JP5729457B2 - 電子部品用パッケージと回路基板との接合構造 - Google Patents

Description

本発明は電子機器等に用いられる電子部品用パッケージと回路基板との接合構造に関する。

気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電振動デバイスが挙げられる。これら各製品では、いずれも水晶振動板の表面に金属薄膜電極が形成され、この金属薄膜電極を外気から保護するために水晶振動板（具体的には金属薄膜電極）が気密封止されている。

これら圧電振動デバイスは部品の表面実装化の要求から、セラミック材料からなるパッケージ内に気密的に収納する構成が増加している。例えば、特許文献１には、水晶振動板の搭載部を有するベース（実装基板）と断面が逆凹形の蓋（カバー）とからなり、これらを気密的に封止したセラミック材料からなるパッケージを回路基板に搭載し、はんだなどの導電性接合材を介して接合する構成が開示されている。

この従来の圧電振動デバイスでは、ベースの底面に端子電極が形成され、はんだ（導電性接合材）の這い上がりによる接続状態を確認するために、当該端子電極がベースの側面に形成されたキャスタレーションによりベースの底面から側面に延出している。

ところで、この従来の圧電振動デバイスを搭載する回路基板には、加工の容易性とコスト的なメリットから、網目状のガラス繊維にエポキシ樹脂材を含浸させたいわゆるガラスエポキシ基板が広く使用されている。また、この回路基板の電極パターン上部には、スクリーン印刷などの手法により、はんだペーストが塗布されている。そして、この回路基板の電極パターンに、上記圧電振動デバイスのパッケージの端子電極を重ね合わせた状態で搭載して、溶融炉（加熱炉など）にてはんだペーストを溶融させて回路基板上に圧電振動デバイスをはんだ接合している。

特開２００２−７６８１３号公報

しかしながら、パッケージと回路基板との間で熱膨張差により、これらパッケージと回路基板とを接合するはんだに応力が生じ、クラックが発生することがある。特に、パッケージとしてアルミナ等のセラミック材料を用い、回路基板としてガラスエポキシ基板を用いた組み合わせ構成であって、さらに車載用などの耐熱用途向けに使用した場合、高温環境下で当該パッケージと回路基板とを使用するので、パッケージの熱膨張係数に対して回路基板の熱膨張係数が大きくなり、はんだから疲労破壊が生じやすくなる。このように、通常の温度環境ではそれほど問題にならなかったはんだクラックの問題点が高温環境では顕著にあらわれ、さらに当該パッケージと回路基板とに衝撃が加わると、はんだクラック部分から剥離が生じるといった問題点があった。

本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、電子部品用のパッケージの回路基板への搭載接合の信頼性を向上させた電子部品用パッケージと回路基板との接合構造を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品用パッケージと回路基板との接合構造は、回路基板には、矩形状の配線パッドが形成され、電子部品用パッケージは、電子部品素子を保持するベースと、当該電子部品素子を気密封止する蓋とを有し、前記ベースの底面は、平面視矩形とされ、前記ベースの底面には、回路基板の前記配線パッドと導電性接合材を用いて接合する複数の矩形状の端子電極が形成され、前記ベースの底面に対してその一角位置に偏位して、１つの前記端子電極からなる第１の端子電極が形成され、前記ベースの底面に対して前記一角位置の対角位置にあたる第１の対角位置に偏位して、１つの前記端子電極からなる第２の端子電極が形成され、前記第１の端子電極と前記第２の端子電極は、互いに前記ベースの底面の平面視中心点を中心にして点対称に形成され、前記一角位置に対して前記ベースの底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記ベースの底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置とは、前記端子電極が形成されない無電極領域とされ、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際、平面視で、前記配線パッドの端部が前記第１の端子電極の端部からはみ出しており、前記第１の端子電極の端部と前記配線パッドの端部との間に周状のギャップ領域ＧＡ１が形成され、かつ、前記配線パッドの端部が前記第２の端子電極の端部からはみ出しており、前記第２の端子電極の端部と前記配線パッドの端部との間に周状のギャップ領域ＧＡ２が形成されており、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の短辺方向における前記第１の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の短辺方向における前記第２の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ１であり、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の短辺方向における前記第１の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の短辺方向における前記第２の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ２であり、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の長辺方向における前記第１の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の長辺方向における前記第２の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ３であり、前記最短ギャップ寸法Ｇ１と前記最短ギャップ寸法Ｇ３とが同一寸法であることを特徴とする。

上記構成により、前記第１の端子電極と前記第２の端子電極が形成されているので、はんだなどの前記導電性接合材によって前記回路基板と電気的機械的に接合する際に接続性を低下させることがない。また、前記導電性接合材によって前記回路基板と電気的機械的に接合する際に前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）と前記回路基板との間で熱膨張差が生じても、前記一角位置に対して前記ベースの底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記ベースの底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置とは、前記端子電極が形成されない前記無電極領域とされるので、この前記無電極領域に向かって前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）の接合時に発生する応力を逃がすことができる。結果として、前記電子部品用パッケージと前記回路基板との間に介在する前記導電性接合材に応力が集中して、前記導電性接合材から疲労破壊が生じにくくすることができる。

特に、回路基板がガラスエポキシ基板からなるものに対して、前記ベースにセラミック材料を用いた場合、前記端子電極がメタライズにより形成された前記電子部品用パッケージを導電性接合材で接合するものでは、互いの熱膨張差の影響が高くなり、前記導電性接合材のクラック（例えば、はんだクラック）の悪影響が生じやすかった。これに対して、本発明によれば、これらの部材（構成）の組み合わせたものに対しても、前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）の応力を緩和し、前記電子部品用パッケージと前記回路基板との間に介在する前記導電性接合材にクラックを発生させない。また、特別の加工工程を経ることなく、従来からのメタライズの技術により、熱膨張の応力緩和できる端子電極の構造が得られるので、極めて容易かつ安価に形成することができる。

ところで、近年、回路基板への表面実装型電子部品の実装はリフローはんだ付けによる手法が実施されている。すなわち、回路基板の配線パッドに対してはんだペーストを塗布し、その上部に表面実装型電子部品の端子電極を重畳させて搭載した後、加熱炉などではんだペーストを溶融してはんだ付けが実施されている。

これに対して、上記した特許文献１の端子構成では、リフローはんだ付けによる手法で回路基板へ電子部品用パッケージ（具体的にベース）を実装すると、回路基板の配線パッド形状や面積によって、電子部品用パッケージ（具体的にベース）が平面的に回転して搭載実装されることがあった。このような現象は特許文献１のようにベースの対角方向に端子電極が配置されたものではあらわれやすく、対角方向に端子電極が配置された電子部品用パッケージにおける改善すべき問題点となっている。

これに対して、本発明は、上記の目的を達成するだけでなく、この問題点も解決することができ、電子部品用のパッケージと回路基板の搭載接合の信頼性を向上させたより信頼性の高い電子部品用パッケージを提供することができる。

具体的に、本発明によれば、上記したように、前記第１の端子電極と前記第２の端子電極は、互いに前記ベースの底面の平面視中心点を中心にして点対称に形成され、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際、平面視で、前記配線パッドの端部が前記第１の端子電極の端部からはみ出しており、前記第１の端子電極の端部と前記配線パッドの端部との間に周状のギャップ領域が形成され、かつ、前記配線パッドの端部が前記第２の端子電極の端部からはみ出しており、前記第２の端子電極の端部と前記配線パッドの端部との間に周状のギャップ領域が形成されており、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の短辺方向における前記第１の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の短辺方向における前記第２の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ１であり、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の短辺方向における前記第１の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の短辺方向における前記第２の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ２であり、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の長辺方向における前記第１の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の長辺方向における前記第２の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ３であり、前記最短ギャップ寸法Ｇ１と前記最短ギャップ寸法Ｇ３とが同一寸法であることを特徴とする。

この本発明の構成により、前記ベースの底面の短辺方向における前記第１の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までに形成される前記導電性接合材によるフィレットの幅寸法と、前記ベースの底面の短辺方向における前記第２の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までに形成される前記導電性接合材によるフィレットの幅寸法とが、同一寸法のフィレットの幅寸法Ｆ１となる。また、前記ベースの底面の短辺方向における前記第１の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までに形成される前記導電性接合材によるフィレットの幅寸法と、前記ベースの底面の短辺方向における前記第２の端子電極の前記第１の対角位置の平面視角側端部から前記配線パッドの平面視端部までに形成される前記導電性接合材によるフィレットの幅寸法とが、同一寸法のフィレットの幅寸法Ｆ２となる。また、前記ベースの底面の長辺方向における前記第１の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までに形成される前記導電性接合材によるフィレットの幅寸法と、前記ベースの底面の長辺方向における前記第２の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までに形成される前記導電性接合材によるフィレットの幅寸法とが、同一寸法のフィレットの幅寸法Ｆ３となる。また、前記フィレットの幅寸法Ｆ１と前記フィレットの幅寸法Ｆ３とが同一寸法となる。

このため、前記第１の端子電極と前記第２の端子電極との互いの前記導電性接合材によるフィレットによる張力のバランスが保たれ、当該電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）が平面的に回転する力が抑制される。特に前記ギャップ寸法Ｇ１と前記最短ギャップ寸法Ｇ３を同一寸法に設定することで、前記第１の端子電極および前記第２の端子電極からそれぞれ各前記無電極領域に向かって平面的に回転する力がより効果的に抑制される。

従って、前記導電性接合材のクラック（例えば、はんだクラック）等の悪影響を抑制するだけでなく、前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）が平面的に回転して搭載実装されることもなくなり、前記電子部品用パッケージの前記回路基板への搭載接合の信頼性を向上させたより信頼性の高い電子部品用パッケージが得られる。

また、前記構成において、前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の長辺方向における前記第１の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の長辺方向における前記第２の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ４であってもよい。

この場合、上述の作用効果に加え、前記ベースの底面の長辺方向における前記第１の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までに形成される前記導電性接合材によるフィレットの幅寸法と、前記ベースの底面の長辺方向における前記第２の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までに形成される前記導電性接合材によるフィレットの幅寸法とが、同一寸法のフィレットの幅寸法Ｆ４となる。このため、前記第１の端子電極と前記第２の端子電極との互いの前記導電性接合材によるフィレットによる張力のバランスが保たれ、前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）が長辺方向にずれが生じることがなくなる。この長辺方向のずれ込みによって前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）の平面的な回転に影響する力も抑制することができるので、結果として、前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）が平面的に回転する力がより一層抑制することができる。

また、前記構成において、前記最短ギャップ寸法Ｇ２と前記最短ギャップ寸法Ｇ４とが同一寸法であってもよい。

この場合、上述の作用効果に加え、前記導電性接合材による前記フィレットの幅寸法Ｆ２と前記フィレットの幅寸法Ｆ４とが同一寸法となり、互いの前記導電性接合材によるフィレットによる張力がほぼ同一となり、前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）が平面的に回転する力が発生しない。

また、前記構成において、前記第１の端子電極の端部から前記配線パッドの端部までの周状のギャップ領域（ＧＡ１）と、前記第２の端子電極の端部から前記配線パッドの端部までの周状のギャップ領域（ＧＡ２）とが、前記ベースの底面の中心点（平面視中心点）を中心に点対称に形成されてもよい。

この場合、上述の作用効果に加え、前記第１の端子電極と前記第２の端子電極に形成される前記導電性接合材によるフィレットも互いにほぼ同一形状となり、さらに、前記ベースの底面の中心点を中心にして点対称に形成されるので、互いの前記導電性接合材によるフィレットによる張力がほぼ同一となり、当該電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）が平面的に回転する力が発生しない。

また、前記構成において、前記端子電極の一部に同材質のメタライズからなるバンプが形成されてもよい。

この場合、上述の作用効果に加え、より効率的に応力を緩和できるとともに緩衝効果の高い構成となる。しかも、前記バンプで浮き上がった隙間部分に前記導電性接合材がたまり、その結果、前記バンプを形成した前記端子電極と回路基板との接合面積が増大し、前記電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）と前記回路基板との接合強度をより高めることができる。また、同材質のメタライズを積層することで極めて容易かつ安価に前記バンプを形成できる。

