JP5733633B2 - マス形成はんだと半導体チップとをホルダ上に配置する装置 - Google Patents

マス形成はんだと半導体チップとをホルダ上に配置する装置 Download PDF

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Description

本発明は、材料を加えることによってコンポーネントをホルダにはんだ付けする方法、および２つの要素を重ね合わせる装置に関する。
本発明は、より詳細には、半導体チップなどのコンポーネントをホルダ上にはんだ付けすることに適用する。
マス（ｍａｓｓ）が加熱されるステップを含むタイプの、マス形成はんだを加えることによって、コンポーネントをホルダ上にはんだ付けする方法は、当技術分野においてはすでに知られている。
従来のやり方では、マス形成はんだは、半導体チップとホルダの間に挿入されるはんだペースト、または円盤もしくは長方形に切断された薄いストリップからなる。
一般には、加熱ステップの前に、コンポーネントは、チップとホルダの間の平行度を保証する元の位置のマス形成はんだ上に正確に配置される。
マス形成はんだが、はんだの融点より高い、またはその融点と等しい温度に加熱されると、マスは融解し、凝固すると、チップをホルダに取り付ける。
例えば、はんだを加熱するために、このマスの位置にて、レーザビームが、マスを支えるホルダの第２の面と反対側のホルダの第１の面に向けられ、ビームの衝撃によって発生するホルダ上の熱は、ホルダを通ってマスに伝わる。
一般には、第１には、マス形成はんだとチップの間、および第２には、ホルダとマス形成はんだの間の接触面は、比較的不整形であり、加熱ステップ中、ホルダからチップへの熱伝達を困難にする。
したがって、一般に、チップとホルダの間の熱伝達を向上させるためには、加熱ステップの前にチップを位置付けるとともに、表面の不整形をできる限り取り除くために、圧縮力が、チップ、マス形成はんだおよびホルダを含む組立部の上に加えられる。
この圧縮力の強度は、圧縮している間に半導体チップにダメージを与えないように、比較的低い必要がある。
しかし、この圧縮力の強度は比較的低いので、いくつかの不整形により、加熱ステップ中、熱伝達が不十分なままの状態である場合がある。
したがって、加熱ステップ中、チップ、マスおよびホルダを含む組立部の温度は一様でなく、その場合、マス形成はんだを冷却することにより生じる接合部は、特に、不均一の厚さなどの欠点を示す場合がある。
そのため、本発明の主な目的は、マス形成はんだを冷却することによって形成されるチップとホルダの間の接合部の質を向上させることである。
そのため、本発明は、前述したタイプのはんだ付け方法に関し、加熱ステップの前に、マスおよびコンポーネントをホルダ上に配置する以下のステップ：
− マスをホルダ上に位置付けるステップと、
− マスをホルダに対して押し付けるように、第１の圧縮力をマス上に加えるステップであって、第１の力の強度は、マス形成はんだを平らにするように選択される所定の第１の値まで上がる、ステップと、
− コンポーネントを、平らにされたマス上に位置付けるステップと、
− コンポーネントを、平らにされたマスおよびホルダに対して押し付けるように、第２の圧縮力をコンポーネントに加えるステップであって、第２の力の強度は、第２の所定値まで上がり、第２の所定値は、第１の所定値より低い、ステップと、
を含むことを特徴とする。
第１の力の第１の所定値は、第２の力の第２の所定値より大きいので、本発明によるはんだ付け工程は、チップと、マス形成はんだとの異なる圧縮強さを考慮することが可能である。
例えば、第１の圧縮力の強度は５０グラム−力であり、第２の圧縮力の強度は１０グラム−力である。
第１に、第１の圧縮力は、チップなしのマス形成はんだに加えられるということにより、比較的高い値が、マスを十分に平らにするように選択可能であり、それにより、ホルダとマスの間の熱伝達が向上する。
次いで、第２に、第２の圧縮力は、平らにされたマスおよびホルダに対するコンポーネントに加えられることが可能であり、第２の所定値は、比較的低く選択可能である。そのため、チップは、圧縮力の強度が高過ぎることによるダメージから保護される。
加えて、第２の圧縮力をチップ、マスおよびホルダ上に加えることによって、熱伝達は、ホルダとチップの間で最適化される。
好ましくは、マスをホルダ上に位置付けるステップ中に、マスは、マスがホルダと接触し始める位置を検出するまで、ホルダの方に移動し、加力ステップ中に、第１の力の強度は、接触位置の検出中に設定される実質的にゼロの初期値から第１の所定値まで上がる。
同様に、コンポーネントを、平らにされたマス上に位置付けるステップ中に、コンポーネントは、コンポーネントが平らにされたマスと接触し始める位置を検出するまで、平らにされたマスの方に移動し、加力ステップ中に、第２の力の強度は、接触位置の検出中に設定される実質的にゼロの初期値から第２の所定値まで上がる。
したがって、接触位置を検出し、実質的にゼロの初期強度の圧縮力を加えるステップは、ホルダに対するマスの圧縮、ならびに平らにされたマスおよびホルダに対するチップの圧縮全体にわたって、効率的な制御を可能にする。
本発明によるはんだ付け方法はまた、１つまたは複数の以下の特徴を含むことが可能である：
− 第１の圧縮力および／または第２の圧縮力の強度が、強度の値から第１の所定値および／または第２の所定値まで、段階的増加で上がる。
− 加熱ステップ中、ホルダに対するコンポーネントの相対位置が、一定に維持される。
− 加熱ステップ中、このマスの位置にて、レーザビームが、ビームによるホルダの照射期間中、このマスを支えるホルダの第２の面と反対側のホルダの第１の面に向けられ、ホルダに対するコンポーネントの相対位置が、少なくとも照射の期間中、一定に維持される。
− 第１の所定値は、第１の力を加えるステップの後、マスの厚さの下限臨界値により決定される。
− 第２の所定値が臨界値未満であり、それを超えると、コンポーネントはダメージを与えられることになる。
− コンポーネントが半導体チップである。
また、本発明は、第１の要素を第２の要素上に配置するための装置に関し、以下を含む：
− 第１の要素を第２の要素上に移動させる手段、
− 第１の要素を第２の要素に対して押し付けるための手段、
さらに、それは、以下を含むことを特徴とする：
− 第１の要素が第２の要素と接触し始めると、接触位置を検出する手段、
− 変位手段のカウンタウェイトを形成する手段、および
− 圧縮手段と、接触位置の検出によりカウンタウェイトを形成する手段とを制御する手段。
また、本発明による配置装置は、以下による１つまたは複数の特徴を含むことが可能である：
− 変位手段が、第１の要素を保持するための吸引タイプの保持手段を含み、
− 変位手段が、保持手段の吸引チューブを通る光ファイバを有する赤外線タイプの温度測定手段を含み、
− 検出手段が、容量性タイプの接触検出器と、圧力センサとから選択され、
− 装置が、マス形成はんだと、半導体チップとから選択される第１の要素を、ホルダを形成する第２の要素上に配置するように設計される。
以下の、実施例として示される説明を読み、図面を参照すると、本発明は理解されやすくなる。
本発明による配置装置を含むはんだ取付け部を示す図である。 本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。 本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。 本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。 本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。 本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。 本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。 本発明による、チップをホルダ上にはんだ付けするはんだ付け工程のステップを示す、図１に示された配置装置の正面図である。
はんだ取付け部は、図１に示されている。はんだ取付け部は、全体共通の参照符号１０で指定される。
取付け部１０は、マス形成はんだ１６を加えることによって、コンポーネント１２をホルダ１４上にはんだ付けするために使用される。
説明されている実施例において、コンポーネント１２は、従来の半導体チップである。従来のやり方では、マス形成はんだ１６は、はんだ付けペーストまたは円盤もしくは長方形に切断された薄いストリップからなる。
説明されている実施例において、ホルダ１４は、ホルダ１４によって支持される半導体チップ１２を保護するための保護ボックスの一部を形成する合成材料でできている部分ＰＳによって少なくとも部分的に取り囲まれている金属部分ＰＭ、具体的には、銅を含む。
ホルダ１４は、両側に第１の面Ｓ１および第２の面Ｓ２を含み、マス形成はんだ１６は、ホルダ１４の金属部分ＰＭの第２の面Ｓ２に取り付けられるように意図されている。好ましくは、第２の面Ｓ２は、ニッケルの薄層によりメッキされている。
チップ１２およびマス１６をホルダ１４上に正確に配置するために、はんだ取付け部１０はまた、マス形成はんだ１６と、半導体チップ１２とから選択される第１の要素を、ホルダ（ホルダ１４など）を形成する第２の要素上に配置するための装置１８を含む。
配置装置１８は、チップ１２またはマス１６を、ホルダを形成する第２の要素上に変位させるための手段２０を含む。この実施例において、変位手段２０は、Ｘ軸およびＹ軸に実質的に平行な水平面に、およびＺ軸に実質的に平行な垂直方向に、チップ１２またはマス１６を変位させるための連結式手段２２を含む。
また、好ましくは、変位手段２０は、第１の要素１２または１６を保持するための保持手段２４を含む。
好ましくは、保持手段２４は、吸引タイプである。そのため、保持手段２４は、例えば真空ポンプを含む吸引手段２８に接続されている吸引チューブ２６を備える。
保持手段２４を正確に変位させるために、変位手段２０は、連結式手段２２を接続するための接続手段３０を備え、保持手段２４は、手段２４が連結式手段２２に締結されている活動化状態と、手段２４が連結式手段２２から分離されているアイドル状態とを取ることができる。
これらの接続手段３０は、例えば、第１のクランピングジョー３４Ａおよび第２のクランピングジョー３４Ｂ（図２から図８）が備えられている連結式手段２２に締結されている水平動作（この実施例においては、ｙ軸に平行）を持つ第１の線形アクチュエータアーム３２Ａおよび第２の線形アクチュエータアーム３２Ｂを含む。例えば、アクチュエータアーム３２は、ロッドを有する空気式タイプの線形シリンダである。各ジョー３４Ａ、３４Ｂは、対応するシリンダ３２Ａ、３２Ｂのロッドの一端部に締結されている。
この実施例において、接続手段３０の活動化状態では、クランピングジョー３４は、保持手段２４を締め付けるように意図され、接続手段３０のアイドル状態では、クランピングジョー３４は、保持手段２４を解放するように意図されている。
また、配置装置１８は、第１の要素上の圧縮力を第２の要素に対して加えるように意図されている、第１の要素を第２の要素に対して押し付ける圧縮手段３６を有する。
圧縮手段３６は、例えば、連結式手段２２に締結されている垂直動作（実施例においては、ｚ軸に平行）を持つ第１の線形アクチュエータアーム３８Ａおよび第２の線形アクチュエータアーム３８Ｂを備える。アクチュエータアーム３８は、保持手段２４上に垂直推力を及ぼすことによって、第１の要素上の垂直圧縮力を第２の要素に対して加えるように意図されている。
また、各アクチュエータアーム３８は、ロッドを有する空気式タイプの線形シリンダである。そのため、従来のやり方において、アクチュエータアーム３８は、各シリンダのロッドが引き込まれるアイドル状態と、各シリンダのロッドが引き伸ばされる作動状態とを取るように意図されている。
シリンダロッドに締結されている保持手段２４は、アクチュエータアーム３８のシリンダが活動化状態からアイドル状態に変わると引き上げられ、そうでない場合は引き下げられるように、シリンダロッドによって変位する。
説明されている実施例において、装置１８はまた、（図１に示されている）圧縮力強度を調整するための手段４０を含む。
加えて、また、配置装置１８は、第１の要素が第２の要素と接触し始めると、接触位置を検出するための手段４２を含む。好ましくは、検出手段４２は、保持手段２４内に一体化される圧力センサを含む。
変形形態として、検出手段４２は、容量性タイプの接触検出器を含む。
また、配置装置１８は、変位手段２０のカウンタウェイト（図示せず）を形成する手段を含む。この実施例において、より正確には、手段は、保持手段２４のカウンタウェイトを形成し、圧縮手段３６の要素、より詳細には、アクチュエータアーム３８の要素を形成する。
また、配置装置１８は、圧縮手段３６と、手段４２によって接触位置を検出することによりカウンタウェイトを形成する手段とを制御するための手段４４を含む。
マス形成はんだ１６を加熱して、チップ１２をホルダ１４上にはんだ付けするために、取付け部１０はまた、例えば、レーザビーム４６を放射するレーザ源など、熱源（図示せず）を含む。
また、取付け部１０は、マス形成はんだ１６の位置における点５０に、レーザビーム４６の焦点を合わせるための手段４８を含む。
場合により、マス形成はんだ１６および半導体チップ１２の温度を、これら２つの要素を加熱しながら調べるために、変位手段２０は、赤外線タイプの温度測定手段５２（図１）を含む。
例えば、測定手段５２は、保持手段２４の吸引チューブ２６を通る光ファイバ５４を含む。場合により、測定手段５２はまた、光ファイバ５４に接続されている赤外線高温計５６を含む。
次に、図２から図８を参照して、本発明によるはんだ付け方法の主なステップを説明することにする。
まず、この方法は、コンポーネント１２およびマス１６をホルダ１４上に配置するためのステップを含む。
したがって、図２に示されている第１の配置ステップ中に、マス１６は、ホルダ１２上に位置付けられる。図２に見られるように、マス形成はんだ１６の初期の全体的形状は、比較的不整形である。
このステップ中に、クランピングジョー３４は保持手段２４を締め付け、それにより、保持手段２４は、連結式手段２２に締結される。加えて、アクチュエータアーム３８は、それらのアイドル状態にある。したがって、連結式手段２２によって完全に制御されているので、保持手段２４の変位は比較的正確である。
保持手段２４は、吸引によってマス形成はんだ１６を保持する。
次いで、変位手段２０は、座標Ｘ０、Ｙ０およびＺ０により、第１の所定の位置Ｐ０まで、比較的迅速に、水平および垂直にマス１６を変位させる。
この実施例において、座標Ｘ０、Ｙ０は、チップ１２との電気的接続を意図されるホルダ１４上の電気コネクタ（図示せず）の位置によりあらかじめ規定されている。座標Ｚ０は、ホルダ１４およびマス１６が、これら２つの要素の間のいかなる偶発的な接触も回避するよう十分に離れているように選択される。
次いで、手段２０は、マス１６がホルダ１４と接触し始める位置を検出するまで、マス１６を垂直方向Ｚに徐々に変位させる。
マス１６がホルダ１４と接触し始める位置を検出すると、手段４４は、圧縮手段３６の活動化を制御する。
したがって、図３によって示されている、マス１６をホルダ１４上に配置するための第２のステップ中に、圧縮手段３６は、第１の圧縮力Ｆ１をマス１６上に加えて、保持手段２４を使用して、マス１６をホルダ１４に対して押し付ける。
より正確には、このステップ中、連結式手段２２を接続するための手段３０と、保持手段２４とは、アイドル状態にある。そのため、保持手段２４は、連結式手段２２に、もはや締結されていない。
次いで、アクチュエータアーム３８は、マス１６上の圧縮力Ｆ１をホルダ１４に対して加えるために、保持手段２４上に、ｚ軸によって規定される方向に沿って、垂直推力を及ぼす。本発明によれば、圧縮手段３６は、第１の力Ｆ１の強度を、マス形成はんだ１６を平らにするように選択される第１の所定値まで上げる。
好ましくは、圧縮力Ｆ１の強度を正確に制御するために、手段４４はまた、接触位置を検出すると、保持手段２４のカウンタウェイトを形成する手段の活動化を制御する。そのため、カウンタウェイトを形成する手段の活動化は、マス１６上に及ぼされる保持手段２４の重力を相殺する。
この場合、接触位置を検出すると、第１の力Ｆ１の強度は、第１に、調整手段４０による力の強度を調整することによって、および第２に、カウンタウェイトを形成する手段を活動化にすることによって、ゼロの初期値に調整可能である。
したがって、力Ｆ１が加えられるステップ中、圧縮手段３６は、第１の力Ｆ１の強度を、接触位置を検出すると設定される実質的にゼロの初期値から第１の所定値まで上げる。
好ましくは、第１の圧縮力Ｆ１の強度は、強度の値から第１の所定値まで、段階的増加で上がる。
力Ｆ１が加えられるステップ中、保持手段２４は、シリンダロッド３８が、圧縮力Ｆ１の強度の第１の所定値に到達するのに必要とされる長さｌ１だけ引き伸ばされる位置Ｐ１に下りる。
説明されている実施例において、第１の所定値は、約５０グラム−力である。
概して、マス形成はんだ１６の初期の厚さは、圧縮力が加えられるステップの前では、約１００ミクロンである。
好ましくは、第１の所定値は、第１の力Ｆ１が加えられるステップの後で、マス１６の厚さの下限臨界値により決定される。
例えば、この厚さの下限臨界値は、限界の厚さであるとして規定され、それを下回ると、マス１６の冷却により生じる接合部は、比較的脆弱である可能性がある。この実施例において、マスの厚さの下限臨界値は、約７０ミクロンである。
マス１６が平らにされた後、吸引手段５２は非活動化にされ、それにより、保持手段２４はマス１６を解放する（図４）。次いで、アクチュエータアーム３８は、活動化状態からアイドル状態に切り替わり、保持手段２４を引き上げることを可能にする。加えて、具体的には、クランピングジョー３４を含む保持手段２４を接続するための手段３０は活動化にされ、それにより、保持手段２４は、再度、連結式手段２２に締結される。
図５に示されている第３の配置ステップ中、半導体チップ１２は、平らにされたマス１６上に位置付けられる。
変位手段２０は、吸引によってチップ１２を拾い上げるように移動する。
次いで、変位手段２０は、座標Ｘ０、Ｙ０およびＺ０により、所定位置Ｐ０まで、比較的迅速に、水平および垂直にチップ１２を変位させる。この位置では、チップ１２は、マス１６と接触しない。
手段２０は、チップ１２が平らにされたマス１６と接触し始める位置を検出するまで、チップ１２を垂直方向Ｚに徐々に変位させる。
チップ１２が平らにされたマス１６と接触し始める位置を検出すると、手段４４は、圧縮手段３６の活動化を制御する。
したがって、図６に示されている第４の配置ステップ中に、チップ１２と、平らにされたマス１６との間の接触面の不整形を低減するために、圧縮手段３６は、第２の圧縮力Ｆ２をチップ１２上に加えて、チップ１２を、平らにされたマス１６およびホルダ１４に対して押し付ける。
本発明によれば、圧縮手段３６は、第２の力Ｆ２の強度を第１の所定値未満の第２の所定値まで上げる。
第２の所定値は、臨界値未満であり、それを超えると、チップ１２はダメージを与えられることになる。例えば、第２の所定値は、約１０グラム−力である。
好ましくは、圧縮力Ｆ２の強度を正確に制御するために、手段４４はまた、チップ１２がマス１６と接触し始める時の位置を検出すると、保持手段２４のカウンタウェイトを形成する手段の活動化を制御する。カウンタウェイトを形成する手段を活動化にし、調整手段４０を使用して第２の力の強度の値を調整することによって、初期値は、実質的にゼロの値に調整可能である。
次いで、第２の力Ｆ２の強度は、接触位置を検出すると設定される初期の実質的にゼロの値から、第２の所定値まで上がる。
好ましくは、第２の圧縮力Ｆ２の強度は、強度の値から第２の所定値まで、段階的増加で上がる。
力Ｆ２が加えられるステップ中、保持手段２４は、シリンダロッド３８が、圧縮力Ｆ２の強度の第２の所定値に到達するのに必要とされる長さｌ２だけ引き伸ばされる位置Ｐ２に下りる。
配置ステップを行った後、方法はまた、図７に示されているマス形成はんだ１６を加熱するためのステップを含む。
そのため、マス形成はんだ１６を加熱するために、レーザビーム４６は、ホルダ１４の第１の面Ｓ１上に向けられる。より正確には、レーザビーム４６は、ビーム４６によるホルダ１４の照射期間中、マス形成はんだ１６の位置に向けられる。
レーザビーム４６によるホルダ１４の照射の点５０に発生する熱は、ホルダ１４を通じて、マス形成はんだ１６およびチップ１２に伝わる。
表面の不整形は、圧縮力Ｆ１およびＦ２が加えられるステップ中に弱められるので、熱伝達は、ホルダ１４とマス１６の間、ならびにマス１６とチップ１２の間で比較的良好である。
この実施例において、加熱ステップ中、ビーム４６によるホルダの照射期間中は少なくとも、チップ１２およびホルダ１４の相対位置は、一定に維持される。
そのため、加熱ステップの前に、保持手段２４は、位置Ｐ２に固定される。具体的には、シリンダロッド３８を長さｌ２だけ引き伸ばされた状態に維持しながら、制御手段４４は、圧縮手段３６を非活動化にし、クランピングジョー３４は、活動化にされる。
加熱ステップの前は、マス１６は、比較的硬質である。第２の所定値と等しい強度の力Ｆ２は、マス１６と、力Ｆ２の強度とやはり等しい強度の保持手段２４上のチップ１２との反作用によって、従来通りに補償される。
加熱ステップ中、保持手段２４は、位置Ｐ２に維持される。マス１６の軟化により、マス１６と、保持手段２４上のチップ１２との反作用の強度は、マス１６が液状である場合は、ゼロに下がる。圧縮手段３６が非活動化にされるので、チップ１２およびマス１６上に保持手段２４によって及ぼされる力Ｆ２の強度は、同様にして、低下する。
