JP5631577B2 - 不揮発性メモリ装置のプログラム方法 - Google Patents
不揮発性メモリ装置のプログラム方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5631577B2 JP5631577B2 JP2009259206A JP2009259206A JP5631577B2 JP 5631577 B2 JP5631577 B2 JP 5631577B2 JP 2009259206 A JP2009259206 A JP 2009259206A JP 2009259206 A JP2009259206 A JP 2009259206A JP 5631577 B2 JP5631577 B2 JP 5631577B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- word line
- memory cell
- line
- selected memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5628—Programming or writing circuits; Data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
- G11C16/3427—Circuits or methods to prevent or reduce disturbance of the state of a memory cell when neighbouring cells are read or written
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
200・・・行デコーダ回路
400・・・書き込みブロック
500・・・制御ロジック
Claims (23)
- プログラムされるデータによって選択されたメモリセルのチャンネルをフローティングさせる段階と、
前記選択されたメモリセルと前記選択されたメモリセルよりも共通ソースライン側の非選択されたメモリセルとの間にゲート誘導ドレーン漏れが発生するように前記選択された及び前記共通ソースライン側の非選択されたメモリセルのワードラインを駆動する段階とを具備し、
前記選択されたメモリセルのワードラインは、プログラム電圧より低いパス電圧と、前記パス電圧より高くて前記プログラム電圧より低い電圧のうち、何れか一つに駆動され、前記非選択されたメモリセルのワードラインは、接地電圧、負電圧、及び接地電圧より高くて電源電圧より低い電圧のうち、何れか一つに駆動されることを特徴とする不揮発性メモリ装置のプログラム方法。 - 前記非選択されたメモリセルのワードラインは、前記選択されたメモリセルのワードラインと共通ソースラインとの間に位置したことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記非選択されたメモリセルは、消去状態を有し、前記選択されたメモリセルのプログラム動作以後にプログラムされることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記選択されたメモリセルはプログラムが禁止されるメモリセルである際に、前記選択されたメモリセルのチャンネルは、接地電圧に維持されたことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記選択されたメモリセルのチャンネルは、前記選択されたメモリセルに対応するビットラインを電源電圧と接地電圧のうち、何れか一つにプリチャージし、前記ビットラインと前記選択されたメモリセルとの間に位置した複数の選択トランジスタに選択ライン電圧を各々印加することによってフローティングされることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記選択ライン電圧は、前記ビットラインを基準に段階的に増加されることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記選択されたメモリセルのチャンネルは、前記選択されたメモリセルに対応するビットラインを電源電圧と接地電圧のうち、何れか一つにプリチャージし、前記ビットラインと前記選択されたメモリセルとの間に位置した選択トランジスタに選択ライン電圧を印加することによってフローティングされ、前記選択トランジスタとメモリセルとの間の間隔は、前記ゲート誘導ドレーン漏れが発生しないようにメモリセルの間の間隔より大きいことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- プログラムされるデータによってビットラインをビットライン電圧に駆動し、複数のストリング選択ラインを対応する選択ライン電圧に各々駆動し、選択されたワードラインを第1ワードライン電圧に駆動し、前記選択されたワードラインと共通ソースラインとの間に位置したワードラインを第2ワードライン電圧に駆動し、かつ前記選択されたワードラインと前記ビットラインとの間に位置したワードラインを第3ワードライン電圧に駆動することを具備してなり、前記第1ワードライン電圧は、前記第3ワードライン電圧と同一である、或いは高く、
前記第1ワードライン電圧は、プログラム電圧より低いパス電圧と前記パス電圧より高くて前記プログラム電圧より低い電圧のうち、何れか一つであり、前記第2ワードライン電圧は、接地電圧、負電圧、及び接地電圧より高くて電源電圧より低い電圧のうち、何れか一つであり、前記第3ワードライン電圧は、前記パス電圧であることを特徴とする不揮発性メモリ装置のプログラム方法。 - 前記ワードラインは、前記ストリング選択ラインから順次的に選択されることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記選択ライン電圧は、前記ビットラインから順次的に増加されるように設定されることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記ビットライン電圧は、前記選択されたワードラインに連結されたメモリセルがプログラムされるメモリセルである際に電源電圧であり、前記選択されたワードラインに連結されたメモリセルがプログラムされないメモリセルである際に接地電圧であることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記選択されたワードラインに前記第1ワードライン電圧が印加され、前記選択されたワードラインにすぐ隣接したワードラインに第2ワードライン電圧が印加される際に、前記選択されたワードラインに連結されたメモリセルと前記隣接したワードラインに連結されたメモリセルとの間にゲート誘導ドレーン漏れによって電子が生成され、前記生成された電子は、前記選択されたワードラインと前記隣接したワードラインとの間の電界によって加速され、前記加速された電子は、前記選択されたワードラインに連結されたメモリセルに注入されることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- プログラムされるデータによって前記ビットラインがビットライン電圧に駆動され、前記複数のストリング選択ラインが前記対応する選択ライン電圧に各々駆動される際に、前記選択されたワードラインに連結されたメモリセルのチャンネルは、フローティングされることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記複数のストリング選択ラインに各々連結されたストリング選択トランジスタは、前記ワードラインに連結されたメモリセルと同一又は異なる構造を有することを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記メモリセルは、フローティングゲートフラッシュ構造、電荷トラップフラッシュ構造、及びソノス(SONOS)構造のうち、何れか一つを有することを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記メモリセルは、2次元アレイ構造と垂直アレイ構造のうち、何れか一つを有するように配列されることを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記ストリング選択トランジスタは、互いに等しいゲート長さを有することを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記ストリング選択トランジスタは、互いに異なるゲート長さを有することを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- ビットラインにすぐ隣接したストリング選択トランジスタのゲート長さは、残りのストリング選択トランジスタのゲート長さより大きいことを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記第2ワードライン電圧が前記負電圧である場合、前記ワードラインは、対応するスイッチトランジスタを通じて対応するワードライン電圧に駆動され、前記スイッチトランジスタは、対応するウェルに各々形成されることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記各ウェルは、P‐ウェルであることを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記各ウェルは、P‐ウェルであり、前記P‐ウェルは、基板に形成されたN‐ウェル内に形成されることを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記各ウェルは、メモリセルが形成されるポケットP‐ウェルと独立的に形成されることを特徴とする請求項22に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2008-0112237 | 2008-11-12 | ||
KR1020080112237A KR101569894B1 (ko) | 2008-11-12 | 2008-11-12 | 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010118138A JP2010118138A (ja) | 2010-05-27 |
JP5631577B2 true JP5631577B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=42165075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009259206A Active JP5631577B2 (ja) | 2008-11-12 | 2009-11-12 | 不揮発性メモリ装置のプログラム方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8248853B2 (ja) |
JP (1) | JP5631577B2 (ja) |
KR (1) | KR101569894B1 (ja) |
CN (1) | CN101740127B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8355278B2 (en) * | 2007-10-05 | 2013-01-15 | Micron Technology, Inc. | Reducing effects of program disturb in a memory device |
JP2011192349A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | Nand型フラッシュメモリ |
KR101519130B1 (ko) | 2010-10-05 | 2015-05-12 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 형성방법 |
KR101868393B1 (ko) * | 2012-03-14 | 2018-06-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
US9111620B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-08-18 | Micron Technology, Inc. | Memory having memory cell string and coupling components |
KR102011466B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2019-08-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
JP2014127220A (ja) | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
KR102094336B1 (ko) * | 2013-02-13 | 2020-04-14 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 구동 방법 |
KR102070724B1 (ko) * | 2013-03-29 | 2020-01-30 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 구동 방법 |
KR20150015578A (ko) | 2013-07-30 | 2015-02-11 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법 |
US9543021B2 (en) * | 2014-03-12 | 2017-01-10 | SK Hynix Inc. | Semiconductor device and programming method thereof |
KR20160107549A (ko) | 2015-03-04 | 2016-09-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
US9859007B2 (en) * | 2015-06-17 | 2018-01-02 | Macronix International Co., Ltd. | Non-volatile memory device having multiple string select lines |
CN106449644B (zh) * | 2015-08-04 | 2020-07-28 | 旺宏电子股份有限公司 | 非易失性存储器体元件及其制作方法 |
JP6470146B2 (ja) * | 2015-08-27 | 2019-02-13 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR102348094B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2022-01-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
US9460805B1 (en) * | 2015-10-19 | 2016-10-04 | Sandisk Technologies Llc | Word line dependent channel pre-charge for memory |
US9910749B2 (en) * | 2016-06-23 | 2018-03-06 | Sandisk Technologies Llc | Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line |
KR102634418B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2024-02-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
KR102629970B1 (ko) * | 2017-02-21 | 2024-01-30 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
US10490244B2 (en) * | 2017-06-29 | 2019-11-26 | SK Hynix Inc. | Nonvolatile memory device performing program operation and operation method thereof |
US11635913B2 (en) | 2017-12-12 | 2023-04-25 | Winbond Electronics Corp. | NOR flash memory apparatus and recover and read method thereof |
KR102407575B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-06-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
US11217311B2 (en) | 2018-02-28 | 2022-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with improved program performance and method of operating the same |
US11152074B2 (en) | 2018-02-28 | 2021-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device with improved program performance and method of operating the same |
KR102441580B1 (ko) | 2018-02-28 | 2022-09-07 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 성능이 개선된 메모리 장치 및 이의 동작방법 |
US10957410B1 (en) * | 2018-03-02 | 2021-03-23 | Crossbar, Inc. | Methods and apparatus for facilitated program and erase of two-terminal memory devices |
CN110580928B (zh) * | 2019-08-09 | 2021-08-17 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种三维存储器的控制方法、装置及存储介质 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6670240B2 (en) | 2001-08-13 | 2003-12-30 | Halo Lsi, Inc. | Twin NAND device structure, array operations and fabrication method |
JP4878743B2 (ja) | 2003-10-02 | 2012-02-15 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | Nand型不揮発性メモリセルの作動方法 |
US7057931B2 (en) | 2003-11-07 | 2006-06-06 | Sandisk Corporation | Flash memory programming using gate induced junction leakage current |
US7161833B2 (en) * | 2004-02-06 | 2007-01-09 | Sandisk Corporation | Self-boosting system for flash memory cells |
US7072217B2 (en) * | 2004-02-24 | 2006-07-04 | Micron Technology, Inc. | Multi-state memory cell with asymmetric charge trapping |
US7212435B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-05-01 | Micron Technology, Inc. | Minimizing adjacent wordline disturb in a memory device |
JP3962769B2 (ja) * | 2004-11-01 | 2007-08-22 | 株式会社Genusion | 不揮発性半導体記憶装置およびその書込方法 |
JP2006190820A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Sony Corp | 不揮発性メモリデバイスの電荷注入方法 |
KR100697285B1 (ko) | 2005-05-11 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 워드라인과 선택라인 사이에 보호라인을 가지는 낸드플래시 메모리 장치 |
JP4761872B2 (ja) | 2005-08-01 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7391652B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-06-24 | Macronix International Co., Ltd. | Method of programming and erasing a p-channel BE-SONOS NAND flash memory |
US7961511B2 (en) | 2006-09-26 | 2011-06-14 | Sandisk Corporation | Hybrid programming methods and systems for non-volatile memory storage elements |
KR100763093B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2007-10-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 장치의 프로그램 방법 |
JP2008103019A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法 |
JP5221024B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2013-06-26 | 株式会社Genusion | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5086933B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2012-11-28 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置の駆動方法 |
-
2008
- 2008-11-12 KR KR1020080112237A patent/KR101569894B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-11-12 CN CN200910206438.4A patent/CN101740127B/zh active Active
- 2009-11-12 US US12/590,701 patent/US8248853B2/en active Active
- 2009-11-12 JP JP2009259206A patent/JP5631577B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101569894B1 (ko) | 2015-11-17 |
KR20100053215A (ko) | 2010-05-20 |
US20100118606A1 (en) | 2010-05-13 |
CN101740127B (zh) | 2015-01-21 |
CN101740127A (zh) | 2010-06-16 |
US8248853B2 (en) | 2012-08-21 |
JP2010118138A (ja) | 2010-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5631577B2 (ja) | 不揮発性メモリ装置のプログラム方法 | |
KR101469105B1 (ko) | 불 휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것을 포함한 메모리시스템 | |
KR101552211B1 (ko) | 플래시 메모리 장치, 그것의 프로그램 방법 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 | |
KR101642932B1 (ko) | 플래시 메모리 장치의 로컬 셀프 부스팅 방법 및 그것을 이용한 프로그램 방법 | |
KR101358752B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및그것의 프로그램 방법 | |
US9183939B2 (en) | Nonvolatile memory device, a memory system having the same, and a read method thereof, the read method applying a read pass voltage to a selected wordline after a sensing | |
KR101434401B1 (ko) | 집적 회로 메모리 장치 | |
KR101903440B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 접지 선택 트랜지스터의 문턱전압 조절 방법 | |
JP2011170956A (ja) | 不揮発性メモリ装置およびそのプログラム方法と、それを含むメモリシステム | |
KR20100043484A (ko) | 더미 트랜지스터를 갖는 플래시 메모리 장치 | |
KR101523677B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 | |
US20160210083A1 (en) | Methods of operating memory systems for sub-block erase operation | |
KR20160011786A (ko) | 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
CN109119115B (zh) | 存储器件 | |
KR20130137470A (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법 | |
KR20100024256A (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 구동 방법 | |
KR102659651B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치의 고전압 스위치 회로 및 비휘발성 메모리 장치 | |
JP5410665B2 (ja) | Nandメモリーアレイおよびnandフラッシュアレイ | |
KR20090086819A (ko) | 플래시 메모리 장치 | |
KR101666567B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 프로그램 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 | |
KR102320045B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 | |
KR101402230B1 (ko) | 더미 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의프로그램 방법 | |
JP2009212292A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 | |
KR101523678B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 | |
KR20100116937A (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5631577 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |