JP5599451B2 - キャリアからウエハを取り去るためのデバイスおよび方法 - Google Patents

キャリアからウエハを取り去るためのデバイスおよび方法 Download PDF

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Description

本発明は、キャリアからウエハを取り去るための特許請求の範囲の請求項1に基づくデバイスおよび請求項14に記載の方法に関するものである。
ウエハの背面薄化(back thinning)は多くの場合に半導体工業において必要とされておりかつ機械におよび/または科学的に実施できる。背面薄化のために、通常、ウエハはキャリア上に一時的に固定されており、その固定のための方法はさまざまである。キャリア材料として例えばフィルム、ガラス基板、またはシリコンウエハが使用できる。
使用されるキャリア材料およびキャリアとウエハとの間に使用される相互連結層に応じた相互連結層の溶解または破断のためのさまざまな方法、例えばUV光、レーザービーム、温度作用または溶剤などが知られている。
上記取り去りは、ますます重要な処理ステップの一つを構成している。なぜなら、基板厚さが数μmの薄手の基板は、取り去り/剥離中に容易に破損され、かつ取り去り処理のために必要な力によって容易に損傷されるからである。
さらに薄手の基板は、支持部材なしではまったく安定した形状にはならず、典型的には曲がってしまう。それゆえ背面薄化ウエハの取り扱い中は、ウエハの固定および支持が本質的に不可欠である。
特許文献1には、レーザー光を用いて結合基板を加熱するための方法が開示されている。結合基板の連結作用は、400℃から500℃まで急増する付与された温度によって無効化される。したがって、ウエハスタック(当該文献の段落[0021]参照)全体の加熱の問題は解決されている。しかしながら、少なくとも縁部領域が、さらには縁部領域に近接する領域が−ウエハ材料の良好な熱伝導性が原因となって−急増する温度にさらされる。この問題はさらに温度勾配も生じる。
独国特許第10 2006 032 488号明細書(DE 10 2006 032 488 B4)
それゆえ本発明の目的は、できるかぎり損傷することなくキャリアからウエハを取り外すデバイスおよび方法を提供することである。
この目的は、請求項1および14による特徴部によって達成される。本発明の有利なさらなる変形例が従属請求項によって得られる。本発明の基本構造は、明細書によって得られる特徴部、請求項に記載のおよび/または図面の少なくとも2つのもののすべての組み合わせを包含する。特定の値の範囲において、示された限定の範囲内にある値は、境界値として開示されているものでもあり、かつそれらはなんらかの組み合わせにおいて請求されている。
本発明は、350℃以下の温度で実施可能な取り去りを用いるデバイスを提供するアイデアに基づくものである。350℃以上の範囲の温度がウエハに悪影響をもたらすものであることはすでに明らかとなっている。加えて高温の場合、本発明の基づくデバイスがウエハをキャリアから取り外すためのエネルギーをあまり必要としないのに比べて、さらなるエネルギーが要求される。
したがって、ウエハを、相互連結層によってウエハに連結されたキャリアから取り去るための本発明に基づくデバイスは、以下の特徴部、すなわち;
− キャリアとウエハとからなるキャリア−ウエハ組立体を載置するための受け取り手段と、
− キャリアとウエハとの間の相互連結層によって提供された連結部を分離するための、特に破断させるための連結部除去手段と、
− キャリアからウエハを取り去るための、またはウエハからキャリアを取り去るための取り去り手段と、
を備えており、
連結部除去手段が、0から350℃、特に10から200℃、好ましくは20から80℃の温度範囲内で、さらに好ましくは環境温度で作動するよう形成されていることを特徴とする。
さらに本発明によれば、ウエハを、相互連結層によってウエハに連結されたキャリアから取り去るための方法は、以下のステップ、すなわち;
− 受け取り手段上に、キャリアとウエハとからなるキャリア−ウエハ組立体を載置するステップと、
− 連結部除去手段によってキャリアとウエハとの間の相互連結層によって提供された連結部を分離する、特に破断させるステップと、
− 取り去り装置によって、キャリアからウエハを取り去る、またはウエハからキャリアを取り去るステップと、
を含み、
連結部除去手段が、350℃までの温度で、特に10から200℃、好ましくは20から80℃の温度範囲内で、さらに好ましくは環境温度で作動するよう形成されていることを特徴とする。
ウエハは例えば半導体ウエハなどの製品基板として形成されており、それは通常は0.5μmから250μmの厚さとなるよう薄化されており、製品基板をますます薄くする傾向がある。
キャリアは、例えば50μmから5,000μmの間の厚さを備えるキャリア基板である。
上記相互連結層は例えば可溶性接着剤、特に熱可塑性接着剤などの接着可能なものであり、これは例えばキャリア−ウエハ組立体の縁部領域に、特に0.1mmから20mmの縁部領域に選択的に塗布されている。あるいは接着剤はその表面全体に塗布されてもよく、かつ、その接着力は接着力低減層によって例えばフッ化ポリマー、好ましくはテフロン(登録商標)によって、その中央では低減することができる。
受け取り手段は、特に適切には吸引経路、孔またはカップなどによる負圧を用いてキャリア−ウエハ組立体を載置するためのチャックであり、特別にはスピナーチャックである。代替的には例えばクランプによる機械的な載置が考えられる。
取り去り手段は、上側基板受け取り部であることができ、好ましくは吸引経路、孔またはカップなどによる負圧を利用した例えばリリースチャックである。
本発明の有利な一実施形態によれば、連結部除去手段が本質的に加熱することなく作動するよう構成されて提供される。この方法においては、なんらかの加熱手段を省略することができる。
本発明の他の有利な実施形態においては、連結部除去手段は、相互連結層を取り除くための流体手段を、特には相互連結層を選択的に溶解する溶剤を具備するよう提供される。相互連結層の化学的な溶解は、特にウエハを保護するものであり、かつ選択される材料に対応して溶解は非常に、とりわけ溶剤が側縁部から非常に迅速に作用するように相互連結層がウエハの縁部領域のみに設けられた場合に迅速に実施可能である。この方法においては、キャリア基板および/または製品基板の穿孔が省略できる。
本発明の一代替実施形態においては、連結部除去手段は相互連結層を取り除くための機械的な分離手段、特に相互連結層を通過して切断するためのブレードを備えるよう設けられている。この方法においてはウエハをとりわけ早くキャリアから分離することができる。機械的分離手段と流体手段とを組み合わせることも考えられる。
本発明の他の代替実施形態においては、連結部除去手段は相互連結層を取り除くためにUV光源を備えるよう設けられている。この実施形態は、機械的分離手段の実施形態および/または流体手段を用いる実施形態と組み合わせることもできる。
その範囲に関して、連結部除去手段は、キャリア−ウエハ組立体の一側縁部からとりわけ独占的に作用するようなされており、その上部および/または下部からの、特に上記側縁部内に位置するウエハの内側領域からのウエハおよび/またはキャリアにおける作用が省略できる。
キャリア−ウエハ組立体の回転のための回転手段は、連結部除去手段をキャリア−ウエハ組立体の全周縁部にわたって配置することを省略可能にし、かつキャリア−ウエハ組立体の周縁部における部分的な作用で十分である。
有利なことに、連結部除去手段は少なくとも1つの除去デバイスを有しており、除去デバイスは、特に受け取り手段および/または取り去り手段に当接して上記側縁部を包囲し、好ましくは封止を形成する。キャリア−ウエハ組立体の側縁部を包囲する除去デバイスによって相互連結層にとりわけ効果的な作用が生じ得る。さらに除去デバイスはウエハを保護するために、特にその側縁部を保護するためにも使用される。さらに包囲の手段は、除去デバイスから流体手段が漏れ出ることおよびUV光強さが失われることを防止できる。機械的分離手段を使用する場合には、予想される不純物が除去デバイスから漏出してウエハが汚染されることが防止できる。
除去デバイスは、有利な一構成においては断面がU字形状となるよう形成できる。
その範囲に関して、連結部除去手段の、特に除去デバイスは、好ましくはその周辺が封止される作動チャンバを有しており、上記利点は、特に流体手段が使用される際に得られる。
本発明の他の有利な構成において、作動チャンバはキャリア−ウエハ組立体の側縁部の周縁部を包囲するよう設けられている。
有利なことに、作動チャンバは、ウエハの中央方向においてキャリア−ウエハ組立体の側縁部にわたって、特にキャリア側部において受け取り方向まで、かつウエハ側部における取り去り手段まで、わずかにだけ延在している。
有利なことに、取り去り手段は回転可能に形成されており、特に回転受け取り手段によって駆動されるようになっている。
その範囲に関して、連結部除去手段は、ウエハの取り去りと同時にウエハをクリーニングするための溶剤を有する。ウエハは、少なくとも相互連結層に触れる領域においてクリーニング可能となっている。
本発明に基づく方法は、キャリア−ウエハ組立体の一側縁部の領域における相互連結層は、接着剤から形成されており、かつ、フッ化ポリマーから特に形成され、好ましくはウエハとわずかに接触するよう形成された一内側領域において、少なくともウエハの方向において非接着状態となるよう小さな接着力で形成されている。
本発明の他の利点、特徴部および詳細は、図面を使用した好ましい実施形態についての以下の説明から明らかになる。
本発明に基づく第1の処理ステップにおける、本発明に基づくデバイスの概略図である。 本発明に基づく第2の処理ステップにおける、本発明に基づくデバイスの概略図である。 本発明に基づく第3の処理ステップに基づく、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 本発明に基づく第3の処理ステップに基づく、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 本発明に基づく第3の処理ステップに基づく、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 本発明に基づく第3の処理ステップにおける、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 本発明に基づくキャリアをクリーニングするためのステップにおける、本発明による除去デバイスの概略的な細部の図である。 一代替実施形態における本発明に基づくデバイスの概略図である。
図において、同じ構成要素および同様の機能を有する構成要素については同じ参照番号を用いて識別している。
図1には、少なくとも1つのウエハ4およびキャリア1からなるキャリア−ウエハ組立体21がある程度概略的に示されている。キャリア−ウエハ組立体21は、特にチャックである受け取り手段6に、当該受け取り手段によって形成される水平受け取り面A上に保持されている。キャリア−ウエハ組立体21は、受け取り手段6上で、つまりキャリア1を下降させかつウエハ4を上昇させた状態で、180°まで回転させられるよう配置可能である。キャリア−ウエハ組立体21は、図示されていないロボットアームを用いて提供される。
一つの有利な実施形態によれば、受け取り手段6または図示されていないデバイスは水平に対して示されており、その結果、受け取り面Aはもはや水平に図示されないようになっており、むしろ5°から90°の、特には25°から90°の、好ましくは45°から90°の間で、より好ましくは正確に90°の角度で水平線に対して傾斜角を有するようになる。
ここではキャリア−ウエハ組立体21は、さらに相互連結層3と、相互連結層3に一体化された接着力低減層2とからなり、当該層2は、キャリア−ウエハ組立体21の内側領域22内でキャリア1の方向に配置されている。内側領域22の外側において、相互連結層3が、キャリア−ウエハ組立体21の一側縁部23において接着力低減層2上に突出している。したがって側縁部23は環状部となるものであり、かつそれは、キャリア−ウエハ組立体21のあるいはキャリア1の外側輪郭からキャリア−ウエハ組立体21の中央へ向かって、0.1mmから20mmの幅で延在している。ウエハ4は、通常300mmの直径を有する。
ウエハ4は、本発明に基づいてデバイスを提供する前に、0.5μmから250μmまでの背面薄化などの、さらなる処理ステップが通常実施されている。
キャリア−ウエハ組立体21は、側縁部23の少なくとも周囲で受け取り手段6より上に存在する。ゆえに受け取り手段6は、キャリア−ウエハ組立体21またはウエハ4および/またはキャリア1よりも小さな直径を有している。
キャリア−ウエハ組立体21は、従来の様式で負圧によって受け取り手段に固定されており、受け取り手段6は、駆動モータ5と受け取り手段6を駆動モータ5へ接続する駆動軸5wとを用いて回転可能である。
駆動モータ5および駆動軸5wは、真空供給器を回転受け取り手段6に有利に接続できるようにするために、真空供給器を備える中空シャフトとして形成できる。
キャリア−ウエハ組立体21は処理チャンバ7内に収容されており、駆動モータ5は処理チャンバ7の外側に配置されており、かつ駆動軸5wは、処理チャンバの下部24に位置する開口を通過するよう形成されている。
さらに下部24には排水部8が設けられている。
キャリア−ウエハ組立体21の側方には、キャリア−ウエハ組立体21の周辺部分にわたって延在する除去デバイス16が設けられている。