これは、特には、加熱ステップ中のマス１６の軟化を考慮に入れるために行われ、それにより、チップ１２へのダメージが回避される。加熱ステップ中に、チップ１２および軟化されたマス１６上に過度の強度の圧縮力を加えると、チップ１２の側面に軟化されたマス１６を突き出してしまうこともあり、それにより、チップ１２をホルダ１４上に直接、押し付けてしまうこともありえる。
好ましくは、チップ１２およびホルダ１４の相対位置は、マス形成はんだ１６が冷却されるまで一定に維持される。
加えて、レーザビーム４６によるホルダ１４の照射中、およびマス１６の冷却中、具体的には、チップ１２の温度は、測定手段５２を使用して調べられることが可能である。光ファイバ５４は、チップ１２によって放射される赤外線フラックスを収集し、それを高温計５６に送る。次いで、高温計５６は、収集された光束を温度値に変換する。
図８に示されているように、マス１６が冷却された後、吸引手段２８は非活動化にされ、保持手段２４はチップ１２を解放する。接続手段３０は非活動化にされ、ジョー３４は保持手段２４を解放する。シリンダロッド３８は引き込まれ、保持手段２４を引き上げることを可能にする。次いで、接続手段３０は、再度、活動化にされ、連結式手段２２は、保持手段２４を移動させて、例えば、新規要素をホルダ１４上に配置し、はんだ付けすることを可能にする。

Claims (5)

  1. マス形成はんだ（１６）と半導体チップ（１２）とを、マス形成はんだ（１６）の上に半導体チップ（１２）が配置されるように、ホルダ（１４）上に配置する装置（１８）であって、
    マス形成はんだ（１６）および半導体チップ（１２）を保持するための保持手段（２４）を有し、マス形成はんだ（１６）をホルダ（１４）上に、また、半導体チップ（１２）をホルダ（１４）上に配置されたマス形成はんだ（１６）上に移動させる変位手段（２０）、
    保持手段（２４）を介して、マス形成はんだ（１６）をホルダ（１４）に対して、また、半導体チップ（１２）をマス形成はんだ（１６）に対して押し付ける圧縮手段（３６）を含み、
    また、
    マス形成はんだ（１６）および半導体チップ（１２）がそれぞれホルダ（１４）およびマス形成はんだ（１６）と接触し始めると接触位置を検出するための検出手段（４２）、
    マス形成はんだ（１２）上に及ばされる保持手段（２４）の重力および半導体チップ（１２）上に及ぼされる保持手段（２４）の重力を相殺するための保持手段（２４）のカウンタウェイトを形成する手段、
    マス形成はんだ（１６）とホルダ（１４）の接触位置を検出するとカウンタウェイトを形成する手段を活動化し、且つ、マス形成はんだ（１６）上の圧縮力（Ｆ１）をゼロの初期値から第１の所定値へと上げるように圧縮手段（３６）を制御し、また、半導体チップ（１２）とマス形成はんだ（１６）の接触位置を検出するとカウンタウェイトを形成する手段を活動化し、且つ、半導体チップ（１２）上の圧縮力（Ｆ２）をゼロの初期値から第２の所定値へと上げるように圧縮手段（３６）を制御する、カウンタウェイトを形成する手段と圧縮手段（３６）とを制御するための制御手段（４４）、
    を含み、圧縮手段（３６）が、半導体チップ（１２）をホルダ（１４）上に配置されたマス形成はんだ（１６）上に第２の所定値の圧縮力（Ｆ２）にて配置した後、制御手段（４４）による該圧縮手段（３６）の非活動化後も、保持手段（２４）とホルダ（１４）の相対位置を一定に維持することができるように構成されている、ことを特徴とする、装置。
  2. 保持手段（２４）が、吸引タイプである、請求項１に記載の装置（１８）。
  3. 変位手段が、保持手段（２４）の吸引チューブ（２６）を通る光ファイバ（５４）を有する赤外線タイプの温度測定手段（５２）を含む、請求項２に記載の装置（１８）。
  4. 検出手段（４２）が、容量性タイプの接触検出器と、圧力検出器とから選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置（１８）。
  5. 制御手段（４４）が、半導体チップ（１２）を配置するときの圧縮力（Ｆ２）の第２の所定値が、マス形成はんだ（１６）を配置するときの圧縮力（Ｆ１）の第１の所定値未満となるように圧縮手段（３６）を制御する、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置（１８）。
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