CN112778002A - 一种csp陶瓷基板的组合板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种CSP陶瓷基板的组合板及其制备方法，包括若干纵横并列排布的陶瓷基板所形成的组合板；设置在组合板外围的环形回路带；用于对相邻的陶瓷基板进行连接的第一金属带；用于对陶瓷基板与环形回路带进行连接的第二金属带；在第一金属带和第二金属带的表面覆有一层密闭绝缘层。本发明提供的CSP陶瓷基板的组合板具有机械强度高、气密性佳、金属与陶瓷结合强度的特点高；且由于密闭绝缘层结合致密，提高了第一、第二金属带与陶瓷基体的结合牢固程度，有效解决了陶瓷基板组合板在分切时导致第二金属带“崩边”问题。另外，由于密闭绝缘层包覆了第一、第二金属带，减小了表面镀覆的贵金属用量，降低了成本、提高了产品的经济性。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件封装基板领域，尤其涉及一种CSP陶瓷基板的组合板及其制备方法。
背景技术
日本电子工业协会把CSP定义为芯片面积与封装体面积之比大于80%的封装；美国国防部元器件供应中心的J-STK-012标准把CSP定义为LSI封装产品的面积小于或等于LSI芯片面积的120%的封装。CSP封装内存不但体积小，而且也更薄，提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。
CSP封装陶瓷基板是芯片的载体。CSP封装陶瓷基板，不但应具备机械强度高、散热能力好、气密性好、绝缘电阻高等物理性能，还应具备尺寸精度高、平整度佳等加工要求，并且还涉及至表面金属化工艺，尤其是表面镀覆金/银等贵金属。因此，CSP封装陶瓷基板在满足基本性能的基础上，如何提高产品的可靠性，如何进一步降低成本，是产品技术发展的迫切需求。
申请公布号为CN 110098170A的专利文件公开了一种陶瓷封装基板组合板，包括陶瓷基板组合板、环形回路带；陶瓷基板上具有基层金属，环形回路带至少包含内外两个环形回路带，内外两个环形回路带通过支路连接带相连接，内环形回路带与基板金属电连接。
上述技术方案的非焊接功能的区域（如内外两个环形回路带，支路连接带）全部祼露，带来了以下技术问题：一、采用叠层方式制造陶瓷基板组合板，金属导体线路层在3层及3层以上，金属导体材料用量大，增大了金属/陶瓷异质材料的占比，导致共烧后的陶瓷基板的平面度较差，影响后续芯片封装的可靠性；二、在对基板表面镀金时，金等贵金属不仅镀覆到陶瓷基板的功能焊盘上，而且还镀覆到了连接焊盘的金属带和环形回路带等非功能区上，造成了材料成本上的上升；三、陶瓷基板组合板在分切，直接祼露的金属带容易“崩边”，降低了成品器件的良率。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的第一个目的在于提供一种结构设计合理，且能保证封装可靠性和经济性的CSP陶瓷基板的组合板。本发明的第二个目的在于提供一种CSP陶瓷基板的组合板的制备方法。
为了实现上述发明的第一个目的，本发明采用以下技术方案：
一种CSP陶瓷基板的组合板，包括若干纵横并列排布的陶瓷基板所形成的组合板；设置在组合板外围的环形回路带；用于对相邻的陶瓷基板进行连接的第一金属带；用于对陶瓷基板与环形回路带进行连接的第二金属带；在第一金属带和第二金属带的表面覆有一层密闭绝缘层。
上述陶瓷基板可以是氧化铝、氮化铝、氮化硅或氧化铍材质的陶瓷。上述环形回路带设置在组合板的外围，在电解镀时，用于接通电源阴极，并均匀分配电流，使陶瓷基板的组合板均匀镀覆金属镀层；上述第一金属带用于对两两相邻的陶瓷基板进行电连接，在电解镀时形成二维网络状电路。上述第二金属带用于环形回路带与边沿的陶瓷基板进行电连接，在电解镀时将环形回路带的电流引流到阵列排布的陶瓷基板中去。上述密闭绝缘层，紧密结合到第一金属带和第二金属带的外表面，并呈电绝缘状态。
