JP5630453B2 - 劣化検出回路及び半導体集積装置 - Google Patents
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Description
劣化量微分器は、劣化センサにより測定された劣化量の時間微分値を算出する。
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる半導体装置100を示す。半導体装置100は、半導体集積回路(LSI)100と、LSI110の劣化を検出して半導体装置100の外部に通知する劣化検出回路120を有する。
図3は、本発明の第2の実施の形態にかかる半導体装置200を示す。半導体装置200は、LSI110と、劣化検出回路220を備える。
積分器174は、温度センサ160が測定した温度Tの時間積分値IT(以下温度積分値という)を算出する。
図5は、本発明の第3の実施の形態にかかる半導体装置300を示す。半導体装置300は、LSI110と、劣化検出回路320を備える。
120 劣化検出回路 130 劣化センサ
140 閾値記憶回路 142 劣化エラー通知回路
150 閾値記憶回路 152 第1の通知回路
154 微分器 160 温度センサ
170 閾値記憶回路 172 第2の通知回路
174 積分器 180 電圧センサ
190 閾値記憶回路 192 第3の通知回路
194 積分器 200 半導体装置
220 劣化検出回路 300 半導体装置
320 劣化検出回路
A0 劣化アラーム A1 第1のアラーム
A2 第2のアラーム A3 第3のアラーム
dS 劣化量微分値 IT 温度積分値
IV 電圧積分値 N0 劣化量閾値
N1 第1の閾値 N2 第2の閾値
N3 第3の閾値 S 劣化量
T 温度 V 電圧
Claims (2)
- 半導体集積回路の劣化量を測定する劣化センサと、
前記劣化センサにより測定された前記劣化量と劣化量閾値とを比較し、比較の結果に応じて劣化アラームを出力する劣化アラーム通知回路と、
前記劣化センサにより測定された前記劣化量の時間微分値を算出する微分器と、
前記微分器が得た前記劣化量の時間微分値と第1の閾値とを比較し、比較の結果に応じて第1のアラームを出力する第1の通知回路と、
温度センサと、
該温度センサが測定した温度の時間積分値を算出する温度積分器と、
該温度積分器が得た前記温度の時間積分値と第2の閾値とを比較し、比較の結果に応じて第2のアラームを出力する第2の通知回路と、
前記半導体集積回路における所定の測定点の電圧を測定する電圧センサと、
該電圧センサが測定した電圧の時間積分値を算出する電圧積分器と、
該電圧積分器が得た前記電圧の時間積分値と第3の閾値とを比較し、比較の結果に応じて第3のアラームを出力する第3の通知回路とを備えることを特徴とする劣化検出回路。 - 前記半導体集積回路と、
請求項1に記載の劣化検出回路とを備えることを特徴とする半導体装置。
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