CN102638243A - 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种SMD石英晶体谐振器基座,属于SMD石英晶体谐振器结构技术领域。包括单层陶瓷基板结构,陶瓷基板上开通有通孔,陶瓷基板上做金属化进行电极联通;陶瓷基板上表面分布有:在上表面外周环行金属涂层上烧结的金属环平台、环内左侧设有一对金属支撑平台,环内右侧设有一个金属支撑平台;陶瓷基板下表面分布有:分别与上表面的金属环平台、两个金属支撑平台相连接的四个电极金属涂层。加工方法:1、单层陶瓷基板上设通孔并在其上表面、下表面分别印刷各个形状的金属涂层;2、利用金属化进行上表面、下表面的电极联通;3、加工金属环平台及金属支撑平台;4、化学镀金。本发明能直接降低材料成本、设计简单合理、易加工、成本低。

Description

一种SMD石英晶体谐振器基座及加工方法
技术领域
 本发明涉及一种SMD石英晶体谐振器基座及其加工方法,属于SMD石英晶体谐振器结构技术领域。
背景技术
目前,SMD石英晶体谐振器的基座结构有两种,一是金属封装结构:多层陶瓷板上烧结可伐材料金属环,然后平行封焊盖板,缺点是价格高;二是玻璃胶封装结构:单层陶瓷板与金属外壳或陶瓷上盖用玻璃胶密封,缺点是玻璃胶有微量气体挥发,影响产品老化率。
发明内容
本发明的目的在于解决目前SMD石英晶体谐振器现有基座多层陶瓷板难加工成本高,主要依靠国外加工的问题,提供一种改善后为单层基板结构,直接降低材料成本、设计简单合理、易加工、成本低的SMD石英晶体谐振器基座及加工方法。
本发明的SMD石英晶体谐振器基座技术方案如下:
一种SMD石英晶体谐振器基座,其特殊之处在于采用单层陶瓷基板,陶瓷基板1的四个角为弧面角14,陶瓷基板上开通两个有灌注导电材料的第一通孔5、第二通孔6,单层陶瓷基板上做金属化进行电极联通;
陶瓷基板1上表面分布有:在上表面外周环行金属涂层上烧结的金属环平台2、环内左侧设有一对用于晶片点胶的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4,环内右侧设有用于支撑晶片的第三金属支撑平台11。
陶瓷基板1下表面分布有:分别与上表面的金属环平台2、第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4相连接的四个电极金属涂层。
陶瓷基板1上表面所设的外周环行金属环平台2通过两个弧面角内侧导电材料构成的导电边缘12分别与陶瓷基板下表面所设的一对对角位置的电极金属涂层即第一电极金属涂层9、第二电极金属涂层10导通连接;陶瓷基板上表面环内左侧的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4分别通过所述第一通孔5、第二通孔6灌注的导电材料与陶瓷基板下表面所设的另一对对角位置的电极金属涂层即第三电极金属涂层7、第四电极金属涂层8导通连接。
所述陶瓷基板1的四个弧面角14呈内凹弧面角。
所述金属涂层是由钨材料制成的金属涂层。
所述上表面环内左侧的一对金属支撑平台中的第一金属支撑平台3通过金属涂层13连接至第一通孔5。
所述陶瓷基板1是氧化铝材料制成。
上述本发明的SMD石英晶体谐振器基座的一种加工方法如下:
1、采用单层陶瓷基板,陶瓷基板1的四个角为弧面角14,在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔5、第二通孔6,第一通孔5、第二通孔6内均灌注导电金属材料;
2、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别印刷各个形状的金属涂层;
所述金属涂层位于:陶瓷基板1上表面分布的外周环行金属环平台位置,内设的环内左侧一对用于晶片点胶电极平台位置,环内右侧用于支撑晶片的平台位置,陶瓷基板1下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;
3、然后烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板1,利用金属化进行上表面、下表面的电极联通;
4、加工金属环,用作上表面外周环行金属涂层相应位置的金属环平台;
加工金属片,用作环内左侧的一对电极金属涂层相应位置的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4;
加工金属片,用作环内右侧用于支撑晶片的金属涂层相应位置的第三金属支撑平台11;