作为优选方案，所述陶瓷基板包括陶瓷基体和焊盘，两个焊盘平行设置在陶瓷基体上。
作为优选方案，所述密闭绝缘层的材质为绝缘矿物或者绝缘塑料。所述绝缘矿物可以是绝缘性良好的封接玻璃、低温烧结陶瓷的至少一种或几种。所述绝缘塑料可以是聚乙烯、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、聚酰亚胺的至少一种或几种。
作为优选方案，所述绝缘矿物的材质与所述陶瓷基板的陶瓷基体的材质相同。
作为优选方案，所述环形回路带成正方形，且每个边上等距间隔设置有划片标记块。在芯片封装后的划片时，环形回路带的上划片标记，可用于划片机捕捉定位。
作为优选方案，所述密闭绝缘层厚度为1~50um。所述密闭绝缘层可以涂覆、掩模板漏印、丝网印刷等方法，并经适当的热处理或快速固化，将密闭绝缘层包覆于第一金属带和第二金属带的表面，使金属带紧密固着、绝缘隔绝。
作为优选方案，所述组合板通过多层共烧陶瓷工艺制备而成。
多层共烧陶瓷工艺为低温共烧陶瓷技术（LTCC）或高温共烧陶瓷技术（HTCC）。具体地，工艺流程包括：粉体制备、陶瓷浆料制备、流延成型、生瓷带分切、钻孔、填孔、丝网印刷、生坯切割、低温（850~900度）或高温（1400~1650度）导体陶瓷共烧结、整平等工序组成。
为了实现上述发明的第二个目的，本发明采用以下技术方案：
一种如上所述的CSP陶瓷基板的组合板的制备方法，包括以下步骤：
步骤1）将微米级别的氧化铝粉体，添加至二甲苯、乙醇等有机溶剂中，并加以分散剂、PVB树脂和塑化剂，进行充分混浆，经真空脱除气泡后，进行流延成型，形成生瓷带；
步骤2）对生瓷带进行钻孔、填孔，再用钨浆在生坯的上下表面再进行丝网印刷电极，并经分切，在1500~1600度的高温还原性窑炉中进高温共烧，形成第一半成品；
步骤3）制作掩模板，该掩模板在第一金属带和第二金属带对应位置可以漏印，将快速挥发固化的亚克力浓稠溶液转移到上述掩模板上，对齐位置，在上述第一半成品的第一金属带和第二金属带的表面上刮制印刷，亚克力浓稠溶液的溶剂挥发后，固化形成一层密闭绝缘层，上述密闭绝缘层材质为亚克力，厚度为35-50um，形成第二半成品；
步骤4）将第二半成品依次浸入含有镍离子、金离子的镀液槽中，并对环形回路带进行通电，镍离子、金离子在电场作用下依次镀覆到陶瓷基板的焊盘表面，形成了CSP陶瓷基板的组合板。
一种如上所述的CSP陶瓷基板的组合板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1）将微米级别的低温烧结陶瓷粉体，添加至二甲苯、乙醇等有机溶剂中，并加以分散剂、PVB树脂和塑化剂，进行充分混浆，经真空脱除气泡后，进行流延成型，形成生瓷带；
步骤2）对生瓷带进行钻孔、填孔，再用银浆在生坯的上下表面再进行丝网印刷电极，并经分切，在850~900度的空气气氛中进低温共烧，形成第一半成品；
步骤3）制作掩模板，该掩模板在第一金属带和第二金属带对应位置可以漏印，将快速挥发固化的聚酰亚胺浓稠溶液转移到上述掩模板上，对齐位置，在上述第一半成品的第一金属带和第二金属带的表面上刮制印刷，聚酰亚胺浓稠溶液的溶剂挥发后，固化形成一层密闭绝缘层，上述密闭绝缘层材质为聚酰亚胺，厚度为20-40um，形成第二半成品；
步骤4）将第二半成品依次浸入含有镍离子、金离子的镀液槽中，并对环形回路带进行通电，镍离子、金离子在电场作用下依次镀覆到陶瓷基板的焊盘表面，形成了CSP陶瓷基板的组合板。
作为优选方案，所述低温烧结陶瓷粉体包含40~60%的氧化铝晶体颗粒以及40~60%的Ca-Al-Si无定形玻璃，两者组分之和为100%。
本发明公开的技术方案具有以下有益效果：
1、提供的CSP陶瓷基板的组合板具有机械强度高、气密性佳、金属与陶瓷结合强度的特点高。
2、由于密闭绝缘层结合致密，提高了第一、第二金属带与陶瓷基体的结合牢固程度，有效解决了陶瓷基板组合板在分切时导致第二金属带“崩边”问题。
3、由于密闭绝缘层包覆了第一、第二金属带，减小了表面镀覆的贵金属用量，降低了成本、提高了产品的经济性。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的限定。
图1为实施例1~4中的CSP陶瓷基板的组合板的示意图；
图2为实施例1~4中的陶瓷基板的立体图；
图3为实施例1~4中的陶瓷基板的示意图；
图4为对比例1~4中的陶瓷基板的示意图；
图5为实施例4中的CSP陶瓷基板组合板在分切时的断面图；
图6为对比例4中的CSP陶瓷基板组合板在分切时的断面图。
图中的附图标记为：100、陶瓷基板；101、陶瓷基体；102、焊盘；200、环形回路带；301、第一金属带；302、第二金属带；400、密闭绝缘层。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、部件和/或它们的组合。
此外，在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下面结合附图与实施例对本发明作进一步说明：
实施例1
本实施例的CSP陶瓷基板的组合板，通过如下方法进行制备。
（1）将微米级别的氧化铝粉体，添加至二甲苯、乙醇等有机溶剂中，并加以适量分散剂、PVB树脂和塑化剂，进行充分混浆。经真空脱除气泡后，进行流延成型，形成生瓷带。
（2）对生瓷带进行钻孔、填孔，再用钨浆在生坯的上下表面再进行丝网印刷电极，并经分切，在1500~1600度的高温还原性窑炉中进高温共烧，形成第一半成品；
上述第一半成品包括：陶瓷基板100；设置在组合板外围的环形回路带200；用于对相邻的陶瓷基板100进行连接的第一金属带301；用于对陶瓷基板100与环形回路带200进行连接的第二金属带302；上述环形回路带200、上述第一金属带301以及上述第二金属带302的材质均为钨合金。
（3）制作掩模板，该掩模板在第一金属带301和第二金属带302对应位置可以漏印。将快速挥发固化的亚克力浓稠溶液转移到上述掩模板上，对齐位置，在上述第一半成品的第一金属带301和第二金属带302的表面上刮制印刷，亚克力浓稠溶液的溶剂挥发后，固化形成一层密闭绝缘层400，上述密闭绝缘层400材质为亚克力，厚度为45um，形成第二半成品。
（4）将第二半成品依次浸入含有镍离子、金离子的镀液槽中，并对环形回路带200进行通电，镍离子、金离子在电场作用下依次镀覆到陶瓷基板的焊盘101表面，形成了CSP陶瓷基板的组合板。
如图1至图3所示，本实施例的CSP陶瓷基板的组合板结构，包括：陶瓷基板100，上述陶瓷基板100的基材102为96%氧化铝陶瓷基片，焊盘101的材质自表层而下依次为金、镍、钨合金；设置在组合板外围的环形回路带200，材质自表层而下依次为金、镍、钨合金；用于对相邻的陶瓷基板100进行连接的第一金属带301，材质为金属钨；用于对陶瓷基板100与环形回路带200进行连接的第二金属带302，材质为金属钨；在第一金属带301和第二金属带302的表面覆有一层密闭绝缘层400，其材质为亚克力，厚度为45um。
实施例2
本实施例的CSP陶瓷基板的组合板，通过如下方法进行制备。
（1）将微米级别的低温烧结陶瓷粉体，包含用40~60%的氧化铝晶体颗粒，和60~40%的Ca-Al-Si无定形玻璃。将上述低温烧结陶瓷粉体添加至二甲苯、乙醇等有机溶剂中，并加以适量分散剂、PVB树脂和塑化剂，进行充分混浆。经真空脱除气泡后，进行流延成型，形成生瓷带。
（2）对生瓷带进行钻孔、填孔，再用银浆在生坯的上下表面再进行丝网印刷电极，并经分切，在850~900度的空气气氛中进低温共烧，形成第一半成品；
上述第一半成品包括：陶瓷基板100；设置在组合板外围的环形回路带200；用于对相邻的陶瓷基板100进行连接的第一金属带301；用于对陶瓷基板100与环形回路带200进行连接的第二金属带302；上述环形回路带200、上述第一金属带301以及上述第二金属带302的材质均为金属银。
（3）制作掩模板，该掩模板在第一金属带301和第二金属带302对应位置可以漏印。将快速挥发固化的聚酰亚胺浓稠溶液转移到上述掩模板上，对齐位置，在上述第一半成品的第一金属带301和第二金属带302的表面上刮制印刷，聚酰亚胺浓稠溶液的溶剂挥发后，固化形成一层密闭绝缘层400，上述密闭绝缘层400材质为聚酰亚胺，厚度为30um，形成第二半成品。
（4）将第二半成品依次浸入含有镍离子、金离子的镀液槽中，并对环形回路带200进行通电，镍离子、金离子在电场作用下依次镀覆到陶瓷基板的焊盘101表面，形成了CSP陶瓷基板的组合板。
如图1至图3所示，本实施例的CSP陶瓷基板的组合板，包括：陶瓷基板100，上述陶瓷基板100的基材102材质为低温烧结陶瓷基片，焊盘101的材质自表层而下依次为金、镍、银；设置在组合板外围的环形回路带200，材质自表层而下依次为金、镍、银；用于对相邻的陶瓷基板100进行连接的第一金属带301，材质为金属银；用于对陶瓷基板100与环形回路带200进行连接的第二金属带302，材质为金属银；在第一金属带301和第二金属带302的表面覆有一层密闭绝缘层400，其材质为聚酰亚胺，厚度为30um。
实施例3
本实施例的CSP陶瓷基板的组合板，通过如下方法进行制备。
（1）将微米级别的氧化铝粉体，添加至二甲苯、乙醇等有机溶剂中，并加以适量分散剂、PVB树脂和塑化剂，进行充分混浆。经真空脱除气泡后，进行流延成型，形成生瓷带。
（2）对生瓷带进行钻孔、填孔，再用钨钼浆在生坯的上下表面再进行丝网印刷电极，并经分切，在1500-1600度的高温还原性窑炉中进高温共烧，形成第一半成品；
上述第一半成品包括：陶瓷基板100；设置在组合板外围的环形回路带200；用于对相邻的陶瓷基板100进行连接的第一金属带301；用于对陶瓷基板100与环形回路带200进行连接的第二金属带302；上述环形回路带200、上述第一金属带301以及上述第二金属带302的材质均为钨钼合金。
（3）制作掩模板，该掩模板在第一金属带301和第二金属带302对应位置可以漏印。将与第（1）步中固体成分相同的陶瓷浆料转移到上述掩模板上，对齐位置，在上述第一半成品的第一金属带301和第二金属带302的表面上刮制印刷，待陶瓷浆料的溶剂挥发后，固化形成一层密闭绝缘层400，上述密闭绝缘层400材质与陶瓷基体完全相同，厚度为10um，形成第二半成品。
（4）将第二半成品依次浸入含有镍离子、金离子的镀液槽中，并对环形回路带200进行通电，镍离子、金离子在电场作用下依次镀覆到陶瓷基板的焊盘101表面，形成了CSP陶瓷基板的组合板。
如图1至图3所示，本实施例的CSP陶瓷基板的组合板结构，包括：陶瓷基板100，上述陶瓷基板100的基材102为氧化铝陶瓷，焊盘101的材质自表层而下依次为金、镍、钨钼合金；设置在组合板外围的环形回路带200，材质自表层而下依次为金、镍、钨钼合金；用于对相邻的陶瓷基板100进行连接的第一金属带301，材质为金属钨钼；用于对陶瓷基板100与环形回路带200进行连接的第二金属带302，材质为金属钨钼；在第一金属带301和第二金属带302的表面覆有一层密闭绝缘层400，其材质为氧化铝陶瓷，与陶瓷基体完全相同，厚度为10um。
