JPH09330956A - 半導体装置のリペア方法とリペア装置 - Google Patents

半導体装置のリペア方法とリペア装置

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JPH09330956A
JPH09330956A JP15207296A JP15207296A JPH09330956A JP H09330956 A JPH09330956 A JP H09330956A JP 15207296 A JP15207296 A JP 15207296A JP 15207296 A JP15207296 A JP 15207296A JP H09330956 A JPH09330956 A JP H09330956A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半田により実装されたベアチップを基板から
取り外してリペアを行う場合、熱風により半田を溶融さ
せる技術では隣接部品に熱ダメージを与えることがあ
り、リペアの信頼性が劣化される。 【解決手段】 ベアチップ10が実装された基板11を
加熱テーブル2上において加熱し、かつベアチップ10
にはコレット5を接触させ、コレット5を加熱すること
でベアチップ10の加熱を行い、半田を溶融させる。ま
た、コレット5によりベアチップ10を真空吸着し、コ
レット5と共に移動させて基板11から取り外す。コレ
ット5の熱でベアチップ10を効率良く加熱でき、かつ
隣接部品への熱ダメージが防止され、リペアの信頼性が
改善される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はMCM基板等の回路
基板にベアチップ等の半導体装置を半田実装した後に、
その半導体装置を交換するためのリペア方法とリペア装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般にベアチップを用いる半導体装置で
は、ベアチップ単体の特性試験を行うことが難しいた
め、ベアチップを一旦基板に実装した状態で特性試験を
行い、不良とされた基板のベアチップを他のベアチップ
に交換するリペアが行われる。このリペアを行うことに
より、基板の接続されている他の部品をそのまま利用す
ることができ、半導体装置の歩留りを改善することがで
きる。図5は半田を用いてベアチップを基板に実装する
半導体装置における従来のリペア方法を説明するための
図である。この例においては、基板101のパッド10
2には予め半田103が供給されており、このパッド1
02に対してベアチップ104の電極105を熱圧着す
ることでベアチップを基板に実装しているものとする。
【0003】このベアチップ104を基板101から取
り外すために、基板101はヒータを内蔵するステージ
106上に載置され、加熱される。そして、ノズル10
7を用いて取り外そうとするベアチップ104の上面へ
熱風を吹き付け、ベアチップ104自体を加熱すると共
に接続部の半田103を溶かす。半田103の溶けた時
点でベアチップ104に水平方向にせん断力を加えて取
り外す。また、ベアチップを取り外した部分の基板のパ
ッド上へ新たに半田を供給する方法としては、例えば特
開平5−161992号公報に記載の技術が採用でき、
ここでは薄い入り子をパッドと照合するパターンにエッ
チングし、それに半田メッキしたキャリアテープを製造
し、それを基板のパッド上に重ねた上で必要部を切断除
去し、残された部分を基板に対して加圧、加熱すること
で半田メッキ部分をパッド上にのみ残し、交換したベア
チップの半田付けを可能とするものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のリペ
ア方法では、次の問題が生じている。先ず、第1の問題
点は、ベアチップ取り外し時に、ベアチップに熱風を吹
き付けているため、この熱風が隣接する他の部品や接続
部にまで到達されてこれらを加熱するため、これらの隣
接する部品やその接続部に対して熱的ダメージが加わ
り、部品が熱破壊され、或いは接続が破壊されることが
ある。また、第2の問題点として、熱を空気を媒体とし
てベアチップへ伝えるため、熱伝達効率が悪く接続部半
田が溶けるまでの時間が長くなり、ベアチップの取り外
しに時間がかかるという問題がある。さらに、第3の問
題点として、交換したベアチップを実装する際に、前記
した公報のキャリアテープを用いる技術では、キャリア
テープが半田を供給するパッドの面積よりも大きめに形
成されているため、局所的な場所への半田供給が困難と
なた、隣接する部品や部分にも半田を供給してしまい、
ベアチップの実装後にこの半田により隣接部品や部分と
の短絡が生じるおそれがある。
【0005】本発明の目的は、隣接部品や部分へのダメ
ージを生じることなく、またこれらとの電気的短絡を生
じることなく、短時間で半導体装置の交換を可能とする
リペア方法とリペア装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のリペア方法は、
半田等の熱溶融性のろう材により半導体装置が実装され
た基板を加熱テーブル上に載置して加熱するとともに、
加熱機構を備えるコレットを前記半導体装置に接触させ
て半導体装置を加熱し、かつ前記コレットに前記半導体
装置を吸着し、前記ろう材が溶融されたときに前記コレ
ットにより半導体装置を基板から取り外す工程を含んで
いる。また、半導体装置が取り外された基板のパッドに
対応するパターンに半田等のろう材ペレットをテープ状
ろう材から打ち抜き、この打ち抜いたろう材ペレットを
転写板に付着させ、この転写板を前記コレットに吸着さ
せて基板のパッド上に接触させ、かつ前記コレットによ
り転写板を加熱して前記ろう材ペレットを溶融させ、前
記パッドに転写させる工程を含むことが好ましい。さら
に、ろう材が供給された基板のパッド上に前記コレット
により吸着した新たな半導体装置を載置し、かつ前記コ
レットにより半導体装置を基板に加圧しながら加熱して
前記ろう材を溶融させ、半導体装置の電極を前記パッド
にろう付けする工程を含むことも好ましい。
【0007】本発明のリペア装置は、半導体装置が実装
された基板を固定して加熱する加熱テーブルと、この加
熱テーブルに対して移動でき、前記半導体装置を吸着す
る手段と加熱する手段とを備えるコレットと、前記基板
に設けられている半導体装置を実装するためのパッドに
対応したパターンにリボン状のろう材を打ち抜き形成す
るろう材供給部と、打ち抜き形成されたろう材を付着で
き、前記コレットにより前記パッド上に移動されたとき
にろう材をパッド上に転写させる転写板とを備えてい
る。この場合、リペア装置の全体が窒素雰囲気に保持さ
れるリペア室に設備されることが好ましい。
【0008】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明にかかるリペア装置の
全体構成を示す図である。リペア装置は内部が窒素雰囲
気に保持されたリペア室1内に設備される。リペア室1
にはヒータ3を内蔵した加熱テーブル2が設置され、こ
の加熱テーブル2には収納部4に収納されていて実装さ
れているベアチップ10がリペアされる基板が図外の搬
送機構によって移動載置され、かつ加熱テーブル2上に
機械的に固定支持される。また、リペアが終了した後に
収納部4に収納される。
【0009】前記加熱テーブル2の上方位置には、コレ
ット5が設けられ、図示の左右方向および上下方向に移
動可能とされる。このコレット5は、図2(a)にその
断面構造を示すように、パルスヒートによる加熱機構5
1が内蔵され、コレット自体が加熱されるように構成さ
れる。また、コレット5の下面には真空源に接続される
吸着孔52が開設されており、この下面においてベアチ
ップ10を真空吸着できるようになっている。
【0010】前記加熱テーブル2に隣接する位置には、
後述する転写板を載置する転写板保持台6と、その隣に
半田ペレットを供給する半田ペレット供給部7と、交換
する新たなベアチップを供給するベアチップ供給部8
と、不良のベアチップを廃棄する廃棄部9とが設けられ
る。特に、半田ペレット供給部7は、図3(a)に示す
ように、薄いリボン状に形成された半田テープ71から
微小な半田ペレットを打ち抜き形成するための固定型7
2と可動型73からなる打ち抜き機構74が設けられて
おり、ベアチップを実装する基板に設けられているパッ
ドに対応した寸法、パターンの半田ペレットを打ち抜き
形成することができるように構成される。
【0011】このように構成されたリペア装置によるベ
アチップのリペア方法を説明する。先ず、このリペア装
置では、(1)接続不良となったチップを取り外す工
程、(2)ベアチップを取り外した基板のパッドへ新た
に半田を供給する工程、(3)新しいベアチップを搭載
する工程から成り立っている。先ず、(1)ベアチップ
を取り外す工程においては、図2(a)のように、加熱
テーブル2上に既にベアチップ10が実装されている基
板11を載置固定した後に、ヒータ3により基板11を
加熱する。また、コレット5を基板11上のベアチップ
10の真上に位置させる。このとき、加熱テーブル側を
移動させるようにしてもよい。その後、図2(b)のよ
うにコレット5を下降させベアチップ10の上面へ接触
させる。接触後、コレット5に内蔵された加熱機構51
により加熱を開始する。この加熱によりベアチップ10
も加熱され、かつ基板11における加熱も加えられてベ
アチップ10を実装している半田が溶融される。したが
って、この半田が溶けた時点でコレット5の真空吸着孔
52によりベアチップ10を真空吸着させ、図2(c)
のようにコレット5を上昇させることでベアチップ10
を基板11から取り外すことができる。このとき、コレ
ットに5よりベアチップ10を若干水平方向に移動させ
ながら基板11から取り外すようにしてもよい。コレッ
ト5はベアチップを取り外した後に廃棄部9にまで移動
され、ここで真空吸着を解除することでベアチップ10
を廃棄部9に廃棄する。
【0012】次いで、(2)ベアチップを取り外した基
板11のパッドへ半田を供給する工程では、図3(b)
に示すように半田ペレット供給部7では、可動型73と
固定型72との間に半田テープ71が進入され、可動型
73が移動されることで固定型72との間で微小な半田
ペレット12を打ち抜き形成する。打ち抜かれた半田ペ
レット12は固定型72の上方に突出される。また、こ
れと同期してベアチップ10を廃棄したコレット5は、
今度は転写板保持台6の上に保持されている転写板13
をその下面に真空吸着する。この転写板13は、図4の
ように、熱膨張率が低く、熱伝導率の高いセラミック材
質のものが用いられ、その下面には比較的粘度の高いフ
ラックス14が薄く(10ミクロン程度)塗布され、か
つその下面の中央部にはスペーサ15が予め一体的に形
成されている。そして、図3(c)のように、この転写
板13を吸着したコレット5を前記半田ペレット供給部
7にまで移動させ、かつ下降させることで転写板13の
下面の前記スペーサ15の周囲位置において前記打ち抜
き形成した半田ペレット12をフラックス14の粘度に
より付着させる。
【0013】そして、コレット5を加熱テーブル2上の
基板上に位置決めし、図3(d)のようにコレット5を
下降させることで半田ペレット12を基板11のパッド
11a上、すなわち前記ベアチップを取り外したパッド
上に接触させる。そして、半田ペレット12がパッド1
1aに接触したら、コレット5により転写板13を基板
11に加圧すると共にコレット5を加熱する。この加
圧、加熱を行うことにより転写板13に付着していた半
田ペレット12が溶け、前記パッド11a上に濡れ広が
り、半田供給が行える。その後、コレット5は転写板1
3と共に上動し、転写板保持台6にまで転写板13を移
動させ、吸着を解除して保持台上に転写板を載置する。
転写板は次の工程のために下面に再びフラックスが塗布
される。
【0014】さらに、(3)新しいベアチップを搭載す
る工程では、その動作を説明するための図示は省略する
が、コレット5はベアチップ供給部8にまで移動され、
その下面に新たなベアチップを真空吸着する。そして、
前工程で半田ペレットが供給された加熱テーブル2上の
基板11直上位置にまで移動され、下降されてベアチッ
プをパッド11a上に接触させる。そして、コレット5
によりベアチップをパッド11aに対して加圧し、かつ
コレット5を加熱してベアチップを加熱することで、供
給した半田ペレット12を溶融させ、ベアチップの電極
をパッド11aに半田付けを行う。その後、コレット5
を冷却し、かつベアチップの真空吸着を解除すること
で、ベアチップが基板11に実装されることになる。
【0015】したがって、このリペア方法では、ベアチ
ップ10を基板11から取り外す際には、ベアチップ1
0にコレット5を接触させて熱伝導によりベアチップ1
0ないし半田を加熱するため、隣接する部品をいたずら
に加熱することはなく、隣接部品や隣接部位に対する熱
ダメージを防止することができる。また、コレット5か
ら直接ベアチップ10に熱が伝達されるため、コレット
5の熱をチップ側へ効率良く伝達でき、半田を短時間で
溶融させることができ、ベアチップ10の取り外し時間
が短縮される。また、取り外しの動作は窒素雰囲気で行
なわれるため、溶けた半田の濡れ性が向上する。溶けた
半田はその表面張力によってベアチップの電極側に濡れ
上がるため、取り外した後に基板のパッド上に半田が残
らない状態になる。
【0016】また、半田供給の際には、転写板13の材
質が熱膨張率の小さく、熱伝導率の高いセラミックで構
成されているため、転写板13を加熱する際の熱膨張に
よる半田ペレット12の位置と基板パッド11aの位置
のずれを防げると共にコレット5の熱が効率良く接続部
の半田に伝えられる。さらに、転写板13の下面にスペ
ーサ15が設けられていることにより、転写板13と基
板11の適切な間隔、平行度が保てるようになり、いた
ずらに半田が押し潰され、隣接するパッドが半田により
短絡されるようなこともない。なお、ベアチップとほぼ
同サイズの転写板を用いるため、局所的に半田供給する
ことが可能となり、かつ微細な半田ペレットを用いての
半田供給も可能となる。
【0017】なお、この実施形態では、外部端子が狭ピ
ッチであるベアチップをリベアする場合を例として用い
たが、本発明はQFP等のモールドパッケージ、TCP
等の半導体装置を実装する基板においても、これらの半
導体装置をリペアする場合に同様に適用できる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板から
半導体装置を取り外すときには、コレットを半導体装置
に吸着させるとともに、このコレットを通して半導体装
置を加熱してろう材を溶融させ、かつコレットにより半
導体装置を基板から取り外すので、半導体装置を加熱す
るための熱が半導体装置の隣接部品や隣接部分にまで影
響されることがなく、これら周囲の部品や部分での熱ダ
メージが防止できる。また、コレットにより半導体装置
を有効に加熱できるため、熱効率が高められ、半導体装
置を短時間で取り外すことができる。さらに、基板のパ
ッドに対しては打ち抜き形成したろう材を転写板を用い
て供給しているため、微細なパッドに対してもこれに対
応した微細なパターンのろう材を供給することができ、
隣接パッドや電極との短絡が防止できる。これにより、
リペアによる半導体装置の歩留りが改善でき、生産性向
上の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるリペア装置の全体構成を示す図
である。
【図2】半導体装置を基板から取り外す工程を説明する
ための図である。
【図3】ろう材を基板のパッドに供給する工程を説明す
るための図である。
【図4】転写板の断面図である。
【図5】従来における半導体装置を基板から取り外す工
程を説明するための図である。
【符号の説明】
1 リペア室 2 加熱テーブル 4 収納部 5 コレット 6 転写板保持台 7 半田ペレット供給部 8 ベアチップ供給部 9 廃棄部 10 ベアチップ 11 基板 12 半田ペレット 13 転写板 14 フラックス 15 スペーサ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に半田等の熱溶融性のろう材で実装
    された半導体装置を別の半導体装置と交換するリペア方
    法において、前記基板を加熱テーブル上に載置して加熱
    するとともに、加熱機構を備えるコレットを前記半導体
    装置に接触させて半導体装置を加熱し、かつ前記コレッ
    トに前記半導体装置を吸着し、前記ろう材が溶融された
    ときに前記コレットにより半導体装置を基板から取り外
    す工程を含むことを特徴とする半導体装置のリペア方
    法。
  2. 【請求項2】 半導体装置が取り外された基板のパッド
    に対応するパターンに半田等のろう材ペレットをテープ
    状ろう材から打ち抜き、この打ち抜いたろう材ペレット
    を転写板に付着させ、この転写板を前記コレットに吸着
    させて基板のパッド上に接触させ、かつ前記コレットに
    より転写板を加熱して前記ろう材ペレットを溶融させ、
    前記パッドに転写させる工程を含む請求項1の半導体装
    置のリペア方法。
  3. 【請求項3】 ろう材が供給された基板のパッド上に前
    記コレットにより吸着した新たな半導体装置を載置し、
    かつ前記コレットにより半導体装置を基板に加圧しなが
    ら加熱して前記ろう材を溶融させ、半導体装置の電極を
    前記パッドにろう付けする工程を含む請求項1または2
    の半導体装置のリペア方法。
  4. 【請求項4】 半導体装置はベアチップである請求項1
    ないし3のいずれかの半導体装置のリペア方法。
  5. 【請求項5】 半導体装置が実装された基板を固定して
    加熱する加熱テーブルと、この加熱テーブルに対して移
    動でき、前記半導体装置を吸着する手段と加熱する手段
    とを備えるコレットと、前記基板に設けられている半導
    体装置を実装するためのパッドに対応したパターンにリ
    ボン状のろう材を打ち抜き形成するろう材供給部と、打
    ち抜き形成されたろう材を付着でき、前記コレットによ
    り前記パッド上に移動されたときにろう材をパッド上に
    転写させる転写板とを備えることを特徴とする半導体装
    置のリペア装置。
  6. 【請求項6】 全体が窒素雰囲気に保持されるリペア室
    に設備される請求項5の半導体装置のリペア装置。
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