本発明によれば、当該電子部品用パッケージの回路基板への搭載接合の信頼性を向上させることができる。

図１は、本発明の実施例１にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２は、図１に示すＡ１−Ａ１線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図３は、実施例１の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図４は、実施例１の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図５は、実施例１の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図６は、本発明の実施例１−２にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図７は、実施例１−２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図８は、実施例１−２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図９は、実施例１−２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図１０は、実施例１−２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図１１は、実施例１−２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図１２は、本発明の実施例１−３にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図１３は、図１２に示すＢ１−Ｂ１線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図１４は、本発明の実施例１−４にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図１５は、本発明の実施例２にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図１６は、図１５に示すＡ２１−Ａ２１線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図１７は、図１５に示すＢ２方向から視た表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略側面図である。 図１８は、実施例２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図１９は、実施例２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２０は、実施例２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２１は、本発明の実施例２―２にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２２は、図２１に示すＡ２２−Ａ２２線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図２３は、実施例２―２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２４は、実施例２―２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２５は、実施例２―２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２６は、実施例２―２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２７は、実施例２―２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２８は、実施例２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図２９は、本発明の実施例３にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図３０は、図２９に示すＡ３１−Ａ３１線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図３１は、図２９に示すＡ３２−Ａ３２線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図３２は、図２９に示すＡ３３−Ａ３３線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図３３は、本発明の実施例３−２にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。 図３４は、図３３に示すＢ３１−Ｂ３１線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図３５は、図３３に示すＢ３２−Ｂ３２線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。 図３６は、図３３に示すＢ３３−Ｂ３３線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施例では、電子部品として表面実装型の水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。

本発明の実施例１にかかる表面実装型の水晶振動子について、図面を参照して説明する。図１は、実施例１にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。図２は、図１に示すＡ１−Ａ１線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。また、図３〜図５は、実施例１の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。

実施例１にかかる表面実装型の水晶振動子は、図１，２に示すように、電子部品素子である水晶振動板３と、上部が開口した凹部を有し水晶振動板３を保持する（収納する）ベース１と、ベース１の開口部に接合してベース１に保持した水晶振動板３を気密封止する蓋２（本発明でいう金属蓋）とからなる。

ベース１は、全体として直方体で、アルミナ等のセラミックとタングステンやモリブデン等の導電材料を適宜積層した構成からなる。このベース１は、図２に示すように、断面視凹形の収納部１０と、収納部１０を囲むようにその周囲に設けられた堤部１１を有する。具体的に、ベース１は、矩形（平面視矩形）の平板形状のセラミックのベース基体１ａと、中央部分が大きく穿設されるとともに外形サイズ（平面視外形サイズ）がベース基体１ａとほぼ等しいセラミックの枠体１ｂからなり、枠体１ｂの上面に導電材料１１ａが積層され、ベース基体１ａと枠体１ｂと導電材料１１ａとが一体的に焼成されている。

なお、堤部１１の上面は平坦であり、堤部１１上に図示しない封止部材や金属層が形成されている。本実施例１では、例えば、金属層は、タングステンやモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成である。

また、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４には、上下にキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。すなわち、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４であってベース１の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけてキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。また、キャスタレーションＣ１，Ｃ３の下方に（ベース１の底面から側面の下方一部にかけて）連結電極である側面端子電極１２１，１３１が形成され、側面端子電極１２１，１３１は後述の端子電極１２，１３と電気的につながっている（接続されている）。

ベース１の底面は平面視矩形とされ、このベース１の底面には、外部の回路基板４（図２参照）に導電性接合材Ｄを用いて接合する４つの端子電極１２，１３，１４，１５が形成されている。端子電極１２，１３は、後述する水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極であり、キャスタレーションＣ１，Ｃ３を介して側面端子電極１２１，１３１（側面端子電極１３１は図示省略）によりベース１の内部の底面に形成された電極パッド１２２，１３２（電極パッド１３２は図示省略）へと延出して電気的に接続されている。端子電極１４，１５は、後述する蓋２と電気的に接続されたグランド外部接続端子（グランド端子電極）（本発明でいうグランド端子電極）として機能する端子電極であり、ビア（例えば図１の黒丸参照）と配線パターン（図示省略）により導電材料１１ａと電気的に延出されている。なお、これらの端子電極１２，１３，１４，１５、側面端子電極１２１，１３１、電極パッド１２２，１３２は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。

電極パッド１２２，１３２間には、水晶振動板３（本発明でいう電子部品素子）が搭載されている。水晶振動板３の表裏面には一対の励振電極と引出電極が形成されている。一対の励振電極と引出電極は、例えば水晶振動板３に接して（水晶振動板３上から）クロム，金の順に、クロム，金，クロムの順に、クロム，銀，クロムの順に、あるいはクロム，銀の順に積層して形成されている。これら各電極（一対の励振電極と引出電極）は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。そして、電極パッド１２２，１３２に対して水晶振動板３の引出電極が導電性接合材（図示せず）により導電接合され、ベース１に水晶振動板３が保持されている。例えば、水晶振動板３の励振電極と、ベース１の電極パッド１２２，１２３との導電接合には、導電性樹脂接着剤や金属バンプ・ろう材などの導電性接合材を用いることができる。

ベース１を気密封止する蓋２には、金属母材に金属ろう材等の封止材が形成された金属部材が用いられる。蓋２は、例えば、上面からニッケルメッキ層、コバール母材、銅中間層、銀ろう層の順に積層された多層構成であり、銀ろう層がベース１の金属層と接合される。蓋２の平面視外形はベース１の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。なお、封止部材として銀ろうを用いることに限らず他の封止用ろう材を用いてもよく、また金や金錫などのメッキ層で封止部材を構成してもよい。

このようなベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、蓋２にて被覆してシーム溶接やビーム照射による溶接、あるいは加熱炉によるろう接などの手法により気密封止を行うことで表面実装型の水晶振動子の完成となる。また、水晶振動子の完成品は、図１に示すように、ガラスエポキシ材からなる回路基板４の配線パッド４１，４２の上部に、例えばはんだ等の導電性接合材Ｄを介して接合される。

本発明では、ベース１の底面に形成された端子電極１２，１３，１４，１５に特徴があるので、以下詳細を説明する。

本実施例１では、ベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１の位置に偏って（偏位して）、２つの端子電極１２，１４がベース１の底面の短辺方向に並列に形成されて構成される第１の端子電極群が形成されている。また、ベース１の底面に対してその角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３の位置に偏って（偏位して）、２つの端子電極１３，１５がベース１の底面の短辺方向に並列に形成されて構成される第２の端子電極群が形成されている。また、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置（本発明でいう他角位置）と、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置とは、ベース１の底面の短辺に沿って端子電極が形成されない無電極領域１６，１７とされている。加えて、第１の端子電極群と第２の端子電極群は、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。また、端子電極１２，１３は同一形状からなり、端子電極１４，１５は同一形状からなる。さらに、第１の端子電極群と第２の端子電極群とは、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において対称形状（点対称の形状）とされる。

これらの構成により、本実施例１では、一角位置にあたる角Ｋ１に形成された第１の端子電極群と、角１と対角位置にあたる角Ｋ３に偏って形成された第２の端子電極群を有しているので、はんだなどの導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に接続性を低下させることがない。また、導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に水晶振動子（具体的にベース１）と回路基板４との熱膨張差が生じても、一角位置に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角位置（角Ｋ２の位置）と、ベース１の底面に対して他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置（角Ｋ４の位置）とは、端子電極１２〜１５が形成されない無電極領域１６，１７とされるので、この第１の端子電極群と第２の端子電極群から無電極領域１６，１７に向かって水晶振動子（具体的にベース１）の接合時に発生する応力を逃がすことができる。結果として、水晶振動子と回路基板４との間に介在する導電性接合材Ｄに応力が集中して、導電性接合材Ｄから疲労破壊が生じにくくすることができる。

また、対角に位置する第１の端子電極群と第２の端子電極群とではそれぞれ分割構成されているので、第１の端子電極群と第２の端子電極群における周辺長は、第１の端子電極群と第２の端子電極群とをそれぞれ単一の端子電極で構成した場合と比較して、全体として端子電極の周辺長が増大し、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）の開口を生じにくくすることもできる。

特に、回路基板がガラスエポキシ基板からなるものに対して、ベース１にセラミック材料を用いた場合、端子電極１２〜１５がメタライズにより形成された水晶振動子のパッケージを導電性接合材Ｄで接合するものでは、互いの熱膨張差の影響が高くなり、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）の悪影響が生じやすかった。これに対して、本実施例１によれば、これらの部材（構成）の組み合わせたものに対しても、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）の応力を緩和し、当該水晶振動子のパッケージと回路基板４との間に介在する導電性接合材Ｄにクラックを発生させない。また、特別の加工工程を経ることなく、従来からのメタライズの技術により、熱膨張の応力緩和できる端子電極１２〜１５の構造が得られるので、極めて容易かつ安価に形成することができる。

加えて、本実施例１によれば、上記したように、端子電極１４，１５を蓋２と電気的に接続されたグランド端子電極として設定することができるので、外部の回路基板４などの回路（外部回路）で発生した電磁ノイズを蓋２でとらえ、電磁ノイズをグランド端子（グランド端子電極）を介して取り除くことができる。結果として、水晶振動子内部の水晶振動板３に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができる。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

従って、本実施例１によれは、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）等の悪影響を抑制し、当該水晶振動子のパッケージの回路基板４への搭載接合の信頼性を向上させることができ、さらにＥＭＳ対策することが容易なより信頼性の高い水晶振動子のパッケージが得られる。

また、上記構成に加えて、ベース１の底面に対してその一角位置に偏位して第１の端子電極群が形成され、ベース１の底面に対して一角位置の対角位置にあたる第１の対角位置に偏位して第２の端子電極群が形成され、第１の端子電極群と第２の端子電極群とは、互いにベース１の底面の平面視中心点を中心にして点対称に形成されてもよい。

このような構成であれば、上述の作用効果に加えて、各端子電極群（第１の端子電極群と第２の端子電極群）の方向性がなくなり、ベースの底面の中心点（平面視中心点）から偏りのない、より効率的な応力緩和が行え、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）等の発生を飛躍的に抑制することができる。

また、本実施例１では、並列に形成された（隣接する）端子電極１２，１４の間のギャップ寸法Ｗ３が０．１ｍｍ以上に設定されている。また、並列に形成された（隣接する）端子電極１３，１５の間のギャップ寸法Ｗ３が０．１ｍｍ以上に設定されている。また、これら端子電極１２，１４の間のギャップ寸法Ｗ３と、端子電極１３，１５の間のギャップ寸法Ｗ３は互いに同じに設定され、同一寸法（ギャップ寸法Ｗ３）となっている。また、無電極領域１６，１７のベース１の底面の短辺方向の寸法Ｗ２が、ベース１の底面の短辺方向の全幅寸法Ｗ１（短辺の寸法）に対して１５％〜４０％に設定されている。具体的に、本実施例１では、全幅寸法Ｗ１を２．５ｍｍ、寸法Ｗ２を０．９ｍｍとし、ギャップ寸法Ｗ３を０．２ｍｍにて設定している。このため、並列に形成された端子電極１２，１４の間における短絡や、端子電極１３，１５の間における短絡の危険性を無くすことができる。さらに、水晶振動子（具体的にベース１）の端子電極形成領域（第１の端子電極群と第２の端子電極群を形成した領域）から無電極領域１６，１７に向かって応力を緩和する性能を低下させることがない。