本实施例的CSP陶瓷基板的组合板的用途如下。
上述CSP陶瓷基板的组合板，应用于石英晶振的封装领域。上述石英晶振芯片通过倒装焊（Flip Chip）工艺，焊接至上述呈阵型分布的陶瓷基板上，对芯片进行封装、测试之后，对陶瓷基板的组合板进行划片切割，形成单颗石英晶振器。
实施例4
本实施例的CSP陶瓷基板的组合板，通过如下方法进行制备。
（1）将微米级别的低温烧结陶瓷粉体，包含用40~60%的氧化铝晶体颗粒，和60~40%的Ca-Al-Si无定形玻璃。将上述低温烧结陶瓷粉体添加至二甲苯、乙醇等有机溶剂中，并加以适量分散剂、PVB树脂和塑化剂，进行充分混浆。经真空脱除气泡后，进行流延成型，形成生瓷带。
（2）对生瓷带进行钻孔、填孔，再用银浆在生坯的上下表面再进行丝网印刷电极，并经分切，在850~900度的空气气氛中进低温共烧，形成第一半成品；
上述第一半成品包括：陶瓷基板100；设置在组合板外围的环形回路带200；用于对相邻的陶瓷基板100进行连接的第一金属带301；用于对陶瓷基板100与环形回路带200进行连接的第二金属带302；上述环形回路带200、上述第一金属带301以及上述第二金属带302的材质均为金属银。
（3）制作掩模板，该掩模板在第一金属带301和第二金属带302对应位置可以漏印。将快速挥发固化的低温烧结陶瓷粉体浆料转移到上述掩模板上，对齐位置，在上述第一半成品的第一金属带301和第二金属带302的表面上刮制印刷，经加热烘道，低温烧结陶瓷粉体浆料的溶剂挥发后，固化形成一层密闭绝缘层400，上述密闭绝缘层400材质为低温烧结陶瓷，厚度为1um，形成第二半成品。
（4）将第二半成品依次浸入含有镍离子、金离子的镀液槽中，并对环形回路带200进行通电，镍离子、金离子在电场作用下依次镀覆到陶瓷基板的焊盘101表面，形成了CSP陶瓷基板的组合板。
如图1至图3所示，本实施例的CSP陶瓷基板的组合板，包括：陶瓷基板100，上述陶瓷基板100的基材102材质为低温烧结陶瓷基片，焊盘101的材质自表层而下依次为金、镍、银；设置在组合板外围的环形回路带200，材质自表层而下依次为金、镍、银；用于对相邻的陶瓷基板100进行连接的第一金属带301，材质为金属银；用于对陶瓷基板100与环形回路带200进行连接的第二金属带302，材质为金属银；在第一金属带301和第二金属带302的表面覆有一层密闭绝缘层400，其材质为与陶瓷基体相同的低温烧结陶瓷体，厚度为1um。
对比例1~4
对比例1~4依次对应实施例1~4，对应到CSP陶瓷基板的组合板结构中，不含密闭绝缘层400，其余结构均相同，如图4所示。
以影像测量仪对上述实施例1~4和对比例1~4进行电极制作的面积和镀金后的表面面积进行测量，以表面轮廓仪对陶瓷基板表面焊盘进行共面平整度测量，具体参数对照如表1。
表1
对实施例4和对比例4的CSP陶瓷基板的组合板，进行机械分切，其断面用SEM扫描电镜进行形貌观测，观察第二金属带302与陶瓷体的结合程度，分别对应图5和图6。由图可知实施例4的CSP陶瓷基板的组合板经过机械分切，第二金属带302与陶瓷基体保持良好的结合；而对比例4的CSP陶瓷基板的组合板经过机械分切，处于表面的第二金属带302与陶瓷基体产生了明显的裂纹，在放大量的生产中这样的比例较高。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种CSP陶瓷基板的组合板，包括若干纵横并列排布的陶瓷基板（100）所形成的组合板；设置在组合板外围的环形回路带（200）；用于对相邻的陶瓷基板（100）进行连接的第一金属带（301）；用于对陶瓷基板（100）与环形回路带（200）进行连接的第二金属带（302）；其特征在于，在第一金属带（301）和第二金属带（302）的表面覆有一层密闭绝缘层（400）。