除去デバイス16はその断面形状がU字を描くよう構成されており、除去デバイスの脚25,26および除去デバイス16の一つの側壁27は、キャリア−ウエハ組立体21へ向かって開口するよう形成された作動チャンバ28を包囲している。除去デバイスは、キャリア−ウエハ組立体21の環状リング部分にわたって延在しており、かつ脚25,26は、図2に示されかつ本発明に基づく方法の第2の処理ステップに対応する除去ポジションにおいて、側縁部23上に延在している。受け取り平面Aが傾斜状態で広がっているため、除去デバイスは浸漬槽のように形成できる:これは当該デバイスの操作を大幅に簡単化する。
除去デバイス16は、処理チャンバ7内に突出しているL字形状アクチュエータアーム29を用いて、除去ポジションから図1に基づく初期ポジションまでアクチュエータ18を使用して移動可能である。
キャリア−ウエハ組立体21の上方には、ウエハ4からキャリア1を取り去るための取り去り手段が設けられている。取り去り手段はウエハ受け取り部9を有しており、ここではチャックである。
ウエハ受け取り部9は、ウエハ受け取りアクチュエータアーム30のウエハ受け取り支持部15によって回転する能力を備えるウエハ受け取りアクチュエータアーム30で支持されている。ウエハ受け取り支持部15はアキシャルおよびラジアルベアリングである。ウエハ受け取り支持部15およびウエハ受け取り部9は、その回転軸が駆動軸5wまたは受け取り手段6の回転軸と同一平面上にあるように構成されている。
取り去り手段は、ウエハ受け取り部9に組み込まれかつ後述のように構成された弾性吸引カップ14をさらに有する。吸引カップ14は、続いて負圧手段に接続される圧力ラインに接続されている。それゆえ、吸引カップ14の領域におけるキャリア1はウエハ受け取り部9上に吸引され得るようになる。
さらに、図1に示される本発明に基づくデバイスは、キャリアをウエハ4から取り去りした後にウエハ4をクリーニングするための、溶剤アクチュエータアーム31を介して溶剤アクチュエータ20に接続された溶剤ライン19を有する。
距離の測定を目的としかつウエハ受け取り部9に組み込まれたセンサを用いることで、特にセンサライン12を用いることで、ウエハ4からのキャリア1の取り去りが測定できる。
図1に基づくキャリア−ウエハ組立体21の受け取り後、ウエハ受け取り部9は、吸引カップ14がキャリア1上に留置されるまで、ウエハ受け取りアクチュエータ11によってキャリア1上に下降させられる。
続いて、負圧が圧力ライン10を介して吸引カップ14にもたらされる;これは矢印32で図示されている。
それゆえ、ウエハ受け取り部9とそれらの間に配置されたキャリア−ウエハ組立体2との受け取り手段6の回転が駆動モータ5によって生じるように、ウエハ受け取り部9は、キャリア−ウエハ組立体21および受け取り手段6に機械的に接続されている。この回転は回転矢印33によって示されている。あるいは、回転は特に90°から360°の間の限定された角度で代替的な枢軸動作によってかつ断続的に行われてもよく、その枢軸動作によって、キャリア−ウエハ組立体21の周縁部は除去デバイス16によっておおむね完全に感知されるようになる。
連続的回転の間、有利なことに、圧力ライン10およびセンサライン12に関して、ウエハ受け取り部9へ供給するために回転軸を設けることができる。
次いで、除去デバイス16は、図2に示されかつ図2の右上部にある拡大図でも示された除去ポジションへと除去デバイスアクチュエータ20によって移動させられる。
続いて、溶剤34が流体ライン17を介して除去デバイス16の作動チャンバ28へ供給される。このとき、溶剤34は側縁部23の領域にある相互連結層3と接触し、そして側方から相互連結層3の溶解を引き起こすようになる。
作動チャンバ28は、除去デバイス16の受け取り手段6に対する接触によって、特にその脚25および26の面35および36を使用して封止され得るか、あるいはウエハ受け取り部9がその近傍で封止され得る。
なお封止は必ずしも必要なものではないが、それは溶剤34の低減をもたらす。
側縁部23の領域における相互連結層3の溶解の進行状態が図3a、図3b、最終的には図3cに示されている。
接着力低減層2に関する限りは、接着力低減層2は、吸引カップ14によって作用する吸引力に比べて十分な接着力を付与しないため、図3cに示された相互連結層の縁部領域の溶解が完全に達成されたときにウエハ4は、後述のように形成される吸引カップ14によってキャリア1から持ち上げられる。ウエハ受け取り部9へのキャリア1の距離を測定するセンサ13は、作動チャンバ28への溶剤34の供給を停止できかつ除去デバイス16を図5に示される初期ポジションへ除去デバイスアクチュエータ20によって移動できるようにするために、キャリア1がウエハ4から取り去られた(図4参照)ことを確定する。
そしてキャリア1は、溶剤ライン19を用いたウエハ4のクリーニングを可能とするためにウエハ受け取りアクチュエータ11によって持ち上げられる。溶剤ライン19を使用して提供された溶剤37は、ウエハ4がウエハ4の回転によってクリーニングされた後に除去される。
次にウエハ4はロボットアームによって付加的なデバイスおよび処理ステップへと供給でき、かつ本発明に基づく当該デバイスには新しいキャリア−ウエハ組立体21が配置できる。
図6には、冒頭で述べたようなフォイル38に貼り付けられたキャリア−ウエハ組立体21を処理するのに適切な本発明に基づくデバイスの一代替実施形態を示す。
これは、フォイル38が、上記様式とは異なるようにキャリア−ウエハ組立体21へ横方向からアクセスするフィルムフレーム39に保持されているためである。
それゆえ、図6に基づく実施形態において、除去デバイス16は、キャリア−ウエハ組立体21の側縁部の領域に位置する出口41を備える特別な指示されていない溶剤ライン40からなる。取り去りの処理ステップにおいて、側縁部23上の相互連結層3は溶剤にさらされ得る。
フォイル38およびフィルムフレーム39上に固定されたウエハ4の取り外しのために、ウエハ受け取り部9に加えてキャリアからウエハを取り去るための取り去り手段は、フィルムフレーム受け取り部42を有数する。
フィルムフレーム受け取り部42は、ウエハ受け取り部9とウエハ受け取りアクチュエータアーム30との間に配置されており、かつ圧力ライン10上に存在する負圧に接続されている。フィルムフレーム受け取り部42は、フレーム39を吸引できかつフィルムフレーム受け取り部42の周縁部上に配置された吸引カップ43を有する。
吸引カップ43の機能は、吸引カップ14の機能に本質的に対応している。
本発明の他の実施形態において、キャリア−ウエハ組立体21は、第2の相互連結層を介してキャリアの対向する側においてウエハ4に同様に接続された第2のキャリアからなる。
