JP5631451B2 - アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

本発明は、アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し、特に、発光効率が高く、長寿命な発光が得られる有機ＥＬ素子及びそれを実現するアントラセン誘導体に関するものである。

有機ＥＬ素子は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ等による積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C. W. Tang, S. A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ（Applied Physics Letters），５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有
機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇ等は、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送性発光層の二層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
また、発光材料としてはトリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の発光材料が知られており、それからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている。

また、最近では、燐光性化合物を発光材料として用い、三重項状態のエネルギーをＥＬ発光に用いる検討が多くなされている。例えば、プリンストン大学のグループにより、イリジウム錯体を発光材料として用いた有機ＥＬ素子が、高い発光効率を示すことが報告されている。さらに、このような低分子材料を用いた有機ＥＬ素子の他にも、共役系高分子を用いた有機ＥＬ素子が、ケンブリッジ大学のグループにより報告されている。この報告ではポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）を塗工系で成膜することにより、単層で発光を確認している。
このように有機ＥＬ素子における最近の進歩は著しく、その特徴は低印加電圧で高輝度、発光波長の多様性、高速応答性、薄型、軽量の発光デバイス化が可能であることから、広汎な用途への可能性を示唆している。
有機発光素子における著しい進歩に伴い、発光材料に対する要求性能も高まっており、例えば、特許文献１〜６には、アントラセン誘導体が開示されている。また、特許文献７〜１０には、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびカルバゾール誘導体を含有するアントラセン誘導体が開示されている。これらの材料系では、性能向上が認められるが、依然、発光効率が低いなど問題点があり、さらなる高輝度の光出力あるいは高変換効率が必要とされる発光材料に対する要求特性を満たすには至っていない。また、長時間の使用による経時変化や酸素を含む雰囲気気体や湿気などによる劣化等の耐久性や、フルカラーディスプレイ等への応用を考慮した高効率な青色発光への要求に対してまだ十分な有機ＥＬ素子用材料、特に発光材料は見出されていない。

ＵＳ２００５／００８９７１７号公報 ＵＳ７０５６６０１号 ＷＯ０２／０３８５２４号公報 ＷＯ２００５／０５４１６２号公報 ＷＯ２００５／０６１６５６号公報 ＷＯ２００４／０１８５８７号公報 ＷＯ０４／０５３０１８号公報 特開２００５−３１４２３９号公報 特開２００７−０６３５０１号公報 ＷＯ２００５／１１３５３１号公報

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、発光効率が高く、長寿命な発光が得られる有機ＥＬ素子及びそれを実現する新規なアントラセン誘導体を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ベンゾフラン又はベンゾチオフェンがアリーレン基を介してアントラセンに結合した下記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用いることで前記の目的を達成することを見出し本発明を完成したものである。

すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表されるアントラセン誘導体を提供するものである。

［式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₀は水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数５〜６０の芳香族複素環基を表し、Ｒ₁〜Ｒ₁₀のうち少なくとも一つが下記一般式（ａ）又は（a'）で表される芳香族複素環誘導体である。

（式中、Ｌ₁は置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリーレン基を表し、Ｒ₁₅〜Ｒ₂₀は水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｌ₁はアントリレン基を除く。Ｘは、酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。）］

また、本発明は、前記アントラセン誘導体を含む有機ＥＬ素子用材料及び有機ＥＬ素子用発光材料、並びに、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子であって、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記アントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。

本発明のアントラセン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長寿命である。

本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式（１）で表される。

［式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₀は水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数５〜６０の芳香族複素環基を表し、Ｒ₁〜Ｒ₁₀のうち少なくとも一つが下記一般式（ａ）又は（a'）で表される芳香族複素環誘導体である。

（式中、Ｌ₁は置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリーレン基を表し、Ｒ₁₅〜Ｒ₂₀は水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｌ₁はアントリレン基を除く。Ｘは、酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。）］

一般式（１）においてＲ₁〜Ｒ₁₀で表される核炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基として、メチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ビニル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基、エチニル基、プロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜６であり、さらに好ましくは、メチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基である。

また、Ｒ₁〜Ｒ₁₀で表される核炭素数６〜６０のアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオレニル基等が挙げられる。
好ましくは、核炭素数６〜１４であり、さらに好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基である。

また、Ｒ₁〜Ｒ₁₀で表される核炭素数５〜６０の芳香族複素環基としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナンスロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基が挙げられる。
好ましくは、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基である。

一般式（ａ）又は（a'）においてＬ₁で表される核炭素数６〜３０のアリーレン基として、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基等が挙げられる。好ましくは、核炭素数６〜１８であり、より好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、クリセニレン基であり、さらに好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基である。

前記Ｒ₁〜Ｒ₁₀における置換基及びＬ₁における置換基、又はＲ₁₅〜Ｒ₂₀で表される置換基として、アリール基（好ましくは核炭素数６〜３０、より好ましくは核炭素数６〜１５であり、例えばフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基等が挙げられる。）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルキルシリル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基等が挙げられる。）、アリールシリル基（好ましくは核炭素数６〜５０、より好ましくは核炭素数６〜３０であり、例えばトリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。）アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１２、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含むものであり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。）等が挙げられる。
これらの置換基は更に置換されても良い。また置換基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していても良い。
これらの置換基の中でもアリール基、アルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルケニル基、アルキニル基であることが好ましく、より好ましくは、アリール基、アルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基である。

本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式（２）〜（７）で表される構造であると好ましい。中でも一般式（２）〜（６）で表されるアントラセン誘導体が好ましい。さらには、一般式（３）又は（５）で表されるアントラセン誘導体が好ましい。

（２）下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｌは置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換のフェナントリレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基を示す。Ｒa〜Ｒcは水素原子、置換基を示す。Ａｒ₁は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。ｐは１から４の整数、ｑは１から８の整数、ｒは１から７の整数を示す。）
Ａｒ₁のアリール基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀のアリール基のうち炭素数が適合する例が挙げられ、Ｌにおける置換基、Ｒa〜Ｒcで表される置換基、Ａｒ₁の置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基及びＬ₁における置換基、又はＲ₁₅〜Ｒ₂₀で表される置換基と同様の例が挙げられる。

（３）下記一般式（３）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｒa〜Ｒｄは水素原子、置換基を示す。Ａｒ₁は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。ｐは１から４の整数、ｑは１から８の整数、ｒは１から７の整数、sは１から４の整数を示す。）
Ａｒ₁のアリール基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀のアリール基の例のうち炭素数が適合する例が挙げられ、Ｌにおける置換基、Ｒa〜Ｒｄで表される置換基、Ａｒ₁の置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

好ましくは、以下の（３）−１〜（３）−３のアントラセン誘導体である。

（３）−１において、ｔは１から５の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（３）−２において、tは１から７の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（３）−３において、tは１から９の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（４）下記一般式（４）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｒa〜Ｒｄは水素原子、置換基を示す。Ａｒ₁は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。ｐは１から４の整数、ｑは１から８の整数、ｒは１から７の整数、sは１から６の整数を示す。）
Ａｒ₁のアリール基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀のアリール基の例のうち炭素数が適合する例が挙げられ、Ｒa〜Ｒｄで表される置換基、Ａｒ₁の置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

好ましくは、以下の（４）−１〜（４）−３のアントラセン誘導体である。

（４）−１において、tは１から５の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（４）−２において、tは１から７の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（４）−３において、tは１から９の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（５）下記一般式（５）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｒa〜Ｒeは水素原子、置換基を示す。Ａｒ₁は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。ｐは１から４の整数、ｑは１から８の整数、ｒは１から７の整数、sは１から６の整数、ｕは１から4の整数を示す。)
Ａｒ₁のアリール基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀のアリール基の例のうち炭素数が適合する例が挙げられ、Ｒa〜Ｒｄで表される置換基、Ａｒ₁の置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

好ましくは、以下の（５）−１〜（５）−３のアントラセン誘導体である。

（５）−１において、tは１から５の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（５）−２において、tは１から７の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（５）−３において、tは１から９の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（６）下記一般式（６）で表されるアントラセン誘導体。

（式中、Ｒa〜Ｒｄは水素原子、置換基を示す。Ａｒ₁は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜２０のアリール基を示す。Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。ｐは１から４の整数、ｑは１から８の整数、ｒは１から７の整数、sは１から８の整数を示す。）
Ａｒ₁のアリール基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀のアリール基の例のうち炭素数が適合する例が挙げられ、Ｒa〜Ｒｄで表される置換基、Ａｒ₁の置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

好ましくは、以下の（６）−１〜（６）−３のアントラセン誘導体である。

（６）−１において、tは１から５の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（６）−２において、tは１から７の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（６）−３において、tは１から９の整数を示す。ＲｅはＲa〜Ｒｄと同様である。

（７） 下記一般式（７）で表されるアントラセン誘導体。

［式中、Ｌ₁は置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリーレン基を表す。ただし、Ｌ₁はアントリレン基を除く。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は水素原子又は置換基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。Ｒ₃₁〜Ｒ₃₇、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈は、水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数１〜２０のアルキルシリル基、核炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数８〜２０のビニル基、核炭素数６〜２０のアリール基を表す。Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。］
Ｌ₁及びＲ₁₁〜Ｒ₁₈の具体例は、一般式（１）のＬ₁及びＲ₁₅〜Ｒ₂₀と同様であり、Ｒ₃₁〜Ｒ₃₇、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈の具体例としては、一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀及びその置換基で説明したものが挙げられ、Ｌ₁における置換基、Ｒ₃₁〜Ｒ₃₇、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈における置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

本発明のアントラセン誘導体は、また下記一般式（８）〜（１２）で表されるアントラセン誘導体も好ましい。
（８） 一般式（８）で表されるアントラセン誘導体。

一般式（８）において、Ｒ₁〜Ｒ₁₀は水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数５〜６０の芳香族複素環基を表し、Ｒ₁〜Ｒ₁₀のうち少なくとも一つが下記一般式（ａ）又は（a'）で表される芳香族複素環誘導体である。

（式中、Ｌ₁は置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリーレン基を表し(ただしＬ₁はアントリレン基を除く)、Ｒ₁₅〜Ｒ₂₀は水素原子又は置換基を表す。Ｒ₁₅〜Ｒ₂₀は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい(ただし、一般式（ａ）においてＲ₁₉とＲ₂₀が不飽和の環を形成する場合は除く、Ｘは、酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。）
Ｒ₁〜Ｒ₁₀、Ｌ₁及びＲ₁₅〜Ｒ₂₀の具体例、それらの置換基としては、前記一般式（１）のところで記したものが該当する。

