JP5756830B2 - 半導体基板、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1には、転移を抑制するために、バッファ層にボロンを含有させることが開示されている。
また、特許文献2には、結晶性のよいボロン含有窒化アルミ薄膜(機能層)を得るために、バッファ層として、ボロンを含有しその濃度が機能層に近づくほど高くなる窒化アルミ層を用いることが開示されている。
さらに、特許文献3には、ボロン、リンを含むGaN層からなる第1の層と、リンを含むAlInGaAsN層からなる第2の層とを含むバッファ層を用いることによって、バッファ層中の二次電子ガスを原因とするリーク電流を抑制することが開示されている。
すなわち、転移を抑制するために、デバイス動作層(機能層)に近い領域までバッファ層中にボロンドープを行うと、動作層に不純物が拡散し、デバイスの特性劣化を生じさせる。
このように、バッファ層のAlyGa1−yNからなる第1層、及び、AlxGa1−xN(0≦x<y≦1)からなる第2層の両方にボロンが含まれていることで、より効果的に転移抑制を行うことができる。
このように、シリコン系基板のボロン濃度が、前記バッファ層の前記シリコン系基板側の領域のボロン濃度よりも高いことで、より効果的に転移抑制を行うことができる。
このように、熱拡散によってボロンがドープされた前記シリコン系基板から前記バッファ層にボロンを拡散させて、バッファ層にボロンを導入することで、より効率よくバッファ層のボロン濃度を、前記シリコン系基板側から前記動作層側に向かって徐々に減少させることができる。
このように、気相成長中にドーパントガスを導入することによって気相からボロンをドーピングして、バッファ層にボロンを導入することで、転移抑制効果が得られるのに十分なボロンをバッファ層に含有させることができる。
このように、バッファ層のAlyGa1−yNからなる第1層、及び、AlxGa1−xN(0≦x<y≦1)からなる第2層の両方にボロンを含ませることで、より効果的に転移抑制を行うことができる。
このように、シリコン系基板のボロン濃度を、前記バッファ層の前記シリコン系基板側の領域のボロン濃度よりも高くすることで、より効果的に転移抑制を行うことができる。
前述のように、転移を抑制するために、バッファ層にボロンドープを行う必要があるが、デバイス動作層に近い領域までバッファ層中にボロンドープを行うと、動作層に不純物が拡散し、デバイスの特性劣化を生じさせるという問題点があった。
その結果、バッファ層のボロン濃度を、シリコン系基板側から動作層側に向かって徐々に減少させることで、バッファ層の下層ではボロン濃度が高くなり、バッファ層の上層ではボロン濃度が低くなり、動作層のピット発生を抑制することができるとともに、動作層への不純物の影響を抑制することができることを見出し、本発明をなすに至った。
図1に示す本発明の半導体基板10は、シリコン系基板12と、シリコン系基板12上に設けられた初期層14と、初期層14上に設けられたバッファ層16と、バッファ層16上に設けられた動作層22を有している。
ここで、シリコン系基板12は、例えば、SiまたはSiCからなる基板である。また、初期層14は、例えば、AlNからなる層である。
具体的には、第一の層15はAlNとすることができ、第二の層17はGaNとすることができる。
動作層22は、チャネル層18と、チャネル層18上に設けられたバリア層20とを有することができる。チャネル層18は例えば、GaNからなり、バリア層20は例えば、AlGaNからなる。
バッファ層16は、上記のようなボロン濃度プロファイルを有しているので、バッファ層16の下層ではボロン濃度が高く、転移抑制効果が得られ、バッファ層16上にエピタキシャル成長させる動作層のピット発生を抑制することができる。
また、バッファ層の上層ではボロン濃度が低く、動作層への不純物の影響(不純物によるデバイス特性劣化、結晶性の劣化)を抑制することができる。
ボロンが第一の層15及び第二の層17の両方に含まれていることで、より効果的に転移抑制を行うことができる。
シリコン系基板のボロン濃度が、前記バッファ層の前記シリコン系基板側の領域のボロン濃度よりも高いことで、より効果的に転移抑制を行うことができる。
図3は本発明の半導体装置の一例を示す概略断面図である。
図3に示す本発明の半導体装置11は、シリコン系基板12と、シリコン系基板12上に設けられた初期層14と、初期層14上に設けられたバッファ層16と、バッファ層16上に設けられた動作層22を有している。
動作層22は、チャネル層18と、チャネル層18上に設けられたバリア層20を有している。
半導体装置11において、第一電極26及び第二電極28は、第一電極26から、チャネル層18内に形成された二次元電子ガス24を介して、第二電極28に電流が流れるように配置されている。
第一電極26と第二電極28との間に流れる電流は、制御電極30に印可される電位によってコントロールすることができる。
バッファ層16は、上記のようなボロン濃度プロファイルを有しているので、バッファ層16の下層ではボロン濃度が高く、転移抑制効果が得られ、バッファ層上に形成される動作層のピット発生を抑制することができる。
また、バッファ層の上層ではボロン濃度が低く、動作層への不純物の影響(不純物によるデバイス特性劣化、結晶性の劣化)を抑制することができる。
まず、シリコン系基板12上に、初期層14を形成する。具体的には、MOVPE(有機金属気相成長)法によって、AlNからなる初期層14を10〜300nm成長させる。
次に、初期層14上に、バッファ層16を形成する。具体的には、MOVPE法によって、AlNからなる第一の層15と、GaNからなる第二の層17とを交互に成長させる。第一の層15の膜厚は例えば、3〜7nmであり、第二の層17の膜厚は例えば、2〜7nmである。
ここで、このようなボロン濃度プロファイルにするには、熱拡散によってボロンがドープされたシリコン系基板12からバッファ層16にボロンを拡散させることで、バッファ層16にボロンを導入することができる。
このように、熱拡散によってボロンが高濃度にドープされたシリコン系基板からバッファ層にボロンを拡散させることで、より効率よくバッファ層のボロン濃度を、前記シリコン系基板側から前記動作層側に向かって徐々に減少させることができる。この場合、用いる高濃度ドープシリコン基板のボロン濃度としては、たとえば、5×1019atoms/cm3以上とするのが好ましい。
このとき、バッファ層16の気相成長中に、ボロンを含むドーパントガスのガス流量を減らしていくように制御することで、バッファ層16のボロン濃度をシリコン系基板12側から動作層22側に向かって徐々に減少させることができる。
このように、気相成長中にドーパントガスを導入することによって気相からボロンをドーピングして、バッファ層16にボロンを導入することで、シリコン系基板12のボロン濃度を高くしなくても、転移抑制効果が得られるのに十分なボロンをバッファ層16に含有させることができる。
もちろん、熱拡散とガスドープを両方おこなうようにしてもよい。
2mΩ・cmの基板抵抗率を有し、5×1019atoms/cm3のボロン濃度を有するシリコン単結晶基板を用いて、これにバッファ層16、動作層22を形成して図1に示したような半導体基板を作製した。
なお、熱拡散によってボロンがドープされたシリコン基板12からバッファ層16にボロンを拡散させることで、バッファ層16にボロンを導入した。
実験例1の半導体基板について、SIMS測定により、半導体基板の深さ方向のボロン濃度プロファイルを測定した。測定結果を図2に示す。
また、実験例1の半導体基板について、動作層22の中央部の表面を顕微鏡観察した。表面観察結果を図4に示す。図4からわかるように実験例1の半導体基板の動作層22表面にはピット(欠陥)が見られない。
また、表面観察結果からピット密度(個/cm2)を計算した。その結果を表1に示す。
実験例1と同様にして、半導体基板を作製した。ただし、3〜4mΩ・cmの基板抵抗率を有し、3×1019atoms/cm3のボロン濃度を有するシリコン基板を用いた。
実験例2の半導体基板について、実験例1と同様にして、動作層22の中央部の表面を観察した。表面観察結果からピット密度(個/cm2)を計算した。その結果を表1に示す。
実験例1と同様にして、半導体基板を作製した。ただし、7〜9mΩ・cmの基板抵抗率を有し、1×1019atoms/cm3のボロン濃度を有するシリコン基板を用いた。
実験例3の半導体基板について、実験例1と同様にして、動作層22の中央部の表面を観察した。表面観察結果からピット密度(個/cm2)を計算した。その結果を表1に示す。
実験例1と同様にして、半導体基板を作製した。ただし、11〜13mΩ・cmの基板抵抗率を有し、7.5×1018atoms/cm3のボロン濃度を有するシリコン基板を用いた。
実験例4の半導体基板について、実験例1と同様にして、動作層22の中央部の表面を観察した。表面観察結果からピット密度(個/cm2)を計算した。その結果を表1に示す。
実験例1と同様にして、半導体基板を作製した。ただし、15〜16mΩ・cmの基板抵抗率を有し、5×1018atoms/cm3のボロン濃度を有するシリコン基板を用いた。
実験例5の半導体基板について、実験例1と同様にして、SIMS測定により、半導体基板の深さ方向のボロン濃度プロファイルを測定した。測定結果を図2に示す。
また、実験例5の半導体基板について、動作層22の中央部の表面を観察した。表面観察結果を図5に示す。図5からわかるように実験例5の半導体基板の動作層22表面にはピット(図中の白点)が多数見られる。また、表面観察結果からピット密度(個/cm2)を計算した。その結果を表1に示す。
動作層22の表面のピット密度が小さい実験例1は、図2からわかるように、動作層22の表面のピット密度が大きい実験例5と比較して、バッファ層16中のボロン濃度が高いとともに、動作層に向かって徐々に減少している。これにより、実験例1はバッファ層16における転移抑制効果が得られたため、動作層22の表面のピット密度が小さくなったものと考えられる。
15…第一の層、 16…バッファ層、 17…第二の層、 18…チャネル層、
20…バリア層、 22…動作層(機能層)、 24…二次元電子ガス、
26…第一電極、 28…第二電極、 30…制御電極。
Claims (9)
- シリコン系基板と、
前記シリコン系基板上に設けられ、ボロンを含む窒化物系半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された動作層とを有し、
前記バッファ層のボロン濃度は、前記シリコン系基板側から前記動作層側に向かって徐々に減少しているものであることを特徴とする半導体基板。 - 前記バッファ層は、AlyGa1−yNからなる第1層とAlxGa1−xN(0≦x<y≦1)からなる第2層とが繰り返し積層された積層体であって、
前記ボロンは、前記第1層および前記第2層の両方に含まれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板。 - 前記シリコン系基板のボロン濃度は、前記バッファ層の前記シリコン系基板側の領域のボロン濃度よりも高いことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体基板。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体基板と、
前記動作層上に形成された第1電極と、
前記動作層上に形成された第2電極とを有し、
前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1電極から、前記動作層を介して、前記第2電極へと電流が流れるように配置されているものであることを特徴とする半導体装置。 - シリコン系基板上に、窒化物系半導体からなるバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、動作層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記バッファ層を形成する工程は、
前記バッファ層のボロン濃度が前記シリコン系基板側から前記動作層側に向かって徐々に減少するように、前記バッファ層にボロンを導入する段階
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記バッファ層にボロンを導入する段階は、熱拡散によってボロンがドープされた前記シリコン系基板から前記バッファ層にボロンを拡散させる段階を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バッファ層にボロンを導入する段階は、前記バッファ層を気相成長によって形成する際に、ドーパントガスを導入することによって気相からボロンをドーピングする段階を含むことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バッファ層として、AlyGa1−yNからなる第1層とAlxGa1−xN(0≦x<y<1)からなる第2層とが繰り返し積層された積層体を形成し、
前記ボロンは、前記第1層及び前記第2層の両方に含ませることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン系基板のボロン濃度を、前記バッファ層の前記シリコン系基板側の領域のボロン濃度よりも高くすることを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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