JP2006319153A - 半導体集積回路及びその制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】効果的にリーク電流を抑制した半導体集積回路及びその制御方法を提供する。
【解決手段】各々独立して信号処理を実行する複数の演算手段と、これらの演算手段の中からいずれか１つの演算手段を選択して信号処理を実行させる実行制御手段を備えた半導体集積回路及びその制御方法において、各演算手段が設けられたそれぞれの領域の発熱状態を観測する観測手段と、この観測手段での観測結果を記憶する記憶手段を設け、実行制御手段は、記憶手段に記憶された観測結果に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択する。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体集積回路及びその制御方法に関するものであり、特に信号処理を実行するプロセッサで構成される演算手段を複数備えた半導体集積回路及びその制御方法に関するものである。

昨今、ＬＳＩ（Large Scale Integration）などの複数のプロセッサを備えた半導体集積回路では、半導体回路の製造技術の発展にともなってより微細化された半導体回路の形成が可能となっており、高度に集積化された半導体集積回路が製造されている。

このような半導体集積回路では、高集積化が要求されるだけでなく、低消費電力化も要求されており、従来では低消費電力化への寄与が大きいアクティブ電流の低減化の様々な技術が提案され、実際に採用されている。ここで、アクティブ電流とは、半導体回路中のトランジスタのスイッチング動作にともなって発生する寄生容量の充放電や貫通電流として消費される電流である。

しかし、半導体集積回路の集積化が進むにつれて、アクティブ電流の低減化による低消費電力化への寄与が極めて小さくなってきており、その分、半導体回路中のトランジスタがオフとなっている際に発生するリーク電流の影響が極めて増大しており、昨今ではリーク電流の抑制の要求が高まっている。

このリーク電流を抑制する方法として、トランジスタのしきい値電圧を調整する方法が提案されている。すなわち、トランジスタをオフとしている場合には、トランジスタを形成している半導体基板に所定電圧を印加してしきい値電圧を上昇させることによりリーク電流を抑制するものである（例えば、特許文献１参照。）。
特開平９−８３３３５号公報

しかしながら、上記に記載したしきい値電圧の制御だけでは十分なリーク電流の抑制が困難であるとともに、現実問題としてしきい値電圧の制御回路を設けることが困難であるという問題があった。

本発明者はこのような現状に鑑み、より効果的にリーク電流を抑制する技術を開発すべく研究を行っていたところ、リーク電流に温度依存性があることを知見した。すなわち、所要の半導体回路を形成した半導体基板の温度が上昇すると、温度上昇に応じてリーク電流が増大し、半導体基板の温度が高い状態で半導体回路を作動させると、半導体基板の温度が低い状態で半導体回路を作動させた場合よりも大きなリーク電流が発生するというものである。本発明者は、この知見に基づいて本発明を成すに至ったものである。

本発明の半導体集積回路では、各々独立して信号処理を実行する複数の演算手段と、これらの演算手段の中からいずれか１つの演算手段を選択して信号処理を実行させる実行制御手段を備えた半導体集積回路において、各演算手段が設けられたそれぞれの領域の発熱状態を観測する観測手段と、この観測手段での観測結果を記憶する記憶手段を設け、実行制御手段は、記憶手段に記憶された観測結果に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択するように構成しているものである。

さらに、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、
（１）記憶手段では、演算手段ごとに、その演算手段に近接した演算手段の観測手段による観測結果の平均値を記憶して、実行制御手段では、演算手段ごとの観測結果と平均値に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択するように構成したこと。
（２）記憶手段では、各演算手段がそれぞれ動作した動作時間と、その動作時間における各演算手段の観測結果との積である発熱量の累計を記憶して、実行制御手段では、演算手段ごとの観測結果と発熱量の累計に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択するように構成したこと。

また、本発明の半導体集積回路の制御方法では、各々独立して信号処理を実行する複数の演算手段と、これらの各演算手段が設けられたそれぞれの領域の発熱状態を観測する観測手段と、この観測手段での観測結果を記憶する記憶手段と、複数の演算手段の中からいずれか１つの演算手段を選択して信号処理を実行させる実行制御手段を備えた半導体集積回路の制御方法であって、実行制御手段が、記憶手段に記憶された観測結果に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択するステップと、選択された演算手段に信号処理を実行させるステップを有するものである。

請求項１記載の発明によれば、各々独立して信号処理を実行する複数の演算手段と、これらの演算手段の中からいずれか１つの演算手段を選択して信号処理を実行させる実行制御手段を備えた半導体集積回路において、各演算手段が設けられたそれぞれの領域の発熱状態を観測する観測手段と、この観測手段での観測結果を記憶する記憶手段を設け、実行制御手段は、記憶手段に記憶された観測結果に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択することによって、リーク電流の発生の少ない演算手段で信号処理を実行できるので、全体としてのリーク電流の発生を抑制できる。

請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の半導体集積回路において、記憶手段では、演算手段ごとに、その演算手段に近接した演算手段の観測手段による観測結果の平均値を記憶して、実行制御手段では、演算手段ごとの観測結果と平均値に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択することによって、動作にともなって生じる温度上昇の少ない演算手段を選択して処理の実行を行うことができるので、その演算手段でのリーク電流の発生を抑制して、全体としてのリーク電流の発生を抑制できる。

請求項３記載の発明によれば、請求項１記載の半導体集積回路において、記憶手段では、の各演算手段がそれぞれ動作した動作時間と、その動作時間における各演算手段の観測結果との積である発熱量の累計を記憶して、実行制御手段では、演算手段ごとの観測結果と発熱量の累計に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択することによって、リーク電流の発生の少ない演算手段で信号処理を実行することにより全体としてのリーク電流の発生を抑制できるだけでなく、特定の演算手段への負荷の集中を抑制することができ、負荷の集中にともなって発生する演算手段の著しい劣化を抑制できる。

請求項４記載の発明によれば、各々独立して信号処理を実行する複数の演算手段と、これらの各演算手段が設けられたそれぞれの領域の発熱状態を観測する観測手段と、この観測手段での観測結果を記憶する記憶手段と、複数の演算手段の中からいずれか１つの演算手段を選択して信号処理を実行させる実行制御手段を備えた半導体集積回路の制御方法であって、実行制御手段が、記憶手段に記憶された観測結果に基づいて信号処理を実行させる演算手段を選択するステップと、選択された演算手段に信号処理を実行させるステップを有することによって、動作にともなって生じる温度上昇の少ない演算手段を選択して処理の実行を行うことができるので、その演算手段でのリーク電流の発生を抑制して、全体としてのリーク電流の発生を抑制できる。

本発明の半導体集積回路及びその制御方法では、各々独立して信号処理を実行する複数の演算手段と、これらの演算手段の中からいずれか１つの演算手段を選択して信号処理を実行させる実行制御手段を備えている半導体集積回路の実行制御手段が、半導体集積回路中の演算手段の中から発熱状態の低い演算手段を選択して、その演算手段に信号処理を実行させるようにしているものである。

このように複数設けた演算手段からいずれか１つを選択して信号処理を実行させる場合に、発熱状態の低い領域に設けられている演算手段に実行させることによってリーク電流の発生を抑制できる。

すなわち、リーク電流は、図１に模式的に示すように、演算手段が設けられている領域の発熱状態が低い場合には小さく、演算手段が設けられている領域の発熱状態が高まるにつれて増大することがわかっており、低い発熱状態の領域に設けられた演算手段を用いることによって全体的なリーク電流の発生を抑制することができる。

より具体的には、図２の模式的なグラフに示すように、縦軸を演算手段が設けられた半導体基板の発熱状態を示す温度、横軸をその演算手段での信号処理の実行時間とすると、図２（ａ）のように、図２（ｂ）よりも処理開始時点での半導体基板の温度が高い演算手段では、同じ時間の信号処理を実行した場合に、実行終了までにより多くのリーク電流が発生していることが容易に分かる。

演算手段が設けられた領域の発熱状態は、演算手段に隣接させて設けた観測手段で観測しており、観測結果は各演算手段の配置情報とともに適宜の記憶手段に記憶している。

観測手段は、具体的には温度センサなどの温度または温度依存性を有する電流値若しくは電圧値を計測するものであればよく、観測手段が配設された領域の半導体基板の発熱状態を温度情報として取得可能となっていればよい。

観測手段の観測結果は、具体的な温度情報である必要はなく、温度をあらかじめ複数のレベルに区分した温度レベルのいずれの温度レベルに属するかという情報であってもよい。

以下において、図面に基づいて本発明の実施形態を詳説する。図３は、本実施形態の半導体集積回路を設けた半導体装置Ａの説明用ブロック図である。

本実施形態の半導体集積回路には、演算手段としての第１〜９プロセッサ11〜19と、各第１〜９プロセッサ11〜19に接続したシステムバス20と、このシステムバス20を介して接続されたメインメモリ30と、各第１〜９プロセッサ11〜19の信号処理を実行制御であるタスクの管理を行う実行制御手段としてのタスクコントローラ90を設けている。

第１〜９プロセッサ11〜19はＭＰＵ（Micro Processing Unit）で構成しており、それぞれ並列的に接続して所要の信号処理を実行可能としている。本実施形態では、説明の便宜上、９つのプロセッサを設けているが、９つに限定するものではなく、複数備えていればよい。

第１〜９プロセッサ11〜19はそれぞれシステムバス20に接続しており、同じくシステムバス20に接続したメインメモリ30に記憶されている所要のデータ、あるいは図示しない他のメモリやレジスタなどからシステムバス20を介して入力されたデータを処理可能とし、処理結果をメインメモリ30あるいは図示しない他のメモリやレジスタなどにシステムバス20を介して出力するようにしている。

タスクコントローラ90は、第１〜９プロセッサ11〜19に対して発行するタスクの発行管理を行っており、タスク発行の要求にともなって第１〜９プロセッサ11〜19のうち、少なくともアイドル状態のプロセッサに対してタスクを発行するようにしている。第１〜９プロセッサ11〜19は、タスクコントローラ90からのタスクの発行に基づいて所要の処理を実行するようにしている。

本発明の半導体集積回路では、第１〜９プロセッサ11〜19がそれぞれ隣接させて観測手段としての第１〜９温度センサ51〜59を設けており、この第１〜９温度センサ51〜59によって第１〜９プロセッサ11〜19の動作にともなって発生した熱による半導体基板ａの各第１〜９プロセッサ11〜19が設けられている領域41〜49の発熱状態、すなわち各領域41〜49の温度を計測するようにしている。

第１〜９温度センサ51〜59は、本実施形態では電気抵抗の大きさから温度を算出可能としている温度センサを用いており、しかも、温度の算出結果は、低温側から高温側にかけて１０段階に区分した第１〜第１０温度レベルのいずれのレベルであるかを出力するようにしている。

第１〜９温度センサ51〜59から出力された各領域41〜49の温度レベル情報は、図４に示す温度レベル情報テーブルを記憶するために設けたテーブル用メモリ60に記憶させている。テーブル用メモリ60は、ＳＤＲＡＭなどのメモリで構成してもよいし、単なるレジスタで構成してもよい。

テーブル用メモリ60は、ローカルバス70とブリッジ回路80を介してシステムバス20に接続し、テーブル用メモリ60に記憶された情報をタスクコントローラ90から参照可能としている。本実施形態では、テーブル用メモリ60に記憶された情報の読み出しを高速で行う必要がないために、テーブル用メモリ60をシステムバス20に接続していないが、必要に応じて、テーブル用メモリ60をシステムバス20に接続してもよい。ブリッジ回路80は、ローカルバス70とシステムバス20との間での同期のために設けているものである。

本実施形態では、テーブル用メモリ60には、図４に示すように、第１〜９プロセッサ11〜19がそれぞれ形成されている各領域41〜49の温度レベル情報からなる温度レベル情報テーブルを記憶している。

そして、新たなタスクの要求があった場合には、タスクコントローラ90は、図５に示すフローチャートに基づいてタスクの発行を行うようにしている。

すなわち、タスクコントローラ90は、タスクの発行要求があると、まず、タスクコントローラ90が管理している図６に示すタスク管理テーブルに基づいて、各第１〜９プロセッサ11〜19のタスク実行状態を確認する（ステップS101）。全てのプロセッサ11〜19が「実行中」であって、「アイドル」状態のプロセッサが存在しない場合には、「アイドル」状態のプロセッサがあらわれるまで繰り返しタスク実行状態を確認するようにしている。

図６では、第３プロセッサ13、第４プロセッサ14、第６プロセッサ16、第８プロセッサ18、第９プロセッサ19が「アイドル」状態であり、タスクコントローラ90は、テーブル用メモリ60に記憶された温度レベル情報テーブルを参照して、「アイドル」状態のプロセッサの温度レベル情報を抽出する（ステップS102）。

次いで、タスクコントローラ90は、抽出した温度レベル情報と、あらかじめ設定したしきい値情報とを比較して、しきい値温度以下となっている領域のプロセッサが存在するかを確認する（ステップS103）。しきい値温度以下となっている領域のプロセッサが存在しない場合には、しきい値温度以下となっている領域のプロセッサがあらわれるまで繰り返し温度レベル情報の抽出を行うようにしている。

本実施形態では、しきい値温度として、第６温度レベルと第７温度レベルの境界の温度を設定しており、第３プロセッサ13の領域43、第４プロセッサ14の領域44、第８プロセッサ18の領域48、第９プロセッサ19の領域49は、しきい値温度以下となっているので、タスクコントローラ90は、これらの領域に設けられているプロセッサのうち、最小の温度レベルとなっているプロセッサを選択する（ステップS104）。すなわち、本実施形態では、第４プロセッサ14の領域44が最も温度レベルが小さいので、タスクコントローラ90は、第４プロセッサ14を選択する。

そして、タスクコントローラ90は、選択した第４プロセッサ14に対してタスクを発行し、第４プロセッサ14において所要の信号処理を実行させている（ステップS105）。

このように、複数存在しているプロセッサのうち、そのプロセッサが存在している領域の温度が最も低い領域のプロセッサに所要の処理を実行させることによって、大きなリーク電流が生じることを抑制でき、全体としてリーク電流の発生量を抑制できる。

他の実施形態として、テーブル用メモリ60に、図４に示したように第１〜９温度センサ51〜59から出力された各領域41〜49の温度レベル情報だけを記録するのではなく、図７に示すように、各プロセッサに近接した領域の温度レベル情報の平均値を算出し、この平均値情報を合わせて温度レベル情報テーブルに記録して、この平均値も用いながらタスクが発行されるプロセッサを決定するようにしてもよい。

ここで、温度レベル情報の平均値の算出は、所定のプロセッサが設けられている領域の発熱状態に影響を与えることが考えられるプロセッサが設けられている領域で観測された温度レベル情報であればよい。

図７に示した温度レベル情報テーブルを用いた場合におけるタスクコントローラ90によるタスクの発行について、図８に示すフローチャートに基づいて説明する。

まず、タスクコントローラ90は、タスクの発行要求があると、タスクコントローラ90が管理している図６に示すタスク管理テーブルに基づいて、各第１〜９プロセッサ11〜19のタスク実行状態を確認する（ステップS201）。全てのプロセッサ11〜19が「実行中」であって、「アイドル」状態のプロセッサが存在しない場合には、「アイドル」状態のプロセッサがあらわれるまで繰り返しタスク実行状態を確認するようにしている。

図６では、第３プロセッサ13、第４プロセッサ14、第６プロセッサ16、第８プロセッサ18、第９プロセッサ19が「アイドル」状態であり、タスクコントローラ90は、テーブル用メモリ60に記憶された温度レベル情報テーブルを参照して、「アイドル」状態のプロセッサの温度レベル情報と平均値情報とを抽出する（ステップS202）。

次いで、タスクコントローラ90は、抽出した温度レベル情報と、あらかじめ設定したしきい値情報とを比較して、しきい値温度以下となっている領域のプロセッサが存在するかを確認する（ステップS203）。しきい値温度以下となっている領域のプロセッサが存在しない場合には、しきい値温度以下となっている領域のプロセッサがあらわれるまで繰り返し温度レベル情報の抽出を行うようにしている。

本実施形態でも、しきい値温度として、第６温度レベルと第７温度レベルの境界の温度を設定しており、第３プロセッサ13の領域43、第４プロセッサ14の領域44、第８プロセッサ18の領域48、第９プロセッサ19の領域49は、しきい値温度以下となっているので、タスクコントローラ90は、第３プロセッサ13の領域43の温度レベル情報と平均値情報の積、第４プロセッサ14の領域44の温度レベル情報と平均値情報の積、第８プロセッサ18の領域48の温度レベル情報と平均値情報の積、第９プロセッサ19の領域49の温度レベル情報と平均値情報の積を算出し、これらの領域に設けられているプロセッサのうち、積の値が最小となっているプロセッサを選択する（ステップS204）。すなわち、本実施形態では、第４プロセッサ14の領域44の温度レベル情報と平均値情報の積の値が最も小さいので、タスクコントローラ90は、第４プロセッサ14を選択する。

そして、タスクコントローラ90は、選択した第４プロセッサ14に対してタスクを発行し、第４プロセッサ14において所要の信号処理を実行させている（ステップS205）。

このように、複数存在しているプロセッサのうち、そのプロセッサが存在している領域の温度が最も低い領域のプロセッサに所要の処理を実行させることによって、大きなリーク電流が生じることを抑制でき、全体としてリーク電流の発生量を抑制できる。

しかも、所定のプロセッサの近隣に配置されたプロセッサによる発熱状態を平均値として考慮することにより、温度分布を考慮してタスクを発行することができるので、急激な発熱によるリーク電流の増大が生じることを抑制して、全体としてのリーク電流の発生を抑制できる。

上記した実施形態では、温度分布を考慮方法として平均値を用いているが、平均値を用いる場合だけでなく、プロセッサごとに重み付けの係数を用いるようにしてもよく、より正確に温度分布を考慮することができる算出方法を用いてもよい。

上記した実施形態では、温度レベル情報テーブルに平均値情報を記憶させるようにしているが、平均値情報は、温度レベル情報を取得したタスクコントローラ90で算出するようにしてもよい。また、上記した実施形態では、タスクコントローラ90において温度レベル情報と平均値情報の積の演算を行っているが、この積の演算結果を温度レベル情報テーブルにあらかじめ記憶させておいてもよい。

さらに、他の実施形態として、テーブル用メモリ60に、図４に示したように第１〜９温度センサ51〜59から出力された各領域41〜49の温度レベル情報だけを記録するのではなく、また、図７に示したように温度レベル情報と平均値情報を記録するのではなく、図９に示すように、プロセッサごとに、そのプロセッサが動作した動作時間と、その動作時間中における温度レベル情報との積からなる発熱量を算出して、その発熱量の累計情報を合わせて温度レベル情報テーブルに記録して、この発熱量の累計情報も用いながらタスクが発行されるプロセッサを決定するようにしてもよい。ここで、「発熱量」とは、一般的な発熱量とは異なり、発熱量に相当するエネルギーであることを示す語として用いている。

図９に示した温度レベル情報テーブルを用いた場合におけるタスクコントローラ90によるタスクの発行について、図１０に示すフローチャートに基づいて説明する。

まず、タスクコントローラ90は、タスクの発行要求があると、タスクコントローラ90が管理している図６に示すタスク管理テーブルに基づいて、各第１〜９プロセッサ11〜19のタスク実行状態を確認する（ステップS301）。全てのプロセッサ11〜19が「実行中」であって、「アイドル」状態のプロセッサが存在しない場合には、「アイドル」状態のプロセッサがあらわれるまで繰り返しタスク実行状態を確認するようにしている。

図６では、第３プロセッサ13、第４プロセッサ14、第６プロセッサ16、第８プロセッサ18、第９プロセッサ19が「アイドル」状態であり、タスクコントローラ90は、テーブル用メモリ60に記憶された温度レベル情報テーブルを参照して、「アイドル」状態のプロセッサの温度レベル情報と発熱量の累積情報とを抽出する（ステップS302）。

次いで、タスクコントローラ90は、抽出した温度レベル情報と、あらかじめ設定したしきい値情報とを比較して、しきい値温度以下となっている領域のプロセッサが存在するかを確認する（ステップS303）。しきい値温度以下となっている領域のプロセッサが存在しない場合には、しきい値温度以下となっている領域のプロセッサがあらわれるまで繰り返し温度レベル情報の抽出を行うようにしている。

本実施形態でも、しきい値温度として、第６温度レベルと第７温度レベルの境界の温度を設定しており、第３プロセッサ13の領域43、第４プロセッサ14の領域44、第８プロセッサ18の領域48、第９プロセッサ19の領域49は、しきい値温度以下となっているので、タスクコントローラ90は、これらの領域に設けられているプロセッサのうち、発熱量の累計情報が最小の値となっているプロセッサを選択する（ステップS304）。すなわち、本実施形態では、第８プロセッサ18の領域48が最も温度レベルが小さいので、タスクコントローラ90は、第８プロセッサ18を選択する。

そして、タスクコントローラ90は、選択した第８プロセッサ18に対してタスクを発行し、第８プロセッサ18において所要の信号処理を実行させている（ステップS305）。

このように、複数存在しているプロセッサのうち、そのプロセッサが存在している領域の発熱量の累計が最も小さい領域のプロセッサに所要の処理を実行させることによって、リーク電流の発生を抑制しながら信号処理を実行できるので、全体としてのリーク電流の発生を抑制できる。

しかも、発熱量の累計が小さい領域のプロセッサを用いて信号処理を実行することにより、高温状態の半導体基板に対して低い（Negative）電圧をトランジスタのゲートに印加しつづけることによって駆動能力が劣化するというＮＢＴＩ（Negative Bias Temperature Instability）が生じることを抑制でき、プロセッサの特性が著しく劣化することを抑制できる。

リーク電流の温度依存性を示した模式的なグラフである。 異なる発熱状態下におけるリーク電流総量の差を示す模式的なグラフである。 本発明に係る半導体集積回路の説明用ブロック図である。 温度レベル情報テーブルである。 タスクコントローラの動作を説明するフローチャートである。 タスク管理テーブルである。 他の実施形態の温度レベル情報テーブルである。 他の実施形態のタスクコントローラの動作を説明するフローチャートである。 他の実施形態の温度レベル情報テーブルである。 他の実施形態のタスクコントローラの動作を説明するフローチャートである。

符号の説明

11 第１プロセッサ
12 第２プロセッサ
13 第３プロセッサ
14 第４プロセッサ
15 第５プロセッサ
16 第６プロセッサ
17 第７プロセッサ
18 第８プロセッサ
19 第９プロセッサ
20 システムバス
30 メインメモリ
41〜49 領域
51 第１温度センサ
52 第２温度センサ
53 第３温度センサ
54 第４温度センサ
55 第５温度センサ
56 第６温度センサ
57 第７温度センサ
58 第８温度センサ
59 第９温度センサ
60 テーブル用メモリ
70 ローカルバス
80 ブリッジ回路
90 タスクコントローラ

Claims (4)

1. 各々独立して信号処理を実行する複数の演算手段と、
   これらの演算手段の中からいずれか１つの演算手段を選択して信号処理を実行させる実行制御手段を備えた半導体集積回路において、
   前記の各演算手段が設けられたそれぞれの領域の発熱状態を観測する観測手段と、
   この観測手段での観測結果を記憶する記憶手段を設け、
   前記実行制御手段は、前記記憶手段に記憶された観測結果に基づいて信号処理を実行させる前記演算手段を選択するように構成したことを特徴とする半導体集積回路。
2. 前記記憶手段では、前記演算手段ごとに、その演算手段に近接した演算手段の前記観測手段による観測結果の平均値を記憶して、
   前記実行制御手段では、前記演算手段ごとの前記観測結果と前記平均値に基づいて信号処理を実行させる前記演算手段を選択するように構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
3. 前記記憶手段では、前記の各演算手段がそれぞれ動作した動作時間と、その動作時間における前記各演算手段の前記観測結果との積である発熱量の累計を記憶して、
   前記実行制御手段では、前記演算手段ごとの前記観測結果と前記発熱量の累計に基づいて信号処理を実行させる前記演算手段を選択するように構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
4. 各々独立して信号処理を実行する複数の演算手段と、
   これらの各演算手段が設けられたそれぞれの領域の発熱状態を観測する観測手段と、
   この観測手段での観測結果を記憶する記憶手段と、
   前記の複数の演算手段の中からいずれか１つの演算手段を選択して信号処理を実行させる実行制御手段
   を備えた半導体集積回路の制御方法であって、
   前記実行制御手段が、
   前記記憶手段に記憶された観測結果に基づいて信号処理を実行させる前記演算手段を選択するステップと、
   選択された前記演算手段に信号処理を実行させるステップ
   を有する半導体集積回路の制御方法。