（９）下記一般式（９）で表されるアントラセン誘導体。

一般式（９）において、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈は水素原子又は置換もしくは無置換の核炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表す。Ａｒ₁は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基(ただし、アルキル基による1置換フェニル基、1-ナフチル基を除く)を表し、Ａｒ₂は下記一般式（ｂ）で示される。

一般式（ｂ）において、Ｌ₁はフェニレン基であり、Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は水素原子又は置換基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。
Ｌ₁、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈の具体例は、一般式（１）のＬ₁及びＲ₁₅〜Ｒ₂₀と同様であり、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈の具体例は、一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀と同様であり、Ａｒ₁のアリール基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀のアリール基と同様の例が挙げられ、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈における置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

（１０）下記一般式（１０）で表されるアントラセン誘導体。

一般式（１０）において、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈は水素原子又は置換もしくは無置換の核炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａｒ₁は、無置換の核炭素数６〜６０のアリール基又は置換の核炭素数６〜６０のアリール基(ただし、アルキル基による1置換フェニル基又はジベンゾフラニル基による1置換ナフチル基、1-ナフチル基を除く)を表し、Ａｒ₂は下記一般式（ｃ）で示される。

一般式（ｃ）において、Ｌ₁はナフチレン基であり、Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は水素原子又は置換基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。
Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈の具体例は、一般式（１）のＲ₁₅〜Ｒ₂₀と同様であり、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈の具体例は、一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀と同様であり、Ａｒ₁のアリール基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀のアリール基と同様の例が挙げられ、Ａｒ₁、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈における置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

（１１）下記一般式（１１）で表されるアントラセン誘導体。

一般式（１１）において、Ｌ₁及びＬ₂は置換もしくは無置換のフェニレン基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は水素原子又は置換基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。Ｒ₄₁〜Ｒ₄₈は水素原子又は置換基を表す。Ｒ₄₁〜Ｒ₄₈は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈は水素原子又は置換もしくは無置換の核炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ及びＸ’は、酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。ただし、Ｌ₁及びＬ₂が共にナフチレン基であり、かつＸ及びＸ’が共に酸素原子（Ｏ）である場合を除く。
Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈及びＲ₄₁〜Ｒ₄₈の具体例は、一般式（１）のＲ₁₅〜Ｒ₂₀と同様であり、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈の具体例は、一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀と同様であり、Ｌ₁及びＬ₂、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈、Ｒ₄₁〜Ｒ₄₈における置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

（１２）下記一般式（１２）で表されるアントラセン誘導体。

一般式（１２）において、Ｌ₁は置換もしくは無置換の核炭素数６〜３０のアリーレン基を表す(ただしアントリレン基を除く)。Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は水素原子又は置換基を表す。Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい。Ｒ₂₁〜Ｒ₂₅は水素原子又は置換基を表す。Ｒ₂₁〜Ｒ₂₅は隣接する置換基同士で飽和又は不飽和の環を形成してもよい（ただし、Ｒ₂₃はｔ−ブチル基を除く。 Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈は水素原子又は置換もしくは無置換の核炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｌ₁における置換基、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈における置換基及びＲ₁₁〜Ｒ₁₈又はＲ₂₁〜Ｒ₂₅で表される置換基としては、前記一般式（１）のところで記したものが該当する。
Ｌ₁の具体例は、一般式（１）のＬ₁と同様であり、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈及びＲ₂₁〜Ｒ₂₅の具体例は、一般式（１）のＲ₁₅〜Ｒ₂₀と同様であり、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₈の具体例は、一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀と同様であり、Ｌ₁、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₈、Ｒ₂₁〜Ｒ₂₅における置換基としては、前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₁₀における置換基と同様の例が挙げられる。

上記一般式において、隣接する置換基同士で形成しても良い環として、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等が挙げられる。
以下に本発明の化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

本発明のアントラセン誘導体は、有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ素子用材料に単独もしくは混合物の成分として含有させることができ、本発明の有機ＥＬ素子用材料及び有機ＥＬ素子用発光材料は、前記アントラセン誘導体を含有するものである。
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層もしくは複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子に関して、この有機薄膜層の少なくとも一層に、本発明のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。

本発明のアントラセン誘導体は、上記有機薄膜層のいずれの層に含有させてもよいが、特に好ましくは発光帯域に用いた場合であり、さらに好ましくは発光層に用いた場合に優れた有機ＥＬ素子が得られる。また、本発明のアントラセン誘導体を発光材料として含有することが好ましく、ホスト材料として含有することがより好ましく、発光層中に１０〜１００重量％含有していると好ましく、５０〜９９重量％含有していることがより好ましい。また、この発光層が、さらに蛍光性又はりん光性のドーパントを含有すると好ましい。

蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましく、特に、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物が挙げられ、その中でもスチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、芳香族アミン化合物、芳香族ジアミン化合物がさらに好ましい。また、縮合多環芳香族化合物（アミン化合物を除く）がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。

このようなスチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記一般式（Ａ）で表されるものが好ましい。

（式中、Ａｒ³ は、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、ジスチリルアリール基から選ばれる基であり、Ａｒ⁴及びＡｒ⁵は、それぞれ水素原子又は炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ³、Ａｒ⁴及びＡｒ⁵は置換されていてもよい。ｐは１〜４の整数であり、そのなかでもｐは１〜２の整数であるのが好ましい。Ａｒ³〜Ａｒ⁵のいずれか一つはスチリル基を含有する基である。さらに好ましくはＡｒ⁴又はＡｒ⁵の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。）
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。

芳香族アミン化合物及び芳香族ジアミン化合物としては、下記一般式（Ｂ）で表されるものが好ましい。

（式中、Ａｒ⁶〜Ａｒ⁸は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑは１〜４の整数であり、そのなかでもｑは１〜２の整数であるのが好ましい。）
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラニル基、ビスアントラセニル基、又は下記一般式（Ｃ），（Ｄ）で示されるアリール基等が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基、又は一般式（Ｄ）で示されるアリール基が好ましい。

(一般式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。)

なお、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核炭素数５〜４０のアリール基、核炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

縮合多環芳香族化合物（アミン化合物を除く）としては、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、コロネン、ビフェニル、ターフェニル、ピロール、フラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、オキサジアゾール、インドール、カルバゾール、ピリジン、ベンゾキノリン、フルオランテニン、ベンゾフルオランテン、アセナフトフルオランテニン、スチルベン、ペリレン、クリセン、ピセン、トリフェニレニン、ルビセン、ベンゾアントラセン等の縮合多環芳香族化合物およびその誘導体が好ましい。

また、発光層に含有されるりん光性のドーパントは、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ、及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体化合物であることが好ましく、配位子は、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格及びフェナントロリン骨格からなる群から選択される少なくとも一つの骨格を有することが好ましい。このような金属錯体の具体例は、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、要求される発光色、素子性能、ホスト化合物との関係から適切な錯体が選ばれるものである。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有しても良い。しかしながら、発光材料は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することが好ましい。
多層型の有機ＥＬ素子は、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極）の多層構成で積層したものがある。

発光層には、必要に応じて、本発明の一般式のいずれかで表される発光材料に加えてさらなる公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。ドーピング材料としては、従来の蛍光発光性材料に加えて、りん光発光性のイリジウムに代表される重金属錯体のいずれも使用することができる。有機ＥＬ素子は、多層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、他のドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、他のドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や白色の発光を得ることもできる。
また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機薄膜層もしくは金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。

本発明の一般式で表されるアントラセン誘導体と共に発光層に使用できる発光材料又はホスト材料としては、アントラセン誘導体、アリールアントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、テトラセン誘導体、コロネン誘導体、クリセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ペリレン誘導体、フタロペリレン誘導体、ナフタロペリレン誘導体、ペリノン誘導体、フタロペリノン誘導体、ナフタロペリノン誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ビスベンゾキサゾリン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、キノリン金属錯体誘導体、アミノキノリン金属錯体誘導体、ベンゾキノリン金属錯体誘導体、イミン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアントラセン誘導体、ジアミノカルバゾール誘導体、ピラン誘導体、チオピラン誘導体、ポリメチン誘導体、メロシアニン誘導体、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、スチルベン系誘導体及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

正孔注入・輸送材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入・輸送材料の中で、さらに効果的な材料は、芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体の具体例は、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体例は、Ｈ₂ Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌｌｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ₂ ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体であるが、これらに限定されるものではない。

電子注入・輸送材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより電荷注入性を向上させることもできる。

本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。
金属錯体化合物の具体例は、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、含窒素五員誘導体は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス「２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等が挙げられる。
さらに、電子注入材料として、下記一般式（Ａ）〜（Ｆ）で表されるものも用いることができる。

（一般式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ａ¹〜Ａ³は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ａｒ¹は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０の複素環基であり、
Ａｒ²は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、あるいはこれらの２価の基である。
但し、Ａｒ¹及びＡｒ²のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のモノヘテロ縮合環基である。
Ｌ¹、Ｌ²及びＬは、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接する複数のＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
Ｒ¹は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、又は−Ｌ¹−Ａｒ¹−Ａｒ²である。）で表される含窒素複素環誘導体。
ＨＡｒ−Ｌ−Ａｒ¹−Ａｒ² （Ｃ）
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、
Ｌは、単結合、置換基を有していてもよい核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい核原子数５〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、
Ａｒ¹は、置換基を有していてもよい核炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、
Ａｒ²は、置換基を有していてもよい核炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい核原子数５〜６０の複素環基である。）で表される含窒素複素環誘導体。

（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、
Ｒ₁〜Ｒ₄は、それぞれ独立に水素、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮合した構造である。）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。

（式中、Ｒ₁〜Ｒ₈及びＺ₂は、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、
Ｘ、Ｙ及びＺ₁は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、
Ｚ₁とＺ₂の置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎが２以上の場合、Ｚ₁は異なってもよい。
但し、ｎが１、Ｘ、Ｙ及びＲ₂がメチル基であって、Ｒ₈が、水素原子又は置換ボリル基の場合、及びｎが３でＺ₁がメチル基の場合を含まない。）で表されるボラン誘導体。

［式中、Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｇ）で示される配位子を表し、
Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ¹（Ｒ¹は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）又は−Ｏ−Ｇａ−Ｑ³（Ｑ⁴）（Ｑ³及びＱ⁴は、Ｑ¹及びＱ²と同じ）で示される配位子を表す。］

［式中、環Ａ¹及びＡ²は、置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。］ この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなっている。
一般式（Ｇ）の配位子を形成する環Ａ¹及びＡ²の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビスアセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、トリアチニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成してもよい。

本発明の有機ＥＬ素子においては、有機薄膜層中に、本発明の一般式で表されるアントラセン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも１種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。

有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。
陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。
これらの陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。

また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。

本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍから１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がさらに好ましい。湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。

次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［合成例X-１］ 化合物X-１の合成

（１−１）2-(3-ブロモフェニル)ベンゾ[b]フランの合成
アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン28.3g（100mmol）、ベンゾフラン-2-ボロン酸17.0g（105mmol）、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) 2.31g（2.00mmol）にトルエン300mL、２M炭酸ナトリウム水溶液150mLを加え、１０時間加熱還流した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、2-(3-ブロモフェニル)ベンゾ[b]フランの白色結晶22.1gを得た(収率81％)。
（１−２）化合物X-１の合成
アルゴン雰囲気下、2-(3-ブロモフェニル)ベンゾ[b]フラン2.73g（10.0mmol）、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸3.83g（11.0mmol）、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) 0.231g（0.200mmol）にＤＭＥ（ジメトキシエタン）30mL、２M炭酸ナトリウム水溶液15mLを加え、１０時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却した。析出した固体を濾取し、メタノール、水、メタノールで順次洗浄し、減圧下、乾燥させた。得られた個体をトルエンで再結晶させ、淡黄色結晶4.20gを得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量496.18に対し、m/e=496であった。

［合成例X-２］化合物X-２の合成

前記合成例X-１において、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量572.21に対し、m/e=572であった。

［合成例X-３］化合物X-３の合成

（３−１）2,3-ジフェニルベンゾ[b]フランの合成
ベンジルフェニルケトン39.2g、1,2-ジブロモベンゼン46.7g、酢酸パラジウム2.24g、トリフェニルホスフィン10.5g、炭酸セシウム77.2g、o-キシレン４００ｍLをフラスコに仕込み、アルゴン雰囲気下8時間加熱還流攪拌した。反応終了後、反応溶液をエーテルで抽出しながらろ過した。ろ液を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶43.2g（収率80%）を得た。
（３−２）6-ブロモ-2,3-ジフェニルベンゾ[b]フランの合成
2,3-ジフェニルベンゾ[b]フラン43.2g、N-ブロモスクシンイミド31.3g、N,N-ジメチルホルムアミド400mLをフラスコに仕込み、70℃で8時間加熱攪拌した。室温まで冷却後、反応溶液を水２L中に注いだ。析出した結晶をろ別し、メタノール、水、メタノールで順次洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、淡黄色結晶40.2g（収率７２％）を得た。
（３−３）2,3-ジフェニルベンゾ[b]フラン-6-ボロン酸の合成
アルゴン雰囲気下、6-ブロモ-2,3-ジフェニルベンゾ[b]フラン40.2gに無水THF400mLを加え、-40℃で撹拌中に、1.6M n-ブチルリチウムのヘキサン溶液72mLを加えた。反応溶液を0℃まで加温しながら1時間攪拌した。反応溶液を再び-78℃まで冷却し、ホウ酸トリメチル54.0g（250mmol）の乾燥THF50mL溶液を滴下した。反応溶液を室温で5時間攪拌した。１N塩酸200mLを加え、1時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、2,3-ジフェニルベンゾ[b]フラン-6-ボロン酸21.7g（収率60%）を得た。
（３−４）6-(3-ブロモフェニル)-2,3-ジフェニルベンゾ[b]フランの合成
アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン19.6g、ジベンゾフラン-4-ボロン酸21.7g、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) 1.59g（2.00mmol）にトルエン220mL、２M炭酸ナトリウム水溶液110mLを加え、１０時間加熱還流した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、6-(3-ブロモフェニル)-2,3-ジフェニルベンゾ[b]フランの白色結晶23.5gを得た(収率80%)。
（３−５）化合物X-３の合成
前記合成例X-１において、2-(3-ブロモフェニル)ベンゾ[b]フランの代わりに6-(3-ブロモフェニル)-2,3-ジフェニルベンゾ[b]フランを用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量648.25に対し、m/e=648であった。

［合成例X-４］化合物X-４の合成

前記合成例X-１において、2-(3-ブロモフェニル)ベンゾ[b]フランの代わりに6-(3-ブロモフェニル)-2,3-ジフェニルベンゾ[b]フランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量724.28に対し、m/e=724であった。

［実施例１］
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍの下記化合物Ａ−１を成膜した。続けてこのＡ−１膜上に膜厚２０ｎｍの下記化合物Ａ−２を成膜した。
さらに、このＡ−２膜上に膜厚４０ｎｍで本発明の上記化合物Ｘ−１と下記スチリルアミン誘導体Ｄ−１を４０：２の膜厚比で成膜し青色系発光層とした。化合物Ｘ−１はホスト、Ｄ−１はドーパントとして機能する。
この膜上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍで下記構造のＡｌｑを蒸着により成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを１５０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
得られた有機ＥＬ素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ²駆動時の素子性能及び初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²における半減寿命を測定した結果を第１表に示す。

［実施例２〜４, 比較例１〜８］
実施例1における化合物Ｘ−１のかわりに、表中に記した化合物を用いた以外は、実施例1と同様に行った。結果を第１表に示す。

［合成スキーム］
合成スキーム（Ａ−１）〜（Ａ−４）及び製造例１〜６により、合成実施例で用いる中間体を製造した。
［合成スキーム（Ａ−１）］アントラセンボロン酸誘導体の合成
アントラセンボロン酸誘導体は、下記のスキームの通り、既知の方法にて合成した。

なお、Ａｒは一般式（１）におけるＲ₉又はＲ₁₀、Ｐｈはフェニル基、ＮＢＳはＮ−ブロモスクシンイミド、ＤＭＦはジメチルホルムアミド、Ｍｅはメチル基である。以下同様。

［合成スキーム（Ａ−２）］4-(ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成

［製造例１］ 4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成
アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン28.3g（100mmol）、ジベンゾフラン-4-ボロン酸22.3g（105mmol）、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) 2.31g（2.00mmol）にトルエン300mL、２M炭酸ナトリウム水溶液150mLを加え、１０時間加熱還流した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの白色結晶26.2gを得た(収率81％)。
［製造例２］ 4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成
アルゴン雰囲気下、3-ヨードブロモベンゼン28.3g（100mmol）、ジベンゾフラン-4-ボロン酸22.3g（105mmol）、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) 2.31g（2.00mmol）にトルエン300mL、２M炭酸ナトリウム水溶液150mLを加え、１０時間加熱還流した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランの白色結晶24.2gを得た(収率75％)。

［合成スキーム（Ａ−３）］ 2-(ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成

［製造例３］ ジベンゾフラン-2-ボロン酸の合成
（ｉ）2-ブロモジベンゾフランの合成
ジベンゾフラン150g（892mmol）と酢酸１Lをフラスコに仕込み、窒素置換し、加熱溶解させた。臭素188g（1.18mol）を時々水冷しながら滴下した後、空冷下20時間撹拌した。析出した結晶を濾別し、酢酸、水で順次洗浄し、減圧下乾燥させた。得られた結晶を、減圧蒸留にて精製しした後、メタノールで数回再結晶を繰り返し、2-ブロモジベンゾフラン66.8g（収率31％）を得た。
（ii）ジベンゾフラン-2-ボロン酸の合成
アルゴン雰囲気下、2-ブロモジベンゾフラン24.7g(100mmol)に無水THF（テトラヒドロフラン）400mLを加え、-40℃で撹拌中に、1.6M n-ブチルリチウムのヘキサン溶液63mL(100mmol)を加えた。反応溶液を0℃まで加温しながら1時間攪拌した。反応溶液を再び-78℃まで冷却し、ホウ酸トリメチル26.0g（250mmol）の乾燥THF50mL溶液を滴下した。反応溶液を室温で5時間攪拌した。１N塩酸200mLを加え、1時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、ジベンゾフラン-2-ボロン酸15.2g（収率72％）を得た。
［製造例４］ 2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成
製造例１において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりにジベンゾフラン-2-ボロン酸を用い、2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランを合成した。
［製造例５］ 2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成
製造例２において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりにジベンゾフラン-2-ボロン酸を用い、2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを合成した。

［合成スキーム（Ａ−４）］ 4-(ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンの合成

［製造例６］ 4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンの合成
製造例１において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりにジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を用い、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを合成した。
［製造例７］ 4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンの合成
製造例２において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりにジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を用い、4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを合成した。

［合成実施例１］ 化合物１の合成

アルゴン雰囲気下、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフラン3.22g（10.0mmol）、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸3.83g（11.0mmol）、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) 0.231g（0.200mmol）にＤＭＥ（ジメトキシエタン）30mL、２M炭酸ナトリウム水溶液15mLを加え、１０時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却した。析出した固体を濾取し、メタノール、水、メタノールで順次洗浄し、減圧下、乾燥させた。得られた個体をトルエンで再結晶させ、淡黄色結晶4.20gを得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量546.20に対し、m/e=546であった。

［合成実施例２］ 化合物２の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量546.20に対し、m/e=546であった。

［合成実施例３］ 化合物３の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランを用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量546.20に対し、m/e=546であった。

［合成実施例４］ 化合物４の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量546.20に対し、m/e=546であった。

［合成実施例５］ 化合物５の合成

合成実施例１において、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例６］ 化合物６の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例７］ 化合物７の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例８］ 化合物８の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例９］ 化合物９の合成

合成実施例１において、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１０］ 化合物１０の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１１］ 化合物１１の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１２］ 化合物１２の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１３］ 化合物１３の合成

合成実施例１において、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１４］ 化合物１４の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１５］ 化合物１５の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１６］ 化合物１６の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１７］ 化合物１７の合成

合成実施例１において、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１８］ 化合物１８の合成
合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。

このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例１９］ 化合物１９の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例２０］ 化合物２０の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量622.23に対し、m/e=622であった。

［合成実施例２１］ 化合物２１の合成

合成実施例１において、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-(2-ビフェニル)アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量572.21に対し、m/e=572であった。

［合成実施例２２］ 化合物２２の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-(2-ビフェニル)アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量572.21に対し、m/e=572であった。

［合成実施例２３］ 化合物２３の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-(2-ビフェニル)アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量572.21に対し、m/e=572であった。

［合成実施例２４］ 化合物２４の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-(2-ビフェニル)アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量572.21に対し、m/e=572であった。

［合成実施例２５］ 化合物２５の合成

合成実施例１において、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(ジベンゾフラン-2-イル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量662.22に対し、m/e=662であった。

［合成実施例２６］ 化合物２６の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(ジベンゾフラン-2-イル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量662.22に対し、m/e=662であった。

［合成実施例２７］ 化合物２７の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(ジベンゾフラン-2-イル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量662.22に対し、m/e=662であった。

［合成実施例２８］ 化合物２８の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(ジベンゾフラン-4-イル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量662.22に対し、m/e=662であった。

［合成実施例２９］ 化合物２９の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(ジベンゾフラン-4-イル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量662.22に対し、m/e=662であった。

［合成実施例３０］ 化合物３０の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(ジベンゾフラン-4-イル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量662.22に対し、m/e=662であった。

［合成実施例３１］ 化合物３１の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量638.21に対し、m/e=638であった。

［合成実施例３２］ 化合物３２の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量638.21に対し、m/e=638であった。

［合成実施例３３］ 化合物３３の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量638.21に対し、m/e=638であった。

［合成実施例３４］ 化合物３４の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量638.21に対し、m/e=638であった。

［合成実施例３５］ 化合物３５の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量638.21に対し、m/e=638であった。

［合成実施例３６］ 化合物３６の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[4-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量638.21に対し、m/e=638であった。

［合成実施例３７］ 化合物３７の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量562.18に対し、m/e=562であった。

［合成実施例３８］ 化合物３８の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに4-(3-ブロモフェニル)ジベンゾチオフェンを用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量562.18に対し、m/e=562であった。

［合成実施例３９］ 化合物３９の合成

（３９−１）2-(4'-ブロモビフェニル-4-イル)ジベンゾフランの合成
2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成において、4-ブロモヨードベンゼンの代わりに4-ブロモ-4'-ヨードビフェニルを用いて同様の方法で合成した。
（３９−２）化合物３９の合成
合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(4'-ブロモビフェニル-4-イル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量698.26に対し、m/e=698であった。

［合成実施例４０］ 化合物４０の合成

（４０−１）2-(7-ブロモ-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル)ジベンゾフランの合成
2-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成において、4-ブロモヨードベンゼンの代わりに2-ブロモ-7-ヨード-9,9-ジメチルフルオレンを用いて同様の方法で合成した。
（４０−２）化合物４０の合成
合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(7-ブロモ-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(1-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量738.29に対し、m/e=738であった。

［合成実施例４１］ 化合物４１の合成

合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(3-ブロモフェニル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量672.25に対し、m/e=672であった。

［合成実施例４２］ 化合物４２の合成

（４２−１）2-(6-ブロモナフタレン-2-イル)ジベンゾフランの合成
4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの合成において、４−ブロモヨードベンゼンの代わりに2,6-ジブロモナフタレンを用いて同様の方法で合成した。
（４２−２）化合物４２の合成
合成実施例１において、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの代わりに2-(6-ブロモナフタレン-2-イル)ジベンゾフランを、10-(2-ナフチル)アントラセン-9-ボロン酸の代わりに10-[3-(2-ナフチル)フェニル]アントラセン-9-ボロン酸を用いて同様の方法で合成した。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量672.25に対し、m/e=672であった。

［実施例５］
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍの下記化合物Ａ−１を成膜した。続けてこのＡ−１膜上に膜厚２０ｎｍの下記化合物Ａ−２を成膜した。
さらに、このＡ−２膜上に膜厚４０ｎｍで本発明の上記化合物1と下記スチリルアミン誘導体Ｄ−１を４０：２の膜厚比で成膜し青色系発光層とした。化合物５はホスト、Ｄ−１はドーパントとして機能する。
この膜上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍで下記構造のＡｌｑを蒸着により成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを１５０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
得られた有機ＥＬ素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ²駆動時の素子性能及び初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²における半減寿命を測定した結果を第２表に示す。

［実施例６〜４２］
実施例５において、化合物1の代わりに上記化合物２〜３８を用いた以外は同様に有機ＥＬ素子を作製し、実施例５と同様に評価した結果を第２表に示す。

［比較例９〜１６］
実施例５において、化合物1の代わりに下記化合物Ａ〜Ｈを用いた以外は同様に有機ＥＬ素子を作製し、実施例５と同様に評価した結果を第２表に示す。

［実施例４３〜８０、比較例１７〜２４］
実施例５〜４２、比較例９〜１６において、電子輸送材料として下記ベンズイミダゾール誘導体E-1を、ドーパントとして下記クリセン誘導体D-2を用いて同様に有機EL素子を作製した。結果を第３表に示す。

［実施例８１］〜［実施例８４］
実施例４３において、化合物１の代わりに上記化合物３９〜化合物４２を用いた以外は同様に有機ＥＬ素子を作製した。結果を第４表に示す。

上記結果より、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン誘導体を用いた化合物（実施例１〜８４）と、ベンゾフラン、ベンゾチオフェンを含まない化合物Ｄ〜Ｈ（比較例１〜２４）とを比較すると、本発明の化合物を用いた場合、発光効率が高くなっていることがわかる。また、これらの本発明の化合物を比較化合物Ａ（比較例１）と比較すると、アントラセンとジベンゾフランの間にアリーレン基が挿入されていることにより、特異的に高効率化していることが明らかである。さらに、アリーレン基をアントラセンとジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンの間に挿入することにより、長寿命化している。アリーレンを挿入した本発明の系統では、化合物の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低不占軌道（ＬＵＭＯ）がアントラセンとアントラセンに直結したアリーレン基上に留まっているのに対して、ジベンゾフランがアントラセンに直結した系では、化合物のＨＯＭＯとＬＵＭＯがジベンゾフラニル基にまで達している。このことにより電流駆動時に、ジベンゾフラニル基が酸化還元に寄与し、当該置換基が分解することにより寿命が短くなっていると考えられる。
また、化合物Ｂ（比較例２）と本発明の化合物とを比較すると、本発明の化合物の方が長寿命であることが明らかである。これらの材料系において、電流駆動時、化合物が励起状態となり、アントラセンとその置換基が平面構造を取ろうとするように変化することが知られている。この観点で、１−ナフチル基では、アントラセンとナフチル基の水素原子の距離が近くなり、励起状態が不安定なのに対して、フェニル基、２−ナフチル基では、励起状態で安定である。このことにより、１−ナフチル基では、寿命が短くなり、その効果は、本系統の化合物において顕著に現れている。
さらに、本発明の化合物群の中でも、ジベンゾフラン系が特に長寿命である。これは、ジベンゾチオフェンよりもジベンゾフランの方が、酸化還元に安定であるためと考えられる。
実施例４３〜実施例８０より、低電圧な電子輸送材料を用いた場合、本系統の材料の中でもジフェニルアントラセン骨格を持つ系統が特異的に高効率かつ長寿命である。
また、本発明の材料は、ＷＯ２００５／１１３５３１号公報で開示されている化合物と比較して、特異的に長寿命化が実現できる材料であることが明らかである。
以上より、本発明のアントラセン誘導体は、従来用いられてきた材料系よりも高効率でかつ長寿命を実現できるため、有機ＥＬ素子用材料として有用である。

以上詳細に説明したように、本発明のアントラセン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長寿命である。このため、実用性の高い有機ＥＬ素子として極めて有用である。

Claims (23)

1. 下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体。
   

   

   （式中、Ｌは無置換のフェニレン基を示す。Ｒａ及びＲｂは水素原子、Ｒｃは水素原子、核炭素数６〜３０のアリール基、又は９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基を示す。Ａｒ₁は、置換もしくは無置換のナフチル基、又は置換もしくは無置換のフェナントリル基を示し、該Ａｒ₁が置換される場合の置換基は核炭素数６〜３０のアリール基、又は９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基である。Ｘは酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）を示す。ｐは４の整数、ｑは８の整数、ｒは１から７の整数を示す。）
2. Ａｒ₁が、置換もしくは無置換のナフチル基である請求項１に記載のアントラセン誘導体。
3. Ａｒ₁のナフチル基が、１−ナフチル基又は２−ナフチル基である請求項２に記載のアントラセン誘導体。
4. Ａｒ₁が、置換もしくは無置換のフェナントリル基である請求項１に記載のアントラセン誘導体。
5. Ａｒ₁のフェナントリル基が、９−フェナントリル基である請求項４に記載のアントラセン誘導体。
6. Ｌが、無置換のｍ−フェニレン基又は無置換のｐ−フェニレン基である請求項１〜５のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
7. Ｌが一般式（２）における下記式の２位又は４位に結合する請求項１〜６のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
   

   
8. 前記Ｒｃにおける核炭素数６〜３０のアリール基が、フェニル基、ナフチル基、又はフェナントリル基である請求項１〜７のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
9. 前記Ｒｃにおける核炭素数６〜３０のアリール基が、フェニル基である請求項１〜８のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
10. 前記Ａｒ₁が置換される場合の置換基である核炭素数６〜３０のアリール基が、フェニル基、ナフチル基、又はフェナントリル基である請求項１〜９のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
11. 前記Ａｒ₁が置換される場合の置換基である核炭素数６〜３０のアリール基が、フェニル基である請求項１〜１０のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
12. 前記Ｘが酸素原子であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
13. 請求項１〜１２のいずれかに記載のアントラセン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
14. 請求項１〜１２のいずれかに記載のアントラセン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料。
15. 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１〜１２のいずれかに記載のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
16. 前記発光層が、前記アントラセン誘導体を発光材料として含有する請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
17. 前記発光層が、前記アントラセン誘導体をホスト材料として含有する請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
18. 前記発光層が、さらに蛍光性又はりん光性のドーパントを含有する請求項１５〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
19. 前記蛍光性のドーパントが、アリールアミン化合物及び／又はアリールジアミン化合物である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
20. 前記蛍光性のドーパントが、スチリルアミン化合物及び／又はスチリルジアミン化合物である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
21. 前記蛍光性のドーパントが、芳香族アミン化合物及び／又は芳香族ジアミン化合物である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
22. 前記蛍光性のドーパントが、縮合多環芳香族化合物（アミン化合物を除く）である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
23. 前記りん光性のドーパントが、金属錯体化合物である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。