JP6735078B2 - 半導体基体及び半導体装置 - Google Patents
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Description
すなわち、ピット密度を低減させるために、バッファ層にボロンを含有させた場合であっても、デバイスの縦方向耐圧を向上させるためにバッファ層に遷移金属等のアクセプタ元素をドーピングすると、ボロンによるピット抑制効果が低下してしまい、デバイスの特性劣化を生じさせてしまう。
その結果、バッファ層中に、基板側に設けられボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第1の領域と、第1の領域上に設けられ第1の領域よりボロン濃度が低く前記第1の領域よりアクセプタ元素濃度が高い第2の領域とを設けることで、第1の領域によって高いピット抑制効果を得ることができるとともに、第2の領域によって高い縦方向耐圧を維持することができることを見出し、本発明をなすに至った。
バッファ層25は、基板12上に設けられボロン濃度がアクセプタ元素濃度より高い第1の領域23と、基板12と反対側の第1の領域23上に設けられ第1の領域23よりボロン濃度が低く第1の領域23よりアクセプタ元素濃度が高い第2の領域24を含んでいる。ここで、第1の領域23内のボロン濃度は、1×1017〜1×1021/cm3であることが好ましく、第1の領域23内のアクセプタ元素濃度は、1×1015〜5×1017/cm3であることが好ましい。また、第2の領域24内のボロン濃度は1×1013〜1×1015/cm3であることが望ましく、第2の領域24内のアクセプタ濃度は5×1017〜1×1020/cm3であることが望ましい。
なお、半導体基体10は、さらに、チャネル層26上にバリア層27を含むことができ、チャネル層26とバリア層27とで、動作層29を形成することができる。このバリア層27は、例えば、AlGaN層とすることができる。
具体的には、第1の層15はAlN層とすることができ、第2の層16はGaN層とすることができる。
図3に示す半導体装置11は、図1の半導体基体10のチャネル層26上に、例えば、バリア層27を介して電極(例えば、第1電極30、第2電極31、制御電極32)が設けられたものである。なお、チャネル層の上部はキャリアをトラップさせる準位が形成されると不純物散乱による移動度の低下や電流コラプス現象が生じる要因となるため、チャネル層26の上部のアクセプタ元素濃度をバッファ層25のチャネル層26側濃度より低くすることが望ましい。
第1電極30と第2電極31との間に流れる電流は、制御電極32に印加される電位によってコントロールすることができる。
このように、熱拡散によってボロンがドープされた基板からバッファ層25にボロンを拡散させて、バッファ層25にボロンを導入することで、より効率よくバッファ層25のボロン濃度を、基板12側からチャネル層26側に向かって徐々に減少させることができる。
このように、気相成長中にボロン含有のドーパントガスを導入することによって気相からボロンをドーピングして、バッファ層25にボロンを導入することで、ピット抑制効果が得られるのに十分なボロンをバッファ層25に含有させることができる。
このように、バッファ層25を形成する工程において初期層が形成された後にアクセプタ元素のドーピングを開始することで、高い縦方向耐圧を維持しつつ、高いピット抑制効果を得ることができる。
また、チャネル層26上に窒化物半導体からなるバリア層27を形成することができる(図4(e)参照)。具体的には、チャネル層26上に、MOVPE法によって、AlGaNからなるバリア層27を、例えば、800℃〜1200℃の温度で10〜50nm形成することができる。ここで、チャネル層26とバリア層27は、動作層29を形成することができる。
図6(b)に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた図1に示すような半導体基体10を作製した。すなわち、シリコンからなる基板12上にAlNからなる初期層と、GaN層とAlN層が交互に積層された積層体とからなるバッファ層を備える実施例1のバッファ層においては、基板12上に、ボロン濃度が基板12側からチャネル層26側に向かって3×1019/cm3から徐々に減少する減少領域と、減少領域上に設けられた鉄濃度が基板12側からチャネル層26側に向かって5×1019/cm3へと増加する増加領域があり、ボロン濃度が十分減少した後に鉄濃度が5×1019/cm3へと一気に増加している。ここで、バッファ層における増加領域のアクセプタ元素濃度の増加割合は、増加領域よりも上方のチャネル層上部で低くするためのアクセプタ元素濃度の減少領域の減少割合よりも大きい(すなわち、傾きが急である)。
作製した半導体基体10について、顕微鏡暗視野画像解析により光点密度評価(すなわち、ピット密度評価)を行った。評価結果を図7(d)に示す。
また、作製した半導体基体10について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表1に示す。
作製した半導体装置11について、図9に示すような測定方法を用いて、半導体装置11がオフの時のデバイス耐圧(縦方向耐圧)を測定した。測定結果を図8(a)に示す。
図6(c)に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた図1に示すような半導体基体10を作製した。すなわち、シリコンからなる基板12上にAlNからなる初期層と、GaN層とAlN層が交互に積層された積層体とからなるバッファ層を備える実施例2のバッファ層においては、基板12上に、ボロン濃度が基板12側からチャネル層26側に向かって3×1019/cm3から徐々に減少する減少領域と、ボロン濃度減少開始位置よりチャネル層26側に設けられた鉄濃度が基板12側からチャネル層26側に向かって5×1019/cm3へと増加する増加領域があり、ボロン濃度減少領域は、鉄濃度増加領域と一部重なっており、ボロン濃度が減少するとともに、鉄濃度が徐々に増加している。ここで、バッファ層における増加領域のアクセプタ元素濃度の増加割合は、増加領域よりも上方のチャネル層上部でアクセプタ元素濃度を低くするための減少領域の減少割合よりも大きい(すなわち、傾きが急である)。
作製した半導体基体10について、実施例1と同様にして、光点密度評価(すなわち、ピット密度評価)を行った。評価結果は実施例1とほぼ同様な結果となった。
また、作製した半導体基体10について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表1に示す。
作製した半導体装置11について、実施例1と同様にして、デバイス耐圧(縦方向耐圧)を測定すると、バッファ層における鉄原子の総数が実施例1より多いので、測定結果は実施例1よりも良好な結果となった。
図6(f)に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた図1に示すような半導体基体10を作製した。すなわち、シリコンからなる基板12上にAlNからなる初期層と、GaN層とAlN層が交互に積層された積層体とからなるバッファ層を備える実施例3のバッファ層においては、基板12上に、ボロン濃度が基板12側からチャネル層26側に向かって3×1019/cm3から徐々に減少する減少領域と、ボロン濃度減少開始位置よりチャネル層26側に設けられた鉄濃度が基板12側からチャネル層26側に向かって5×1019/cm3へと増加する増加領域があり、ボロン濃度減少領域は、鉄濃度増加領域とは重なっていない(すなわち、ボロン濃度が減少した後に、鉄濃度が増加している)。ここで、バッファ層における増加領域のアクセプタ元素濃度の増加割合は、増加領域よりも上方のチャネル層上部でアクセプタ元素濃度を低くするための減少領域の減少割合よりも大きい(すなわち、傾きが急である)。
作製した半導体基体10について、実施例1と同様にして、光点密度評価(すなわち、ピット密度評価)を行った。評価結果は実施例1より良好な結果となった。
また、作製した半導体基体10について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表1に示す。
作製した半導体装置11について、実施例1と同様にして、デバイス耐圧(縦方向耐圧)を測定すると、バッファ層における鉄原子の総数が実施例1より少ないので、測定結果は実施例1よりも若干劣る結果となった。
図6(e)に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた半導体基体を作製した。すなわち、比較例1のバッファ層においては、鉄ドープ及びボロンドープを行わなかった。
作製した半導体基体について、実施例1と同様にして、光点密度評価(すなわち、ピット密度評価)を行った。評価結果を図7(a)に示す。
また、作製した半導体基体について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表1に示す。
なお、比較例1の半導体基体については、非常に多くのピットが発生したために、半導体装置の作製、及びデバイス耐圧(縦方向耐圧)の測定は行えなかった。
図6(d)に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた半導体基体を作製した。すなわち、比較例2のバッファ層においては、実施例1と同様にボロンドープを行なったが、鉄ドープは行わなかった。
作製した半導体基体について、実施例1と同様にして、光点密度評価(すなわち、ピット密度評価)を行った。評価結果を図7(b)に示す。
また、作製した半導体基体について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表1に示す。
作製した半導体装置について、実施例1と同様にして、デバイス耐圧(縦方向耐圧)を測定した。測定結果を図8(b)に示す。
図6(a)に示す鉄濃度プロファイル、及びボロン濃度プロファイルを有するバッファ層を備えた半導体基体を作製した。すなわち、比較例3のバッファ層においては、実施例1と同様にボロンドープを行なったが、鉄ドープはバッファ層全体に対して行った(すなわち、バッファ層の初期層から行った)。
作製した半導体基体について、実施例1と同様にして、光点密度評価(すなわち、ピット密度評価)を行った。評価結果を図7(c)に示す。
また、作製した半導体基体について、基板エッジからのクラックの長さを確認した。確認されたクラック長を表1に示す。
作製した半導体装置のピットが観察されない領域において、実施例1と同様にして、デバイス耐圧(縦方向耐圧)を測定した。測定結果を図8(c)に示す。
例えば、図2の半導体基体10’において、積層体14の第1の層15(例えば、AlN層)のみアクセプタ元素を含み、第2の層16(例えば、GaN層)にアクセプタ元素を含まない、又は少なくするようにしてもよい。この場合、実施例1における不純物プロファイルは、図11(a)に示すように、積層体のAlN層の箇所で鉄濃度が増加し、積層体のGaN層の箇所で鉄濃度が減少するようなものとなる。また、実施例2における不純物プロファイルは、図11(b)に示すように、初期層、及び積層体のAlN層の箇所で鉄濃度が増加し、積層体のGaN層の箇所で鉄濃度が減少するようなものとなる。上記のような場合においても、同様の効果が得られる。
また、「上」という表現は、間に異なる層がある場合も含まれるものとする。
14…積層体、 15…第1の層、 16…第2の層、 23…第1の領域、
24…第2の領域、 25…バッファ層、 26…チャネル層、 27…バリア層、
28…2次元電子ガス、 29…動作層、 30…第1電極、 31…第2電極、
32…制御電極。
Claims (5)
- 基板と、
窒化物半導体からなり、前記基板上に設けられるバッファ層と、
窒化物半導体からなり、前記バッファ層上に設けられるチャネル層と
を備え、
前記バッファ層は、
前記基板側に設けられ、ボロン濃度がアクセプタ元素濃度よりも高い第1の領域と、
前記第1の領域上に設けられ、前記第1の領域よりボロン濃度が低く、前記第1の領域よりアクセプタ元素濃度が高い第2の領域と
を含み、
前記バッファ層が、ボロン濃度が前記基板側から前記チャネル層側に向かって減少する減少領域を含み、
前記バッファ層が、前記減少領域のボロン濃度減少開始位置よりも前記チャネル層側に、アクセプタ元素が前記基板側から前記チャネル層側に向かって増加する増加領域を含み、
前記減少領域は、前記増加領域と一部重なっており、
前記第1の領域のボロン濃度が1×10 17 cm −3 〜1×10 21 cm −3 であり、前記第1の領域のアクセプタ元素濃度が1×10 15 cm −3 〜5×10 17 cm −3 であり、前記第2の領域のボロン濃度が1×10 13 cm −3 〜1×10 15 cm −3 であり、前記第2の領域のアクセプタ元素濃度が5×10 17 cm −3 〜1×10 20 cm −3 であることを特徴とする半導体基体。 - 前記バッファ層が前記基板側にAlNからなる初期層を含み、
前記初期層はアクセプタ元素を含まないことを特徴とする請求項1に記載の半導体基体。 - 前記バッファ層が前記基板側にAlNからなる初期層を含み、
前記初期層のアクセプタ元素濃度は、前記初期層のボロン濃度よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の半導体基体。 - 前記アクセプタ元素が、遷移金属、炭素、マグネシウムのいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体基体。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体基体と、
前記チャネル層上に設けられた電極と
を備えることを特徴とする半導体装置。
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