2.根据权利要求1所述的一种CSP陶瓷基板的组合板，其特征在于，所述陶瓷基板（100）包括陶瓷基体（101）和焊盘（102），两个焊盘（102）平行设置在陶瓷基体（101）上。
3.根据权利要求2所述的一种CSP陶瓷基板的组合板，其特征在于，所述密闭绝缘层（400）的材质为绝缘矿物或者绝缘塑料。
4.根据权利要求3所述的一种CSP陶瓷基板的组合板，其特征在于，所述绝缘矿物的材质与所述陶瓷基板（100）的陶瓷基体（101）的材质相同。
5.根据权利要求1所述的一种CSP陶瓷基板的组合板，其特征在于，所述环形回路带（200）成正方形，且每个边上等距间隔设置有划片标记块。
6.根据权利要求1所述的一种CSP陶瓷基板的组合板，其特征在于，所述密闭绝缘层（400）厚度为1~50um。
7.根据权利要求1所述的一种CSP陶瓷基板的组合板，其特征在于，所述组合板通过多层共烧陶瓷工艺制备而成。
8.一种如权利要求1至7中任意一项所述的CSP陶瓷基板的组合板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1）将微米级别的氧化铝粉体，添加至二甲苯、乙醇等有机溶剂中，并加以分散剂、PVB树脂和塑化剂，进行充分混浆，经真空脱除气泡后，进行流延成型，形成生瓷带；
步骤2）对生瓷带进行钻孔、填孔，再用钨浆在生坯的上下表面再进行丝网印刷电极，并经分切，在1500~1600度的高温还原性窑炉中进高温共烧，形成第一半成品；
步骤3）制作掩模板，该掩模板在第一金属带（301）和第二金属带（302）对应位置可以漏印，将快速挥发固化的亚克力浓稠溶液转移到上述掩模板上，对齐位置，在上述第一半成品的第一金属带（301）和第二金属带（302）的表面上刮制印刷，亚克力浓稠溶液的溶剂挥发后，固化形成一层密闭绝缘层（400），上述密闭绝缘层（400）材质为亚克力，厚度为35-50um，形成第二半成品；
步骤4）将第二半成品依次浸入含有镍离子、金离子的镀液槽中，并对环形回路带（200）进行通电，镍离子、金离子在电场作用下依次镀覆到陶瓷基板（100）的焊盘（101）表面，形成了CSP陶瓷基板的组合板。
9.一种如权利要求1至7中任意一项所述的CSP陶瓷基板的组合板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1）将微米级别的低温烧结陶瓷粉体，添加至二甲苯、乙醇等有机溶剂中，并加以分散剂、PVB树脂和塑化剂，进行充分混浆，经真空脱除气泡后，进行流延成型，形成生瓷带；
步骤2）对生瓷带进行钻孔、填孔，再用银浆在生坯的上下表面再进行丝网印刷电极，并经分切，在850~900度的空气气氛中进低温共烧，形成第一半成品；
步骤3）制作掩模板，该掩模板在第一金属带（301）和第二金属带（302）对应位置可以漏印，将快速挥发固化的聚酰亚胺浓稠溶液转移到上述掩模板上，对齐位置，在上述第一半成品的第一金属带（301）和第二金属带（302）的表面上刮制印刷，聚酰亚胺浓稠溶液的溶剂挥发后，固化形成一层密闭绝缘层（400），上述密闭绝缘层（400）材质为聚酰亚胺，厚度为20-40um，形成第二半成品；
步骤4）将第二半成品依次浸入含有镍离子、金离子的镀液槽中，并对环形回路带（200）进行通电，镍离子、金离子在电场作用下依次镀覆到陶瓷基板（100）的焊盘（101）表面，形成了CSP陶瓷基板的组合板。
10.根据权利要求9所述的一种CSP陶瓷基板的组合板，其特征在于，所述低温烧结陶瓷粉体包含40~60%的氧化铝晶体颗粒以及40~60%的Ca-Al-Si无定形玻璃，两者组分之和为100%。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |