JP5655794B2 - ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5655794B2 JP5655794B2 JP2011550840A JP2011550840A JP5655794B2 JP 5655794 B2 JP5655794 B2 JP 5655794B2 JP 2011550840 A JP2011550840 A JP 2011550840A JP 2011550840 A JP2011550840 A JP 2011550840A JP 5655794 B2 JP5655794 B2 JP 5655794B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- component
- bis
- film
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polyamides (AREA)
Description
近年、半導体素子のさらなる高集積化及び大型化が進む中、封止樹脂パッケージの薄型化、小型化が要求されている。また、LOC(リード・オン・チップ)や半田リフローによる表面実装等の方法がとられてきており、これまで以上に機械特性、耐熱性等に優れたポリイミド樹脂が必要とされるようになってきた。
ところが、これまでのポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂を使用したポジ型感光性樹脂組成物では、g線とi線に高感度かつ高解像度で、汎用現像液での現像が可能で、さらに強アルカリ耐性に優れる性能を同時に満たすことは困難であった。
1.(a)アルカリ性水溶液に可溶な樹脂、
(b)2個以上のオキセタニル基を有する化合物、
(c)ジアゾナフトキノン化合物、及び
(d)溶剤を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
2.前記(a)成分が、フェノール性水酸基を有するポリマーであることを特徴とする1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
3.前記(a)成分が、下記式(I)で表される構造単位を有するポリマーであることを特徴とする1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
4.前記(b)成分が下記式で表される化合物であることを特徴とする1〜3のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
5.(a)成分100重量部に対し、(b)成分を1〜40重量部、(c)成分を1〜50重量部含有することを特徴とする1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
6.1〜5のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を硬化させたことを特徴とする硬化膜。
7.1〜5のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基盤上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜を露光する工程と、前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る工程と、及び前記パターン樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る工程とを含むことを特徴とするパターン硬化膜の製造方法。
8.6に記載の硬化膜が層間絶縁膜層又は表面保護膜層として設けられている電子部品。
(a)アルカリ性水溶液に可溶な樹脂
(b)2個以上のオキセタニル基を有する化合物
(c)ジアゾナフトキノン化合物
(d)溶剤
一般に、濃度が2.38重量%のテトラブチルアンモニウム水溶液が用いられるので、(a)成分はこの水溶液に対して可溶性であることがより好ましい。
従って、式(I)中のX1の2〜8価の有機基は、カルボン酸の構造において、アミンとの反応によりアミド結合を形成したカルボキシ基と、その他の酸官能基(即ち、カルボキシ基若しくはそれがエステル化した基と、フェノール性水酸基又はその水素原子が置換基で置換された基)を除く部分の構造を示す有機基である。
例えばテトラカルボン酸二無水物又はジカルボン酸のカルボキシ基及び酸官能基以外の構造に対応する有機基である。X1は一般に芳香環を含むことが好ましく、カルボキシ基及びその他の酸官能基は芳香環に直接結合していることが好ましい。
また、これらの誘導体、例えば前記各種ジカルボン酸ジハライド(ジクロライドなど)を用いることもできる。
酸官能基を有するジカルボン酸としては、例えば4,4’−(5,5’−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフロロプロパン−2,2−ジイル)ビス(2−ヒドロキシ−1,5−フェニレン))ビス(アザンジイル)ビス(オキソメチレン)二安息香酸、4,4’−(5,5’−(プロパン−2,2−ジイル)ビス(2−ヒドロキシ−1,5−フェニレン))ビス(アザンジイル)ビス(オキソメチレン)二安息香酸、4,4’−(3,3’−ジヒドロキシビフェニル−4,4‘−ジイル)ビス(アザンジイル)ビス(オキソメチレン)二安息香酸、4,4’−(4,4’−スルホニルビス(2−ヒドロキシ−1,4−フェニレン))ビス(アザンジイル)ビス(オキソメチレン)二安息香酸、4,4’−(6,6’−オキシビス(2−ヒドロキシ−1,6−フェニレン))ビス(アザンジイル)ビス(オキソメチレン)二安息香酸、4,4’−(6,6’−(プロパン−2−ジイル)ビス(2−ヒドロキシ−1,6−フェニレン))ビス(アザンジイル)ビス(オキソメチレン)二安息香酸、4,4’−(4−ヒドロキシ−1,3−フェニレン)ビス(アザンジイル)ビス(オキソメチレン)二安息香酸、4,4’−(2,5−ジヒドロキシ−1,4−フェニレン)ビス(アザンジイル)ビス(オキソメチレン)二安息香酸、等が挙げられ、これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
さらにトリメリット酸又はその無水物のようなトリカルボン酸を用いることもできる。
酸官能基を有するジアミンとしては、例えば2,4−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、3,3’−ジアミノビフェニル−5,5’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル−5,5’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルメタン−5,5’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン−5,5’−ジカルボン酸、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド−5,5’−ジカルボン酸又はそれらの異性体のようにカルボキシ基を1つ以上持つか、あるいは4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、オキシビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,4−ジアミノフェノール、1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−オキシビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−オキシビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−2,4−ジアミノフェノール、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−2,4−ジアミノフェノール、N,N’−(4−アミノフェニルカルボニル)−1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、N,N’−(3−アミノフェニルカルボニル)−1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼンのようなフェノール基を有するもの等が挙げられ、これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。また、必ずしもここに挙げられたものに限定されない。
式(I)中のR1に1価の有機基として官能基を導入する方法としては、エーテル結合もしくはエステル結合を介して導入する方法が挙げられる。具体的には、R1を置換基とするハロゲン化合物もしくは酸ハライド化合物を、R1が水素原子の基と反応させる脱酸ハロゲン反応を利用した付加反応、又はビニルエーテルとの付加反応等が挙げられる。
尚、当該分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)法により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて算出することができる。
例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン及び/又は酸官能基を有するジアミンを重合させることで(a)成分であるポリイミド前駆体を調製できる。同様に、活性化エステル化されたジカルボン酸及び/又は酸官能基を有するジカルボン酸とフェノール酸官能基を有するジアミンを重合させることで(a)成分であるポリベンゾオキサゾール前駆体を調製できる。また、テトラカルボン酸二無水物、ジカルボン酸及び/又は活性エステル化された酸官能基を有するジカルボン酸と、ジアミン及び/又は酸官能基を有するジアミンを共重合させることで(a)成分であるポリイミド/ポリベンゾオキサゾール前駆体の共重合体を調製することができる。
(b)成分は、好ましくは(a)成分中のフェノール性水酸基と、塗布、露光、現像後に加熱処理する工程において付加反応し、ポリマー間を橋架けする。
(b)成分は(a)成分100重量部に対し、1〜40重量部含有することが好ましく、5〜30重量部がより好ましく、5〜15重量部がさらに好ましい。40重量部よりも多いと耐薬品性が低下し、1重量部よりも少ないと硬化膜が脆くなる。
(c)成分は(a)成分100重量部に対し、感度の観点から、1〜50重量部含有することが好ましく、1〜30重量部がより好ましく、5〜20重量部がさらに好ましい。
用いる溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、2−メトキシエタノール、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコ−ルモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコ−ルアセテート、1,3−ブチレングリコールアセテ−ト、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン等が挙げられ、単独でも混合して用いてもよい。
本発明の組成物は、上述の(a)〜(d)成分の他に、接着性付与剤、界面活性剤又はレベリング剤、その他の架橋剤等の添加剤を含有してもよい。
上記界面活性剤又はレベリング剤としては、例えばポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられる。また、界面活性剤又はレベリング剤の市販品としては、メガファックF171、F173、R−08(大日本インキ化学工業株式会社製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム株式会社製)、オルガノシロキサンポリマーKP341、KBM303、KBM403、KBM803(信越化学工業株式会社製)等が挙げられる。
(e)成分は樹脂組成物への添加の前後で、(a)成分単独あるいは(b)、(c)の各成分とともに任意の溶剤に溶解して得られたワニスを、シリコンウエハ等の基板上にスピン塗布して形成された塗膜の溶解速度を低下させる効果が発現するものであれば、特に制限はない。
この観点から、特に好ましいものはジフェニルヨードニウムニトラート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨーダイド等である。
尚、本発明の組成物は、上記(a)〜(d)成分、及び任意に(e)成分から実質的になっていてもよく、また、これらの成分のみからなっていてもよい。「実質的になる」とは、上記組成物が、主に上記(a)〜(d)成分、及び任意に(e)成分からなることであり、これらの成分の他に上記の添加剤を含み得ることである。
本発明の組成物を用いて、パターン硬化膜を成膜することができる。特に、本発明の組成物より得られる硬化膜は、耐熱性及び機械特性に優れる。
照射する活性光線又は化学線としては、超高圧水銀灯を用いるコンタクト/プロキシミティ露光機、ミラープロジェクション露光機、i線ステッパ、g線ステッパ、その他の紫外線、可視光源や、X線、電子線を用いることができる。
現像液であるアルカリ性水溶液としては、例えば苛性カリ、苛性ソ−ダ等のアルカリ金属水酸化物の水溶液;テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の水酸化四級アンモニウム;エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミン等のアミン水溶液等を用いることができる。
用いるリンス液としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコ−ル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水等が挙げられる。
上記加熱温度は、好ましくは150〜500℃であり、より好ましくは200〜400℃である。加熱温度が150℃未満の場合、膜の機械特性及び熱特性が低下するおそれがある。一方、加熱温度が500℃超の場合、膜の機械特性及び熱特性が低下するおそれがある。
また、加熱時間は、好ましくは0.05〜10時間である。加熱時間が0.05時間未満の場合、膜の機械特性及び熱特性が低下するおそれがある。一方、加熱時間が10時間超の場合、膜の機械特性及び熱特性が低下するおそれがある。
層間絶縁膜層4は、本発明の樹脂組成物を用いて形成することができる。
この表面保護膜層(パターン硬化膜)8は、導体層を外部からの応力、α線等から保護し、得られる半導体装置は信頼性に優れる。
ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸15.48g(60mmol)、N−メチルピロリドン90gを仕込み、フラスコを5℃に冷却した後、塩化チオニル23.9g(120mmol)を滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン87.5gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン18.30g(50mmol)とm−アミノフェノール2.18g(20mmol)を攪拌溶解した後、ピリジン9.48g(120mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。溶液を3リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧乾燥して水酸基末端のポリヒドロキシアミドを得た(以下、ポリマーIとする)。ポリマーIのGPC法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は23,400、分散度は1.8であった。
合成例1でm−アミノフェノールを添加しなかった以外は合成例1と同様にして合成を行った。得られたカルボキシ基末端のポリヒドロキシアミドの標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は17,600、分散度は1.6であった。
このポリマー20gを次に、攪拌機及び温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン100gとともに仕込み、攪拌溶解させた後、温度を0〜5℃に保ちながら、クロロメチルエチルエーテル6.0gを滴下し、さらにトリエチルアミン6.0gを滴下した後、30分間攪拌を続けた。溶液を2リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧乾燥して末端にエトキシメチル基を導入したポリヒドロキシアミドを得た(以下、ポリマーIIとする)。1H−NMRによりエトキシメチル基の導入率を求めた結果、末端カルボキシ基は99%エトキシメチル基に変換されており、分子鎖中のフェノール性水酸基は全体の8%だけが置換されていた。
合成例1でジフェニルエーテルジカルボン酸を用いず、ドデカン二酸に置き換えた。それ以外は合成例1と同様の条件にて合成を行った。得られたポリヒドロキシアミド(以下、ポリマーIIIとする)の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は29,500、分散度は2.1であった。
攪拌機、温度計を備えた0.2リットルのフラスコ中に、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物20.16g(66mmol)、N−メチルピロリドン83.93g、イソプロピルアルコール7.81g(130mmol)、ジアザビシクロウンデセン0.30g(1mmol)を仕込み、室温で120時間攪拌し反応させて、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジイソプロピルエステルのN−メチルピロリドン溶液を得た。次に、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジイソプロピルエステルのN−メチルピロリドン溶液103.56gをフラスコに入れて0℃に冷却し、塩化チオニル12.44g(106mmol)を滴下し、30分反応させて、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジイソプロピルエステルジクロリドのN−メチルピロリドン溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン53.72gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン25.63g(70mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン16.32gを添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジイソプロピルエステルジクロリドのN−メチルピロリドン溶液107.56gを20分間で滴下した後、1時間攪拌を続けた。得られた溶液を3リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧してポリイミド前駆体(以下、ポリマーIVとする)を得た。
標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は、28,000、分散度は1.5であった。
測定装置:検出器 株式会社島津製作所製SPD−M20A
ポンプ:株式会社島津製作所製LC−20A
システムコントローラー:CBM−20A
測定条件:カラム 日立化成工業製Gelpack GL−S300MDT−5×2本
溶離液:THF(テトラヒドロフラン)/DMF(N,N−ジメチルホルムアミド)=1/1(容積比)臭化リチウム一水和物(0.03mol/L)、リン酸(0.06mol/L)
流速:1.0mL/分、検出器:190〜800nm(270nmのクロマトグラムにより分子量を算出)
ポリマー0.5mgに対して、溶媒1mLの溶液を用いて希釈したサンプルを測定した。
(a)成分であるポリマー100重量部に対し、(b)、(c)、(d)成分を溶剤とともに表1に示した所定量にて配合し、感光性樹脂組成物の溶液を得た。
表1に示したように、実施例1〜13で示したものはいずれも実用上問題ない感度及び解像度を示した。また、優れた機械強度及び耐薬品性を有することが分かった。一方、(b)成分を用いなかった比較例1〜3では、基板への密着性が弱く、薬液の染み込みが大きかった。さらに、架橋剤を全く用いない比較例3では、熱硬化時にパターンが溶融(メルト)し、また機械強度も低い値を示した。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。
Claims (8)
- メチロール基含有化合物、及びエポキシ基含有化合物を実質的に含まないことを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(a)〜(c)成分が溶剤を除く組成物の全量に対して90重量%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (a)成分100重量部に対し、(b)成分を1〜40重量部、(c)成分を1〜50重量部含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を硬化させたことを特徴とする硬化膜。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基盤上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜を露光する工程と、前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る工程と、及び前記パターン樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る工程とを含むことを特徴とするパターン硬化膜の製造方法。
- 請求項6に記載の硬化膜が層間絶縁膜層又は表面保護膜層として設けられている電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011550840A JP5655794B2 (ja) | 2010-01-21 | 2011-01-18 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010011354 | 2010-01-21 | ||
JP2010011354 | 2010-01-21 | ||
JP2011550840A JP5655794B2 (ja) | 2010-01-21 | 2011-01-18 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
PCT/JP2011/000216 WO2011089877A1 (ja) | 2010-01-21 | 2011-01-18 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011089877A1 JPWO2011089877A1 (ja) | 2013-05-23 |
JP5655794B2 true JP5655794B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=44306679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011550840A Active JP5655794B2 (ja) | 2010-01-21 | 2011-01-18 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9134608B2 (ja) |
JP (1) | JP5655794B2 (ja) |
KR (1) | KR20120109528A (ja) |
CN (1) | CN102713753A (ja) |
TW (1) | TWI440980B (ja) |
WO (1) | WO2011089877A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102510370B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2023-03-17 | 도레이 카부시키가이샤 | 수지 조성물, 내열성 수지막의 제조 방법, 및 표시 장치 |
US10418521B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-09-17 | Toray Industries, Inc. | Method for manufacturing substrate and method for manufacturing light emitting element using same |
JP6984539B2 (ja) * | 2018-05-21 | 2021-12-22 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び光半導体素子の製造方法 |
WO2023162718A1 (ja) * | 2022-02-24 | 2023-08-31 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、樹脂組成物被膜、樹脂組成物フィルム、硬化膜、およびこれらを用いた半導体装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006008740A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Nitto Denko Corp | 紫外線硬化型樹脂組成物 |
JP2008107512A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2008139328A (ja) * | 2006-01-19 | 2008-06-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた半導体装置及び表示装置 |
JP2008145579A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 |
JP2008224970A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
WO2009022732A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4093461A (en) | 1975-07-18 | 1978-06-06 | Gaf Corporation | Positive working thermally stable photoresist composition, article and method of using |
DE2931297A1 (de) | 1979-08-01 | 1981-02-19 | Siemens Ag | Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen |
JPS61146962A (ja) | 1984-12-17 | 1986-07-04 | 清水建設株式会社 | スリツプフオ−ムによる側壁構築工法 |
US6881765B2 (en) * | 2003-03-10 | 2005-04-19 | Toagosei Co., Ltd. | Curable release agent and separator using same |
KR101290041B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2013-07-30 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 포지티브형 감광성 절연 수지 조성물, 그 경화물 및 전자부품 |
CN102393607B (zh) * | 2005-11-30 | 2013-11-13 | 住友电木株式会社 | 正型感光性树脂组合物及使用该组合物的半导体器件和显示器 |
KR20090055025A (ko) * | 2006-08-29 | 2009-06-01 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 |
-
2011
- 2011-01-18 WO PCT/JP2011/000216 patent/WO2011089877A1/ja active Application Filing
- 2011-01-18 US US13/522,817 patent/US9134608B2/en active Active
- 2011-01-18 JP JP2011550840A patent/JP5655794B2/ja active Active
- 2011-01-18 CN CN2011800065284A patent/CN102713753A/zh active Pending
- 2011-01-18 KR KR20127016708A patent/KR20120109528A/ko active Search and Examination
- 2011-01-20 TW TW100102036A patent/TWI440980B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006008740A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Nitto Denko Corp | 紫外線硬化型樹脂組成物 |
JP2008139328A (ja) * | 2006-01-19 | 2008-06-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた半導体装置及び表示装置 |
JP2008107512A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2008145579A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 |
JP2008224970A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
WO2009022732A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9134608B2 (en) | 2015-09-15 |
WO2011089877A1 (ja) | 2011-07-28 |
TW201131305A (en) | 2011-09-16 |
JPWO2011089877A1 (ja) | 2013-05-23 |
CN102713753A (zh) | 2012-10-03 |
US20120288798A1 (en) | 2012-11-15 |
TWI440980B (zh) | 2014-06-11 |
KR20120109528A (ko) | 2012-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5736993B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP5636456B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP5241280B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5504735B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP2014111723A (ja) | 可溶性ポリイミド、該可溶性ポリイミドを用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP5079089B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 | |
JP5655794B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP5562585B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP2014071374A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
CN115433358A (zh) | 聚酰胺-b-酰胺酸聚合物、正性光敏性组合物及其应用 | |
JP5136079B2 (ja) | 低温硬化用のポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP2011046918A (ja) | 電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP5625549B2 (ja) | 感光性重合体組成物、パターンの製造方法及び電子部品 | |
JP5513217B2 (ja) | 硬化レリーフパターンの形成方法 | |
JP5029386B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP5381742B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP5029385B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 | |
JP5139886B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP6756957B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜及び電子部品 | |
WO2011089895A1 (ja) | 感光性重合体組成物、パターンの製造方法及び電子部品 | |
JP5655262B2 (ja) | 半導体装置、その製造方法及び感光性樹脂組成物 | |
JP2007225942A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2007225631A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130624 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140218 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20140327 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140404 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140328 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5655794 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |