JP2004303757A - ボンディング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小さい押圧力にしか耐えられない非常に薄い半導体チップを、チップに損傷を与えることなく、基板に固着し得るダイボンディング装置の提供
【解決手段】ロードセル２と把持部７との間に静電容量式センサ１（容量Ｃ）を備える。センサ１は、可動電極１１、固定電極１２、ダイヤフラム１０を有し、接触検知センサとして機能する。チップ１００が基板１０１に接触すると、容量Ｃが増大するので、チップ１００と基板１０１との接触を検知できる。リニアモータ３は、容量Ｃが所定の閾値を超えたときに、その接触があったことを検知し、作動を停止する。接触の瞬間から接触の検知までの間の可動電極１１の変位は０．０１μｍ程度であり、このときチップ１００が受ける押圧力は例えば十数［ｍＮ］という微小な値である。したがって、チップ１００と基板１０１との接触から接触の検知までの間にチップ１００に加わる押圧力は、チップ１００の耐え得る応力に比べ十分に小さい。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップなどのチップを基板やリードフレーム等のチップ取付け体に固着するダイボンディング装置その他のボンディング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のボンディング装置としては、例えば特開平４−７８１４７に記載されたものがある。特開平４−７８１４７に記載されたボンディング装置は、ボンディングパッドを押圧するキャピラリと、このキャピラリを上下させる揺動アームと、キャピラリの上下方向に加わる力を検出する歪センサなどの力検出手段とを備え、力検出手段の力信号が所定値を越えた時点でキャピラリが一定の力でボンディングパッドを押圧するように揺動アームを制御し、そのキャピラリがボンディングパッドに接触した際に発生する衝撃力を力検出手段で測定し、衝撃力を打ち消すように揺動アームを制御している。また、キャピラリでボンディングパッドを押圧する際に、力検出手段の力信号をフィードバックして揺動アームを制御し、キャピラリによるボンディングパッドの押圧力を制御している。
【０００３】
力検出手段の力信号が所定値を越えた時点でキャピラリが一定の力でボンディングパッドを押圧するのは、キャピラリがボンディングパッドに接触した時点を検知し、その時点から一定の力でボンディングパッドを押圧するようにし、キャピラリがボンディングパッドに高速で衝突し、ボンディングパッド下の半導体素子の破損を防ぐことを目的としている。
【０００４】
キャピラリがボンディングパッドに接触した際に発生する衝撃力を打ち消すように揺動アームを制御するのは、キャピラリがボンディングパッドに接触した際にバウンディングや振動を短時間に収束させ、ボンディング速度を向上し、生産性を上げることを目的とする。
【０００５】
また、キャピラリによるボンディングパッドの押圧力を制御するのは、押圧力を一定値に維持し、ボンディングの信頼性の向上をするためである。
【０００６】
図７（Ａ）、（Ｂ）は、上述の特開平４−７８１４７に記載されたボンディング装置に類似する従来のダイボンディング装置（ダイボンダと通称される装置）の要部を示す模式図である。このダイボンディング装置では、リニアモータ３の出力軸４の下端と把持部７との間にロードセル２を設けている。ロードセル２は、特開平４−７８１４７のボンディング装置における力検出手段（歪センサ１６）に相当する。ダイボンディング装置は、図７（Ａ）に示すように、把持部７の下端へ半導体チップ１００を吸着により把持し、リニアモータ３の出力軸４を下方へ下げることにより、半導体チップ１００をテーブル１０２上の基板１０１へ載せ、半導体チップ１００を基板１０１へ接合する。ロードセル２は、図７（Ｂ）に示すように、リニアモータ３の出力軸４が下方へ下げられ、半導体チップ１００が基板１０１に押圧される際に、把持部７の反力を受けて歪み、押圧力Ｐに応じて抵抗値を変化させ、抵抗値の変化で押圧力Ｐを表す。
【０００７】
図７のダイボンディング装置は、リニアモータ３の出力軸４を下方へ下げ、半導体チップ１００を基板１０１へ向けて下降させ、半導体チップ１００を基板１０１へ接触させる下降・接触モードから、リニアモータ３を停止し、半導体チップ１００を一定の力で基板１０１へ押圧し、半導体チップ１００を基板１０１へ接着する接着モードへの作動モードの切り替えをする。この作動モードの切り替えのためには、半導体チップ１００が基板１０１に接触したことを検知する必要がある。図７のダイボンディング装置では、接触ロードセル２の出力Ｐが閾値Ｐｔを越えたとき、半導体チップ１００が基板１０１に接触したものと判断している。上述の特開平４−７８１４７に記載されたボンディング装置では、力検出手段（歪センサ１６）の出力を所定の閾値と比較し、キャピラリとボンディングパッドとの接触を検知している。
【０００８】
図８は、リニアモータ３の出力軸４を下方へ下げ、半導体チップ１００を基板１０１に接触させる工程における出力軸４のストローク（出力軸４の下端の下降距離）と押圧力Ｐとの関係を示す特性図である。ロードセル２の出力として検知される押圧力Ｐは、振幅Ｐｎのノイズを含む。そこで、半導体チップ１００が基板１０１に接触したことをロードセル２の出力で検知しようとすると、接触検知閾値をＰｔとすると、ノイズであるか或いは真に接触したことに起因する出力であるのかを識別するためには、Ｐｔはノイズの振幅Ｐｎの２倍程度の大きさとする必要がある。ロードセル２の出力Ｐが接触検知閾値Ｐｔを越えた時が、半導体チップ１００が基板１０１に接触したと判定できる時である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
半導体チップを基板に接合する際の押し付け加重は、半導体チップの薄型化により、小さくなっており、現在では０．１［Ｎ］程度が求められている（Ｎはニュートン）また、一台の装置で大きな加圧力、例えば５０［Ｎ］、にも対応することが必要である。加圧力５０［Ｎ］のダイボンディング装置では、ロードセル２の検知上限圧力は５０［Ｎ］以上であることが必要である。５０［Ｎ］のロードセルでは、０．０５［Ｎ］程度のノイズが発生するので、接触検知閾値Ｐｔは０．１［Ｎ］程度とすることが必要となる。
【００１０】
ロードセル２の出力をローパスフィルタに通すことにより、ノイズを低減すことはできる。しかしながら、ローパスフィルタを通すと、信号の遅延が生じるので、ロードセル２の出力により半導体チップ１００と基板１０１との接触を検知し、検知した時にリニアモータ３を停止する図７のダイボンディング装置では、接触からリニアモータ３の停止までの時間が長くなり、半導体チップ１００を規格値以上の大きな力で押圧し、ひいては半導体チップ１００を破損する虞がある。そこで、ロードセル２の出力のノイズをローパスフィルタで除去するという手段は採用できない。
【００１１】
したがって、図７のダイボンディング装置には、適用できる半導体チップの薄さに限界があった。また、図７のダイボンディング装置における上述の解決するべき課題は、同様に力検知手段の出力でキャピラリとボンディングパッドとの接触を検知する特開平４−７８１４７の装置においても同じく解決するべき課題である。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、小さい押圧力にしか耐えられない非常に薄い半導体チップなどのチップを基板やリードフレーム等のチップ取付け体に、チップを損傷することなく、固着し得るダイボンディング装置その他のボンディング装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するために本発明は次の手段を提供する。
【００１４】
（１）上下方向に往復運動をする出力軸を有する往復運動駆動装置と、該出力軸に連結部を介して連結され、下端でチップを把持する把持部と、該連結部に設けられ、該出力軸から該把持部へ伝達される力を、基板などのチップ取付け体に前記チップを押圧する押圧力として検知するロードセルとを有するボンディング装置において、
前記連結部は、前記チップが前記チップ取付け体に接触したことを検知する接触検知センサを有し、
前記接触検知センサは、互いに対面する固定電極および可動電極並びに該両電極間に介在するダイアフラムを有し、該固定電極と該可動電極との間の静電容量の変化により、該固定電極に対する該可動電極の変位を検知し、
前記固定電極および前記可動電極は、上下方向に緩みなく前記ロードセル及び前記連結部材にそれぞれ連結され、
前記ダイアフラムは、上下方向の力に応じて所定範囲内で上下方向に相対移動が可能なように前記固定電極および前記可動電極を連結し、
前記押圧力に基づき前記変位が生じたときに、該変位に基づき前記接触検知センサで検知される該押圧力の閾値は、前記ロードセルで検知される該押圧力の閾値より小さい
ことを特徴とするボンディング装置。
【００１５】
（２）前記接触検知センサは、上下方向とそれに直交する２軸回りの変位を検知する３軸の静電容量式センサでなり、
前記把持部は前記可動電極に固定されている
ことを特徴とする前期（１）に記載のボンディング装置。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態であるダイボンディング装置の要部を示す模式図である。図において、１は静電容量式センサ、２はロードセル、３はリニアモータ、４はリニアモータ出力軸、６は連結部、７は把持部、１０はダイヤフラム、１１は可動電極、１２は固定電極、１３，１４はストッパ、１００は半導体チップ、１０１は基板、１０２はテーブルである。ロードセル２、リニアモータ３、リニアモータ出力軸４、把持部７、半導体チップ１００、基板１０１及びテーブル１０２は図７の従来のダイボンディング装置におけるものと同じ部材である。連結部６は、固定電極１２に固定されており、上下方向に緩みなく固定電極１２をロードセル２へ連結する。図１（Ａ）は、リニアモータ３の作用によりリニアモータ出力軸４が下降中であり、半導体チップ１００と基板１０１とは未だ接触していない状態を示す。図１（Ｂ）は、半導体チップ１００が基板１０１に接触した状態を示す。
【００１７】
図１の実施の形態は、ロードセル２と把持部７との間に静電容量式センサ１を備えている。静電容量式センサ１は、可動電極１１、固定電極１２、ダイヤフラム１０、ストッパ１３，１４でなり、接触検知センサとして機能する。リニアモータ３が作動し、リニアモータ出力軸４が下降中であり、半導体チップ１００と基板１０１とが間隙で隔てられている図１（Ａ）の状態では、可動電極１１はストッパ１３に近接しており、可動電極１１と固定電極１２との間隔ｄは最も大きい。半導体チップ１００が基板１０１に接触した図１（Ｂ）の状態では、可動電極１１と固定電極１２との間隔ｄは図１（Ａ）の状態における間隔より小さい。可動電極１１と固定電極１２とでなるコンデンサの静電容量Ｃは、可動電極１１と固定電極１２との間隙ｄで定まる。したがって、その静電容量Ｃの測定により、可動電極１１が固定電極１２から最も離れている位置（可動電極１１がストッパ１４に最も近接した位置）から、固定電極１２へ近づく方向（上方向）へ変位したことを検知できる。
【００１８】
把持部７は可動電極７に固定されている。そこで、半導体チップ１００が基板１０１に接触し、さらにリニアモータ３がリニアモータ出力軸４を下方に押し出し続けると、可動電極１１と固定電極１２との間隙ｄが小さくなり、静電容量Ｃが増大するので、静電容量Ｃを測定し続けることにより、半導体チップ１００と基板１０１との接触を検知できる。リニアモータ３の制御部は、静電容量式センサ１の静電容量Ｃが所定の閾値を超えたときに、半導体チップ１００と基板１０１との接触があったことを検知し、リニアモータ３の作動を停止する。リニアモータ３の作動を停止した後に、ロードセル２により半導体チップ１００に加わる圧力を検知しながら、半導体チップ１００を一定の圧力で基板１０１に押し付け、半導体チップ１００を基板１０１へ接合する。
【００１９】
半導体チップ１００と基板１０１との接触を検知する図１の方式では、その接触の瞬間からリニアモータ３の制御部が接触を検知するまでの間に、可動電極１１が変位する距離は０．０１μｍ程度である。そして、可動電極１１が０．０１μｍの距離だけ変位する間に半導体チップ１００に加えられる力は、ダイヤフラム１０の応力だけである。図７の従来のダイボンディング装置におけるロードセル２が接触を検知するのに要する図８の接触検知閾値はＰｔであり、接触検知閾値Ｐｔの最低所要値は０．１［Ｎ］程度であった。この０．１［Ｎ］程度の接触検知閾値Ｐｔに比べ、ダイヤフラム１０の応力は、格段に小さく、例えば十数［ｍＮ］である。したがって、図１の実施の形態では、半導体チップ１００と基板１０１との接触から接触の検知までの間に半導体チップ１００に加わる押圧力は、半導体チップ１００の耐え得る応力に比べ十分に小さい。
【００２０】
図１の実施の形態にはストッパ１３及び１４が設けてあり、ストッパ１３及び１４は固定電極１２に対し可動電極１１が軸方向に変位できる範囲を規定している。ストッパ１３は、可動電極１１が固定電極１２から最も離れた位置の限界を規定する。また、ストッパ１４は、可動電極１１が固定電極１２に最も近接した位置の限界を規定する。
【００２１】
図２は、図１の実施の形態における作動状態を図１に加えて説明する図である。図２（Ａ）は全体の概観図である。図２（Ｂ）は、半導体チップ１００が基板１０１に近接してはいるが、未だ接触はしていない状態において、同図（Ａ）における静電容量式センサ１の構造を具体化して示している。図２（Ｃ）は、半導体チップ１００が基板１０１に接触している状態において、同図（Ａ）における静電容量式センサ１の構造を具体化して示している。図２（Ｂ）では、可動電極１１と固定電極１２との間隔ｄはａである。半導体チップ１００と基板１０１との接触があったことを検知し、リニアモータ３の作動を停止する下降・接触工程の後に、ロードセル２により半導体チップ１００に加わる圧力を検知しながら、半導体チップ１００を一定の圧力で基板１０１に押し付け、半導体チップ１００を基板１０１へ接合する接合工程に入るが、接合工程では、可動電極１１はストッパ１４に接触している。
【００２２】
また、半導体チップ１００が基板１０１に接触してから、その接触を静電容量式センサ１の容量変化で検知し、リニアモータ３の作動を停止するまでの間に、可動電極１１が図１（Ｂ）に示す位置より上にまで変位しても、可動電極１１の最大変位はストッパ１４で規定される。そこで、本実施の形態では、ダイヤフラム１０の変位が所定範囲に限定され、ダイヤフラム１０に過大な力が加わるのを防止できる。可動電極１１がストッパ１４に当接した図２（Ｃ）の状態では、可動電極１１と固定電極１２との間隔ｄはｂである。
【００２３】
図３は、図１の実施の形態におけるストッパ１３及び１４の作用を説明する図である。図３（Ａ）は、半導体チップ１００が基板１０１に近接しつつある工程にあるが、未だ接触はしていない状態を示す。図３（Ｂ）は、可動電極１１が同図（Ａ）の状態から下方に変位しても、可動電極１１の下方変位はストッパ１３で規定され、ダイヤフラム１０に過大な力が加わるのが防止されることを示している。図３（Ｃ）は、図２（Ｃ）と同様に、可動電極１１の上方変位はストッパ１４で規定され、ダイヤフラム１０に過大な力が加わるのが防止されることを示している。
【００２４】
図４は、本実施の形態において、半導体チップ１００が載置されるべき領域の基板１０１上にゴミや半田の飛沫などの微細な不要物が存在したが故に、半導体チップ１００の下面が基板１０１の上面に対し傾いた状態を示している。このような場合は、本実施の形態においては、静電容量式センサ１として、上下方向とそれに直交する２軸回りの変位を検知する３軸静電容量式センサを用いることにより、半導体チップ１００の傾きを検知できることを示している。半導体チップ１００の傾きが検知できれば、半導体チップ１００と基板１０１との接合が規格に適合するか否かを判定できるので、ダイボンディング装置による半導体チップ１００と基板１０１との接合の信頼性を向上できる。
【００２５】
図５は、特開平１１−６４３７０に開示されているシリコン加速度計を示す図である。図５において、１１１はダイヤフラム、１１１ａはロ字形溝、１１１ｃは薄肉部、１１１ｅは島状部、１１１ｇは枠部、１３１はベース基板、１１４ａは中心電極、１１４ｂはＸ正電極、１１４ｃはＸ負電極、１１４ｄはＹ正電極、１１４ｅはＹ負電極である。図５（Ａ）は、シリコン加速度計を構成するダイヤフラム１１２の斜視図である。図５（Ｂ）は、シリコン加速度計を構成する電極の斜視図である。図５（Ｂ）のように、中心電極１１４ａの他に、Ｘ正電極１１４ｂ、Ｘ負電極１１４ｃ、Ｙ正電極１１４ｄおよびＹ負電極１１４ｅを備えることにより、上下方向とそれに直交する２軸回りの変位を検知する３軸静電容量式センサを構成できる。
【００２６】
図６は、静電容量式センサ１における容量の変化を検知する原理を説明するための図である。抵抗Ｒ及びコンデンサＣは、ＲＣローパスフィルタを構成している。コンデンサＣは、静電容量式センサ１の容量に対応し、可動電極１１と固定電極１２との間隔ｄに応じて容量の値が変動する可変コンデンサである。図６に示すように、ＲＣローパスフィルタに矩形波を入力すると、コンデンサＣの静電容量に応じた程度に立ち上がりが緩やかになった波形が出力される。コンデンサＣの容量が大きいときは小さいときに比べて、出力波形の立ち上がりは一層緩やかとなる。そこで、静電容量式センサ１の容量Ｃと抵抗Ｒとを図６のように接続し、ＲＣローパスフィルタを構成し、このＲＣローパスフィルタに矩形波信号を入力し、ＲＣローパスフィルタの出力信号における立ち上がり部の波形観測から、静電容量式センサ１の容量Ｃを測定できる。出力信号における立ち上がり部の波形観測は、例えば出力信号が所定レベルまで立ち上がる時間の測定等により行う。
【００２７】
以上に説明したように、本実施の形態では、半導体チップと基板との接触を静電容量式センサにおける固定電極に対する可動電極の変位に基づき検出するので、その接触の際に半導体チップに加わる押圧力は微小であり、例えば十数［ｍＮ］である。したがって、本実施の形態のダイボンディング装置は、小さい押圧力にしか耐えられない非常に薄い脆弱な半導体チップなどのチップを基板やリードフレーム等のチップ取付け体に、チップに損傷を与えることなく、固着し得る。
【００２８】
また、本実施の形態では、接触検知センサとして３軸静電容量式センサを用いることにより、半導体チップ１００が基板１０１に対し傾いた角度を検知できるので、半導体チップ１００と基板１０１との間にゴミが混入した状態を検知し、そのような接合を排除できるし、また半田ボールなどの接着材料が半導体チップ１００と基板１０１との間に規定の量だけ、規定の位置に配置されているか否か等をも検知でき、半導体チップ１００と基板１０１との接合の信頼性を向上できる。
【００２９】
従来の技術の欄で記述したように、半導体チップ１００と基板１０１との接触をロードセル２の出力の増大で検知する図７の従来のダイボンディング装置では、ロードセル２の出力における雑音をローパスフィルタで除去しようとすると、接触から接触の検知までにかかる時間が長くなり、その時間に半導体チップに過大な圧力がかかり、半導体チップを損傷する虞がある。本実施の形態のダイボンディング装置では、ロードセル２は、半導体チップ１００と基板１０１との接触の検知には用いられず、接触後に半導体チップ１００を基板１０１に押し付ける圧力を所定の値に制御するために、その圧力を検知する手段として用いられている。リニアモータ３とは別の加圧手段で半導体チップ１００を基板１０１に押圧し、その押圧力を加圧手段にフィードバックし、その押圧力を一定に制御する工程では、前記接触の検知のような高速フィードバックを要せず、フィードバック回路に低周波フィルタを含んでも差し支えない。そこで、本実施の形態では、ロードセル２の出力の雑音を低周波フィルタで除去することができる。
【００３０】
ダイボンディング装置には、高精度型と低精度型とがある。高精度型では、半導体チップを基板に押し付ける圧力をロードセルにより検知し、ロードセルの出力を加圧手段にフィードバックしている。他方、低精度型では、数万円という高価なロードセルは使用できず、加圧手段に供給する電流量の制御だけで、押圧力を制御している。したがって、高精度型では、前述のとおり最小加圧力が大きすぎるという欠点はあるにしても、ロードセルの出力の変化に基づき半導体チップ１００と基板１０１との接触を検知できる。他方、低精度型では、精度の高い接触の検知はできなかった。しかしながら、本発明では、数百円といった程度の安価な値段で市販されている静電容量式センサを接触センサとするから、低精度型にも本発明は適用でき、低精度型のダイボンディング装置において高精度の接触検知を可能としている。
【００３１】
以上に説明した実施の形態は半導体チップを基板に接合するダイボンディング装置であったが、本発明はその他のボンディング装置にも適用でき、接合物は半導体チップに限らず例えば微細な光部品等の誘電体チップなど他のチップでも差し支えなく、また基板だけではなくリードフレームなどの他のチップ取付け体にも接合できる。また、実施の形態では、ロードセル２、静電容量式センサ１、把持部７及び半導体チップ１００を上下する駆動力の発生手段はリニアモータ３であるとしたが、本発明では駆動力発生手段はリニアモータに限らず、ロードセル２、静電容量式センサ１、把持部７及び半導体チップ１００を上下に往復動させ得る手段であれば足り、例えば回転モータと回転モータの回転力を往復運動に変換するウオーム歯車の組み合わせでも差し支えない。いうまでもなく、以上には実施の形態を挙げ、本発明を具体的に説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。
【００３２】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明は、小さい押圧力にしか耐えられない非常に薄い半導体チップなどのチップを基板やリードフレーム等のチップ取付け体に、チップを損傷することなく、固着し得るダイボンディング装置その他のボンディング装置を提供できる。また、本発明の装置は、基板やリードフレーム等のチップ取付け体に対するチップの傾きを検知できるから、チップをチップ取付け体に接合した接合構造の信頼性を向上できる。さらに、本発明は、安価な接触センサでチップとチップ取付け体との接触を検知するから、低精度型のボンディング装置に適用することが可能であり、低精度型のボンディング装置に高精度の接触検知機能を付与できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるダイボンディング装置の要部を示す模式図である。
【図２】図１の実施の形態における作動状態を図１に更に加えて説明する図であり、（Ａ）は全体の概観図であり、（Ｂ）は半導体チップ１００が基板１０１に近接してはいるが、未だ接触はしていない状態において、同図（Ａ）における静電容量式センサ１の構造を具体化して示し、（Ｃ）は、半導体チップ１００が基板１０１に接触している状態において、同図（Ａ）における静電容量式センサ１の構造を具体化して示している。
【図３】図１の実施の形態におけるストッパ１３及び１４の作用を説明する図である。
【図４】図１の実施の形態において、半導体チップ１００が載置されるべき領域の基板１０１上にゴミや半田の飛沫などの微細な不要物が存在したが故に、半導体チップ１００の下面が基板１０１の上面に対し傾いた状態を示している。
【図５】特開平１１−６４３７０に開示されているシリコン加速度計を示す図である。
【図６】静電容量式センサ１における容量の変化を検知する原理を説明するための図である。
【図７】従来のダイボンディング装置の要部を示す模式図である。
【図８】リニアモータ３の出力軸４を下方へ下げ、半導体チップ１００を基板１０１に接触させる工程における出力軸４のストローク（出力軸４の下端の下降距離）と押圧力Ｐとの関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１ 静電容量式センサ（接触検知センサ）
２ ロードセル
３ リニアモータ
４ リニアモータ出力軸
６ 連結部
７ 把持部
１０ ダイヤフラム
１１ 可動電極
１２ 固定電極
１３，１４ ストッパ
１００ 半導体チップ
１０１ 基板
１０２ テーブル
１１１ ダイヤフラム
１１１ａ ロ字形溝
１１１ｃ 薄肉部
１１１ｅ 島状部
１１１ｇ 枠部
１３１ ベース基板
１１４ａ 中心電極
１１４ｂ Ｘ正電極
１１４ｃ Ｘ負電極
１１４ｄ Ｙ正電極
１１４ｅ Ｙ負電極
Ｐ ロードセル出力
Ｐｔ 接触検知閾値
Ｐｎ ノイズ振幅

Claims (2)

1. 上下方向に往復運動をする出力軸を有する往復運動駆動装置と、該出力軸に連結部を介して連結され、下端でチップを把持する把持部と、該連結部に設けられ、該出力軸から該把持部へ伝達される力を、基板などのチップ取付け体に前記チップを押圧する押圧力として検知するロードセルとを有するボンディング装置において、
   前記連結部は、前記チップが前記チップ取付け体に接触したことを検知する接触検知センサを有し、
   前記接触検知センサは、互いに対面する固定電極および可動電極並びに該両電極間に介在するダイアフラムを有し、該固定電極と該可動電極との間の静電容量の変化により、該固定電極に対する該可動電極の変位を検知し、
   前記固定電極および前記可動電極は、上下方向に緩みなく前記ロードセル及び前記連結部材にそれぞれ連結され、
   前記ダイアフラムは、上下方向の力に応じて所定範囲内で上下方向に相対移動が可能なように前記固定電極および前記可動電極を連結し、
   前記押圧力に基づき前記変位が生じたときに、該変位に基づき前記接触検知センサで検知される該押圧力の閾値は、前記ロードセルで検知される該押圧力の閾値より小さい
   ことを特徴とするボンディング装置。
2. 前記接触検知センサは、上下方向とそれに直交する２軸回りの変位を検知する３軸の静電容量式センサでなり、
   前記把持部は前記可動電極に固定されている
   ことを特徴とする請求項１に記載のボンディング装置。

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