この方法において、例えば二つの相互連結層における異なる接続手段および対応するさまざまな溶剤によって提供されたウエハ4は、ウエハ4を分離状態で取り扱うことを必要とせず、他のキャリア上に配置できるかまたは回転させられる。当該ウエハ4はキャリア1または第2のキャリアのいずれかのキャリアによって常に支持されている。
A 受け取り平面
1 キャリア
2 接着力低減層
3 中間層
4 ウエハ
5 駆動モータ
5w 駆動軸
6 受け取り手段
7 処理チャンバ
8 排水部
9 ウエハ受け取り部
10 圧力ライン
11 ウエハホルダ受け取り部
12 センサライン
13 センサ
14 吸引カップ
15 ウエハ受け取り部支持部
16 除去デバイス
17 流体ライン
18 アクチュエータ
19 溶剤ライン
20 溶剤アクチュエータ
21 キャリア−ウエハ組立体
22 内側領域
23 側縁部
24 下部
25 脚
26 脚
27 側壁
28 作動チャンバ
29 アクチュエータアーム
30 ウエハ受け取りアクチュエータアーム
31 溶剤アクチュエータアーム
32 矢印
33 回転矢印
34 溶剤
35 面
36 面
37 溶剤
38 フォイル
39 フィルムフレーム
40 溶剤ライン
41 出口
42 フィルムフレーム受け取り部
43 吸引カップ

Claims (27)

  1. ウエハをキャリアから取り去るための装置であって、前記キャリアは、前記キャリアと前記ウエハとの間の連結を提供する相互連結層によって前記ウエハに固定されており、
    前記装置は、
    − 前記キャリアと前記ウエハとからなるキャリア−ウエハ組立体を受け取るための受け取り手段であって、前記相互連結層が、前記キャリア−ウエハ組立体の周縁部において、前記キャリアと前記ウエハとの間に前記連結を提供する、受け取り手段と、
    − 前記キャリアと前記ウエハとの間の前記連結を除去するための連結部除去手段であって、前記連結部除去手段は、少なくとも1つの除去デバイスを有しており、
    前記除去デバイスが、
    前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部の少なくとも一部を包囲するための作動チャンバと、
    前記作動チャンバへ、前記相互連結層の溶解のための溶剤を供給するための手段と、
    を含む、連結部除去手段と、
    − 前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部を前記溶剤と接触させて前記周縁部における前記相互連結層を溶解させかつ前記キャリアと前記ウエハとの間の連結が破断されるよ
    うに、前記連結部除去手段の前記作動チャンバの中を通して前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部を移動させるために、前記キャリア−ウエハ組立体を回転させるための回転手段と、
    − 前記キャリアから前記ウエハを取り去るための、または前記ウエハから前記キャリアを取り去るための、取り去り手段と、
    を備えることを特徴とする装置。
  2. 前記連結部除去手段は、10から200℃の温度範囲内で作動することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 前記連結部除去手段が、加熱することなく作動することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  4. 前記連結部除去手段はさらに、前記相互連結層を通過して切断するためのかつ前記相互連結層を取り除くためのブレードを含む機械的分離手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  5. 前記連結部除去手段はさらに、前記相互連結層を取り除くためのUV光源を具備してなることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  6. 前記連結部除去手段は、前記キャリア−ウエハ組立体の周縁部上で作動することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  7. 少なくとも1つの前記除去デバイスは、前記作動チャンバの封止のために、前記受け取り手段および/または前記取り去り手段と接触することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  8. 前記作動チャンバは、前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部の近傍において封止されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  9. 前記取り去り手段は、回転可能であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  10. 前記相互連結層は、熱可塑性接着剤であることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  11. 前記連結部除去手段は、前記ウエハをクリーニングするための洗浄剤を供給するために溶剤ラインを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  12. 前記作動チャンバは、U字形状の断面を有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  13. 前記少なくとも1つの除去デバイスは、前記作動チャンバを規定するよう前記除去デバイスから延在する側壁と一対の脚とを含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  14. 前記一対の脚は、前記作動チャンバを封止するよう、前記受け取り手段および/または前記取り去り手段と接触する面をそれぞれ有することを特徴とする請求項13に記載の装置。
  15. 前記回転手段は、回転軸を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  16. 前記連結部除去手段は、0℃から350℃の温度範囲で作動することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  17. キャリアと、キャリア−ウエハ組立体を形成するウエハとの間に連結を提供する相互連結層を取り去るための装置であって、
    前記装置は、
    − 前記キャリアから前記ウエハを取り去るための、または前記ウエハから前記キャリアを取り去るための、取り去り手段と、
    − 除去ポジションでの前記キャリア−ウエハ組立体の回転のための回転手段と、
    − 連結部除去手段であって、
    作動チャンバであって、前記キャリア−ウエハ組立体の周縁部の少なくとも一部を前記作動チャンバ内に収容できる、作動チャンバと、
    前記作動チャンバに、前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部における前記相互連結層を溶解するための溶剤を供給するための手段と、
    を含む、連結部除去手段と、
    を備えることを特徴とする装置。
  18. 前記溶剤は、前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部において作用することを特徴とする請求項17に記載の装置。
  19. 前記連結部除去手段は、浸漬槽を備えることを特徴とする請求項17に記載の装置。
  20. 前記連結部除去手段は、前記作動チャンバを規定するU字形状の断面を有することを特徴とする請求項17に記載の装置。
  21. 前記作動チャンバは、一対の脚と側壁とによって規定されており、前記作動チャンバは、前記キャリア−ウエハ組立体へ向けて開放されていることを特徴とする請求項17に記載の装置。
  22. ウエハをキャリアから取り去るための方法であって、前記キャリアは、前記キャリアと前記ウエハとの間の連結を提供する相互連結層によって前記ウエハに固定されており、前記相互連結層が、前記キャリア−ウエハ組立体の周縁部において、前記キャリアと前記ウエハとの間に前記連結を提供しており、
    前記方法は、
    − 前記キャリアと前記ウエハとからなるキャリア−ウエハ組立体を受け取るための受け取り手段上に前記キャリア−ウエハ組立体を載置するステップと、
    − 前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部の少なくとも一部を包囲するための作動チャンバと、前記相互連結層の溶解のための溶剤を前記作動チャンバへ供給するための手段と、を含む少なくとも1つの除去デバイスを有する連結部除去手段によって、前記キャリアと前記ウエハとの間の連結を除去するステップと、
    − 前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部を前記溶剤と接触させて前記周縁部における前記相互連結層を溶解させかつ前記キャリアと前記ウエハとの間の連結が破断されるように、前記連結部除去手段の前記作動チャンバの中を通して前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部を移動させるために、回転手段を使用して前記キャリア−ウエハ組立体を回転させるステップと、
    − 取り去り手段によって、前記キャリアから前記ウエハを取り去るかあるいは前記ウエハから前記キャリアを取り去るステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  23. 前記相互連結層は、
    接着剤からなり、かつ、
    前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部の内側の領域において、少なくとも前記キャリアの方向において非接着状態となるように、その接着力が低減されていることを特徴とする請求項22に記載の方法。
  24. 請求項1ないし請求項21のいずれか一項に記載の装置を使用した請求項22または請求項23に基づく方法。
  25. キャリアと、キャリア−ウエハ組立体を形成するウエハとの間に連結を提供する相互連結層を取り去るための方法であって、
    前記方法は、
    − 連結部除去手段によって、前記キャリアと前記ウエハとの間の連結を除去するステップであって、
    前記キャリア−ウエハ組立体の周縁部の少なくとも一部を作動チャンバ内に収容するステップと、
    前記作動チャンバに、前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部における前記相互連結層を溶解するための溶剤を供給するステップと、
    を含む、ステップと、
    − 除去ポジションにおいて、回転手段を使用して前記キャリア−ウエハ組立体を回転させるステップと、
    − 取り去り手段によって、前記キャリアから前記ウエハを取り去るかあるいは前記ウエハから前記キャリアを取り去るステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  26. 前記相互連結層は、
    接着剤からなり、かつ、
    前記キャリア−ウエハ組立体の前記周縁部の内側の領域において、少なくとも前記キャリアの方向において非接着状態となるように、その接着力が低減されていることを特徴とする請求項25に記載の方法。
  27. 請求項1ないし請求項21のいずれか一項に記載の装置を使用した請求項25または請求項26に基づく方法。
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JP2013009033A Active JP5538576B2 (ja) 2009-03-18 2013-01-22 キャリアからウエハを取り去るためのデバイスおよび方法
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006000687B4 (de) 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
EP2230683B1 (de) 2009-03-18 2016-03-16 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
EP2667407B1 (de) 2009-09-01 2019-01-23 EV Group GmbH Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat mittels eines Lösungsmittels und Schallwellen durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films
EP2523209B1 (de) 2010-04-23 2017-03-08 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats von einem Trägersubstrat
US8753460B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-17 International Business Machines Corporation Reduction of edge chipping during wafer handling
US8657994B2 (en) 2011-04-01 2014-02-25 Alta Devices, Inc. System and method for improved epitaxial lift off
US9827756B2 (en) * 2011-04-12 2017-11-28 Tokyo Electron Limited Separation apparatus, separation system, and separation method
JP5807554B2 (ja) * 2012-01-19 2015-11-10 旭硝子株式会社 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
US9016675B2 (en) * 2012-07-06 2015-04-28 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus and method for supporting a workpiece during processing
FR2995447B1 (fr) * 2012-09-07 2014-09-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie
JP5870000B2 (ja) * 2012-09-19 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
KR102007042B1 (ko) * 2012-09-19 2019-08-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박리 장치
US9269603B2 (en) * 2013-05-09 2016-02-23 Globalfoundries Inc. Temporary liquid thermal interface material for surface tension adhesion and thermal control
JP2015023137A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社ディスコ 剥離装置及び剥離方法
JP6122790B2 (ja) * 2014-01-24 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置および剥離システム
US9333735B2 (en) * 2014-04-03 2016-05-10 Globalfoundries Inc. Methods for operating a debonder
JP6216727B2 (ja) * 2014-05-08 2017-10-18 東京応化工業株式会社 支持体分離方法
US9924897B1 (en) * 2014-06-12 2018-03-27 Masimo Corporation Heated reprocessing of physiological sensors
CN104760400B (zh) * 2015-04-03 2017-01-18 合肥京东方光电科技有限公司 拆解装置
CN104992944B (zh) * 2015-05-26 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示母板及柔性显示面板的制作方法
CN105280541A (zh) * 2015-09-16 2016-01-27 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
DE102016106351A1 (de) 2016-04-07 2017-10-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bonden zweier Substrate
CN106783699A (zh) * 2017-03-03 2017-05-31 爱立发自动化设备(上海)有限公司 一种晶圆与玻璃分离装置及方法
US10913254B2 (en) * 2017-03-15 2021-02-09 Didrew Technology (Bvi) Limited Method for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair by using chemical and mechanical means
US10211077B2 (en) * 2017-03-17 2019-02-19 Didrew Technology (Bvi) Limited Method for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair by using high pressure solvent
US10209542B1 (en) 2017-12-15 2019-02-19 Didrew Technology (Bvi) Limited System and method of embedding driver IC (EmDIC) in LCD display substrate
US10446431B2 (en) * 2017-12-27 2019-10-15 Micron Technology, Inc. Temporary carrier debond initiation, and associated systems and methods
US10209597B1 (en) 2018-01-04 2019-02-19 Didrew Technology (Bvi) Limited System and method of manufacturing frameless LCD display
WO2019156695A1 (en) 2018-02-09 2019-08-15 Didrew Technology (Bvi) Limited Method of manufacturing fan out package with carrier-less molded cavity
WO2019160570A1 (en) 2018-02-15 2019-08-22 Didrew Technolgy (Bvi) Limited System and method of fabricating tim-less hermetic flat top his/emi shield package
US10424524B2 (en) 2018-02-15 2019-09-24 Chengdu Eswin Sip Technology Co., Ltd. Multiple wafers fabrication technique on large carrier with warpage control stiffener
US11177153B2 (en) 2018-03-20 2021-11-16 Chengdu Eswin Sip Technology Co., Ltd. Method of debonding work-carrier pair with thin devices
JP7182975B2 (ja) * 2018-09-26 2022-12-05 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド用基板の製造方法
TW202015144A (zh) * 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
JP7146354B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-04 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN110370153B (zh) * 2019-06-10 2021-07-13 浙江晶盛机电股份有限公司 一种用于抛光设备的上定盘晶片剥离装置
JP7511980B2 (ja) * 2020-07-21 2024-07-08 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN118431124B (zh) * 2024-07-05 2024-10-01 迈为技术(珠海)有限公司 晶圆分离装置

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988196A (en) 1967-10-09 1976-10-26 Western Electric Company, Inc. Apparatus for transferring an oriented array of articles
JPH0562950A (ja) * 1991-08-29 1993-03-12 Nitto Denko Corp 半導体ウエハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法
US5273615A (en) 1992-04-06 1993-12-28 Motorola, Inc. Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers
JPH06275717A (ja) 1993-01-22 1994-09-30 Mitsubishi Electric Corp ウエハはがし方法
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
JP2607821B2 (ja) * 1993-03-31 1997-05-07 直江津電子工業株式会社 半導体ウエハの補強材形成方法および装置
JP3341958B2 (ja) * 1994-08-04 2002-11-05 東京応化工業株式会社 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
JP4220580B2 (ja) * 1995-02-10 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
JP3407835B2 (ja) * 1995-03-09 2003-05-19 東京応化工業株式会社 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
JPH0950947A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ウエハ処理方法
US6342434B1 (en) 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
TW419716B (en) * 1997-04-28 2001-01-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
US6066229A (en) * 1997-07-10 2000-05-23 Sony Corporation Method of recycling disk recording medium and apparatus for recovering metal reflective film
KR19990013723A (ko) * 1997-07-10 1999-02-25 이데이노부유키 디스크 기록매체의 재생방법 및 금속반사막 재생장치
DE19734635A1 (de) 1997-08-11 1999-02-18 Gen Semiconductor Ireland Macr Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen von Bauelementen von einer Folie
TW385489B (en) * 1997-08-26 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd Method for processing substrate and device of processing device
US6090687A (en) 1998-07-29 2000-07-18 Agilent Technolgies, Inc. System and method for bonding and sealing microfabricated wafers to form a single structure having a vacuum chamber therein
EP0989593A3 (en) * 1998-09-25 2002-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Substrate separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
US6523553B1 (en) * 1999-03-30 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning method and apparatus
JP2001196404A (ja) 2000-01-11 2001-07-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3768069B2 (ja) 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
JP2002100595A (ja) * 2000-07-21 2002-04-05 Enya Systems Ltd ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置
DE10048881A1 (de) 2000-09-29 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum planen Verbinden zweier Wafer für ein Dünnschleifen und ein Trennen eines Produkt-Wafers
US6713880B2 (en) 2001-02-07 2004-03-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same, and method for mounting semiconductor device
JP2002237515A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法
DE10108369A1 (de) * 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
JP2002270553A (ja) * 2001-03-13 2002-09-20 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
AT502233B1 (de) 2001-06-07 2007-04-15 Thallner Erich Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe
EP1489609B1 (en) 2002-03-27 2011-02-16 Panasonic Corporation Multi-layered optical information recording medium manufacturing method
JP4271409B2 (ja) 2002-05-22 2009-06-03 リンテック株式会社 脆質材料の加工方法
TWI258316B (en) 2002-10-25 2006-07-11 Ritdisplay Corp FPD encapsulation apparatus and method for encapsulating ehereof
JP2004193237A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着シートを具備するウェハー保持部材,及び粘着シートの剥離方法
JP4364535B2 (ja) * 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
DE10340409B4 (de) 2003-09-02 2007-05-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägerwafer und Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers unter Verwendung eines Trägerwafers
JP4447280B2 (ja) 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2005150177A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
JP2006135272A (ja) 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
DE102004018250A1 (de) 2004-04-15 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
US7829152B2 (en) 2006-10-05 2010-11-09 Lam Research Corporation Electroless plating method and apparatus
JP2006032506A (ja) 2004-07-14 2006-02-02 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体ウェハの剥離方法および剥離装置
JP2006059861A (ja) 2004-08-17 2006-03-02 Lintec Corp 脆質部材の転着装置
JP4679890B2 (ja) 2004-11-29 2011-05-11 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り付け装置
WO2006129458A1 (ja) 2005-05-30 2006-12-07 Jsr Corporation 固定剤付きウエハ及び固定剤付きウエハの製造方法
JP4848153B2 (ja) 2005-08-10 2011-12-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4668052B2 (ja) * 2005-12-06 2011-04-13 東京応化工業株式会社 剥離装置
DE102006000687B4 (de) * 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
DE102006032488B4 (de) 2006-07-13 2008-09-25 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
JP2008021929A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
US20080060683A1 (en) * 2006-09-08 2008-03-13 Arvidson Aaron W Apparatus and methods for cleaning a wafer edge
JP5074940B2 (ja) 2008-01-30 2012-11-14 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
JP2009182256A (ja) 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の処理装置および基板の処理方法
EP2230683B1 (de) 2009-03-18 2016-03-16 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger

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