なお、無電極領域１６，１７の寸法を、ベース１の底面の短辺方向の全幅寸法に対して１５％より小さく設定すると、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）の中心点（平面視中心点）で平面的に回転させるように応力緩和作用が働きにくくなり、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）等の発生を抑制することができない。また、無電極領域１６，１７の寸法を、ベース１の底面の短辺方向の全幅寸法に対して４０％より大きく設定すると、ギャップ寸法Ｗ３を確保することが困難となり、並列に形成された（隣接する）端子電極１２，１４、や端子電極１３，１５の間の短絡の危険性が増すだけでなく、端子電極１２〜１５の面積や幅寸法を必要以上に縮小させなければならなくなるという問題が生じる。特に、端子電極１２〜１５を縮小することにより、当該水晶振動子のパッケージの回路基板４への導電性接合材Ｄによる接合強度が低下したり、水晶振動板３の電気的接続性が劣化することが懸念される。

また、本実施例１の端子電極１２〜１５は、キャスタレーションＣ１，Ｃ３の部分を除いてベース１の底面の辺から隔離してベース１の底面のみに形成している。これは、細分溝（ブレーク溝）を介してベース１がマトリックス状に配置されてなる焼成前のセラミックグリーンシートにおいて、細分溝から接しない状態で端子電極用のメタライズパターンが形成されることに関係する。セラミックグリーンシートが焼成された後に各ベース１として細分溝で分断する際に、端子電極用のメタライズパターンが細分溝にまたがって形成されることによって分断作業性を妨げないようにしている。

本実施例１では、ベース１の底面の角Ｋ１と角Ｋ３に最も近接した端子電極１２，１３を水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極として設定しているが、これに限定されるものではない。例えば、図３に示すように、互いを入れ替え、角Ｋ１と角Ｋ３に最も近接した端子電極１４，１５をグランド外部接続端子（グランド端子電極）として機能する端子電極として設定してもよい。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

また、端子電極１２〜１５のベース１の底面での配置は、本実施例１に示す形態に限らず、図４に示すように、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って２つの端子電極１２，１４が長辺方向に並列に形成された第１の端子電極群を構成し、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って２つの端子電極１３，１５が長辺方向に並列に形成された第２の端子電極群を構成してもよい。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

また、本実施例１の形態に限らず、図５に示すように、ベース１の底面に端子電極１２，１３，１４が形成されてもよい。この図５に示す実施例の場合、端子電極１２，１３は水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極である。また、端子電極１４のみが蓋２と接続されたグランド外部接続端子（グランド端子電極）として機能する端子電極として設定したものである。すなわち、この図５に示す実施例では、各端子電極１２，１３，１４のうち、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って２つの端子電極１２，１４が短辺方向に並列に形成された第１の端子電極群を構成し、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って１つの端子電極１３が形成された第２の端子電極を構成している。

次に、本発明による実施例１の他の例（実施例１−２）にかかる表面実装型の水晶振動子を、図６〜図１１を用いて説明する。図６は実施例１−２にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図であり、図７〜図１１は実施例１−２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。なお、実施例１と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。

実施例１−２にかかる水晶振動子の第１の端子電極群では、図６に示すように、一角位置（角Ｋ１の位置）に最も近接した端子電極１２が、他の端子電極１４より面積が大きく形成されるとともに幅広に形成されている。また、第２の端子電極群では、他角位置（角Ｋ３の位置）に最も近接した端子電極１３が、他の端子電極１５より面積が大きく形成されるとともに幅広に形成されている。また、この実施例１−２では、端子電極１２，１３が水晶振動板３と接続する入出力外部接続端子に設定されている。

上記した実施例１−２の構成により、ベース１の角Ｋ１と角Ｋ３に近接する領域を水晶振動子（ベース１）と回路基板４との導電性接合材Ｄによる接合強度が最も強い接合領域としながら、並列に形成された端子電極（第１の端子電極群および第２の端子電極群）から無電極領域１６，１７に向かって接合強度を段階的に弱めて接合領域を構成することができる。結果として、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）と回路基板Ｄとの間で熱膨張差が生じても、ベース１の端子電極形成領域（具体的に第１の端子電極群および第２の端子電極群を形成した領域）から無電極領域１６，１７に向かって水晶振動子（ベース１）の応力を逃がす作用がより高められる。つまり、水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）の底面における中心点で平面的に回転させるように応力緩和作用を高めて偏りのないより効率的な応力緩和が行え、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）の発生を飛躍的に抑制することができる。また、回路基板４との導電性接合材Ｄによる水晶振動板３（電子部品素子）の電気的接続性が劣化することがなくなる。加えて、水晶振動板３の入出力外部接続端子１２，１３に対して検査用の測定プローブ等が接触不良を起こす危険性がなくなるので、より確実かつ信頼性の高い検査が実現でき、水晶振動子の電気的性能の向上や歩留まり向上に寄与する構成が実現できる。

なお、第１の端子電極群および第２の端子電極群それぞれにおいて、端子電極１２，１３を、他の端子電極１４，１５より大きく面積を形成するか幅広に形成する構成とし、さらに水晶振動板３と接続する入出力外部接続端子に設定しているが、端子電極１２，１３を入出力外部接続端子に設定しなくてもよい。しかしながら、本実施例１−２に示すように、端子電極１２，１３を、他の端子電極１４，１５より大きく面積を形成するか幅広に形成する構成とし、さらに水晶振動板３と接続する入出力外部接続端子に設定する構成が好適である。

また、本実施例１−２にかかる第１の端子電極群および第２の端子電極群では、端子電極１２，１３が、他の端子電極１４，１５より面積が大きく形成されるとともに幅広に形成されているが、これに限定されるものではなく、第１の端子電極群および第２の端子電極群のいずれかの端子電極群において１つの端子電極が他の端子電極より面積が大きく形成されるか幅広に形成され、電子部品素子と電気的に接続される端子電極となっていれば、上記した効果を有する。

具体的に、図６に示すように、第１の端子電極群が、ベース１の底面に対して角Ｋ１の位置に偏って、２つの端子電極１２，１４がベース１の底面の短辺方向に沿って並列に形成されて構成されている。また、第２の端子電極群が、ベース１の底面に対して角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置の角Ｋ３の位置に偏って、２つの端子電極１３，１５がベース１の底面の短辺方向に沿って並列に形成されて構成されている。

加えて、端子電極１２，１３は、水晶振動板３と接続される入出力外部接続端子であり、端子電極１４，１５は、グランド外部接続端子（グランド端子電極）である。また、端子電極１２，１３は、これら端子電極１２，１３に対してそれぞれベース１の底面の短辺方向に並列する端子電極１４，１５より、ベース１の底面の角Ｋ１、角Ｋ３に近接配置されている。また、これら端子電極１２，１３は、端子電極１４，１５よりも幅寸法を大きく（幅広に）設定した形成となっている。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

なお、上記した図６に示す実施例では、グランド端子電極である端子電極１４，１５が、ベース１の底面の短辺方向の位置について正対称に形成されていないが、これは一例であり、図７に示すように、蓋２と電気的に接続されるグランド端子電極である端子電極１４，１５が、ベース１の底面の短辺方向の位置について正対称に形成されてもよい。

この図７に示す例では、ベース１の底面の長辺方向に沿った分割ラインＬが設定され、分割ラインＬにより分割されることで、端子電極１２，１４の分割電極が形成される。また、同様に、分割ラインＬにより分割されることで、端子電極１３，１５の分割電極が形成される。また、第１の端子電極および第２の端子電極の分割ラインＬにより無電極領域１６，１７側に位置するように分割された各端子電極１４，１５は、ベース１の底面の両短辺中央部に対向してそれぞれ形成されている。なお、グランド端子電極である端子電極１４，１５のベース１の底面における面積は、入出力外部接続端子である端子電極１２，１３のベース１の底面における面積と比べて夫々５０％以下に設定され、このように、５０％以下の面積とすることで接合強度の低下を抑えることができる。

さらに具体的に、この図７に示す例では、ベース１の底面には、外部の回路基板４と導電性接合材Ｄを用いて接合する２つの端子電極が形成され、ベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１の位置に偏位して、１つの端子電極からなる第１の端子電極が形成され、ベース１の底面に対して角Ｋ１の位置の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３に偏位して、１つの端子電極からなる第２の端子電極が形成されている。そして、第１の端子電極と第２の端子電極とが、分割ラインＬにより分割されて、第１の端子電極から端子電極１２，１４が形成され、第２の端子電極から端子電極１３，１５が形成される。なお、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角位置である角Ｋ２の位置と、ベース１の底面に対して角Ｋ２の位置の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置とが、端子電極が形成されない無電極領域とされている。

上記図７に示す例の構成によれば、ベース１の底面の辺方向に沿った分割ラインＬが設定され、第１の端子電極（端子電極１２，１４）と第２の端子電極（端子電極１３，１５）とがそれぞれ分割ラインＬにより分割されるので、端子電極の周辺長が全体として増大され、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）の開口を生じにくくすることもできる。また、導電性接合材Ｄのクラック等の悪影響を抑制し、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）の回路基板４への搭載接合の信頼性を向上させる。

また、図７に示す例の構成によれば、第１の端子電極（端子電極１２，１４）と第２の端子電極（端子電極１３，１５）とがそれぞれ分割ラインＬにより分割されるので、各端子電極１２，１３，１４，１５の接合領域が均一化されて、回路基板４への接合状態（搭載状態）にバラツキが生じない。その結果、回路基板４へベース１を接合する際に、ベース１の長辺方向あるいは短辺方向への不要な伸び縮みの応力が生じない。

また、図７に示す例の構成によれば、第１の端子電極（端子電極１２，１４）と第２の端子電極（端子電極１３，１５）とがそれぞれ分割ラインＬにより分割されるので、一角位置（角Ｋ１の位置）と第１の対角位置（角Ｋ３の位置）に偏位して端子電極１２，１３，１４，１５が形成され、他角位置（角Ｋ２の位置）と第２の対角位置（角Ｋ４の位置）とが無電極領域１６，１７とされた構成であっても、端子電極が３端子以上の複数の端子をベース１に形成することができ、その特徴的な作用効果を有することができる。具体的に、回路基板４へベース１を接合する際に、無電極領域１６，１７に応力を逃がしてベース１の長辺方向あるいは短辺方向への不要な伸び縮みの応力が生じない。また、ベース１において実際に対向する端子電極（本実施例では端子電極１４，１５）の端子電極領域が形成されることで、ベース１の回路基板４への接合強度を高めつつ、水晶振動子（具体的にベース１）が回路基板４上で三次元的にねじれることを抑えることができる。その結果、ベース１の回路基板４への搭載による回路基板４の反りなどの不具合の影響を軽減することができる。

また、図７に示す例の構成によれば、第１の端子電極および第２の端子電極の分割ラインＬにより無電極領域１６，１７側に位置するように分割された各端子電極１４，１５は、ベース１の底面の両短辺中央部に対向してそれぞれ形成されるので、上記した第１の端子電極（端子電極１２，１４）と第２の端子電極（端子電極１３，１５）とがそれぞれ分割ラインＬにより分割されることによる上記した作用効果が顕著となる。具体的に、導電性接合材Ｄのクラック等の悪影響を抑制するだけでなく、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）が平面的に回転して搭載実装されることがなくなる。特に、図７に示すように、２つの分割ラインＬの間にグランド端子電極である端子電極１４，１５を形成することで、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）が平面的に回転して搭載実装されることがなくなる。

また、図７に示す例の構成によれば、端子電極１４，１５は、蓋２と電気的に接続されるグランド端子電極として設定されるので、外部の回路基板４の回路で発生した電磁ノイズを蓋２でとらえ、電磁ノイズを端子電極１４，１５を介して取り除くことができる。結果として、当該水晶振動子のパッケージを回路基板４へ接合する際の接合強度を低下させることなく、さらに、当該水晶振動子のパッケージの内部の電子部品素子（水晶振動板３）に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができる。

なお、ベース１の底面の短辺方向の位置について正対称に形成された形態は、図７に示す例に限定されるものではなく、図８に示す例であってもよい。

この図８に示す例では、ベース１の底面の両短辺中央部に、互いに同寸法同形状で正対向するキャスタレーションＣ５，Ｃ６が上下に形成され、これらキャスタレーションＣ５，Ｃ６の上下全体に（ベース１の底面から側面を介して上面にかけて）側面端子電極１４１，１５１が形成されている。これらキャスタレーションＣ５，Ｃ６に、それぞれ端子電極１４，１５が延出形成され、端子電極１４，１５が側面端子電極１４１，１５１に電気的につながっている（接続されている）。

また、図７に示す例と同様に、２つの分割ラインＬの間にグランド端子電極である端子電極１４，１５を形成することで、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）が平面的に回転して搭載実装されることがなくなる。また、図８では、端子電極１４，１５のみならず、キャスタレーションＣ５，Ｃ６および側面端子電極１４１，１５１も２つの分割ラインＬの間であって、端子電極１４，１５間の延長線上に形成されているので、図７に示す例と比べて、導電性接合材Ｄのフィレット形成による回路基板４へのベース１の接合強度の向上と、回路基板４にベース１を搭載する際に回路基板４上におけるベース１の平面的な回転抑制の効果が高まる。

なお、図７，図８に示す例では、ベース１の底面の長辺方向に沿った分割ラインＬにより、第１の端子電極と第２の端子電極がそれぞれ２つずつの端子電極（端子電極１２，１３，１４，１５）に分割されているが、この分割ラインＬの方向はベース１の底面の辺方向に設定されていればよく、ベース１の底面の短辺方向であってもよい。

また、図６〜図８に示す実施例以外の他の具体例として、図９に示すように、第１の端子電極群が、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って２つの端子電極１２，１４がベース１の底面の長辺方向に並列に形成されて構成されている。また、第２の端子電極群が、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って２つの端子電極１３，１５がベース１の底面の長辺方向に並列に形成されて構成されている。

加えて、端子電極１２，１３は、水晶振動板３と接続される入出力外部接続端子であり、端子電極１４，１５は、グランド外部接続端子（グランド端子電極）である。また、端子電極１２，１３は、これら端子電極１２，１３それぞれと並列する端子電極１４，１５よりベース１の角Ｋ１、角Ｋ３に近接配置されている。また、これら端子電極１２，１３は、端子電極１４，１５よりも幅寸法を大きく設定した形成となっている。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

また、他の具体例として、図１０に示すように、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って２つの端子電極１２，１４が形成されている。これら端子電極１２，１４が角Ｋ１と角Ｋ３とを結ぶ対角線に沿って分割されるとともに並列に形成されて構成される第１の端子電極群が、ベース１の底面に形成されている。また、ベース１の底面の角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って２つの端子電極１３，１５が形成されている。これら端子電極１３，１５が角Ｋ１と角Ｋ３とを結ぶ対角線に沿って分割されるとともに並列に形成されて構成される第２の端子電極群が、ベース１の底面に形成されている。

加えて、端子電極１２，１３は、水晶振動板３と接続される入出力外部接続端子であり、端子電極１４，１５は、グランド外部接続端子（グランド端子電極）である。また、端子電極１２，１３は、これら端子電極１２，１３にそれぞれ並列する端子電極１４，１５より面積が大きくなるように形成されている。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

また、他の具体例として、図１１に示すように、第１の端子電極群が、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って２つの端子電極１２，１４がベース１の底面の長辺方向に並列に形成されて構成されている。また、第２の端子電極群が、ベース１の底面の角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って２つの端子電極１３，１５がベース１の底面の長辺方向に並列に形成されて構成されている。

加えて、端子電極１２，１３は、水晶振動板３と接続される入出力外部接続端子であり、端子電極１４，１５は、グランド外部接続端子（グランド端子電極）である。また、端子電極１２，１３は、これら端子電極１２，１３に並列する端子電極１４，１５よりベース１の角Ｋ１、角Ｋ３に近接配置されている。また、これら端子電極１２，１３は、端子電極１４，１５より面積が大きくなるように形成されている。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

次に、本発明による実施例１の他の例（実施例１−３）にかかる表面実装型の水晶振動子を、図１２、図１３を用いて説明する。図１２は実施例１−３にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図であり、図１３は、図１２に示すＢ−Ｂ線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。なお、実施例１と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。

実施例１−３にかかる水晶振動子では、図１２に示すように、第１の端子電極群が、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って２つの端子電極１２，１４が、ベース１の底面の短辺方向に並列に形成されて構成される。また、第２の端子電極群が、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って２つの端子電極１３，１５がベース１の底面の短辺方向に並列に形成されて構成される。

加えて、各端子電極１２，１３，１４，１５の上部には、各端子電極１２，１３，１４，１５より若干小さくほぼ同形状（平面視同形状）のバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、端子電極１２，１３，１４，１５のメタライズ上部に同材質のメタライズ（タングステン、モリブデン等）を所望の形状で積層して形成されている。これら端子電極１２，１３，１４，１５とバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

本実施例１−３では、これらの構成により、ベース１と回路基板４との熱膨張差による応力が生じても、バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂと端子電極１２，１３，１４，１５の段差によって、より効率的に応力を緩和させることができる。しかもこの構成によれば、バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂによりベース１と回路基板４との間で浮き上がった隙間部分に導電性接合材Ｄがたまるので、このたまった導電性接合材Ｄによりベース１と回路基板４との接合強度をより高めることができる。また、端子電極１２，１３，１４，１５に同材質のメタライズを積層することで極めて容易かつ安価にバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂを形成することができる。

次に、本発明による実施例１の他の例（実施例１−４）にかかる表面実装型の水晶振動子を、図１４を用いて説明する。図１４は実施例１−４にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。なお、実施例１と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。

実施例１−４にかかる水晶振動子では、図１４に示すように、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って第１の端子電極１２が形成され、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って第２の端子電極１３が形成されている。

また、本実施例１−４では、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置と、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置とは、ベース１の底面の短辺に沿って端子電極が形成されない無電極領域１６，１７とされている。

加えて、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３は、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。また、端子電極１２，１３は同一形状からなる。これら第１の端子電極１２と第２の端子電極１３とは、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において対称形状（点対称の形状）とされる。さらに、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）には、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３より面積（平面視面積）が小さいグランド端子電極１４が形成され、このグランド端子電極１４は、蓋２と電気的に接続される。

本実施例１−４では、これらの構成により、一角位置である角Ｋ１の位置に第１の端子電極１２が形成され、その対角位置である角Ｋ３の位置に第２の端子電極１３が形成されているので、導電性接合材Ｄ（はんだ等）によって回路基板４と電気的機械的に接合する際に接続性を低下させることがない。また、導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に水晶振動子（ベース１）と回路基板４との熱膨張差が生じても、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３から無電極領域１６，１７に向かって水晶振動子（ベース１）の応力を逃がすことができる。結果として、水晶振動子と回路基板４との間に介在する導電性接合材Ｄに応力が集中して、導電性接合材Ｄから疲労破壊が生じにくくすることができる。

加えて、端子電極１４が蓋２と接続されたグランド端子電極として設定しているので、外部の回路基板４の回路で発生した電磁ノイズを蓋２でとらえ、当該電磁ノイズをグランド端子電極である端子電極１４を介して取り除くことができる。結果として、水晶振動子内部の水晶振動板３に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができる。なお、端子電極１４は、第１の端子電極１２および第２の端子電極１３より面積が小さくベース１の中心点Ｏ（平面視中心点）に形成されているので、上記応力緩和作用を阻害することがない。

次に、本発明の実施例２にかかる表面実装型の水晶振動子について、図面を参照して説明する。図１５は、実施例２にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。図１６は、図１５に示すＡ２−Ａ２線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。図１７は、図１５に示すＢ２方向から視た表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略側面図である。また、図１８〜図２０は、実施例２の変形例にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。

なお、この実施例２にかかる表面実装型の水晶振動子は、上記した実施例１やその変形例などにかかる端子電極を含む電極の構成とキャスタレーションの構成が異なるだけ、他の構成は同一構成からなり、同一構成による作用効果は実施例１やその変形例などと同様の作用効果を有する。そのため、実施例１やその変形例などと同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。

実施例２にかかる表面実装型の水晶振動子は、図１５，図１６に示すように、電子部品素子である水晶振動板３と、上部が開口した凹部を有し水晶振動板３を保持する（収納する）ベース１と、ベース１の開口部に接合してベース１に保持した水晶振動板３を気密封止する蓋２とからなる。

ベース１は、全体として直方体で、アルミナ等のセラミックとタングステンやモリブデン等の導電材料を適宜積層した構成からなる。このベース１は、図１６に示すように、断面視凹形の収納部１０と、収納部１０を囲むようにその周囲に設けられた堤部１１を有する。具体的に、ベース１は、矩形（平面視矩形）の平板形状のセラミックのベース基体１ａと、中央部分が大きく穿設されるとともに外形サイズ（平面視外形サイズ）がベース基体１ａとほぼ等しいセラミックの枠体１ｂからなり、ベース基体１ａと枠体１ｂとが一体的に焼成されている。

なお、堤部１１の上面は平坦であり、蓋２との封止領域となっている。また、堤部１１上には封止構成に応じて封止部材や金属層を形成してもよい。例えば、金属層として、タングステンやモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成が挙げられる。

また、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４には、上下に円形状（平面視円形状）のキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。すなわち、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４であってベース１の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけてキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。

また、ベース１の底面の両短辺中央部に、互いに同寸法同形状で正対向するキャスタレーションＣ５，Ｃ６が上下に形成されている。本実施例２では、キャスタレーションＣ５，Ｃ６は、例えば幅寸法Ｗを０．５ｍｍとした長円形状に形成されている。これらキャスタレーションＣ５，Ｃ６の上下全体に（ベース１の底面から側面を介して上面にかけて）連結電極である側面端子電極１２１，１３１が形成され、側面端子電極１２１，１３１は後述の端子電極１２，１３と電気的につながっている（接続されている）。すなわち、側面端子電極１２１，１３１は、キャスタレーションＣ５，Ｃ６のみに形成されている。そして、この側面端子電極１２１，１３１の幅寸法は０．５ｍｍに設定され、ベース１の上端部（上面）にまで延出して形成されている。このように、側面端子電極１２１，１３１をキャスタレーションＣ５，Ｃ６）のみに形成することで、側面端子電極１２１，１３１自体の形成が容易となり、その幅寸法の設定が容易となって、好ましい形態となるが、これに限定されるものではなく、側面端子電極１２１，１３１がキャスタレーションＣ５，Ｃ６からはみ出して形成されてもよい。

ベース１の底面は平面視矩形とされ、このベース１の底面には、外部の回路基板４（図１６参照）に導電性接合材Ｄを用いて接合する２つの端子電極１２，１３が形成されている。端子電極１２，１３は、後述する水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極であり、キャスタレーションＣ５，Ｃ６を介して側面端子電極１２１，１３１（側面端子電極１３１は図示省略）によりベース１の内部の底面に形成された電極パッド１２２，１３２（電極パッド１３２は図示省略）へと延出して電気的に接続されている。なお、これらの端子電極１２，１３、側面端子電極１２１，１３１、電極パッド１２２，１３２は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。

電極パッド１２２，１３２間には、水晶振動板３（本発明でいう電子部品素子）が搭載されている。水晶振動板３の表裏面には一対の励振電極と引出電極が形成されている。一対の励振電極と引出電極は、例えば水晶振動板３に接して（水晶振動板３上から）クロム，金の順に、クロム，金，クロムの順に、クロム，銀，クロムの順に、あるいはクロム，銀の順に積層して形成されている。これら各電極（一対の励振電極と引出電極）は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。そして、電極パッド１２２，１３２に対して水晶振動板３の引出電極が導電性接合材（図示せず）により導電接合され、ベース１に水晶振動板３が保持されている。例えば、水晶振動板３の励振電極と、ベース１の電極パッド１２２，１２３との導電接合には、導電性樹脂接着剤や金属バンプやろう材などの導電性接合材を用いることができる。

ベース１を気密封止する蓋２には、アルミナ等のセラミックにガラス等の封止材が形成された構成のものが用いられる。蓋２の平面視外形はベース１の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。

このようなベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、蓋２にて被覆して加熱炉などの中で気密封止を行うことで表面実装型の水晶振動子の完成となる。また、水晶振動子の完成品は、図１５に示すように、ガラスエポキシ材からなる回路基板４の配線パッド４１，４２の上部に、例えばはんだ等の導電性接合材Ｄを介して接合される。

なお、封止方法に応じて蓋２に金属母材に金属ろう材等の封止材が形成された金属部材を用いてもよい。この場合、シーム溶接やビーム照射による溶接、あるいは加熱炉などによるろう接などの手法により、水晶振動板３を蓋２とベース１により気密封止することができる。

本発明では、ベース１の底面に形成された端子電極１２，１３と、キャスタレーションＣ５，Ｃ６と、側面端子電極１２１，１３１との構成の組み合わせに特徴があるので、以下、この特徴的な構成の詳細を説明する。

本実施例２では、ベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１の位置に偏って（偏位して）、１つの端子電極（具体的に第１の端子電極１２）が形成されている。また、ベース１の底面に対してその角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３の位置に偏って（偏位して）、１つの端子電極（具体的に第２の端子電極１３）が形成されている。

また、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置（本発明でいう他角位置）と、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置とは、ベース１の底面の短辺に沿って端子電極が形成されない無電極領域１６，１７とされている。

加えて、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３は、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。また、端子電極１２，１３は同一形状からなる。

これらの構成により、本実施例２では、一角位置にあたる角Ｋ１に形成された第１の端子電極１２と、角１と対角位置にあたる角Ｋ３に偏って形成された第２の端子電極１３を有しているので、はんだなどの導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に接続性を低下させることがない。また、導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に水晶振動子（具体的にベース１）と回路基板４との熱膨張差が生じても、一角位置に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角位置（角Ｋ２の位置）と、ベース１の底面に対して他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置（角Ｋ４の位置）とは、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３が形成されない無電極領域１６，１７とされるので、この第１の端子電極１２と第２の端子電極１３から無電極領域１６，１７に向かって水晶振動子（具体的にベース１）の接合時に発生する応力を逃がすことができる。結果として、水晶振動子と回路基板４との間に介在する導電性接合材Ｄに応力が集中して、導電性接合材Ｄから疲労破壊が生じにくくすることができる。

また、図１７に示すように、対向する側面端子電極１２１，１３１に対して互いに均一な状態で導電性接合材Ｄによるフィレットの形成が促進される。加えて、導電性接合材ＤによるフィレットがキャスタレーションＣ５，Ｃ６に食い込んでアンカー効果を生じる。その結果として、水晶振動子（ベース１）の底面の長辺方向で互いに離隔する方向へ各々に均等な状態で張力を生じさせ、回路基板４との接合強度を高めるだけでなく、水晶振動子（ベース１）が平面的に回転する力を抑制することができる。

また、側面端子電極１２１，１３１は、キャスタレーションＣ５，Ｃ６の上下全体のみに（ベース１の底面部から側面を介して上端部にかけて）に形成され、これら側面端子電極１２１，１３１の幅寸法が０．５ｍｍとされているので、側面端子電極１２１，１３１に形成される（接着される）はんだなどの導電性接合材Ｄによるフィレットがより幅広な形状となって強固なものとなり、ベース１（側面端子電極１２１，１３１）と回路基板４（配線パッド４１，４２）とのさらなる接合強度の向上と、水晶振動子（ベース１）が平面的な回転抑制力の向上が期待できる。加えて、はんだなどの導電性接合材Ｄによるフィレットの視認性が向上することで検査がより確実に行えるので、水晶振動子の回路基板４への搭載接合のさらなる信頼性を高めることができる。なお、側面端子電極１２１，１３１はベース１の上端部にまで延出して形成するものに限らず、ベース１の途中まで形成したものであってもよい。

なお、側面端子電極１２１，１３１の幅寸法が０．５ｍｍとされているが、０．５ｍｍ以上であってベース１の底面の短辺の幅寸法未満にて形成することで、上記同様にはんだなどの導電性接合材Ｄによるフィレットの幅広化と視認性向上が期待でき、当該水晶振動子のパッケージと回路基板４の搭載接合のさらなる信頼性を高めることができる。

また、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３がベース１の底面の平面視中心点（中心点Ｏ）を中心にして点対称で構成されることで、これら第１の端子電極１２と第２の端子電極１３の互いの方向性がなくなり、水晶振動子の搭載作業性が向上するだけでなく、ベース１の中心点Ｏから偏りのないより効率的な応力緩和が行え、導電性接合材Ｄのクラック（はんだクラック等）の発生を飛躍的に抑制することができる。

また、本実施例２にかかる第１の端子電極１２および第２の端子電極１３は、キャスタレーションＣ５，Ｃ６の部分を除いてベース１の底面の辺から隔離してベース１の底面のみに形成している。これは、細分溝（ブレーク溝）を介してベース１がマトリックス状に配置された焼成前のセラミックグリーンシートにおいて、細分溝から接しない状態で端子電極用のメタライズパターンが形成されることに関係する。セラミックグリーンシートが焼成された後に各ベース１として細分溝で分断する際に、端子電極用のメタライズパターンが細分溝にまたがって形成されることによって分断作業性を妨げないようにしている。

本実施例２では、ベース１の底面の角Ｋ１と角Ｋ３に最も近接した第１の端子電極１２と第２の端子電極１３を水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する２端子電極として設定したものを例示している。しかしながら、入出力外部接続端子以外の機能端子を第１の端子電極１２と第２の端子電極１３との少なくとも一方に加味してもよい。以下、その具体例について図面とともに説明する。

具体的に、図１８に示すように、ベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１の位置に偏って（偏位して）、２つの端子電極１２，１４がベース１の底面の短辺方向に並列に形成されて構成される第１の端子電極群が形成されている。また、ベース１の底面に対してその角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３の位置に偏って（偏位して）、２つの端子電極１３，１５がベース１の底面の短辺方向に並列に形成されて構成される第２の端子電極群が形成されている。また、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置（本発明でいう他角位置）と、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置とは、ベース１の底面の短辺に沿って端子電極が形成されない無電極領域１６，１７とされている。加えて、第１の端子電極群と第２の端子電極群は、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。また、端子電極１２，１３は同一形状からなり、端子電極１４，１５は同一形状からなる。さらに、第１の端子電極群と第２の端子電極群とは、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において対称形状（点対称の形状）とされる。

なお、端子電極１２，１３は、水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能するものであり、端子電極１４，１５は、金属性の蓋２（図示せず）とキャスタレーションＣ５，Ｃ６を介して接続されたグランド端子電極として機能するものである。

具体的に、ベース１の底面の両短辺中央部に、互いに同寸法同形状で正対向するキャスタレーションＣ５，Ｃ６が上下に形成されている。本実施例２では、キャスタレーションＣ５，Ｃ６は、例えば幅寸法Ｗを０．５ｍｍとした長円形状に形成されている。これらキャスタレーションＣ５，Ｃ６の上下全体に（ベース１の底面から側面を介して上面にかけて）側面端子電極１４１，１５１が形成され、側面端子電極１４１，１５１は端子電極１４，１５と電気的につながっている（接続されている）。すなわち、側面端子電極１４１，１５１は、キャスタレーションＣ５，Ｃ６のみに形成されている。そして、この側面端子電極１４１，１５１の幅寸法は０．５ｍｍに設定され、ベース１の上端部（上面）にまで延出して形成されている。このように、側面端子電極１４１，１５１をキャスタレーションＣ５，Ｃ６のみに形成することで、側面端子電極１４１，１５１自体の形成が容易となり、その幅寸法の設定が容易となって、好ましい形態となるが、これに限定されるものではなく、側面端子電極１４１，１５１がキャスタレーションＣ５，Ｃ６からはみ出して形成されてもよい。

上記した構成からなる図１８に示す本実施例２の変形例によれば、上記本実施例２の作用効果に加えて、外部の回路基板４の回路で発生した電磁ノイズを金属性の蓋２でとらえ、当該電磁ノイズがグランド端子電極である端子電極１４，１５を介して取り除くことができる。結果として、水晶振動子内部の水晶振動板３に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができる。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

また、他の具体例として、図１９に示すように、第１の端子電極群が、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って２つの端子電極１２，１４がベース１の底面の長辺方向に並列に形成されて構成されている。また、第２の端子電極群が、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って２つの端子電極１３，１５がベース１の底面の長辺方向に並列に形成されて構成されている。

また、端子電極１２，１３は、水晶振動板３と接続される入出力外部接続端子であり、端子電極１４，１５は、金属性の蓋２（図示せず）とビアを介して接続されたグランド外部接続端子（グランド端子電極）である。また、端子電極１２，１３は、これら端子電極１２，１３それぞれと並列する端子電極１４，１５よりベース１の角Ｋ１、角Ｋ３に近接配置されている。また、端子電極１２はキャスタレーションＣ１，Ｃ５まで延出形成され、端子電極１３はキャスタレーションＣ３，Ｃ６まで延出形成されている。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

また、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置（本発明でいう他角位置）と、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置とは、ベース１の底面の短辺に沿って端子電極が形成されない無電極領域１６，１７とされている。加えて、第１の端子電極群と第２の端子電極群は、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。また、端子電極１２，１３は同一形状からなり、端子電極１４，１５は同一形状からなる。さらに、第１の端子電極群と第２の端子電極群とは、ベース１の底面の中心点Ｏ（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において対称形状（点対称の形状）とされる。

また、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４には、上下に円形状（平面視円形状）のキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。すなわち、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４であってベース１の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけてキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。

さらに、ベース１の底面の両短辺中央部に、互いに同寸法同形状で正対向するキャスタレーションＣ５，Ｃ６が上下に形成されている。本実施例２では、キャスタレーションＣ５，Ｃ６は、例えば幅寸法Ｗを０．５ｍｍとした長円形状に形成されている。これらキャスタレーションＣ５，Ｃ６の上下全体に（ベース１の底面から側面を介して上面にかけて）側面端子電極１２１，１３１が形成され、側面端子電極１２１，１３１は端子電極１２，１３と電気的につながっている（接続されている）。すなわち、側面端子電極１２１，１３１は、キャスタレーションＣ５，Ｃ６のみに形成されている。そして、この側面端子電極１２１，１３１の幅寸法は０．５ｍｍに設定され、ベース１の上端部（上面）にまで延出して形成されている。このように、側面端子電極１２１，１３１をキャスタレーションＣ５，Ｃ６のみに形成することで、側面端子電極１２１，１３１自体の形成が容易となり、その幅寸法の設定が容易となって、好ましい形態となるが、これに限定されるものではなく、側面端子電極１２１，１３１がキャスタレーションＣ５，Ｃ６からはみ出して形成されてもよい。

上記した構成からなる図１９に示す本実施例２の変形例によれば、上記第１の実施形態の作用効果に加えて、外部の回路基板４の回路で発生した電磁ノイズを金属性の蓋２でとらえ、当該電磁ノイズがグランド端子電極である端子電極１４，１５を介して取り除くことができる。結果として、水晶振動子内部の水晶振動板３に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができる。なお、端子電極１４，１５のうち一方のみをグランド端子電極として設定してもよい。

また、他の具体例では、図２０に示すように、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４には、上下に円形状（平面視円形状）のキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。また、ベース１の底面の両短辺中央部に、互いに同寸法同形状で正対向する長円形状のキャスタレーションＣ５，Ｃ６が上下に形成されている。これらキャスタレーションＣ５，Ｃ６の下側に（ベース１の底面から側面にかけて）側面端子電極１３１，１４１が形成され、側面端子電極１３１，１４１は端子電極１３，１４と電気的につながっている（接続されている）。すなわち、側面端子電極１３１，１４１は、キャスタレーションＣ５，Ｃ６のみに形成されている。

図２０に示すように、第１の端子電極群が、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って２つの端子電極１２，１４がベース１の底面の長辺方向に並列に形成されて構成されている。また、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って１つの端子電極１３がベース１の底面に形成されている。また、端子電極１２，１３は、水晶振動板３と接続される入出力外部接続端子であり、端子電極１４は、金属性の蓋２（図示せず）とキャスタレーションＣ５を介して接続されたグランド端子電極である。

端子電極１２は、端子電極１２と並列する端子電極１４よりベース１の角Ｋ１に近接配置され、端子電極１３は、ベース１の角Ｋ３に近接配置されている。また、端子電極１２はキャスタレーションＣ１まで延出形成され、端子電極１３はキャスタレーションＣ６まで延出形成され、端子電極１４はキャスタレーションＣ５まで延出形成されている。

また、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置（本発明でいう他角位置）と、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置とは、ベース１の底面の短辺に沿って端子電極が形成されない無電極領域１６，１７とされている。

上記した構成からなる図２０に示す本実施例２の変形例によれば、本実施例２の作用効果に加えて、外部の回路基板４の回路で発生した電磁ノイズを金属性の蓋２でとらえ、当該電磁ノイズがグランド端子電極である端子電極１４を介して取り除くことができる。結果として、水晶振動子内部の水晶振動板３に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができる。

次に、本発明による実施例２の他の例（実施例２−２）にかかる表面実装型の水晶振動子を、図２１、図２２を用いて説明する。図２１は実施例２−２にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図であり、図２２は、図２１に示すＡ２２−Ａ２２線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。なお、実施例２と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。

実施例２−２にかかる水晶振動子では、図２１に示すように、第１の端子電極１２が、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って形成されている。また、第２の端子電極１３が、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って形成されている。

加えて、各端子電極１２，１３の上部には、各端子電極１２，１３より若干小さくほぼ同形状（平面視同形状）のバンプ１２Ｂ，１３Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、端子電極１２，１３のメタライズ上部に同材質のメタライズ（タングステン、モリブデン等）を所望の形状で積層して形成されている。これら端子電極１２，１３とバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。

本実施例２−２では、これらの構成により、ベース１と回路基板４との熱膨張差による応力が生じても、バンプ１２Ｂ，１３Ｂと端子電極１２，１３の段差によって、より効率的に応力を緩和させることができる。しかもこの構成によれば、バンプ１２Ｂ，１３Ｂによりベース１と回路基板４との間で浮き上がった隙間部分に導電性接合材Ｄがたまるので、このたまった導電性接合材Ｄによりベース１と回路基板４との接合強度をより高めることができる。また、端子電極１２，１３に同材質のメタライズを積層することで極めて容易かつ安価にバンプ１２Ｂ，１３Ｂを形成することができる。

上記した実施例２やその変形例、および実施例２−２では、ベース１の底面の両短辺中央部に同寸法同形状で正対向するように形成されたキャスタレーション（具体的にキャスタレーションＣ５，Ｃ６）と側面端子電極（具体的に、側面端子電極１２１，１３１，１４１，１５１のいずれかの側面端子電極）について説明しているが、ベース１の底面の両短辺中央部付近で、これらキャスタレーションＣ５，Ｃ６（側面端子電極含む）が正対向するのではなくその一部が対向したものでもよく、互いに異寸法のキャスタレーションＣ５，Ｃ６（側面端子電極含む）や異形状のキャスタレーションＣ５，Ｃ６（側面端子電極含む）を組み合わせてもよい。

また、上記した実施例２やその変形例、および実施例２−２では、キャスタレーションＣ５，Ｃ６（側面端子電極含む）がベース１（ベース１の底面）の短辺に形成されているが、これに限定されるものではなく、ベース１（ベース１の底面）の長辺にキャスタレーションや側面端子電極が形成されてもよい。このように、ベース１のいずれかの辺部分に１つ以上のキャスタレーションと側面端子電極を形成することで、側面端子電極に対してはんだなど導電性接合材によるフィレットの形成が促進され、はんだなどの導電性接合材によるフィレットがキャスタレーションに食い込んでアンカー効果を生じる。その結果として、水晶振動子の回路基板への接合強度を高めるだけでなく、電子部品用パッケージである水晶振動子用のパッケージ（具体的にベース１）が平面的に回転する力をはんだなどの導電性接合材によるフィレットにより止められる。

具体的に、ベース１（ベース１の底面）の長辺にキャスタレーションや側面端子電極が形成された例を図２３に示す。

この図２３に示す例では、ベース１（ベース１の底面）の長辺にキャスタレーションＣ７，Ｃ８や側面端子電極１２３，１３３が形成され、この側面端子電極１２３，１３３ている。

この図２３に示す例では、ベース１の底面の両長辺の角Ｋ１および角Ｋ３近傍に偏位して、互いに同寸法同形状のキャスタレーションＣ７，Ｃ８が上下に形成され、これらキャスタレーションＣ７，Ｃ８の上下全体に（ベース１の底面から側面を介して上面にかけて）側面端子電極１２３，１３３が形成されている。これらキャスタレーションＣ７，Ｃ８に、それぞれ端子電極１２，１３が延出形成され、端子電極１２，１３が、キャスタレーションＣ５，Ｃ６に形成された側面端子電極１２１，１３１だけでなく、側面端子電極１２３，１３３にも電気的につながっている（接続されている）。

この場合、上述の実施例２やその変形例、および実施例２−２の作用効果に加え、さらなる回路基板４との接合強度を高めるだけでなく、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）が平面的に回転する力をより一層抑制することができる。

なお、図２３に示す例では、ベース１の底面の両長辺の角Ｋ１および角Ｋ３近傍に偏位して、キャスタレーションＣ７，Ｃ８が形成されているが、これに限定されるものではない。特に、ベース１の両長辺中央部に互いに同形状のキャスタレーションが対向して形成されることが好ましい。この構成によれば、対向するキャスタレーションに形成された側面端子電極に対して互いに均一な状態で導電性接合材Ｄによるフィレットの形成が促進され、導電性接合材Ｄによるフィレットがキャスタレーションに食い込んでアンカー効果を生じる。その結果として、当該水晶振動子のパッケージの短辺方向で互いに離隔する方向へ各々に均等な状態で張力を生じさせ、当該水晶振動子のパッケージが平面的に回転する力をより一層抑制することができる。

また、上記した図２１，図２２に示す実施例２−２では、各端子電極１２，１３の上部に各端子電極１２，１３より若干小さくほぼ同形状（平面視同形状）のバンプ１２Ｂ，１３Ｂがそれぞれ形成されているが、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの形状はこれに限定されるものではない。例えば、図２４，図２５，図２６，図２７に示すバンプ１２Ｂ，１３Ｂの形状であってもよい。

図２４に示すバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、キャスタレーションＣ５，Ｃ６に、それぞれ端子電極１２，１３とともに延出形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂが、キャスタレーションＣ５，Ｃ６に形成された側面端子電極１２１，１３１に電気的につながっている（接続されている）。このようにバンプ１２Ｂ，１３Ｂが、キャスタレーションＣ５，Ｃ６に形成された側面端子電極１２１，１３１に電気的につながることで、導電性接合材Ｄがベース１の内側（内方）へ逃げてゆくことが少なくなり、フィレットの形成がしやすくなってベース１の回路基板４への接合強度も向上する。

図２５に示すバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、第１の端子電極である端子電極１２と第２の端子電極である端子電極１３に形成されている。これら端子電極１２に形成されたバンプ１２Ｂと、端子電極１３に形成されたバンプ１３Ｂとは、ベース１の底面の長辺方向に近接されている。

この図２５に示すように、端子電極１２に形成されたバンプ１２Ｂと、端子電極１３に形成されたバンプ１３Ｂとが、ベース１の底面の長辺方向に近接されることで、当該水晶振動子のパッケージを回路基板４に導電性接合材Ｄを介して接合する際に、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）と回路基板４との間の熱膨張係数差により回路基板４に生じる応力を平面方向に逃がして（伸縮させて）当該応力を緩和することができる。

図２６に示すバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、第１の端子電極である端子電極１２と第２の端子電極である端子電極１３に形成されている。これら端子電極１２に形成されたバンプ１２Ｂと、端子電極１３に形成されたバンプ１３Ｂとは、ベース１の底面の長辺方向に離間されている。

この図２６に示すように、端子電極１２に形成されたバンプ１２Ｂと、端子電極１３に形成されたバンプ１３Ｂとが、ベース１の底面の長辺方向に離間されることで、当該水晶振動子のパッケージを回路基板４に導電性接合材Ｄを介して接合する際に、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）と回路基板４との間の熱膨張係数差により回路基板４に生じる応力を厚み方向に逃がして当該応力を緩和することができる。

図２７に示すバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、第１の端子電極である端子電極１２と第２の端子電極である端子電極１３に形成されている。これら端子電極１２に形成されたバンプ１２Ｂと、端子電極１３に形成されたバンプ１３Ｂとは、ベース１の底面の長辺方向に正対向した状態で近接されている。

この図２７に示すように、端子電極１２に形成されたバンプ１２Ｂと、端子電極１３に形成されたバンプ１３Ｂとが、ベース１の底面の長辺方向に正対向した状態で近接されることで、当該水晶振動子のパッケージを回路基板４に導電性接合材Ｄを介して接合する際に、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）と回路基板４との間の熱膨張係数差により回路基板４に生じる応力を平面方向に逃がして（伸縮させて）当該応力を緩和することができる。具体的に、各端子電極１２，１３の接合領域が均一化されて、回路基板４への接合状態（搭載状態）にバラツキが生じない。その結果、回路基板４へベース１を接合する際に、ベース１の長辺方向あるいは短辺方向への不要な伸び縮みの応力が生じない。また、図２７に示す例では、図２５に示す例と比べてバンプ１２Ｂ，１３Ｂを小さくしているので、さらに回路基板当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）と回路基板４との間の熱膨張係数差により回路基板４に生じる応力を逃がす方向を多くして、効率よく応力を緩和することができる。

また、上記した実施例２や実施例２−２、およびその変形例では、端子電極からキャスタレーションに形成された側面端子電極までの電極の引回しの長さを短く設定しているが、これに限定されるものではなく、図２８に示すように、端子電極からキャスタレーションに形成された側面端子電極までの電極の引回しの長さを長く設定してもよい。また、図２８に示す例だけではなく、ビアをベース１の底面に形成して端子電極１２，１３からビアまでの電極の引回しの構成としてもよい。

図２８に示す第１の端子電極である端子電極１２と第２の端子電極である端子電極１３は、ベース１の底面の中央付近において、底面の長辺方向に正対向した状態で近接されている。このように、ベース１の底面の中央付近に端子電極１２と端子電極１３が形成されることで、当該水晶振動子のパッケージを回路基板４に導電性接合材Ｄを介して接合する際に、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）と回路基板４との間の熱膨張係数差により回路基板４に生じる応力を平面方向に逃がして（伸縮させて）当該応力を緩和することができる。具体的に、各端子電極１２，１３の接合領域が均一化されて、回路基板４への接合状態（搭載状態）にバラツキが生じない。その結果、回路基板４へベース１を接合する際に、ベース１の長辺方向あるいは短辺方向への不要な伸び縮みの応力が生じない。また、図２８に示す例では、上記した他の例と比べて端子電極１２，１３の面積（平面視面積）を小さくしているので、さらに回路基板当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）と回路基板４との間の熱膨張係数差により回路基板４に生じる応力を逃がす方向を多くして、効率よく応力を緩和することができる。

次に、本発明の実施例３にかかる表面実装型の水晶振動子について、図面を参照して説明する。図２９は、実施例３にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。図３０は、図２９に示すＡ３１−Ａ３１線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。図３１は、図２９に示すＡ３２−Ａ３２線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。図３２は、図２９に示すＡ３３−Ａ３３線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。

なお、この実施例３にかかる表面実装型の水晶振動子は、上記した実施例１，２やその変形例などにかかる端子電極を含む電極の構成とキャスタレーションの構成が異なるだけ、他の構成は同一構成からなり、同一構成による作用効果は実施例１，２やその変形例などと同様の作用効果を有する。そのため、実施例１，２やその変形例などと同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。

実施例３にかかる表面実装型の水晶振動子は、図２９〜図３２に示すように、電子部品素子である水晶振動板３と、上部が開口した凹部を有し水晶振動板３を保持する（収納する）ベース１と、ベース１の開口部に接合してベース１に保持した水晶振動板３を気密封止する蓋２とからなる。

ベース１は、全体として直方体で、アルミナ等のセラミックとタングステンやモリブデン等の導電材料を適宜積層した構成からなる。このベース１は、図３０に示すように、断面視凹形の収納部１０と、収納部１０を囲むようにその周囲に設けられた堤部１１を有する。具体的に、ベース１は、矩形（平面視矩形）の平板形状のセラミックのベース基体１ａと、中央部分が大きく穿設されるとともに外形サイズ（平面視外形サイズ）がベース基体１ａとほぼ等しいセラミックの枠体１ｂからなり、ベース基体１ａと枠体１ｂとが一体的に焼成されている。

なお、堤部１１の上面は平坦であり、蓋２との封止領域となっている。また、堤部１１上には封止構成に応じて封止部材や金属層を形成してもよい。例えば、金属層として、タングステンやモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成が挙げられる。

また、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４には、上下に円形状（平面視円形状）のキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。すなわち、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４であってベース１の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけてキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成されている。

また、ベース１の底面の両短辺中央部に、互いに同寸法同形状で正対向するキャスタレーションＣ５，Ｃ６が上下に形成されている。本実施例２では、キャスタレーションＣ５，Ｃ６は、例えば幅寸法Ｗを０．５ｍｍとした長円形状に形成されている。これらキャスタレーションＣ５，Ｃ６の上下全体に（ベース１の底面から側面を介して上面にかけて）連結電極である側面端子電極１２１，１３１が形成され、側面端子電極１２１，１３１は後述の端子電極１２，１３と電気的につながっている（接続されている）。すなわち、側面端子電極１２１，１３１は、キャスタレーションＣ５，Ｃ６のみに形成されている。そして、この側面端子電極１２１，１３１の幅寸法は０．５ｍｍに設定され、ベース１の上端部（上面）にまで延出して形成されている。このように、側面端子電極１２１，１３１をキャスタレーションＣ５，Ｃ６）のみに形成することで、側面端子電極１２１，１３１自体の形成が容易となり、その幅寸法の設定が容易となって、好ましい形態となるが、これに限定されるものではなく、側面端子電極１２１，１３１がキャスタレーションＣ５，Ｃ６からはみ出して形成されてもよい。

ベース１の底面は平面視矩形とされ、このベース１の底面には、外部の回路基板４（図３０参照）に導電性接合材Ｄを用いて接合する２つの端子電極１２，１３が形成されている。端子電極１２，１３は、後述する水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極であり、キャスタレーションＣ５，Ｃ６を介して側面端子電極１２１，１３１（側面端子電極１３１は図示省略）によりベース１の内部の底面に形成された電極パッド１２２，１３２（電極パッド１３２は図示省略）へと延出して電気的に接続されている。なお、これらの端子電極１２，１３、側面端子電極１２１，１３１、電極パッド１２２，１３２は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。

電極パッド１２２，１３２間には、水晶振動板３（本発明でいう電子部品素子）が搭載されている。水晶振動板３の表裏面には一対の励振電極と引出電極が形成されている。一対の励振電極と引出電極は、例えば水晶振動板３に接して（水晶振動板３上から）クロム，金の順に、クロム，金，クロムの順に、クロム，銀，クロムの順に、あるいはクロム，銀の順に積層して形成されている。これら各電極（一対の励振電極と引出電極）は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。そして、電極パッド１２２，１３２に対して水晶振動板３の引出電極が導電性接合材（図示せず）により導電接合され、ベース１に水晶振動板３が保持されている。例えば、水晶振動板３の励振電極と、ベース１の電極パッド１２２，１２３との導電接合には、導電性樹脂接着剤や金属バンプやろう材などの導電性接合材を用いることができる。

ベース１を気密封止する蓋２には、アルミナ等のセラミックにガラス等の封止材が形成された構成のものが用いられる。蓋２の平面視外形はベース１の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。

このようなベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、蓋２にて被覆して加熱炉などの中で気密封止を行うことで表面実装型の水晶振動子の完成となる。また、水晶振動子の完成品は、図２９，図３０に示すように、ガラスエポキシ材からなる回路基板４の配線パッド４１，４２の上部に、例えばはんだ等の導電性接合材Ｄを介して接合される。

なお、封止方法に応じて蓋２に金属母材に金属ろう材等の封止材が形成された金属部材を用いてもよい。この場合、シーム溶接やビーム照射による溶接、あるいは加熱炉などによるろう接などの手法により、水晶振動板３を蓋２とベース１により気密封止することができる。

本発明では、ベース１の底面の中心点Ｏ１を中心にして点対称に形成された端子電極１２，１３と、回路基板４の配線パッド４１，４２に対してベース１の端子電極１２，１３を重畳させて接合した際の各端子電極１２，１３の端部から各配線パッド４１，４２の端部までの最短ギャップ寸法Ｇ１〜Ｇ４の定義付けの構成と、の組み合わせに特徴があるので、以下、この特徴的な構成の詳細を説明する。

本実施例３では、ベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１の位置に偏って（偏位して）、１つの矩形状の端子電極（具体的に第１の端子電極１２）が形成されている。また、ベース１の底面に対してその角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３の位置に偏って（偏位して）、１つの矩形状の端子電極（具体的に第２の端子電極１３）が形成されている。

また、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置（本発明でいう他角位置）と、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置とは、ベース１の底面の短辺に沿って端子電極が形成されない無電極領域１６，１７とされている。

加えて、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３は、ベース１の底面の中心点Ｏ１（平面視中心点）を中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。また、端子電極１２，１３は同一形状からなる。

また、回路基板４の配線パッド４１，４２に対してベース１の第１の端子電極１２および第２の端子電極１３を重畳させてベース１を回路基板４に接合した際に、各第１の端子電極１２および第２の端子電極１３の無電極領域１６，１７側の端部から配線パッド４１，４２の端部までの最短ギャップ寸法Ｇ１が互いに同一寸法とされる。具体的に、配線パッド４１，４２に対して第１の端子電極１２および第２の端子電極１３を重畳させて接合した際の、ベース１の底面の短辺方向における第１の端子電極１２の無電極領域１６側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）から配線パッド４１の平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、ベース１の底面の短辺方向における第２の端子電極１３の無電極領域１７側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）から配線パッド４２の平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ１である。

また、回路基板４の配線パッド４１，４２に対してベース１の第１の端子電極１２および第２の端子電極１３を重畳させてベース１を回路基板４に接合した際に、各第１の端子電極１２および第２の端子電極１３の無電極領域１６，１７側の端部と対向する端部から配線パッド４１，４２の端部までの最短ギャップ寸法Ｇ２が互いに同一寸法とされる。具体的に、配線パッド４１，４２に対して第１の端子電極１２および第２の端子電極１３を重畳させて接合した際の、ベース１の底面の短辺方向における第１の端子電極１２の無電極領域１６側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）と対向する端部から配線パッド４１の平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、ベース１の底面の短辺方向における第２の端子電極１３の無電極領域１７側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）と対向する端部から配線パッド４２の平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ２である。

また、回路基板４の配線パッド４１，４２に対してベース１の第１の端子電極１２および第２の端子電極１３を重畳させてベース１を回路基板４に接合した際に、各第１の端子電極１２および第２の端子電極１３のベース１の中心点Ｏ１側の端部から配線パッド４１，４２の端部までの最短ギャップ寸法Ｇ３が同一寸法とされる。具体的に、配線パッド４１，４２に対して第１の端子電極１２および第２の端子電極１３を重畳させて接合した際の、ベース１の底面の長辺方向における第１の端子電極１２の無電極領域１７側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）と対向する端部から配線パッド４１の平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、ベース１の底面の長辺方向における第２の端子電極１３の無電極領域１６側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）と対向する端部から配線パッド４２の平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ３である。

また、上記した最短ギャップ寸法Ｇ１と最短ギャップ寸法Ｇ３とが互いに同一寸法に設定され、この状態で回路基板４の配線パッド４１，４２に対してベース１の端子電極１２，１３が配置され、導電性接合材Ｄを介してベース１が回路基板４に接合されている。このとき、例えば回路基板４の配線パッド４１，４２中心間の中点Ｏ２と、ベースの端子電極１２，１３中心間の中点Ｏ３は、合致している（同一位置となる）。

これらの構成により、本実施例３では、一角位置にあたる角Ｋ１に形成された第１の端子電極１２と、角１と対角位置にあたる角Ｋ３に偏って形成された第２の端子電極１３を有しているので、はんだなどの導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に接続性を低下させることがない。また、導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に水晶振動子（具体的にベース１）と回路基板４との熱膨張差が生じても、一角位置に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角位置（角Ｋ２の位置）と、ベース１の底面に対して他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置（角Ｋ４の位置）とは、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３が形成されない無電極領域１６，１７とされるので、この第１の端子電極１２と第２の端子電極１３から無電極領域１６，１７に向かって水晶振動子（具体的にベース１）の接合時に発生する応力を逃がすことができる。結果として、水晶振動子と回路基板４との間に介在する導電性接合材Ｄに応力が集中して、導電性接合材Ｄから疲労破壊が生じにくくすることができる。

また、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３が、ベース１の底面の中心点Ｏ１を中心にして点対称で構成されるので、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３の互いの方向性がなくなり、水晶振動子の搭載作業性が向上するだけでなく、ベースの中心点Ｏ１から偏りのないより効率的な応力緩和が行え、はんだクラック等の発生を飛躍的に抑制することができる。

また、本実施例３にかかる第１の端子電極１２および第２の端子電極１３は、キャスタレーションＣ５，Ｃ６の部分を除いてベース１の底面の辺から隔離してベース１の底面のみに形成している。これは、細分溝（ブレーク溝）を介してベース１がマトリックス状に配置された焼成前のセラミックグリーンシートにおいて、細分溝から接しない状態で端子電極用のメタライズパターンが形成されることに関係する。セラミックグリーンシートが焼成された後に各ベース１として細分溝で分断する際に、端子電極用のメタライズパターンが細分溝にまたがって形成されることによって分断作業性を妨げないようにしている。

また、本実施例３では、図２９，図３１，図３２に示すように、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３それぞれについて、無電極領域１６，１７側の端部から配線パッド４１，４２の端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法Ｆ１が、互いにほぼ同一寸法の状態で形成される。具体的に、最短ギャップ寸法Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３に関して、第１の端子電極１２と配線パッド４１におけるギャップ寸法と、第２の端子電極１３と配線パッド４２におけるギャップ寸法とで同一寸法とされるので、ベース１の底面の短辺方向における第１の端子電極１２の無電極領域１６側となる端部から配線パッド４１の平面視端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法と、ベース１の底面の短辺方向における第２の端子電極１３の無電極領域１７側となる端部から配線パッド４２の平面視端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法とが、同一寸法のフィレットの幅寸法Ｆ１となる。

また、同様に、図２９，図３１，図３２に示すように、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３それぞれについて、無電極領域１６，１７側の端部と対向する端部から配線パッド４１，４２の端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法Ｆ２が、互いにほぼ同一寸法の状態で形成される。具体的に、ベース１の底面の短辺方向における第１の端子電極１２の無電極領域１６側の端部と対向する端部（本発明でいう平面視一角側端部）から配線パッド４１の平面視端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法と、ベース１の底面の短辺方向における第２の端子電極１３の無電極領域１７側の端部と対向する第１の対角位置である角Ｋ３の平面視角側端部（平面視角側端部）から配線パッド４２の平面視端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法とが、同一寸法のフィレットの幅寸法Ｆ２となる。

また、同様に、図２９，図３０に示すように、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３それぞれについて、ベース１の底面の中心Ｏ１側の端部から配線パッド４１，４２の端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法Ｆ３が、互いにほぼ同一寸法の状態で形成される。具体的に、ベース１の底面の長辺方向における第１の端子電極１２の無電極領域１７側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）と対向する端部から配線パッド４１の平面視端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法と、ベース１の底面の長辺方向における第２の端子電極１３の無電極領域１６側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）から配線パッド４２の平面視端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法とが、同一寸法のフィレットの幅寸法Ｆ３となる。また、最短ギャップ寸法Ｇ１と最短ギャップ寸法Ｇ３とが互いに同一寸法として形成されている。

上記したように、最短ギャップ寸法Ｇ１と最短ギャップ寸法Ｇ３とが互いに同一寸法として形成されているので、導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法Ｆ１とＦ３とが同一寸法の状態で形成される。このため、互いの導電性接合材Ｄによるフィレットによる張力のバランスが保たれ、水晶振動子（ベース１）が平面的に回転する力が抑制することができる。特にギャップ寸法Ｇ１とＧ３をそれぞれ同一寸法に設定することで、各第１の端子電極１２および第２の端子電極１３から各無電極領域１６，１７に向かって平面的に回転する力がより効果的に抑制される。

従って、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）等の悪影響を抑制するだけでなく、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）が平面的に回転して搭載実装されることもなくなり、当該水晶振動子のパッケージの回路基板４への搭載接合の信頼性を向上させることができる。

なお、本実施例３では、さらに、これらギャップ寸法Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３に加えて、回路基板４の配線パッド４１，４２に対してベース１の第１の端子電極１２および第２の端子電極１３を重畳させてベース１を回路基板４に接合した際に、各第１の端子電極１２および第２の端子電極１３のベース１の底面の中心点Ｏ１側の端部と対向する端部から配線パッド４１，４２の端部までの最短ギャップ寸法Ｇ４が互いに同一寸法される。具体的に、配線パッド４１，４２に対して第１の端子電極１２および第２の端子電極１３を重畳させて接合した際の、ベース１の底面の長辺方向における第１の端子電極１２の無電極領域１７側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）と対向する端部から配線パッド４１の平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、ベース１の底面の長辺方向における第２の端子電極１３の無電極領域１６側となる端部（本発明でいう平面視無電極領域側端部）と対向する端部から配線パッド４２の平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ４である。

また、本実施例３では、このように、さらに最短ギャップ寸法Ｇ４が設定されることで、図２９，図３０に示すように、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３それぞれについて、無電極領域１６，１７側の端部と対向する端部から配線パッド４１，４２の端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法Ｆ４が、互いにほぼ同一寸法の状態で形成される。具体的に、ベース１の底面の長辺方向における第１の端子電極１２の無電極領域１７側の端部と対向する端部（本発明でいう平面視一角側端部）から配線パッド４１の平面視端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法と、ベース１の底面の長辺方向における第２の端子電極１３の無電極領域１６側の端部と対向する第１の対角位置である角Ｋ３の平面視角側端部（平面視角側端部）から配線パッド４２の平面視端部までに形成される導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法とが、同一寸法のフィレットの幅寸法Ｆ４となる。また、最短ギャップ寸法Ｇ２と最短ギャップ寸法Ｇ４とが互いに同一寸法として形成されている。

このように、最短ギャップ寸法Ｇ４がさらに設定されることで、互いのはんだなどの導電性接合材Ｄによるフィレットによる張力のバランスが保たれ、水晶振動子（ベース１）が長辺方向にずれが生じることがなくなる。この長辺方向のずれ込みによって水晶振動子（ベース１）の平面的な回転に影響する力も抑制することができるので、結果として水晶振動子（ベース１）が平面的に回転する力がより一層抑制することができる。

また、上記したように、最短ギャップ寸法Ｇ２と最短ギャップ寸法Ｇ４とが互いに同一寸法として形成されているので、導電性接合材Ｄによるフィレットの幅寸法Ｆ２とフィレットの幅寸法Ｆ４とが同一寸法となり、互いの導電性接合材Ｄによるフィレットによる張力がほぼ同一となり、当該水晶振動子のパッケージ（具体的にベース１）が平面的に回転する力が発生しない。

さらに、上記したように、本実施例３では、これらギャップ寸法Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４に加えて、第１の端子電極１２の端部から配線パッド４１の端部までの周状のギャップ領域（ＧＡ１）と、第２の端子電極１３の端部から配線パッド４２の端部までの周状のギャップ領域（ＧＡ２）とが、ベース１の底面の中心点Ｏ１（平面視中心点）を中心に点対称に形成されていることが好ましい。

この場合、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３に形成される導電性接合材Ｄによるフィレットも互いにほぼ同一形状となり、さらに、ベース１の底面の中心点Ｏ１を中心にして点対称に形成されるので、互いの導電性接合材Ｄによるフィレットによる張力がほぼ同一となり、水晶振動子（ベース１）が平面的に回転する力が発生しない。

次に、本発明による実施例３の他の例（実施例３−２）にかかる表面実装型の水晶振動子を、図３３〜図３６を用いて説明する。図３３は、実施例３−２にかかる表面実装型の水晶振動子の概略底面図である。図３４は、図３３に示すＢ３１−Ｂ３１線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。図３５は、図３３に示すＢ３２−Ｂ３２線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。図３６は、図３３に示すＢ３３−Ｂ３３線断面図であり、表面実装型の水晶振動子を回路基板に搭載した状態の概略一部断面図である。なお、実施例３と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。

実施例３−２にかかる水晶振動子では、図３３に示すように、第１の端子電極１２が、ベース１の底面の角Ｋ１に偏って形成されている。また、第２の端子電極１３が、角Ｋ１の対角である角Ｋ３に偏って形成されている。

加えて、各端子電極１２，１３の上部には、各端子電極１２，１３より若干小さくほぼ同形状（平面視同形状）のバンプ１２Ｂ，１３Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、端子電極１２，１３のメタライズ上部に同材質のメタライズ（タングステン、モリブデン等）を所望の形状で積層して形成されている。これら端子電極１２，１３とバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。

本実施例３−２では、これらの構成により、ベース１と回路基板４との熱膨張差による応力が生じても、バンプ１２Ｂ，１３Ｂと端子電極１２，１３の段差によって、より効率的に応力を緩和させることができる。しかもこの構成によれば、バンプ１２Ｂ，１３Ｂによりベース１と回路基板４との間で浮き上がった隙間部分に導電性接合材Ｄがたまるので、このたまった導電性接合材Ｄによりベース１と回路基板４との接合強度をより高めることができる。また、端子電極１２，１３に同材質のメタライズを積層することで極めて容易かつ安価にバンプ１２Ｂ，１３Ｂを形成することができる。

また、本実施例３−２では、図３４〜図３６に示すように、第１の端子電極１２および第２の端子電極１３と配線パッド４１，４２とにおける最短ギャップ寸法Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３がそれぞれ同一寸法とされ、さらに最短ギャップ寸法Ｇ１と最短ギャップ寸法Ｇ３とが互いに同一寸法とされているだけでなく、最短ギャップ寸法Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４の全ての寸法が同一寸法に設定されている。

このように最短ギャップ寸法Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が全て同一寸法に設定されることにより、フィレットの幅寸法Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４が、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３で全て略同一寸法の状態で形成される。従って、第１の端子電極１２と第２の端子電極１３で互いの導電性接合材Ｄによるフィレットによる張力のバランスが水晶振動子（ベース１）の短辺方向および長辺方向で同一の状態で保たれ、水晶振動子（ベース１）が平面的に回転する力が発生しない。

また、上記した実施例３および実施例３−２では、ギャップ寸法Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４に加えて、第１の端子電極１２の端部から配線パッド４１の端部までの周状のギャップ領域（ＧＡ１）と、第２の端子電極１３の端部から配線パッド４２の端部までの周状のギャップ領域（ＧＡ２）とがベース１の底面の中心点Ｏ１（平面視中心点）を中心に点対称に形成されている形態について説明しているが、これらの構成に限るものでない。

さらに、上記した各実施例では、表面実装型の水晶振動子を例にしているが、水晶フィルタ、水晶発振器など電子機器等に用いられる他の表面実装型の電子部品用パッケージにも適用できる。なお、本発明にかかる電子部品用パッケージを水晶フィルタに適用する場合、グランド端子電極はフィルタのアース電極とされてもよい。また、本発明にかかる電子部品用パッケージを水晶発振器に適用する場合、グランド端子電極は、金属からなる蓋と電気的に接続される部材として用いてもよく、また、電子部品素子としてＩＣを用いた場合のＩＣのグランド端子電極として用いてもよい。

なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。

また、この出願は、２００７年８月２３日に日本で出願された特願２００７−２１６８５９号や、２００７年９月１４日に日本で出願された特願２００７−２３８７４２号や、２００７年９月２１日に日本で出願された特願２００７−２４６２８０号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。

本発明は、表面実装型の水晶振動子や水晶フィルタや水晶発振器など電子機器等に用いられる表面実装型の電子部品用パッケージに適用できる。

１ ベース
２ 蓋
３ 水晶振動板（電子部品素子）
４ 回路基板

Claims (4)

1. 電子部品用パッケージと回路基板との接合構造において、
   回路基板には、矩形状の配線パッドが形成され、
   電子部品用パッケージは、電子部品素子を保持するベースと、当該電子部品素子を気密封止する蓋とを有し、
   前記ベースの底面は、平面視矩形とされ、
   前記ベースの底面には、回路基板の前記配線パッドと導電性接合材を用いて接合する複数の矩形状の端子電極が形成され、
   前記ベースの底面に対してその一角位置に偏位して、１つの前記端子電極からなる第１の端子電極が形成され、
   前記ベースの底面に対して前記一角位置の対角位置にあたる第１の対角位置に偏位して、１つの前記端子電極からなる第２の端子電極が形成され、
   前記第１の端子電極と前記第２の端子電極は、互いに前記ベースの底面の平面視中心点を中心にして点対称に形成され、
   前記一角位置に対して前記ベースの底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記ベースの底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置とは、前記端子電極が形成されない無電極領域とされ、
   前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際、平面視で、前記配線パッドの端部が前記第１の端子電極の端部からはみ出しており、前記第１の端子電極の端部と前記配線パッドの端部との間に周状のギャップ領域ＧＡ１が形成され、かつ、前記配線パッドの端部が前記第２の端子電極の端部からはみ出しており、前記第２の端子電極の端部と前記配線パッドの端部との間に周状のギャップ領域ＧＡ２が形成されており、
   前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の短辺方向における前記第１の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の短辺方向における前記第２の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ１であり、
   前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の短辺方向における前記第１の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の短辺方向における前記第２の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ２であり、
   前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の長辺方向における前記第１の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の長辺方向における前記第２の端子電極の平面視無電極領域側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ３であり、
   前記最短ギャップ寸法Ｇ１と前記最短ギャップ寸法Ｇ３とが同一寸法であることを特徴とする電子部品用パッケージと回路基板との接合構造。
2. 請求項１に記載の電子部品用パッケージと回路基板との接合構造において、
   前記配線パッドに対して前記端子電極を重畳させて接合した際の、前記ベースの底面の長辺方向における前記第１の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法と、前記ベースの底面の長辺方向における前記第２の端子電極の平面視一角側端部から前記配線パッドの平面視端部までの間の最短ギャップ寸法とが、同一寸法の最短ギャップ寸法Ｇ４であることを特徴とする電子部品用パッケージと回路基板との接合構造。
3. 請求項２に記載の電子部品用パッケージと回路基板との接合構造において、
   前記最短ギャップ寸法Ｇ２と前記最短ギャップ寸法Ｇ４とが同一寸法であることを特徴とする電子部品用パッケージと回路基板との接合構造。
4. 請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の電子部品用パッケージと回路基板との接合構造において、
   前記端子電極の一部に同材質のメタライズからなるバンプを形成したことを特徴とする電子部品用パッケージと回路基板との接合構造。

Images