5、在步骤3已金属化的陶瓷基板1上相应金属涂层部位烧结步骤4所加工完成的金属环和金属片,形成相应的外周环行金属涂层上烧结的金属环平台2,形成环内左侧用于晶片点胶的一对第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4,形成环内右侧用于支撑晶片的第三金属支撑平台11。
所述金属环和金属片为附银铜焊料的可伐材料构成。
6、在步骤5所烧结的上表面金属结构的金属环平台和金属支撑平台表面均做化学镀金,在步骤3所烧结的下表面金属化金属涂层做化学镀金,形成本发明的石英晶体谐振器基座。
上述本发明的SMD石英晶体谐振器基座的另一种加工方法如下:
1、采用单层陶瓷基板,陶瓷基板1的四个角为弧面角14,在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔5、第二通孔6,第一通孔5、第二通孔6内均灌注导电金属材料;
2、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别印刷各个形状的金属涂层;
所述金属涂层位于:陶瓷基板1上表面分布的外周环行金属环平台位置,内设的环内左侧一对用于晶片点胶电极平台位置,环内右侧用于支撑晶片的平台位置,陶瓷基板1下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;
3、然后烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板1,利用金属化进行上表面、下表面的电极联通;
4、在上表面外周环行金属涂层上、环内左侧的一对电极金属涂层上、环内右侧用于支撑晶片的金属涂层上再次印刷金属涂层,然后进行烘烤烧结,形成上表面外周环行金属涂层上的金属环平台2、环内左侧相应位置的第一金属支撑平台3与第二金属支撑平台4、环内右侧相应位置的第三金属支撑平台11;
5、在步骤4所烧结的上表面金属结构的金属环平台和金属支撑平台表面均做化学镀金,在步骤3所烧结的下表面金属化金属涂层做化学镀金,形成本发明的石英晶体谐振器基座。
本发明的石英晶体谐振器基座,采用在单层陶瓷基板上印刷金属化涂层,再进行钎焊烧结金属环和金属片或多次印刷烘烤金属涂层,在导电、绝缘、支撑方面都能达到很好效果的同时,解决了原先基座多层板难加工、成本高的问题,直接降低了材料成本,满足石英晶体谐振器低成本、小型化的要求,产品推出后完全可以取代目前SMD石英晶体谐振器基座,具有广阔的应用前景。
 
附图说明
图1:本发明一种SMD石英晶体谐振器基座的上表面结构示意图;
图2:本发明一种SMD石英晶体谐振器基座的下表面结构示意图。
 
具体实施方式
以下参考附图给出本发明的具体实施方式,对本发明做进一步说明。
实施例1
本实施的SMD石英晶体谐振器基座,采用单层陶瓷基板,
单层陶瓷基板1的四个弧面角14均呈内凹弧面角设计,陶瓷基板1上开通有两个用于灌注导电材料的第一通孔5、第二通孔6,陶瓷基板1上做金属化进行电极联通;
陶瓷基板1上表面分布有:在上表面外周环行金属涂层上烧结的金属环平台2、环内左侧设有一对用于晶片点胶的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4,环内右侧设有用于支撑晶片的第三金属支撑平台11;
陶瓷基板1下表面分布有:分别与上表面的金属环平台2、第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4相连接的四个电极金属涂层;
陶瓷基板1上表面所设的外周环行金属环平台2通过所述两个弧面角内侧导电材料构成的导电边缘12分别与陶瓷基板下表面所设的一对对角位置的第一电极金属涂层9、第二电极金属涂层10导通连接;陶瓷基板上表面环内左侧的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4分别通过所述第一通孔5、第二通孔6灌注的导电材料与陶瓷基板下表面所设的另一对电极金属涂层即第三电极金属涂层7、第四电极金属涂层8导通连接;上述金属涂层是由钨材料制成的金属涂层;上表面环内左侧的一对金属支撑平台中的一个金属支撑平台3通过金属涂层13连接至第一通孔5;陶瓷基板是氧化铝材料制成。
本实施例的SMD石英晶体谐振器基座的加工方法技术方案如下:
1、采用单层陶瓷基板,陶瓷基板1的四个角为弧面角14,在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔5、第二通孔6,第一通孔5、第二通孔6内均灌注导电金属材料;
2、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别印刷各个形状的金属涂层;
所述金属涂层位于:陶瓷基板1上表面分布的外周环行金属环平台位置,内设的环内左侧一对用于晶片点胶电极平台位置,环内右侧用于支撑晶片的平台位置,陶瓷基板1下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;
3、然后烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板1,利用金属化进行上表面、下表面的电极联通;
4、加工金属环,用作上表面外周环行金属涂层相应位置的金属环平台;
加工金属片,用作环内左侧的一对电极金属涂层相应位置的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4;
加工金属片,用作环内右侧用于支撑晶片的金属涂层相应位置的第三金属支撑平台11;
5、在步骤3已金属化的陶瓷基板1上相应金属涂层部位烧结步骤4所加工完成的金属环和金属片,形成相应的外周环行金属涂层上烧结的金属环平台2,形成环内左侧用于晶片点胶的一对第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4,形成环内右侧用于支撑晶片的第三金属支撑平台11。
所述金属环和金属片为附银铜焊料的可伐材料构成。
6、在步骤5所烧结的上表面金属结构的金属环平台和金属支撑平台表面均做化学镀金,在步骤3所烧结的下表面金属化金属涂层做化学镀金,形成本发明的石英晶体谐振器基座。
实施例2
本实施的SMD石英晶体谐振器基座,采用单层陶瓷基板,结构同实施例1。
本实施例的SMD石英晶体谐振器基座的加工方法技术方案如下:
1、采用单层陶瓷基板,陶瓷基板1的四个角为弧面角14,在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔5、第二通孔6,第一通孔5、第二通孔6内均灌注导电金属材料;
2、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别印刷各个形状的金属涂层;
所述金属涂层位于:陶瓷基板1上表面分布的外周环行金属环平台位置,内设的环内左侧一对用于晶片点胶电极平台位置,环内右侧用于支撑晶片的平台位置,陶瓷基板1下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;
3、然后烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板1,利用金属化进行上表面、下表面的电极联通;
4、在上表面外周环行金属涂层上、环内左侧的一对电极金属涂层上、环内右侧用于支撑晶片的金属涂层上再次印刷金属涂层,然后进行烘烤烧结,形成上表面外周环行金属涂层上的金属环平台2、环内左侧相应位置的第一金属支撑平台3与第二金属支撑平台4、环内右侧相应位置的第三金属支撑平台11;
本步骤根据需要可以多次印刷金属涂层,通过烘烤形成相应的金属环平台与金属支撑平台;
5、在步骤4所烧结的上表面金属结构的金属环平台和金属支撑平台表面均做化学镀金,在步骤3所烧结的下表面金属化金属涂层做化学镀金,形成本发明的石英晶体谐振器基座。
以上实施例的陶瓷基板做通孔填充金属材料,以及在陶瓷基板上下表面做金属化处理。陶瓷基板上表面烧结的金属环第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4与陶瓷基板下表面化学镀的斜对角第三电极金属涂层7、第四电极金属涂层8导通;陶瓷基板上表面外周环行金属环平台2与陶瓷基板下表面化学镀的斜对角第一电极金属涂层9、第二电极金属涂层10导通。所有金属结构的表面均做化学镀金层。解决了原先基座多层板难加工、成本高的问题,直接降低了材料成本,产品推出后完全可以取代目前SMD石英晶体谐振器基座,具有广阔的应用前景。

Claims (8)

1. 一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于采用单层陶瓷基板,陶瓷基板(1)的四个角为弧面角(14),陶瓷基板上开通两个有灌注导电材料的第一通孔(5)、第二通孔(6),单层陶瓷基板上做金属化进行电极联通;
陶瓷基板1上表面分布有:在上表面外周环行金属涂层上烧结的金属环平台(2)、环内左侧设有一对用于晶片点胶的第一金属支撑平台(3)、第二金属支撑平台(4),环内右侧设有用于支撑晶片的第三金属支撑平台(11);
陶瓷基板(1)下表面分布有:分别与上表面的金属环平台(2)、第一金属支撑平台(3)、第二金属支撑平台(4)相连接的四个电极金属涂层。
2.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述陶瓷基板(1)上表面所设的外周环行金属环平台(2)通过两个弧面角内侧导电材料构成的导电边缘(12)分别与陶瓷基板下表面所设的一对对角位置的电极金属涂层即第一电极金属涂层(9)、第二电极金属涂层(10)导通连接;陶瓷基板上表面环内左侧的第一金属支撑平台(3)、第二金属支撑平台(4)分别通过所述第一通孔(5)、第二通孔(6)灌注的导电材料与陶瓷基板下表面所设的另一对对角位置的电极金属涂层即第三电极金属涂层(7)、第四电极金属涂层(8)导通连接。
3.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述陶瓷基板(1)的四个弧面角(14)呈内凹弧面角。
4.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述金属涂层是由钨材料制成的金属涂层。
5.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述上表面环内左侧的一对金属支撑平台中的第一金属支撑平台(3)通过金属涂层(13)连接至第一通孔(5)。
6.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述陶瓷基板(1)是氧化铝材料制成。
7.权利要求1-6任一权利要求所述SMD石英晶体谐振器基座的加工方法,其特征在于包括以下步骤:
1)、采用单层陶瓷基板,陶瓷基板的四个角为弧面角(14),在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔(5)、第二通孔(6),第一通孔(5)、第二通孔(6)内均灌注导电金属材料;
2)、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别印刷各个形状的金属涂层;
所述金属涂层位于:陶瓷基板上表面分布的外周环行金属环平台位置,内设的环内左侧一对用于晶片点胶电极平台位置,环内右侧用于支撑晶片的平台位置,陶瓷基板下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;
3)、然后烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板,利用金属化进行上表面、下表面的电极联通;
4)、加工金属环,用作上表面外周环行金属涂层相应位置的金属环平台;
加工金属片,用作环内左侧的一对电极金属涂层相应位置的第一金属支撑平台(3)、第二金属支撑平台(4);
加工金属片,用作环内右侧用于支撑晶片的金属涂层相应位置的第三金属支撑平台(11);
5)、在步骤3)已金属化的陶瓷基板(1)上相应金属涂层部位烧结步骤4)所加工完成的金属环和金属片,形成相应的外周环行金属涂层上烧结的金属环平台(2),形成环内左侧用于晶片点胶的一对第一金属支撑平台(3)、第二金属支撑平台(4),形成环内右侧用于支撑晶片的第三金属支撑平台(11);
6)、在步骤5)所烧结的上表面金属结构的金属环平台和金属支撑平台表面均做化学镀金,在步骤3)所烧结的下表面金属化金属涂层做化学镀金,形成石英晶体谐振器基座。
8.权利要求1-6任一权利要求所述SMD石英晶体谐振器基座的加工方法,其特征在于包括以下步骤:
1)、采用单层陶瓷基板,陶瓷基板(1)的四个角为弧面角(14),在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔(5)、第二通孔(6),第一通孔(5)、第二通孔(6)内均灌注导电金属材料;
2)、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别印刷各个形状的金属涂层;
所述金属涂层位于:陶瓷基板(1)上表面分布的外周环行金属环平台位置,内设的环内左侧一对用于晶片点胶电极平台位置,环内右侧用于支撑晶片的平台位置,陶瓷基板(1)下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;
3)、然后烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板(1),利用金属化进行上表面、下表面的电极联通;
4)、在上表面外周环行金属涂层上、环内左侧的一对电极金属涂层上、环内右侧用于支撑晶片的金属涂层上再次印刷金属涂层,然后进行烘烤烧结,形成上表面外周环行金属涂层上的金属环平台(2)、环内左侧相应位置的第一金属支撑平台(3)与第二金属支撑平台(4)、环内右侧相应位置的第三金属支撑平台(11);
5)、在步骤4)所烧结的上表面金属结构的金属环平台和金属支撑平台表面均做化学镀金,在步骤3)所烧结的下表面金属化金属涂层做化学镀金,形成石英晶体谐振器基座。
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