の問題点を解決
し、多結晶化を有効に防止することにより、結晶欠陥の
少ないＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶を
工業的に製造することができる方法を提供することにあ
る。
し、多結晶化を有効に防止することにより、結晶欠陥の
少ないＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶を
工業的に製造することができる方法を提供することにあ
る。
【００２４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によるＩ
Ｉ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法
は、多結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物か
ら、単結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物を
製造する方法であって、るつぼの内側の面を、多結晶の
化合物の融点よりも高い融点を有する粉末固体と、ガラ
ス状物質とからなる被膜で被覆するステップと、被覆さ
れたるつぼ内に多結晶の化合物を配置するステップと、
多結晶の化合物がその中に配置された被覆されたるつぼ
を、加熱手段中に配置するステップと、加熱手段中に配
置されたるつぼを加熱手段により加熱して、るつぼ中で
多結晶の化合物を溶融するステップと、るつぼと溶融し
た化合物とを冷却して、単結晶の化合物を成長させるス
テップとを備えている。
Ｉ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法
は、多結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物か
ら、単結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物を
製造する方法であって、るつぼの内側の面を、多結晶の
化合物の融点よりも高い融点を有する粉末固体と、ガラ
ス状物質とからなる被膜で被覆するステップと、被覆さ
れたるつぼ内に多結晶の化合物を配置するステップと、
多結晶の化合物がその中に配置された被覆されたるつぼ
を、加熱手段中に配置するステップと、加熱手段中に配
置されたるつぼを加熱手段により加熱して、るつぼ中で
多結晶の化合物を溶融するステップと、るつぼと溶融し
た化合物とを冷却して、単結晶の化合物を成長させるス
テップとを備えている。
【００２５】請求項２の発明によるＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、垂直に配置し
たるつぼ中で多結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族
化合物から単結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化
合物を製造する方法であって、るつぼの内側の面を、多
結晶の化合物の融点よりも高い融点を有する粉末固体
と、ガラス状物質とからなる被膜で被覆するステップ
と、単結晶の化合物からなる種結晶をるつぼの底部に配
置するステップと、るつぼの残部に多結晶の化合物を配
置するステップと、種結晶と多結晶の化合物がその中に
配置されたるつぼを、上部の高温域と下部の低温域とを
作ることができる垂直に配置した炉の中に配置するステ
ップと、炉の位置および上部の高温域の温度を調節する
ことにより、るつぼ中で種結晶の一部を固体の状態に保
ちながら多結晶の化合物を溶融するステップと、下部の
低温域の温度を単結晶の化合物の融点未満に設定し、か
つ、上部の高温域の温度を融点よりも高く設定すること
により、固−液界面を作るステップと、下部の低温域お
よび上部の高温域における温度設定を実質的に保持しな
がら、炉および固−液界面を上方に垂直に移動させるこ
とにより、単結晶の化合物を成長させるステップとを備
えている。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、垂直に配置し
たるつぼ中で多結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族
化合物から単結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化
合物を製造する方法であって、るつぼの内側の面を、多
結晶の化合物の融点よりも高い融点を有する粉末固体
と、ガラス状物質とからなる被膜で被覆するステップ
と、単結晶の化合物からなる種結晶をるつぼの底部に配
置するステップと、るつぼの残部に多結晶の化合物を配
置するステップと、種結晶と多結晶の化合物がその中に
配置されたるつぼを、上部の高温域と下部の低温域とを
作ることができる垂直に配置した炉の中に配置するステ
ップと、炉の位置および上部の高温域の温度を調節する
ことにより、るつぼ中で種結晶の一部を固体の状態に保
ちながら多結晶の化合物を溶融するステップと、下部の
低温域の温度を単結晶の化合物の融点未満に設定し、か
つ、上部の高温域の温度を融点よりも高く設定すること
により、固−液界面を作るステップと、下部の低温域お
よび上部の高温域における温度設定を実質的に保持しな
がら、炉および固−液界面を上方に垂直に移動させるこ
とにより、単結晶の化合物を成長させるステップとを備
えている。
【００２６】請求項３の発明によるＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１また
は請求項２の発明において、るつぼの内側の面を粉末固
体とガラス状物質とからなる被膜で被覆するステップ
は、るつぼの内側の面に粉末固体とシラノール化合物と
を含む混合液を施与するステップと、混合液が施与され
たるつぼを真空加熱することにより、るつぼの内側の面
上に粉末固体と酸化シリコンからなるガラス状物質とを
含む被膜を形成するステップとを含んでいる。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１また
は請求項２の発明において、るつぼの内側の面を粉末固
体とガラス状物質とからなる被膜で被覆するステップ
は、るつぼの内側の面に粉末固体とシラノール化合物と
を含む混合液を施与するステップと、混合液が施与され
たるつぼを真空加熱することにより、るつぼの内側の面
上に粉末固体と酸化シリコンからなるガラス状物質とを
含む被膜を形成するステップとを含んでいる。
【００２７】なお、るつぼの内側の面に粉末固体とシラ
ノール化合物とを含む混合液を施与する方法としては、
たとえば、るつぼ内面に混合液を液状態で塗付けしても
よいし、または、るつぼ内面に混合液を噴霧してもよ
い。
ノール化合物とを含む混合液を施与する方法としては、
たとえば、るつぼ内面に混合液を液状態で塗付けしても
よいし、または、るつぼ内面に混合液を噴霧してもよ
い。
【００２８】また、るつぼの内側の面への混合液の施与
は、二度以上の重ね塗付けにより行なわれることが好ま
しい。一度塗付けにより厚い被膜を形成しようとする
と、膜にクラックが入ったり、膜がるつぼから剥離しや
すくなってしまうからである。なお、重ね塗りの際に
は、１層目について一旦焼付けを行なってから、次の層
を形成する必要がある。
は、二度以上の重ね塗付けにより行なわれることが好ま
しい。一度塗付けにより厚い被膜を形成しようとする
と、膜にクラックが入ったり、膜がるつぼから剥離しや
すくなってしまうからである。なお、重ね塗りの際に
は、１層目について一旦焼付けを行なってから、次の層
を形成する必要がある。
【００２９】さらに、るつぼへの混合液施与後の真空加
熱処理は、５００℃以上の温度で１時間以上、より好ま
しくは、１０００℃前後の温度で２〜３時間行なうこと
が好ましい。
熱処理は、５００℃以上の温度で１時間以上、より好ま
しくは、１０００℃前後の温度で２〜３時間行なうこと
が好ましい。
【００３０】なお、真空加熱処理により、塗付けられた
混合液中のシラノールは、加熱重合反応により酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）に変化する。
混合液中のシラノールは、加熱重合反応により酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）に変化する。
【００３１】請求項４の発明によるＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１また
は請求項２の発明において、ガラス状物質は、多結晶の
化合物の融点よりも低い軟化点を有することを特徴とし
ている。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１また
は請求項２の発明において、ガラス状物質は、多結晶の
化合物の融点よりも低い軟化点を有することを特徴とし
ている。
【００３２】請求項５の発明によるＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項４の発
明において、ガラス状物質は三酸化二ホウ素（Ｂ2 Ｏ
3 ）を含んでいる。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項４の発
明において、ガラス状物質は三酸化二ホウ素（Ｂ2 Ｏ
3 ）を含んでいる。
【００３３】請求項６の発明によるＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項４の発
明において、ガラス状物質は三酸化二ホウ素（Ｂ2 Ｏ
3 ）と二酸化硅素（ＳｉＯ2 ）との混合物を含んでい
る。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項４の発
明において、ガラス状物質は三酸化二ホウ素（Ｂ2 Ｏ
3 ）と二酸化硅素（ＳｉＯ2 ）との混合物を含んでい
る。
【００３４】請求項７の発明によるＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１〜請
求項６のいずれかの発明において、粉末固体は窒化ボロ
ンを含んでいる。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１〜請
求項６のいずれかの発明において、粉末固体は窒化ボロ
ンを含んでいる。
【００３５】なお、この発明において、粉末固体として
は、窒化ボロンの他にグラファイト等の潤滑性を有する
物質を用いることもできる。
は、窒化ボロンの他にグラファイト等の潤滑性を有する
物質を用いることもできる。
【００３６】請求項８の発明によるＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項７の発
明において、窒化ボロンの粒径は、平均粒径として０．
０５μｍ以上、１０μｍ以下である。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項７の発
明において、窒化ボロンの粒径は、平均粒径として０．
０５μｍ以上、１０μｍ以下である。
【００３７】平均粒径が１０μｍより大きいと、濡れや
すくなり、結晶欠陥が発生しやすくなるからである。
すくなり、結晶欠陥が発生しやすくなるからである。
【００３８】なお、この明細書において、窒化ボロンの
粒径は、図１６に示すように、たとえば窒化ボロン（Ｂ
Ｎ）の１次粒子１０が集合して２次粒子２０のようにな
っている場合であっても、１次粒子１０の粒径として定
義する。
粒径は、図１６に示すように、たとえば窒化ボロン（Ｂ
Ｎ）の１次粒子１０が集合して２次粒子２０のようにな
っている場合であっても、１次粒子１０の粒径として定
義する。
【００３９】請求項９の発明によるＩＩ−ＶＩ族または
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１〜請
求項８のいずれかの発明において、被覆される前のるつ
ぼの内側の面は、所定の表面粗さを有している。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１〜請
求項８のいずれかの発明において、被覆される前のるつ
ぼの内側の面は、所定の表面粗さを有している。
【００４０】請求項１０の発明によるＩＩ−ＶＩ族また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項９の
発明において、所定の表面粗さは、最大高さＲmax が１
０〜１５０μｍであり、中心線平均粗さＲa が３〜１５
μｍである。
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項９の
発明において、所定の表面粗さは、最大高さＲmax が１
０〜１５０μｍであり、中心線平均粗さＲa が３〜１５
μｍである。
【００４１】ここで、「最大高さＲmax 」とは、断面曲
線からその平均線の方向に評価長さＬｍの部分を抜取
り、平均線に平行な２直線でその断面曲線を挟んだと
き、この２直線の間隔を縦倍率の方向に測定した値をい
う。
線からその平均線の方向に評価長さＬｍの部分を抜取
り、平均線に平行な２直線でその断面曲線を挟んだと
き、この２直線の間隔を縦倍率の方向に測定した値をい
う。
【００４２】なお、「断面曲線」とは、測定面の平均表
面に直角な平面で測定面を切断したとき、その切り口に
現れる輪郭をいう。また、「平均線」とは、断面曲線の
抜取り部分において、被測定面の幾何学的形状を持つ直
線で、かつその線から断面曲線までの偏差の自乗和が最
小になるように設定した線をいう。
面に直角な平面で測定面を切断したとき、その切り口に
現れる輪郭をいう。また、「平均線」とは、断面曲線の
抜取り部分において、被測定面の幾何学的形状を持つ直
線で、かつその線から断面曲線までの偏差の自乗和が最
小になるように設定した線をいう。
【００４３】また、「中心線平均粗さＲa 」とは、粗さ
曲線からその中心線の方向に、評価長さＬｍを抜取り、
この抜取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ軸と
し、粗さ曲線をＹ（ｘ）で表わしたとき、以下の式によ
って求められる値をいう。
曲線からその中心線の方向に、評価長さＬｍを抜取り、
この抜取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ軸と
し、粗さ曲線をＹ（ｘ）で表わしたとき、以下の式によ
って求められる値をいう。
【００４４】
【数１】
【００４５】なお、「粗さ曲線」とは、断面曲線から低
周波成分を除去するような特性を持つ測定方法で求めら
れた曲線をいう。また、「中心線」とは、粗さ曲線の平
均線に平行な直線を引いたとき、この直線と粗さ曲線で
囲まれる面積が、この直線の両側で等しくなる直線をい
う。
周波成分を除去するような特性を持つ測定方法で求めら
れた曲線をいう。また、「中心線」とは、粗さ曲線の平
均線に平行な直線を引いたとき、この直線と粗さ曲線で
囲まれる面積が、この直線の両側で等しくなる直線をい
う。
【００４６】以上の表面粗さの指標は、いずれもＪＩＳ
Ｂ０６０１−１９７６にしたがっている。
Ｂ０６０１−１９７６にしたがっている。
【００４７】このようなるつぼ内表面粗さを有すること
により、被膜のるつぼへの付着力が向上する。
により、被膜のるつぼへの付着力が向上する。
【００４８】請求項１１の発明によるＩＩ−ＶＩ族また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項２の
発明において、るつぼの底部に配置する前に、種結晶の
外表面を粉末固体とガラス状物質とからなる被膜で被覆
するステップをさらに備えている。
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項２の
発明において、るつぼの底部に配置する前に、種結晶の
外表面を粉末固体とガラス状物質とからなる被膜で被覆
するステップをさらに備えている。
【００４９】なお、被覆する方法は、るつぼ内面に被膜
を形成する場合と同様に、粉末固体とシラノール化合物
とを含む混合液を種結晶外表面に施与した後、真空加熱
するとよい。ただし、真空加熱の際には、種結晶の分解
劣化を防ぐため、５００〜６００℃程度の温度で行なう
ことが好ましい。このように種結晶外表面に被膜を形成
することにより、種結晶をるつぼ底部に配置した際、る
つぼと種結晶との間に隙間ができないため、隙間に浸入
した原料融液がるつぼ壁面から固化して多結晶化するの
が防止される。
を形成する場合と同様に、粉末固体とシラノール化合物
とを含む混合液を種結晶外表面に施与した後、真空加熱
するとよい。ただし、真空加熱の際には、種結晶の分解
劣化を防ぐため、５００〜６００℃程度の温度で行なう
ことが好ましい。このように種結晶外表面に被膜を形成
することにより、種結晶をるつぼ底部に配置した際、る
つぼと種結晶との間に隙間ができないため、隙間に浸入
した原料融液がるつぼ壁面から固化して多結晶化するの
が防止される。
【００５０】請求項１２の発明によるＩＩ−ＶＩ族また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１１
の発明において、るつぼの底部に種結晶を配置した後、
るつぼと種結晶との隙間を、粉末固体とガラス状物質と
からなる被膜で被覆するステップをさらに備えている。
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１１
の発明において、るつぼの底部に種結晶を配置した後、
るつぼと種結晶との隙間を、粉末固体とガラス状物質と
からなる被膜で被覆するステップをさらに備えている。
【００５１】なお、被覆する方法は、るつぼ内面に被膜
を形成する場合と同様に、粉末固体とシラノール化合物
とを含む混合液をるつぼと種結晶との隙間に施与した
後、真空加熱するとよい。ただし、真空加熱の際には、
種結晶の分解劣化を防ぐため、５００〜６００℃程度の
温度で行なうことが好ましい。このように、るつぼと種
結晶との隙間に被膜を形成することにより、種結晶をる
つぼ底部に配置した際、るつぼと種結晶との間の隙間が
完全に塞がれるため、隙間に浸入した原料融液が固化し
て多結晶化するのが防止される。
を形成する場合と同様に、粉末固体とシラノール化合物
とを含む混合液をるつぼと種結晶との隙間に施与した
後、真空加熱するとよい。ただし、真空加熱の際には、
種結晶の分解劣化を防ぐため、５００〜６００℃程度の
温度で行なうことが好ましい。このように、るつぼと種
結晶との隙間に被膜を形成することにより、種結晶をる
つぼ底部に配置した際、るつぼと種結晶との間の隙間が
完全に塞がれるため、隙間に浸入した原料融液が固化し
て多結晶化するのが防止される。
【００５２】請求項１３の発明によるＩＩ−ＶＩ族また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１〜
請求項１２のいずれかの発明において、ＩＩ−ＶＩ族ま
たはＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ヒ化ガリウムを含んでい
る。
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、請求項１〜
請求項１２のいずれかの発明において、ＩＩ−ＶＩ族ま
たはＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ヒ化ガリウムを含んでい
る。
【００５３】なお、本発明における化合物としては、ヒ
化ガリウム（ＧａＡｓ）の他、たとえばＩｎＰ、ＧａＰ
等のＩＩＩ−Ｖ族化合物や、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物等も挙げられる。
化ガリウム（ＧａＡｓ）の他、たとえばＩｎＰ、ＧａＰ
等のＩＩＩ−Ｖ族化合物や、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物等も挙げられる。
【００５４】請求項１４の発明によるＩＩ−ＶＩ族また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、多結晶のＩ
Ｉ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物から、単結晶のＩ
Ｉ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物を製造する方法で
あって、るつぼの内側の面を、ガラス状物質からなるバ
インダを介して、多結晶の化合物の融点よりも高い融点
を有する粉末固体で被覆するステップと、被覆されたる
つぼ内に多結晶の化合物を配置するステップと、多結晶
の化合物がその中に配置された前記被覆されたるつぼを
加熱手段中に配置するステップと、加熱手段中に配置さ
れたるつぼを前記加熱手段により加熱して、るつぼ中で
多結晶の化合物を溶融するステップと、るつぼと溶融し
た化合物とを冷却して単結晶の化合物を成長させるステ
ップとを備えている。
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法は、多結晶のＩ
Ｉ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物から、単結晶のＩ
Ｉ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物を製造する方法で
あって、るつぼの内側の面を、ガラス状物質からなるバ
インダを介して、多結晶の化合物の融点よりも高い融点
を有する粉末固体で被覆するステップと、被覆されたる
つぼ内に多結晶の化合物を配置するステップと、多結晶
の化合物がその中に配置された前記被覆されたるつぼを
加熱手段中に配置するステップと、加熱手段中に配置さ
れたるつぼを前記加熱手段により加熱して、るつぼ中で
多結晶の化合物を溶融するステップと、るつぼと溶融し
た化合物とを冷却して単結晶の化合物を成長させるステ
ップとを備えている。
【００５５】この発明によれば、るつぼの内側の面が、
粉末固体とガラス状物質とからなる被膜で被覆されてい
る。
粉末固体とガラス状物質とからなる被膜で被覆されてい
る。
【００５６】図１３は、粉末固体３とガラス状物質１３
とからなる被膜により内面が被覆されたるつぼ１と、原
料融液２との界面の状態を模式的に示す図である。
とからなる被膜により内面が被覆されたるつぼ１と、原
料融液２との界面の状態を模式的に示す図である。
【００５７】図１３を参照して、本発明によれば、各粉
末固体３間に位置するガラス状物質１３ａおよび粉末固
体３とるつぼ１との間に位置するガラス状物質１３ｂ
が、バインダとして作用するため、被膜のるつぼへの高
い付着力が得られる。そのため、従来のように、被膜が
るつぼから剥離する恐れがない。その結果、粉末固体３
は、潤滑剤としての効果を十分に発揮することができ
る。
末固体３間に位置するガラス状物質１３ａおよび粉末固
体３とるつぼ１との間に位置するガラス状物質１３ｂ
が、バインダとして作用するため、被膜のるつぼへの高
い付着力が得られる。そのため、従来のように、被膜が
るつぼから剥離する恐れがない。その結果、粉末固体３
は、潤滑剤としての効果を十分に発揮することができ
る。
【００５８】また、本発明によれば、粉末固体３は、そ
の表面がガラス状物質１３ｃにより被覆されている。Ｓ
ｉＯ2 等のガラス状物質１３は、ＢＮ等の粉末固体３よ
りＧａＡｓ融液等の原料融液２と濡れにくい。そのた
め、濡れによる結晶欠陥の発生を有効に防止することが
できる。
の表面がガラス状物質１３ｃにより被覆されている。Ｓ
ｉＯ2 等のガラス状物質１３は、ＢＮ等の粉末固体３よ
りＧａＡｓ融液等の原料融液２と濡れにくい。そのた
め、濡れによる結晶欠陥の発生を有効に防止することが
できる。
【００５９】
【実施例】図１は、ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化
合物単結晶の製造工程の一例を示す図である。
合物単結晶の製造工程の一例を示す図である。
【００６０】以下、図１に示す各工程についてそれぞれ
説明する。 （１） 原料前処理工程 まず、ボート法で合成したＧａＡｓ多結晶からなる原料
の面取りを行なった。これは、原料のエッジによってる
つぼ内面に形成された被膜が剥離されるのを防止するた
めである。
説明する。 （１） 原料前処理工程 まず、ボート法で合成したＧａＡｓ多結晶からなる原料
の面取りを行なった。これは、原料のエッジによってる
つぼ内面に形成された被膜が剥離されるのを防止するた
めである。
【００６１】一方、ＧａＡｓ単結晶からなる種結晶（シ
ード）についても、多結晶原料と同様に面取りを行なっ
た。これは、シードをるつぼ底部に挿入する際、るつぼ
内面に形成された被膜が剥離されるのを防止するための
である。
ード）についても、多結晶原料と同様に面取りを行なっ
た。これは、シードをるつぼ底部に挿入する際、るつぼ
内面に形成された被膜が剥離されるのを防止するための
である。
【００６２】続いて、上述の処理を行なった多結晶原料
およびシードについて、その表面の不純物を除去するた
めにエッチングを行なった。なお、エッチング条件は、
以下に示すように通常の条件を用いた。
およびシードについて、その表面の不純物を除去するた
めにエッチングを行なった。なお、エッチング条件は、
以下に示すように通常の条件を用いた。
【００６３】 エッチング条件例１（硫酸系エッチン
グ液使用の場合） エッチング液組成；硫酸：過酸化水素：水＝３：１：１ エッチング液の温度；６０℃ エッチング時間；多結晶原料については２０分前後、シ
ードについては１〜２分 エッチング条件例２（王水使用の場合） エッチング液組成；硝酸：塩酸＝１：３ エッチング液の温度；室温 エッチング時間；多結晶原料については２０分前後、シ
ードについては８分前後 （２） るつぼ前処理工程 （例１）図２は、るつぼ前処理工程の一例を示す図であ
る。
グ液使用の場合） エッチング液組成；硫酸：過酸化水素：水＝３：１：１ エッチング液の温度；６０℃ エッチング時間；多結晶原料については２０分前後、シ
ードについては１〜２分 エッチング条件例２（王水使用の場合） エッチング液組成；硝酸：塩酸＝１：３ エッチング液の温度；室温 エッチング時間；多結晶原料については２０分前後、シ
ードについては８分前後 （２） るつぼ前処理工程 （例１）図２は、るつぼ前処理工程の一例を示す図であ
る。
【００６４】以下、図２を参照して、るつぼ前処理工程
について説明する。 （ａ） 混合液の作製 ＢＮ粉末として、平均粒径１０μｍ以下のものを使用し
た。また、この粒子の酸素濃度は３％以下であった。な
お、粒子の酸素濃度は、低い方がドーパントと反応しに
くいためより好ましい。
について説明する。 （ａ） 混合液の作製 ＢＮ粉末として、平均粒径１０μｍ以下のものを使用し
た。また、この粒子の酸素濃度は３％以下であった。な
お、粒子の酸素濃度は、低い方がドーパントと反応しに
くいためより好ましい。
【００６５】シラノール化合物としては、東京応化製Ｏ
ＣＤを用いた。このＯＣＤは、シラノール化合物と溶剤
とからなる液体である。
ＣＤを用いた。このＯＣＤは、シラノール化合物と溶剤
とからなる液体である。
【００６６】今回の実験においては、無機系Ｔｙｐｅ２
（Ｓｉ（ＯＨ）4 ：５．９ｗｔ％含有，溶剤：酢酸エチ
ル）と、有機系Ｔｙｐｅ７（ＲｎＳｉ（ＯＨ）4-n ；Ｒ
はアルキル基を示す。：１２ｗｔ％含有，溶剤：メタノ
ール）の２種を使用した。Ｔｙｐｅ２、Ｔｙｐｅ７とも
に、２０ｗｔ％の濃度のものまで使用可能であった。
（Ｓｉ（ＯＨ）4 ：５．９ｗｔ％含有，溶剤：酢酸エチ
ル）と、有機系Ｔｙｐｅ７（ＲｎＳｉ（ＯＨ）4-n ；Ｒ
はアルキル基を示す。：１２ｗｔ％含有，溶剤：メタノ
ール）の２種を使用した。Ｔｙｐｅ２、Ｔｙｐｅ７とも
に、２０ｗｔ％の濃度のものまで使用可能であった。
【００６７】このようなＢＮ粒子およびシラノール化合
物を用いて、以下のように混合液を混合した。
物を用いて、以下のように混合液を混合した。
【００６８】 混合液を液状態で使用（液塗付け）す
る場合
る場合
【００６９】
【表１】
【００７０】 混合液を噴霧して使用（スプレー）す
る場合
る場合
【００７１】
【表２】
【００７２】表２に示すように、スプレーにより混合液
を施与する場合には、アセトンを混合することが好まし
い。
を施与する場合には、アセトンを混合することが好まし
い。
【００７３】このようにアセトンを混合する第１の理由
は、スプレー塗付性の向上にある。ＯＣＤの溶剤である
酢酸エチルまたはメタノールは揮発性が低いため、連続
して塗付けすると液状になり、乾燥後割れたりまだらに
なりやすい。また、ＯＣＤは粘度が高いため、スプレー
粒子が細かい霧になりにくく、均一な膜を形成すること
が難しい。そこで、このようにアセトンを混合すること
により、揮発性がよく、液状になりにくいという効果が
得られる。また、細かい霧状になるため、均一な膜が得
られるという効果も得られる。
は、スプレー塗付性の向上にある。ＯＣＤの溶剤である
酢酸エチルまたはメタノールは揮発性が低いため、連続
して塗付けすると液状になり、乾燥後割れたりまだらに
なりやすい。また、ＯＣＤは粘度が高いため、スプレー
粒子が細かい霧になりにくく、均一な膜を形成すること
が難しい。そこで、このようにアセトンを混合すること
により、揮発性がよく、液状になりにくいという効果が
得られる。また、細かい霧状になるため、均一な膜が得
られるという効果も得られる。
【００７４】さらに、アセトンを混合する第２の理由
は、膜の内部歪み低減にある。ＯＣＤ比率が高いと、Ｇ
ａＡｓ融液には濡れにくいが、膜が硬くなり、内部歪み
が大きくなる。内部歪みの大きい膜は、割れたり、クラ
ックが入ったりして剥離しやすい。そこで、このように
アセトンを混合することにより、ＯＣＤ濃度が低くなる
ため、膜の内部歪みが小さくなり、クラックや剥離が起
こりにくくなるという効果が得られる。
は、膜の内部歪み低減にある。ＯＣＤ比率が高いと、Ｇ
ａＡｓ融液には濡れにくいが、膜が硬くなり、内部歪み
が大きくなる。内部歪みの大きい膜は、割れたり、クラ
ックが入ったりして剥離しやすい。そこで、このように
アセトンを混合することにより、ＯＣＤ濃度が低くなる
ため、膜の内部歪みが小さくなり、クラックや剥離が起
こりにくくなるという効果が得られる。
【００７５】なお、混合液において、ＢＮ粉末の粒子径
およびアセトン混合比について検討を行なった結果を、
以下の表３および表４に併せて示す。表３および表４に
おいて「欠陥」とは、転位または多結晶等の発生をい
う。
およびアセトン混合比について検討を行なった結果を、
以下の表３および表４に併せて示す。表３および表４に
おいて「欠陥」とは、転位または多結晶等の発生をい
う。
【００７６】
【表３】
【００７７】
【表４】
【００７８】（ｂ） るつぼへの混合液の施与 るつぼへの混合液の施与は、るつぼ内面に混合液を液状
態で塗付け（液塗付け）するか、または、混合液を噴霧
（スプレー）する方法により行なうことができる。
態で塗付け（液塗付け）するか、または、混合液を噴霧
（スプレー）する方法により行なうことができる。
【００７９】図３は、混合液をスプレーしてるつぼに施
与する状態を示す図である。図３を参照して、ｐＢＮる
つぼ１に噴霧器６を用いて混合液５をスプレー塗付けす
る際には、ハンドヒータ４により、るつぼを５０〜１５
０℃に加熱しながら行なうとよい。スプレー塗付けした
混合液中の溶剤を早く乾燥させて、混合液が垂れ落ちる
のを防ぐことができるからである。
与する状態を示す図である。図３を参照して、ｐＢＮる
つぼ１に噴霧器６を用いて混合液５をスプレー塗付けす
る際には、ハンドヒータ４により、るつぼを５０〜１５
０℃に加熱しながら行なうとよい。スプレー塗付けした
混合液中の溶剤を早く乾燥させて、混合液が垂れ落ちる
のを防ぐことができるからである。
【００８０】また、スプレー塗付けの際に、るつぼ上方
の開口部１ａからスプレーすると、噴霧液がるつぼ壁で
はね返されるため、るつぼ下部のシード設置部１ｃおよ
びテーパ部１ｂに混合液５が付着しにくい。そこで、シ
ード設置部１ｃ側から吸引を行なうことにより、テーパ
部１ｂおよびシード設置部１ｃへの混合液５の付着が改
善される。
の開口部１ａからスプレーすると、噴霧液がるつぼ壁で
はね返されるため、るつぼ下部のシード設置部１ｃおよ
びテーパ部１ｂに混合液５が付着しにくい。そこで、シ
ード設置部１ｃ側から吸引を行なうことにより、テーパ
部１ｂおよびシード設置部１ｃへの混合液５の付着が改
善される。
【００８１】図５は、本発明に用いられるるつぼの一例
を示す断面図である。図５を参照して、このるつぼ１
は、その内部表面に細かい凹凸が形成されている。この
ようなるつぼを用いることにより、るつぼの内側の面に
形成された被膜が剥離しにくくなるという効果が得られ
る。なお、表面凹凸の大きさとしては、たとえば、最大
高さＲmax が１０〜１５０μｍであり、中心線平均粗さ
Ｒa が３〜１５μｍのものが用いられるとよい。
を示す断面図である。図５を参照して、このるつぼ１
は、その内部表面に細かい凹凸が形成されている。この
ようなるつぼを用いることにより、るつぼの内側の面に
形成された被膜が剥離しにくくなるという効果が得られ
る。なお、表面凹凸の大きさとしては、たとえば、最大
高さＲmax が１０〜１５０μｍであり、中心線平均粗さ
Ｒa が３〜１５μｍのものが用いられるとよい。
【００８２】さらに、るつぼ内面に混合液を施与する際
には、一度に厚く塗付けると、被膜にクラックが入った
り、被膜が剥離しやすくなる。そこで、るつぼへの混合
液の塗付けは、二度以上に分けて行なうことが好まし
い。
には、一度に厚く塗付けると、被膜にクラックが入った
り、被膜が剥離しやすくなる。そこで、るつぼへの混合
液の塗付けは、二度以上に分けて行なうことが好まし
い。
【００８３】たとえば、一度の塗付けで好ましい膜の厚
さは、液塗付けの場合は５０〜５００μｍであり、一
方、スプレーの場合は５０〜１０００μｍである。した
がって、二度塗付けを行なう際には、たとえば、表５に
示すような４種類の塗付け方法が考えられる。
さは、液塗付けの場合は５０〜５００μｍであり、一
方、スプレーの場合は５０〜１０００μｍである。した
がって、二度塗付けを行なう際には、たとえば、表５に
示すような４種類の塗付け方法が考えられる。
【００８４】
【表５】
【００８５】なお、二度以上の重ね塗付けを行なう際に
は、二度目の塗付けを行なう前に、一度目の塗付けによ
る膜に対して一旦１０００℃程度の加熱処理を行なうこ
とが好ましい。この加熱処理により、一度目の塗付けに
よる膜の強度が高くなり、その後に重ね塗付けをした際
にも膜が割れることがないからである。
は、二度目の塗付けを行なう前に、一度目の塗付けによ
る膜に対して一旦１０００℃程度の加熱処理を行なうこ
とが好ましい。この加熱処理により、一度目の塗付けに
よる膜の強度が高くなり、その後に重ね塗付けをした際
にも膜が割れることがないからである。
【００８６】（ｃ） シードへの混合液の施与 シードへの混合液の施与は、シードを混合液中に浸漬
（液付け）するか、または、混合液をシード外表面に噴
霧（スプレー）する方法により行なうことができる。
（液付け）するか、または、混合液をシード外表面に噴
霧（スプレー）する方法により行なうことができる。
【００８７】なお、液付けの場合は、たとえば表１に示
す混合液混合例１の混合液の使用が好ましく、一方、ス
プレーの場合は、たとえば表２に示す混合液混合例２の
使用が好ましい。
す混合液混合例１の混合液の使用が好ましく、一方、ス
プレーの場合は、たとえば表２に示す混合液混合例２の
使用が好ましい。
【００８８】このようにシードに被膜を形成するのは、
以下のような理由による。すなわち、シードとるつぼと
の間にＧａＡｓ融液が浸入すると、シード側からではな
く、るつぼ壁面側から融液が固化し、多結晶化する恐れ
がある。そこで、このようにシードに被膜を形成するこ
とにより、シードとるつぼとの間に隙間が生じるのを防
ぎ、ＧａＡｓ融液の浸入を防止することができるからで
ある。
以下のような理由による。すなわち、シードとるつぼと
の間にＧａＡｓ融液が浸入すると、シード側からではな
く、るつぼ壁面側から融液が固化し、多結晶化する恐れ
がある。そこで、このようにシードに被膜を形成するこ
とにより、シードとるつぼとの間に隙間が生じるのを防
ぎ、ＧａＡｓ融液の浸入を防止することができるからで
ある。
【００８９】図６は、シードを混合液中に浸漬してシー
ドに混合液を施与する状態を示す図である。
ドに混合液を施与する状態を示す図である。
【００９０】図６を参照して、シード７のうち、先端部
７ａを除く部分を混合液５中に浸漬し、るつぼ底部に設
置する際には、この先端部７ａから挿入するとよい。
７ａを除く部分を混合液５中に浸漬し、るつぼ底部に設
置する際には、この先端部７ａから挿入するとよい。
【００９１】（ｄ） るつぼおよびシードの真空加熱 無機系ＯＣＤは、真空中で加熱することにより、加熱重
合反応により、Ｓｉ（ＯＨ）4 から水が除去されて、Ｓ
ｉＯ2 （石英ガラス）になる。
合反応により、Ｓｉ（ＯＨ）4 から水が除去されて、Ｓ
ｉＯ2 （石英ガラス）になる。
【００９２】一方、有機系ＯＣＤを真空中で加熱した場
合には、ＳｉＯ2 以外に、微量ながらグラファイトが残
存する。このグラファイトはＧａＡｓ融液と濡れやすい
ため、濡れによる結晶欠陥（転位）の発生を引き起こす
可能性がある。
合には、ＳｉＯ2 以外に、微量ながらグラファイトが残
存する。このグラファイトはＧａＡｓ融液と濡れやすい
ため、濡れによる結晶欠陥（転位）の発生を引き起こす
可能性がある。
【００９３】以下、表６に、るつぼおよびシードの好ま
しい真空加熱条件を示す。
しい真空加熱条件を示す。
【００９４】
【表６】
【００９５】なお、加熱温度は、５００℃以上であれば
ＳｉＯ2 の生成に問題はない。ただし、ｐＢＮるつぼ
は、たとえば１５００℃程度の高温での加熱も可能であ
るが、ＧａＡｓシードは、ＧａＡｓの分解劣化を防ぐた
めに、５００〜６００℃での加熱が適当であると考えら
れる。
ＳｉＯ2 の生成に問題はない。ただし、ｐＢＮるつぼ
は、たとえば１５００℃程度の高温での加熱も可能であ
るが、ＧａＡｓシードは、ＧａＡｓの分解劣化を防ぐた
めに、５００〜６００℃での加熱が適当であると考えら
れる。
【００９６】また、真空度については、ＳｉＯ2 の生成
に特に影響を及ぼすものではなく、水を除去することさ
えできれば、たとえば窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）
等のガス気流中でもよいと考えられる。
に特に影響を及ぼすものではなく、水を除去することさ
えできれば、たとえば窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）
等のガス気流中でもよいと考えられる。
【００９７】図４は、混合液を施与したるつぼを真空加
熱する状態を示す図である。図４を参照して、混合液５
を施与したるつぼ１を石英容器８内に配置し、真空ポン
プで石英容器８内を真空状態にしながら、外部からヒー
タ１４により加熱を行なう。
熱する状態を示す図である。図４を参照して、混合液５
を施与したるつぼ１を石英容器８内に配置し、真空ポン
プで石英容器８内を真空状態にしながら、外部からヒー
タ１４により加熱を行なう。
【００９８】また、図７は、混合液を施与したシードを
真空加熱する状態を示す図である。図７を参照して、混
合液５を施与したシード７を、真空中でヒータ２４によ
り加熱処理する。
真空加熱する状態を示す図である。図７を参照して、混
合液５を施与したシード７を、真空中でヒータ２４によ
り加熱処理する。
【００９９】このような真空加熱処理により、るつぼ内
面とシード外表面には、ＢＮ粉末とＳｉＯ2 とからなる
被膜が形成される。
面とシード外表面には、ＢＮ粉末とＳｉＯ2 とからなる
被膜が形成される。
【０１００】（ｅ） シード取付け 上述のようにして外表面に被膜を形成したシードを、内
面に被膜が形成されたるつぼ内に挿入し、るつぼ底部に
配置する。
面に被膜が形成されたるつぼ内に挿入し、るつぼ底部に
配置する。
【０１０１】このとき、シード先端部にエッジがある
と、るつぼの内面に形成された被膜を剥離してしまうの
で、シードは面取りをした側からるつぼ内へ挿入するこ
とが好ましい。
と、るつぼの内面に形成された被膜を剥離してしまうの
で、シードは面取りをした側からるつぼ内へ挿入するこ
とが好ましい。
【０１０２】また、シード取付け後は、るつぼからシー
ドが落ちないように、るつぼの底部にＢＮまたはｐＢＮ
製のキャップまたは栓３１を取付けるのが好ましい。
ドが落ちないように、るつぼの底部にＢＮまたはｐＢＮ
製のキャップまたは栓３１を取付けるのが好ましい。
【０１０３】（ｆ） るつぼとシードの隙間充填 上述のようにシードをるつぼ底部に取付けた際には、る
つぼとシードとの間に隙間ができることがある。この隙
間にＧａＡｓ融液が浸入すると、その部分から固化が始
まり、多結晶化する恐れがある。
つぼとシードとの間に隙間ができることがある。この隙
間にＧａＡｓ融液が浸入すると、その部分から固化が始
まり、多結晶化する恐れがある。
【０１０４】そこで、以下のように、るつぼとシードと
の隙間を充填することが好ましい。まず、るつぼとシー
ドとの隙間に、混合液を施与する。混合液の施与は、隙
間に混合液をスポイトで滴下して充填するか、または、
混合液を隙間に噴霧（スプレー）する方法により行なう
ことができる。スプレーによる場合は、施与後にシード
上端面に付着した混合液を拭取ることが必要である。ま
た、スプレー前に予め、混合液が付着しないようにシー
ド上端面をマスキングしておいてもよい。
の隙間を充填することが好ましい。まず、るつぼとシー
ドとの隙間に、混合液を施与する。混合液の施与は、隙
間に混合液をスポイトで滴下して充填するか、または、
混合液を隙間に噴霧（スプレー）する方法により行なう
ことができる。スプレーによる場合は、施与後にシード
上端面に付着した混合液を拭取ることが必要である。ま
た、スプレー前に予め、混合液が付着しないようにシー
ド上端面をマスキングしておいてもよい。
【０１０５】なお、滴下充填の場合は、たとえば表１に
示す混合液混合例１の混合液の使用が好ましく、一方、
スプレーの場合は、たとえば表２に示す混合液混合例２
の使用が好ましい。
示す混合液混合例１の混合液の使用が好ましく、一方、
スプレーの場合は、たとえば表２に示す混合液混合例２
の使用が好ましい。
【０１０６】図８は、るつぼとシードとの隙間が充填さ
れた状態を示す断面図であり、図９は、図８のＩＸ部分
の部分拡大断面図である。
れた状態を示す断面図であり、図９は、図８のＩＸ部分
の部分拡大断面図である。
【０１０７】図８および図９を参照して、被膜１５がそ
の内面に形成されたるつぼ１と、被膜７５がその外表面
に形成されたシード７との隙間９に、混合液５が充填さ
れている。
の内面に形成されたるつぼ１と、被膜７５がその外表面
に形成されたシード７との隙間９に、混合液５が充填さ
れている。
【０１０８】（ｇ） 真空加熱 次に、充填した混合液を加熱重合させるため、真空加熱
処理を行なう。真空加熱条件の一例としては、シードに
ダメージを与えない温度である５００〜６００℃の温度
で２〜３時間の加熱を、真空度１０-6〜１０-8Ｔｏｒｒ
の雰囲気下で行なうとよい。
処理を行なう。真空加熱条件の一例としては、シードに
ダメージを与えない温度である５００〜６００℃の温度
で２〜３時間の加熱を、真空度１０-6〜１０-8Ｔｏｒｒ
の雰囲気下で行なうとよい。
【０１０９】このような真空加熱処理により、るつぼと
シードとの隙間には、ＢＮ粉末とＳｉＯ2 とからなる被
膜が形成される。
シードとの隙間には、ＢＮ粉末とＳｉＯ2 とからなる被
膜が形成される。
【０１１０】（例２）上述の例１においては、るつぼ内
面およびシード外表面を被覆する被膜が、粉末固体とし
てのＢＮと、ガラス状物質としてのＳｉＯ2 のみとから
なる場合について説明したが、ガラス状物質としてＳｉ
Ｏ2 のみを使用した場合には、ＧａＡｓの融点において
軟化しない。
面およびシード外表面を被覆する被膜が、粉末固体とし
てのＢＮと、ガラス状物質としてのＳｉＯ2 のみとから
なる場合について説明したが、ガラス状物質としてＳｉ
Ｏ2 のみを使用した場合には、ＧａＡｓの融点において
軟化しない。
【０１１１】しかしながら、たとえば、ガラス状物質と
して、Ｂ2 Ｏ3 またはＢ2 Ｏ3とＳｉＯ2 との混合
物を使用した場合には、ＧａＡｓの融点において軟化が
生じる。その結果、バインダとしてのガラス状物質が潤
滑剤としてのＢＮ粒子の動きを阻害することがないた
め、本発明におけるＢＮ粉末粒子の潤滑剤としての効果
を、さらに高めることができる。
して、Ｂ2 Ｏ3 またはＢ2 Ｏ3とＳｉＯ2 との混合
物を使用した場合には、ＧａＡｓの融点において軟化が
生じる。その結果、バインダとしてのガラス状物質が潤
滑剤としてのＢＮ粒子の動きを阻害することがないた
め、本発明におけるＢＮ粉末粒子の潤滑剤としての効果
を、さらに高めることができる。
【０１１２】そこで、以下、ガラス状物質としてＢ2
Ｏ3 またはＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物を使用した
場合について、被膜の形成方法およびその効果について
説明する。
Ｏ3 またはＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物を使用した
場合について、被膜の形成方法およびその効果について
説明する。
【０１１３】 ガラス状物質としてＢ2 Ｏ3 を使用し
た場合 （ａ） 被膜の形成方法 （方法１）まず、るつぼの内側の面に、ＢＮ粉末を施与
する。次に、このようにＢＮ粉末が施与されたるつぼ
を、酸素（Ｏ2 ）ガス、またはＯ2 混合ガス雰囲気下
で、９００℃〜１２００℃の温度で加熱する。すると、
ＢＮ粉末の表面が、下記に示す式（１）の反応に従い酸
化される。
た場合 （ａ） 被膜の形成方法 （方法１）まず、るつぼの内側の面に、ＢＮ粉末を施与
する。次に、このようにＢＮ粉末が施与されたるつぼ
を、酸素（Ｏ2 ）ガス、またはＯ2 混合ガス雰囲気下
で、９００℃〜１２００℃の温度で加熱する。すると、
ＢＮ粉末の表面が、下記に示す式（１）の反応に従い酸
化される。
【０１１４】 ４ＢＮ＋３Ｏ2 →２Ｂ2 Ｏ3 ＋２Ｎ2 … （１） その結果、るつぼの内側の面に、ＢＮ粉末とＢ2 Ｏ3 と
からなる被膜が形成される。
からなる被膜が形成される。
【０１１５】（方法２）まず、ＢＮ粉末とホウ酸（Ｈ3
ＢＯ3 ）粉末とを混合した後、さらに、水またはアルコ
ール等の溶媒と混合して、混合液を作製する。次に、こ
のようにして作製した混合液を、るつぼの内側の面また
はシードの外表面に塗布する。続いて、このように混合
液が塗布されたるつぼを、窒素（Ｎ2 ）ガス、アルゴン
（Ａｒ）ガスまたはＯ2 ガス雰囲気下で、３００℃〜１
２００℃の温度で熱処理する。一方、混合液が塗布され
たシードについては、Ｎ2 ガスまたはＡｒガス雰囲気下
で、３００℃〜６００℃の温度で熱処理する。
ＢＯ3 ）粉末とを混合した後、さらに、水またはアルコ
ール等の溶媒と混合して、混合液を作製する。次に、こ
のようにして作製した混合液を、るつぼの内側の面また
はシードの外表面に塗布する。続いて、このように混合
液が塗布されたるつぼを、窒素（Ｎ2 ）ガス、アルゴン
（Ａｒ）ガスまたはＯ2 ガス雰囲気下で、３００℃〜１
２００℃の温度で熱処理する。一方、混合液が塗布され
たシードについては、Ｎ2 ガスまたはＡｒガス雰囲気下
で、３００℃〜６００℃の温度で熱処理する。
【０１１６】その結果、るつぼの内側の面またはシード
の外表面に、ＢＮ粉末粒子とＢ2 Ｏ 3 とからなる被膜が
形成される。
の外表面に、ＢＮ粉末粒子とＢ2 Ｏ 3 とからなる被膜が
形成される。
【０１１７】（方法３）まず、ＢＮ粉末と酸化ホウ素
（Ｂ2 Ｏ3 ）粉末とを混合した後、さらに、水またはア
ルコール等の溶媒と混合して、混合液を作製する。な
お、混合液作製の際には、Ｂ2 Ｏ3 粉末を予め水または
アルコール等の溶媒に溶かした後、さらにＢＮ粉末と混
合してもよい。
（Ｂ2 Ｏ3 ）粉末とを混合した後、さらに、水またはア
ルコール等の溶媒と混合して、混合液を作製する。な
お、混合液作製の際には、Ｂ2 Ｏ3 粉末を予め水または
アルコール等の溶媒に溶かした後、さらにＢＮ粉末と混
合してもよい。
【０１１８】次に、このようにして作製した混合液を、
るつぼの内側の面またはシードの外表面に塗布する。続
いて、このように混合液が塗布されたるつぼを、Ｎ2 ガ
ス、ＡｒガスまたはＯ2 ガス雰囲気下で、３００℃〜１
２００℃の温度で熱処理する。一方、混合液が塗布され
たシードについては、Ｎ2 ガスまたはＡｒガス雰囲気下
で、３００℃〜６００℃の温度で熱処理する。
るつぼの内側の面またはシードの外表面に塗布する。続
いて、このように混合液が塗布されたるつぼを、Ｎ2 ガ
ス、ＡｒガスまたはＯ2 ガス雰囲気下で、３００℃〜１
２００℃の温度で熱処理する。一方、混合液が塗布され
たシードについては、Ｎ2 ガスまたはＡｒガス雰囲気下
で、３００℃〜６００℃の温度で熱処理する。
【０１１９】その結果、るつぼの内側の面またはシード
の外表面に、ＢＮ粉末粒子とＢ2 Ｏ 3 とからなる被膜が
形成される。
の外表面に、ＢＮ粉末粒子とＢ2 Ｏ 3 とからなる被膜が
形成される。
【０１２０】（ｂ） 効果 ガラス状物質としてＳｉＯ2 を使用する場合と比較し
て、Ｓｉが原料融液中へ混入する恐れが全くないため、
特に、半絶縁性結晶の製造において有効である。
て、Ｓｉが原料融液中へ混入する恐れが全くないため、
特に、半絶縁性結晶の製造において有効である。
【０１２１】 ガラス状物質としてＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ
2 との混合物を使用した場合 （ａ） 被膜の形成方法 （方法１）まず、ＢＮ粉末とシラノール化合物とを混合
して、混合液を作製する。シラノール化合物としては、
たとえば、前述のＯＣＤを用いることができる。次に、
このようにして作製した混合液を、るつぼの内側の面に
施与する。続いて、混合液が施与されたるつぼに、酸化
処理を施す。この酸化処理により、混合液中のＢＮ粉末
が酸化されて、一部がＢ2 Ｏ3 に変化し、また、シラノ
ールは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）に変化する。
2 との混合物を使用した場合 （ａ） 被膜の形成方法 （方法１）まず、ＢＮ粉末とシラノール化合物とを混合
して、混合液を作製する。シラノール化合物としては、
たとえば、前述のＯＣＤを用いることができる。次に、
このようにして作製した混合液を、るつぼの内側の面に
施与する。続いて、混合液が施与されたるつぼに、酸化
処理を施す。この酸化処理により、混合液中のＢＮ粉末
が酸化されて、一部がＢ2 Ｏ3 に変化し、また、シラノ
ールは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）に変化する。
【０１２２】その結果、るつぼの内側の面に、ＢＮ粒子
と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物とからなる被膜が形
成される。
と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物とからなる被膜が形
成される。
【０１２３】（方法２）まず、ＢＮ粉末とＢ2 Ｏ3 粉末
とシラノール化合物とを混合して、混合液を作製する。
シラノール化合物としては、たとえば、前述のＯＣＤを
用いることができる。また、Ｂ2 Ｏ3 粉末の代わりに、
ホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）粉末を用いてもよい。
とシラノール化合物とを混合して、混合液を作製する。
シラノール化合物としては、たとえば、前述のＯＣＤを
用いることができる。また、Ｂ2 Ｏ3 粉末の代わりに、
ホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）粉末を用いてもよい。
【０１２４】次に、このようにして作製した混合液を、
るつぼの内側の面またはシードの外表面に施与する。続
いて、混合液が施与されたるつぼを、窒素（Ｎ2 ）ガ
ス、アルゴン（Ａｒ）ガスまたは酸素（Ｏ2 ）ガス雰囲
気下で、３００℃〜１２００℃の温度で熱処理する。一
方、混合液が施与されたシードについては、Ｎ2 ガスま
たはＡｒガス雰囲気下で、３００℃〜６００℃の温度で
熱処理する。
るつぼの内側の面またはシードの外表面に施与する。続
いて、混合液が施与されたるつぼを、窒素（Ｎ2 ）ガ
ス、アルゴン（Ａｒ）ガスまたは酸素（Ｏ2 ）ガス雰囲
気下で、３００℃〜１２００℃の温度で熱処理する。一
方、混合液が施与されたシードについては、Ｎ2 ガスま
たはＡｒガス雰囲気下で、３００℃〜６００℃の温度で
熱処理する。
【０１２５】その結果、るつぼの内側の面またはシード
の外表面に、ＢＮ粒子と、Ｂ2 Ｏ3とＳｉＯ2 との混合
物とからなる被膜が形成される。
の外表面に、ＢＮ粒子と、Ｂ2 Ｏ3とＳｉＯ2 との混合
物とからなる被膜が形成される。
【０１２６】（方法３）まず、ＢＮ粉末とＳｉＯ2 粉末
とＢ2 Ｏ3 粉末とを混合した後、さらに、水、アルコー
ル等の溶媒と混合して、混合液を作製する。なお、Ｂ2
Ｏ3 粉末の代わりに、ホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）粉末を用い
てもよい。
とＢ2 Ｏ3 粉末とを混合した後、さらに、水、アルコー
ル等の溶媒と混合して、混合液を作製する。なお、Ｂ2
Ｏ3 粉末の代わりに、ホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）粉末を用い
てもよい。
【０１２７】次に、このようにして作製した混合液を、
るつぼの内側の面またはシードの外表面に塗布する。続
いて、混合液が塗布されたるつぼを、Ｎ2 ガス、Ａｒガ
スまたはＯ2 ガス雰囲気下で、３００℃〜１２００℃の
温度で熱処理する。一方、混合液が塗布されたシードに
ついては、Ｎ2 ガスまたはＡｒガス雰囲気下で、３００
℃〜６００℃の温度で熱処理する。
るつぼの内側の面またはシードの外表面に塗布する。続
いて、混合液が塗布されたるつぼを、Ｎ2 ガス、Ａｒガ
スまたはＯ2 ガス雰囲気下で、３００℃〜１２００℃の
温度で熱処理する。一方、混合液が塗布されたシードに
ついては、Ｎ2 ガスまたはＡｒガス雰囲気下で、３００
℃〜６００℃の温度で熱処理する。
【０１２８】その結果、るつぼの内側の面またはシード
の外表面に、ＢＮ粒子と、Ｂ2 Ｏ3とＳｉＯ2 との混合
物とからなる被膜が形成される。
の外表面に、ＢＮ粒子と、Ｂ2 Ｏ3とＳｉＯ2 との混合
物とからなる被膜が形成される。
【０１２９】（方法４）まず、ＢＮ粉末とＳｉＯ2 粉末
とを混合した後、さらに、水、アルコール等の溶媒と混
合して、混合液を作製する。次に、このようにして作製
した混合液を、るつぼの内側の面に塗布する。続いて、
混合液が塗布されたるつぼに、酸化処理を施す。
とを混合した後、さらに、水、アルコール等の溶媒と混
合して、混合液を作製する。次に、このようにして作製
した混合液を、るつぼの内側の面に塗布する。続いて、
混合液が塗布されたるつぼに、酸化処理を施す。
【０１３０】その結果、るつぼの内側の面に、ＢＮ粒子
と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物とからなる被膜が形
成される。
と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物とからなる被膜が形
成される。
【０１３１】（ｂ） 効果 被膜中のガラス状物質としては、Ｂ2 Ｏ3 のみを用いて
も、十分にバインダとしての効果が得られるが、Ｂ2 Ｏ
3 は、以下に示すような吸湿による影響を受けやすい物
質である。
も、十分にバインダとしての効果が得られるが、Ｂ2 Ｏ
3 は、以下に示すような吸湿による影響を受けやすい物
質である。
【０１３２】すなわち、Ｂ2 Ｏ3 は、吸湿によってホウ
酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）に変化し、このＨ 3 ＢＯ3 は、粘着力
がなく、加熱により飛散してしまうという性質を有す
る。
酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）に変化し、このＨ 3 ＢＯ3 は、粘着力
がなく、加熱により飛散してしまうという性質を有す
る。
【０１３３】したがって、Ｂ2 Ｏ3 がＨ3 ＢＯ3 に変化
してしまった場合には、被膜の付着力が低下し、原料融
解までの加熱により飛散してしまうために、被膜中のバ
インダとしてのガラス状物質が欠乏するとともに、被膜
が剥離してしまう。その結果、ツインまたはマイクロツ
インの発生、もしくは多結晶化といった、結晶欠陥が発
生する恐れがある。
してしまった場合には、被膜の付着力が低下し、原料融
解までの加熱により飛散してしまうために、被膜中のバ
インダとしてのガラス状物質が欠乏するとともに、被膜
が剥離してしまう。その結果、ツインまたはマイクロツ
インの発生、もしくは多結晶化といった、結晶欠陥が発
生する恐れがある。
【０１３４】そこで、ガラス状物質として、Ｂ2 Ｏ3 に
ＳｉＯ2 を添加した混合物を用いることにより、上述し
た懸念がなくなる。
ＳｉＯ2 を添加した混合物を用いることにより、上述し
た懸念がなくなる。
【０１３５】たとえば、ＧａＡｓ単結晶の製造において
は、添加するＳｉＯ2 濃度は、０．１ｍｏｌ％〜８０ｍ
ｏｌ％が好ましい。Ｂ2 Ｏ3 の軟化点は３００℃〜３５
０℃であり、ＳｉＯ2 の軟化点は１５００℃前後である
ことから、ＳｉＯ2 濃度が８０ｍｏｌ％より大きくなる
と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物の軟化点がＧａＡｓ
の軟化点以上となってしまうからである。一方、ＳｉＯ
2 の濃度が０．１ｍｏｌ％より小さいと、Ｂ2 Ｏ3 が吸
湿による影響を受けてしまうからである。
は、添加するＳｉＯ2 濃度は、０．１ｍｏｌ％〜８０ｍ
ｏｌ％が好ましい。Ｂ2 Ｏ3 の軟化点は３００℃〜３５
０℃であり、ＳｉＯ2 の軟化点は１５００℃前後である
ことから、ＳｉＯ2 濃度が８０ｍｏｌ％より大きくなる
と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物の軟化点がＧａＡｓ
の軟化点以上となってしまうからである。一方、ＳｉＯ
2 の濃度が０．１ｍｏｌ％より小さいと、Ｂ2 Ｏ3 が吸
湿による影響を受けてしまうからである。
【０１３６】また、添加するＳｉＯ2 濃度は、好ましく
は１ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％、さらに好ましくは５ｍｏ
ｌ％〜６０ｍｏｌ％であるとよい。
は１ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％、さらに好ましくは５ｍｏ
ｌ％〜６０ｍｏｌ％であるとよい。
【０１３７】また、ＧａＡｓより融点の高いＧａＰ単結
晶の製造においては、添加するＳｉＯ2 濃度は、０．１
ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％、好ましくは１ｍｏｌ％〜８０
ｍｏｌ％、さらに好ましくは５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％
であるとよい。
晶の製造においては、添加するＳｉＯ2 濃度は、０．１
ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％、好ましくは１ｍｏｌ％〜８０
ｍｏｌ％、さらに好ましくは５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％
であるとよい。
【０１３８】さらに、ＧａＡｓより融点の低いＩｎＰ単
結晶の製造においては、添加するＳｉＯ2 濃度は、０．
１ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％、好ましくは１ｍｏｌ％〜５
５ｍｏｌ％、さらに好ましくは５ｍｏｌ％〜４５ｍｏｌ
％であるとよい。
結晶の製造においては、添加するＳｉＯ2 濃度は、０．
１ｍｏｌ％〜６５ｍｏｌ％、好ましくは１ｍｏｌ％〜５
５ｍｏｌ％、さらに好ましくは５ｍｏｌ％〜４５ｍｏｌ
％であるとよい。
【０１３９】以下、ガラス状物質として、Ｂ2 Ｏ3 とＳ
ｉＯ2 との混合物を用いるメリットについて、ＳｉＯ2
濃度が低い場合と高い場合に分けて説明する。
ｉＯ2 との混合物を用いるメリットについて、ＳｉＯ2
濃度が低い場合と高い場合に分けて説明する。
【０１４０】Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物において、
ＳｉＯ2 濃度が低いとき、すなわち、Ｂ2 Ｏ3 濃度が高
いときには、Ｓｉによる汚染が少ないため、半絶縁性結
晶の製造の際に適用するのが好ましい。
ＳｉＯ2 濃度が低いとき、すなわち、Ｂ2 Ｏ3 濃度が高
いときには、Ｓｉによる汚染が少ないため、半絶縁性結
晶の製造の際に適用するのが好ましい。
【０１４１】一方、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 との混合物にお
いて、ＳｉＯ2 濃度が高いとき、すなわち、Ｂ2 Ｏ3 濃
度が低いときには、ドーパントのＳｉとＢ2 Ｏ3 中のホ
ウ素（Ｂ）との置換反応が起こりにくいため、ドーパン
トのＳｉの濃度低下や、ホウ素（Ｂ）による汚染が少な
い。そのため、Ｓｉドープ結晶の製造の際に適用するの
が好ましい。また、ＳｉＯ2 濃度が高くなると、Ｂ2 Ｏ
3 の吸湿によるホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）への変化がより効
果的に防止されるため、バインダとしての効果が十分に
発揮されて被膜の付着力が向上するとともに、加熱時に
Ｈ3 ＢＯ3 が飛散して被膜中のバインダとしてのガラス
状物質が欠乏してしまうこともなくなる。
いて、ＳｉＯ2 濃度が高いとき、すなわち、Ｂ2 Ｏ3 濃
度が低いときには、ドーパントのＳｉとＢ2 Ｏ3 中のホ
ウ素（Ｂ）との置換反応が起こりにくいため、ドーパン
トのＳｉの濃度低下や、ホウ素（Ｂ）による汚染が少な
い。そのため、Ｓｉドープ結晶の製造の際に適用するの
が好ましい。また、ＳｉＯ2 濃度が高くなると、Ｂ2 Ｏ
3 の吸湿によるホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3 ）への変化がより効
果的に防止されるため、バインダとしての効果が十分に
発揮されて被膜の付着力が向上するとともに、加熱時に
Ｈ3 ＢＯ3 が飛散して被膜中のバインダとしてのガラス
状物質が欠乏してしまうこともなくなる。
【０１４２】（３） 原料チャージ 上述の前処理を行なったｐＢＮ製るつぼ内に、ボート法
（ＨＢ法）で合成したＧａＡｓ多結晶原料５ｋｇをチャ
ージした。また、ドーパントとしては、高純度シリコン
（Ｓｉ）ウエハ１１０ｍｇを使用した。
（ＨＢ法）で合成したＧａＡｓ多結晶原料５ｋｇをチャ
ージした。また、ドーパントとしては、高純度シリコン
（Ｓｉ）ウエハ１１０ｍｇを使用した。
【０１４３】なお、石英アンプル内を平衡蒸気圧（１ａ
ｔｍ）に保つため、ＧａＡｓ多結晶原料とともに、高純
度砒素（Ａｓ）１ｇをるつぼ内に添加することが好まし
い。
ｔｍ）に保つため、ＧａＡｓ多結晶原料とともに、高純
度砒素（Ａｓ）１ｇをるつぼ内に添加することが好まし
い。
【０１４４】（４） 真空封入 図１０は、石英アンプル封入の状態を示す断面図であ
る。
る。
【０１４５】上述のように多結晶原料１２をチャージし
たるつぼ１を石英アンプル５０内に配置し、石英キャッ
プ５１をして、真空に引きながらバーナ５２を用いて真
空封入した。
たるつぼ１を石英アンプル５０内に配置し、石英キャッ
プ５１をして、真空に引きながらバーナ５２を用いて真
空封入した。
【０１４６】なお、るつぼ１内には、ＧａＡｓ多結晶原
料１２と、多結晶原料１２で作った窪みに収容されたド
ーパントとしてのＳｉウエハ２２とがチャージされてい
る。
料１２と、多結晶原料１２で作った窪みに収容されたド
ーパントとしてのＳｉウエハ２２とがチャージされてい
る。
【０１４７】（５） 結晶成長 ＧａＡｓ結晶成長は、通常の条件により行なった。
【０１４８】なお、ＶＢ法は、ヒータの上昇またはアン
プルの降下により、種結晶側から温度を低下させて単結
晶を成長させる方法である。一方、ＶＧＦ法は、ヒータ
とアンプルの位置関係は固定し、ヒータの温度プロファ
イルを変化させることにより種結晶側から温度を低下さ
せて単結晶を成長させる方法である。
プルの降下により、種結晶側から温度を低下させて単結
晶を成長させる方法である。一方、ＶＧＦ法は、ヒータ
とアンプルの位置関係は固定し、ヒータの温度プロファ
イルを変化させることにより種結晶側から温度を低下さ
せて単結晶を成長させる方法である。
【０１４９】以下に、ＶＢ法による成長条件の一例につ
いて説明する。なお、使用したるつぼおよび石英アンプ
ルのサイズは、それぞれ図１１および図１２に示すとお
りであった。
いて説明する。なお、使用したるつぼおよび石英アンプ
ルのサイズは、それぞれ図１１および図１２に示すとお
りであった。
【０１５０】まず、昇温速度３〜５℃／分でヒータ温度
を上昇またはアンプルを高温側へ移動し、多結晶原料を
融解した。続いて、ヒータ温度を昇温速度５〜１０℃／
時で上昇させて、種結晶の一部を融解してシーディング
を行なった。
を上昇またはアンプルを高温側へ移動し、多結晶原料を
融解した。続いて、ヒータ温度を昇温速度５〜１０℃／
時で上昇させて、種結晶の一部を融解してシーディング
を行なった。
【０１５１】次に、以下のような条件でＶＢ成長を行な
った。 高温度帯の温度：１２４５〜１２６５℃ 低温度帯の温度：１０００〜１１５０℃ 温度勾配：５〜１０℃／ｃｍ ヒータ移動速度：２〜７ｍｍ／時 ヒータ移動距離：３００ｍｍ前後 ＶＢ成長後、ヒータの移動を停止した後、５〜１８０℃
／時で冷却を行なった。
った。 高温度帯の温度：１２４５〜１２６５℃ 低温度帯の温度：１０００〜１１５０℃ 温度勾配：５〜１０℃／ｃｍ ヒータ移動速度：２〜７ｍｍ／時 ヒータ移動距離：３００ｍｍ前後 ＶＢ成長後、ヒータの移動を停止した後、５〜１８０℃
／時で冷却を行なった。
【０１５２】冷却は、たとえば成長終了時の温度から室
温まで１８０℃／時の速度で行なうことができる。ま
た、結晶欠陥の発生を抑制するために、成長終了時の温
度から１０００℃まで１０℃／時の速度で、１０００℃
から８００℃まで３０℃／時の速度で、８００℃から６
００℃まで５０℃／時の速度で、さらに６００℃から室
温まで１００℃／時の速度で、冷却を行なうこともでき
る。
温まで１８０℃／時の速度で行なうことができる。ま
た、結晶欠陥の発生を抑制するために、成長終了時の温
度から１０００℃まで１０℃／時の速度で、１０００℃
から８００℃まで３０℃／時の速度で、８００℃から６
００℃まで５０℃／時の速度で、さらに６００℃から室
温まで１００℃／時の速度で、冷却を行なうこともでき
る。
【０１５３】なお、このようにして成長した結晶の特性
を、表７に示す。
を、表７に示す。
【０１５４】
【表７】
【０１５５】なお、表７中における肩部、ミドル部およ
びテール部は、図１５に示すとおりである。
びテール部は、図１５に示すとおりである。
【０１５６】（６） アンプル割出し 結晶成長後、アンプルを割り、ＧａＡｓ単結晶を取出し
た。
た。
【０１５７】以上説明した本願発明の実施例による効果
について、従来技術と比較した結果を、表８に示す。な
お、表８において、従来例とは液体の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3）を使用した場合を示し、先行技術とは固体の窒化
ボロン（ＢＮ）を使用した場合を示している。
について、従来技術と比較した結果を、表８に示す。な
お、表８において、従来例とは液体の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3）を使用した場合を示し、先行技術とは固体の窒化
ボロン（ＢＮ）を使用した場合を示している。
【０１５８】
【表８】
【０１５９】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明によれ
ば、被膜の付着力の向上および濡れ性の改善により、多
結晶化が有効に防止され、結晶欠陥の少ないＩＩ−ＶＩ
族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶を製造することがで
きる。
ば、被膜の付着力の向上および濡れ性の改善により、多
結晶化が有効に防止され、結晶欠陥の少ないＩＩ−ＶＩ
族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶を製造することがで
きる。
【０１６０】また、ＳｉドープＧａＡｓ単結晶の成長に
おいても、ドーパントのＳｉとＢＮまたはＢＮ中に含有
されるＢ2 Ｏ3 との置換反応がほとんど起こらないた
め、Ｓｉドープ量のばらつきが小さくなるとともに、Ｂ
濃度も低くなるという効果が得られる。
おいても、ドーパントのＳｉとＢＮまたはＢＮ中に含有
されるＢ2 Ｏ3 との置換反応がほとんど起こらないた
め、Ｓｉドープ量のばらつきが小さくなるとともに、Ｂ
濃度も低くなるという効果が得られる。
【０１６１】また、本発明によれば、るつぼの内側の面
に形成された被膜にガラス状物質が含まれており、被膜
がるつぼから剥離することがないため、均一な被膜を形
成することができる。そのため、大型化への対応も容易
となり、工業的規模での製造の際に特に効果的である。
に形成された被膜にガラス状物質が含まれており、被膜
がるつぼから剥離することがないため、均一な被膜を形
成することができる。そのため、大型化への対応も容易
となり、工業的規模での製造の際に特に効果的である。
【０１６２】さらに、本発明によれば、被膜の形成によ
ってもるつぼ内面を傷つけることがないため、るつぼ寿
命が低下するという問題もない。その結果、低コストで
の製造が可能となるという効果も得られる。
ってもるつぼ内面を傷つけることがないため、るつぼ寿
命が低下するという問題もない。その結果、低コストで
の製造が可能となるという効果も得られる。
【０１６３】
【図１】ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶
の製造工程の一例を示す図である。
の製造工程の一例を示す図である。
【図２】本発明によるるつぼ前処理工程の一例を示す図
である。
である。
【図３】本発明により混合液をスプレーしてるつぼに施
与する状態を示す図である。
与する状態を示す図である。
【図４】本発明により混合液を施与したるつぼを真空加
熱する状態を示す図である。
熱する状態を示す図である。
【図５】本発明に用いられるるつぼの一例を示す断面図
である。
である。
【図６】本発明によりシードを混合液中に浸漬してシー
ドに混合液を施与する状態を示す図である。
ドに混合液を施与する状態を示す図である。
【図７】本発明により混合液を施与したシードを真空加
熱する状態を示す図である。
熱する状態を示す図である。
【図８】本発明によりるつぼとシードとの隙間が充填さ
れた状態を示す断面図である。
れた状態を示す断面図である。
【図９】図８のＩＸ部分の部分拡大断面図である。
【図１０】石英アンプル封入の状態を示す断面図であ
る。
る。
【図１１】本発明の実施例において使用したるつぼのサ
イズを示す図である。
イズを示す図である。
【図１２】本発明の実施例において使用した石英アンプ
ルのサイズを示す図である。
ルのサイズを示す図である。
【図１３】本発明により粉末固体とガラス状物質とから
なる被膜により内面が被覆されたるつぼと原料融液との
界面の状態を模式的に示す図である。
なる被膜により内面が被覆されたるつぼと原料融液との
界面の状態を模式的に示す図である。
【図１４】先行技術によるＧａＡｓ単結晶の製造におけ
る、るつぼとＧａＡｓ融液との界面の状態を模式的に示
す図である。
る、るつぼとＧａＡｓ融液との界面の状態を模式的に示
す図である。
【図１５】本発明の実施例により成長した結晶を示す断
面図である。
面図である。
【図１６】ＢＮ粒子の粒子径を説明するための図であ
る。
る。
１ ｐＢＮるつぼ １ａ 開口部 １ｂ テーパ部 １ｃ シード設置部 ２ ＧａＡｓ融液 ３ ＢＮ粉末 ５ 混合液 ６ 噴霧器 ７ シード ８ 石英容器 ９ 隙間 １２ ＧａＡｓ多結晶原料 １３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ ガラス状物質 １５，７５ 被膜 ５０ 石英アンプル ５１ 石英キャップ なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (14)
- 【請求項１】 多結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ
族化合物から、単結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ
族化合物を製造する方法であって、 るつぼの内側の面を、前記多結晶の化合物の融点よりも
高い融点を有する粉末固体と、ガラス状物質とからなる
被膜で被覆するステップと、 前記被覆されたるつぼ内に、前記多結晶の化合物を配置
するステップと、 前記多結晶の化合物がその中に配置された前記被覆され
たるつぼを、加熱手段中に配置するステップと、 前記加熱手段中に配置されたるつぼを前記加熱手段によ
り加熱して、前記るつぼ中で前記多結晶の化合物を溶融
するステップと、 前記るつぼと前記溶融した化合物とを冷却して、単結晶
の化合物を成長させるステップとを備える、ＩＩ−ＶＩ
族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 垂直に配置したるつぼ中で、多結晶のＩ
Ｉ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物から単結晶のＩＩ
−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物を製造する方法であ
って、 前記るつぼの内側の面を、前記多結晶の化合物の融点よ
りも高い融点を有する粉末固体と、ガラス状物質とから
なる被膜で被覆するステップと、 単結晶の前記化合物からなる種結晶を、前記るつぼの底
部に配置するステップと、 前記るつぼの残部に、多結晶の前記化合物を配置するス
テップと、 前記種結晶と前記多結晶の化合物がその中に配置された
るつぼを、上部の高温域と下部の低温域とを作ることが
できる垂直に配置した炉の中に配置するステップと、 前記炉の位置および前記上部の高温域の温度を調節する
ことにより、前記るつぼ中で前記種結晶の一部を固体の
状態に保ちながら前記多結晶の化合物を溶融するステッ
プと、 前記下部の低温域の温度を単結晶の前記化合物の融点未
満に設定し、かつ、前記上部の高温域の温度を前記融点
よりも高く設定することにより、固−液界面を作るステ
ップと、 前記下部の低温域および前記上部の高温域における前記
温度設定を実質的に保持しながら、前記炉および前記固
−液界面を上方に垂直に移動させることにより、単結晶
の前記化合物を成長させるステップとを備える、ＩＩ−
ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記るつぼの内側の面を粉末固体とガラ
ス状物質とからなる被膜で被覆するステップは、 前記るつぼの内側の面に、前記粉末固体とシラノール化
合物とを含む混合液を施与するステップと、 前記混合液が施与されたるつぼを真空加熱することによ
り、前記るつぼの内側の面上に前記粉末固体と酸化シリ
コンからなるガラス状物質とを含む被膜を形成するステ
ップとを備える、請求項１または請求項２記載のＩＩ−
ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 前記ガラス状物質は、前記多結晶の化合
物の融点よりも低い軟化点を有することを特徴とする、
請求項１または請求項２記載のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項５】 前記ガラス状物質は、Ｂ2 Ｏ3 を含む、
請求項４記載のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物
単結晶の製造方法。 - 【請求項６】 前記ガラス状物質は、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ
2 との混合物を含む、請求項４記載のＩＩ−ＶＩ族また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項７】 前記粉末固体は、窒化ボロンを含む、請
求項１〜請求項６のいずれかに記載のＩＩ−ＶＩ族また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項８】 前記窒化ボロンの粒径は、平均粒径とし
て０．０５μｍ以上、１０μｍ以下である、請求項７記
載のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製
造方法。 - 【請求項９】 前記被覆される前の前記るつぼの内側の
面は、所定の表面粗さを有している、請求項１〜請求項
８のいずれかに記載のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族
化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項１０】 前記所定の表面粗さは、最大高さＲ
max が１０〜１５０μｍであり、中心線平均粗さＲa が
３〜１５μｍである、請求項９記載のＩＩ−ＶＩ族また
はＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項１１】 前記るつぼの底部に配置する前に、前
記種結晶の外表面を粉末固体とガラス状物質とからなる
被膜で被覆するステップをさらに備える、請求項２記載
のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造
方法。 - 【請求項１２】 前記るつぼの底部に前記種結晶を配置
した後、前記るつぼと前記種結晶との隙間を、粉末固体
とガラス状物質とからなる被膜で被覆するステップをさ
らに備える、請求項１１記載のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。 - 【請求項１３】 前記ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族
化合物は、ヒ化ガリウムを含む、請求項１〜請求項１２
のいずれかに記載のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化
合物単結晶の製造方法。 - 【請求項１４】 多結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−
Ｖ族化合物から、単結晶のＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−
Ｖ族化合物を製造する方法であって、 るつぼの内側の面を、ガラス状物質からなるバインダを
介して、前記多結晶の化合物の融点よりも高い融点を有
する粉末固体で被覆するステップと、 前記被覆されたるつぼ内に、前記多結晶の化合物を配置
するステップと、 前記多結晶の化合物がその中に配置された前記被覆され
たるつぼを、加熱手段中に配置するステップと、 前記加熱手段中に配置されたるつぼを前記加熱手段によ
り加熱して、前記るつぼ中で前記多結晶の化合物を溶融
するステップと、 前記るつぼと前記溶融した化合物とを冷却して、単結晶
の化合物を成長させるステップとを備える、ＩＩ−ＶＩ
族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23304795A JP3731225B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-09-11 | Ｉｉ−ｖｉ族またはｉｉｉ−ｖ族化合物単結晶の製造方法およびその製造用るつぼ |
| DE69609568T DE69609568T2 (de) | 1995-05-26 | 1996-05-23 | Verfahren zur Herstellung von einem II-VI oder III-V Halbleitereinkristall |
| EP96108261A EP0744476B1 (en) | 1995-05-26 | 1996-05-23 | Method of preparing group II-VI or III-V compound single crystal |
| US08/653,466 US5830269A (en) | 1995-05-26 | 1996-05-24 | Method of preparing group II-VI or III-V compound single crystal |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-128163 | 1995-05-26 | ||
| JP12816395 | 1995-05-26 | ||
| JP23304795A JP3731225B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-09-11 | Ｉｉ−ｖｉ族またはｉｉｉ−ｖ族化合物単結晶の製造方法およびその製造用るつぼ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0948691A true JPH0948691A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3731225B2 JP3731225B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=26463905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23304795A Expired - Fee Related JP3731225B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-09-11 | Ｉｉ−ｖｉ族またはｉｉｉ−ｖ族化合物単結晶の製造方法およびその製造用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3731225B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003112996A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | 衝撃緩和型多結晶シリコン |
| JP2011121865A (ja) * | 2011-02-18 | 2011-06-23 | Mitsubishi Materials Corp | 衝撃緩和型多結晶シリコン |
| WO2011122570A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 住友電気工業株式会社 | 半導体単結晶の製造方法 |
| JP2022093544A (ja) * | 2018-02-28 | 2022-06-23 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ |
| CN115537921A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-12-30 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种磷化铟的合成方法 |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP23304795A patent/JP3731225B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003112996A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | 衝撃緩和型多結晶シリコン |
| WO2011122570A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 住友電気工業株式会社 | 半導体単結晶の製造方法 |
| JP5768809B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-08-26 | 住友電気工業株式会社 | 半導体単結晶の製造方法 |
| US9797068B2 (en) | 2010-03-29 | 2017-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing semiconductor single crystal |
| US10533265B2 (en) | 2010-03-29 | 2020-01-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Growth container |
| JP2011121865A (ja) * | 2011-02-18 | 2011-06-23 | Mitsubishi Materials Corp | 衝撃緩和型多結晶シリコン |
| JP2022093544A (ja) * | 2018-02-28 | 2022-06-23 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ |
| CN115537921A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-12-30 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种磷化铟的合成方法 |
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