JP5531288B2 - 光学異性体用分離剤 - Google Patents

Description

本発明は、光学異性体用分離剤に用いられる複合体に関する。

近年、医薬品や機能性材料の研究・開発の面から、光学異性体を短時間で容易かつ大量に得ることの重要性が増してきている。
従来より、クロマトグラフィーによる光学分割は、分析化学、有機化学、医学、薬学など多方面で非常に注目されており、多くのキラル固定相が世界中で報告されている。特に光学活性高分子であるセルロースやアミロースのような多糖を化学的に修飾したエステル誘導体やカルバメート誘導体等は、キラル固定相として高い光学分割能を有し、これを用いたクロマトグラフィー用充填剤が広く知られている。これらの高分子化合物誘導体を用いたクロマトグラフィー用充填剤は、カラムへの充填率を高め、ハンドリングを容易にし、機械的強度を高める等の目的から、シリカゲル等の担体に担持させた状態で使用されている。

例えば特許文献１には、芳香族環を含むセルロース誘導体をシリカ等の担体に担持させたクロマトグラフィー用の充填剤が記載されている。また、特許文献２には、水酸基の８０〜１００％が置換された多糖のアルキル置換フェニルカルバメート誘導体をシリカ等の担体に担持させたクロマトグラフィー用充填剤が記載されている。さらに特許文献３には、多孔性シリカゲルからなる担体に光学活性な高分子を担持させた分離用吸着剤が記載されている。

しかし、上記従来の多糖誘導体等の高分子化合物を用いたクロマトグラフィー用充填剤では、高分子化合物誘導体を主に無機担体上に物理的な吸着によって担持させるという構成からなる。このようなクロマトグラフィー用充填剤では、多糖誘導体等の高分子化合物を溶解する溶媒を移動相として使用することができないという制限があった。また、無機担体上の表面に存在する高分子化合物しか光学分割に寄与しないため、光学異性体を一度に大量に分取する場合に難がある。

光学異性体を一度に大量に分取するのに適した光学異性体用分離剤とするために、例えば、光学異性体分離能を有する高分子化合物誘導体の無機担体への担持量を増加させる試みがなされ、そのような分離剤も開発されてきた（例えば特許文献４参照）。
しかし、無機担体上へ担持できる高分子化合物誘導体の量にも限界があり、光学異性体の大量分取に最適な分離剤について、更なる開発の余地があった。

一方、無機担体を使用せず、高分子化合物誘導体のみからなる光学異性体用分離剤も開発されてきた（例えば、特許文献５、６参照）。このような分離剤は、光学異性体の分離に寄与する部分のみから構成されているので、一度により大量の光学異性体を分取することが可能である。
しかし、かかる光学異性体用分離剤は有機化合物のみから構成されているため、その機械的強度が低く、高圧、高流速での使用が制限される。また、有機化合物が膨潤、収縮するため、分析の途中で使用溶媒を変えることができないという問題もある。
特開昭６０−１４２９３０号公報 特公平８−１３８４４号公報 特公平６−９１９５６号公報 国際公開第２００２／０３０８５３Ａ１号パンフレット 特許第３１８１３４９号公報 国際公開第２００４／０８６０２９Ａ１号パンフレット

本発明は、光学異性体用分離剤における光学異性体の分離に寄与する高分子化合物誘導体の割合を従来より大きくしつつ、かつ、機械的強度が高い光学異性体用分離剤の作製に用いる複合体を提供する。

課題の解決手段

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、本発明者は鋭意研究の結果、光学異性体用分離剤として用いることができる複合体を開発した。該複合体は、後述するようにケイ素などの元素と高分子化合物誘導体とが三次元架橋した構造を含むことで使用溶媒の制限がなくなり耐溶剤性に優れるだけでなく、光学異性体の分離に寄与する高分子化合物誘導体の割合を高くすることができ、また、該複合体を光学異性体用分離剤として用いた場合、機械的強度が高くなることを見出した。

本発明において、光学異性体の分離には、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が修飾されている高分子化合物誘導体と、後述する特定の化合物と、を反応させてなる複合体が用いられる。より具体的には、本発明は、上記水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が下記一般式（Ｉ）で表わされた化合物によって修飾されてなる高分子化合物誘導体と、下記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされた化合物の一種以上と、を反応させてなる複合体を提供する。

式中、Ａは水酸基又はアミノ基と反応する反応性基を示し、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基または置換基を有してもよいアリーレン基を示し、Ｙはシラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基を示し、Ｒは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。

（式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、またはクロム（Ｃｒ）を示し、Ａｌはアルミニウムを示し、Ｍｇはマグネシウムを示し、Ｒ¹は、水素または炭素数１〜１２のアルキルを示し、Ｒ²は、炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｐは１〜３の整数を示し、ｑは１または２の整数を示す。）

（式中、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立して炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基または置換基を有してもよいアリーレン基を示す。）

また本発明は、複合体の形態がビーズである、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物によって修飾されてなる高分子化合物誘導体と、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種以上と、を反応させてなる複合体を提供する。

また本発明は、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の内の一部が上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物によって修飾されてなる高分子化合物誘導体と、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種以上とが有機溶媒に溶解した溶液を作製する工程と、該溶液を界面活性剤水溶液又はプロトン供与性溶媒に攪拌しながら滴下する工程とを含む、複合体の製造方法を提供する。

さらに本発明は、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物によって修飾された高分子化合物誘導体と、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされた化合物の一種以上と、を反応させてなる複合体を含む光学異性体用分離剤を提供する。

[発明の効果]
本発明による、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾されてなる高分子化合物誘導体と、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされた化合物の一種以上と、を反応させてなる複合体は機能材料として極めて有用であり、特に光学異性体の分離に用いる分離剤の作製に有効に用いられる。
本発明の複合体では、光学異性体の分離に寄与する高分子化合物誘導体の割合が高いので、光学異性体の分離に用いる分離剤として用いた場合、一度に大量の光学異性体を分離することができる。
また、本発明の複合体は、該複合体中に三次元的に架橋している無機物を含むので、光学異性体の分離に用いる分離剤として用いた場合、機械的強度が高い。
また、本発明の複合体において、高分子化合物誘導体と三次元的に架橋している無機物とが化学的に結合しているので、高分子化合物誘導体を溶解するような溶媒を使用することも可能になり、耐溶剤性に優れる。
また、本発明の複合体は、該複合体中にアルコキシシリル基と反応する官能基を有する化合物を含むので、光学異性体の分離に用いる分離剤として用いた場合、膨潤・収縮が抑えられ、分析のみならず分取用途にも適している。

実施例１〜３、５及び９のそれぞれで得られた高分子化合物誘導体（セルロース誘導体）の構造を示す図である。 実施例で得られたビーズの走査型電子顕微鏡による二次電子像（写真）である。 ＳＦＣで使用する前と後の実施例のビーズの走査型電子顕微鏡による二次電子像（写真）である。 実施例及び比較例で光学分割される化合物の構造式を示す図である。構造式下部に記載の数値は表１に記載のラセミ体の種類を示す数値に対応する。 実施例１で得られたカラムを用いてワルファリン（１１）を光学分割した結果を示す図である。 実施例１で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ₆におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート（誘導体−Ａ）の¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 実施例２で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ₆におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート（誘導体−Ｂ）の¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 実施例３で得られた、８０℃、ＤＭＳＯ−ｄ₆におけるアルコキシシリル基を含有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート（誘導体−Ｃ）の¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 実施例７で得られた高分子化合物誘導体（アミロース誘導体）の構造を示す図である。

＜１＞本発明の複合体の作製に用いられる高分子化合物誘導体
本発明に用いる高分子化合物誘導体は、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部が、下記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾されてなる。

式中、Ａは水酸基又はアミノ基と反応する反応性基を示し、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基または置換基を有してもよいアリーレン基を示し、Ｙはシラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基を示し、Ｒは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。

本発明に用いる高分子化合物誘導体の製造に用いられる上記高分子化合物としては、光学活性な有機高分子化合物であることが好ましく、多糖であることがより好ましい。本発明で用いる多糖としては、天然多糖類、合成多糖類及び天然物変性多糖類のいずれも問わず、キラリティーを有するものであれば好ましく用いることができる。そのなかでも結合様式が規則正しいものは、より光学異性体の分離能力を高めることが可能となり、好適である。

上記多糖として、β−１，４−グルカン（セルロース）、α−１，４−グルカン（アミロース、アミロペクチン）、α−１，６−グルカン（デキストラン）、β−１，６−グルカン（プスツラン）、β−１，３−グルカン（カードラン、シゾフィラン）、α−１，３−グルカン、β−１，２−グルカン（Ｃｒｏｗｎ Ｇａｌｌ多糖）、β−１，４−ガラクタン、β−１，４−マンナン、α−１，６−マンナン、β−１，２−フラクタン（イヌリン）、β−２，６−フラクタン（レバン）、β−１，４−キシラン、β−１，３−キシラン、β−１，４−キトサン、β−１，４−Ｎ−アセチルキトサン（キチン）、プルラン、アガロース、アルギン酸、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン等が例示でき、アミロースを含有する澱粉等も含まれる。
この中で、好ましいものは、高純度の多糖を容易に得ることのできるセルロース、アミロース、β−１，４−キトサン、キチン、β−１，４−マンナン、β−１，４−キシラン、イヌリン、カードランなどであり、さらに好ましくは、セルロース、アミロースである。

多糖の数平均重合度（１分子中に含まれるピラノースあるいはフラノース環の平均数）は、好ましくは５以上、より好ましくは１０以上であり、特に上限はないが、１０００以下であることが取り扱いの容易さの点で好ましく、より好ましくは５〜１０００、更に好ましくは１０〜１０００、特に好ましくは１０〜５００である。

本発明において、高分子化合物誘導体とは、水酸基またはアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基が修飾されている高分子化合物を意味する。高分子化合物誘導体の製造に原料として用いられる高分子化合物が多糖である場合には、上記高分子化合物誘導体は多糖誘導体である。

上記一般式（Ｉ）において、Ａは水酸基又はアミノ基と反応する反応性基であり、クロロカルボニル基、カルボキシル基、イソシアナート基、グリシジル基又はチオシアナート基等が好ましい。Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても、ヘテロ原子が導入されていてもよいアルキレン基又は置換基を有してもよいアリーレン基であり、アリーレン基が有してもよい置換基として、例えば、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数１〜１２のアルキルチオ、シアノ、ハロゲン、炭素数１〜８のアシル、炭素数１〜８のアシルオキシ、ヒドロキシ、炭素数１〜１２のアルコキシカルボニル、ニトロ、アミノ、及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノ基等が挙げられる。Ｘの具体例として、炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基が好ましく例示でき、特に、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が好ましい。また、Ｙは、シラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基であり、炭素数１〜１２のアルコキシ基、又はハロゲン等であることが好ましく、特にメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等であることが好ましい。Ｒは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、アリール基が有してもよい置換基として、例えば、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数１〜１２のアルキルチオ、シアノ、ハロゲン、炭素数１〜８のアシル、炭素数１〜８のアシルオキシ、ヒドロキシ、炭素数１〜１２のアルコキシカルボニル、ニトロ、アミノ、及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノ基等が挙げられる。ｎは１〜３の整数である。

上記一般式（Ｉ）で表された化合物としては、３−イソシアナートプロピルトリエトシキシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルジエトキシメチルシラン、２−イソシアナートエチルトリエトキシシラン、４−イソシアナートフェニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン又は３−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン等が例示でき、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシランが好ましい。

上記高分子化合物誘導体において、上記一般式（Ｉ）で表された化合物は上記水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部に導入される。
上記一般式（Ｉ）で表された化合物の上記水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基への導入位置は、特に限定されない。
また、上記「一部」とは、上記一般式（Ｉ）で表された化合物の、水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基への導入率として表すことが可能である。該導入率は、１．０〜３５％が好ましく、１．５〜２０％がより好ましく、２．０〜１０％が特に好ましい。この理由については、上記一般式（Ｉ）で表された化合物の導入率が１．０％よりも小さいと高分子化合物誘導体及びビーズの収率が低下するために好ましくなく、３５％を超えると光学分割能が低下するためである。

また、上記導入率（％）は以下のように定義される。すなわち、上記高分子化合物誘導体の製造に用いられる高分子化合物が水酸基のみを有する場合には、該高分子化合物の総水酸基数に対する上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾された水酸基数の比率に１００を乗じた数値であり、上記高分子化合物がアミノ基のみを有する場合には総アミノ基数に対する上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾されたアミノ基数の比率に１００を乗じた数値であり、上記高分子化合物が水酸基とアミノ基を有する場合には総水酸基数と総アミノ基数の合計に対する水酸基又はアミノ基を修飾する化合物で修飾された水酸基数とアミノ基数の合計の比率に１００を乗じた数値を導入率とする。また、本発明では、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物以外の化合物の導入率についても、上記と同様の定義が適用される。

上記高分子化合物誘導体は、上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基又はアミノ基以外の水酸基又はアミノ基の少なくとも一部が、更に、光学異性体に作用する官能基を有する化合物で修飾されていることが好ましい。
上記官能基は、分離対象の光学異性体を含有する試料中の光学異性体に作用する官能基である。光学異性体に対する官能基の作用は、分離対象の光学異性体の種類に応じて官能基の種類が異なるので一概には言えないが、上記高分子化合物誘導体による上記光学異性体の光学分割を行うのに十分な程度の作用であれば特に限定されない。上記官能基としては、置換基を有していても良い芳香族基を含む基や、環状構造を有する脂肪族基等が挙げられる。上記芳香族基は、複素環や縮合環を含むことも可能である。上記芳香族基が有していても良い置換基としては、例えば炭素数８程度までのアルキル基、ハロゲン、アミノ基、アルコキシル基等が挙げられる。上記官能基は、分離対象の上記光学異性体の種類に応じて選択される。

また、光学異性体に作用する官能基を有する化合物は、上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾された水酸基又はアミノ基以外の水酸基又はアミノ基の少なくとも一部に、水酸基の場合は、ウレタン結合、エステル結合又はエーテル結合を介して、アミノ基の場合は尿素結合又はアミド結合を介して導入されていることが好ましい。特に、水酸基はウレタン結合、アミノ基は尿素結合を介して導入されていることが好ましい。従って、上記光学異性体に作用する官能基を有する化合物は、上記高分子化合物の水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基をも有する化合物である。上記水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基を有する化合物としては、イソシアン酸誘導体、カルボン酸、酸ハライド、アルコール或いはその他反応性を有する化合物であれば、如何なるものでもよい。

尚、上記官能基を有する化合物の導入率や高分子化合物における導入位置は特に限定されず、官能基の種類や高分子化合物の種類等に応じて適宜選択される。

上記光学異性体に作用する官能基を有する化合物が、下記一般式（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表わされた原子団を含む化合物であることが特に好ましい。

式中、Ｒ’はヘテロ原子を含んでもよい脂肪族又は芳香族炭化水素基であり、非置換であっても、又は炭素数１〜１２のヘテロ原子を含んでもよい炭化水素、シアノ、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、アミノ及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノ基からなる群から選ばれた１つ以上の基によって置換されていてもよい。

上記Ｒ’で示される１価の芳香族炭化水素基を例示するならば、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラシル、インデニル、インダニル、フリル、チオニル、ピリル、ベンゾフリル、ベンズチオニル、インジル、ピリジル、ピリミジル、キノリニル及びイソキノリニル等の基が挙げられる。またＲ’で示される１価の芳香族炭化水素基の置換基としては、例えば炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数１〜１２のアルキルチオ、シアノ、ハロゲン、炭素数１〜８のアシル、炭素数１〜８のアシルオキシ、ヒドロキシ、炭素数１〜１２のアルコキシカルボニル、ニトロ、アミノ及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノなどの基が挙げられる。また、上記Ｒ’で示される脂肪族炭化水素基としては、３員環よりも大きな、より好ましくは５員環よりも大きな脂肪族環状化合物又は橋架け構造を有した脂肪族環状化合物が望ましい。その中でも好ましいのは、シクロヘキシ、シクロペンチル、ノルボルニルまたはシクロアダマンチルペンチル等の基が挙げられる。

本発明では、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾されている水酸基以外の水酸基又はアミノ基が、フェニルイソシアナート、トルイルイソシアナート、ナフチルエチルイソシアナート、３，５−ジメチルフェニルイソシアナート 、３，５−ジクロロフェニルイソシアナート、４−クロロフェニルイソシアナート、３，５−ジニトロフェニルイソシアナート、１−フェニルエチルイソシアナート、安息香酸または安息香酸ハライド、４−メチルフェニルカルボン酸（ハライド）、を含む群から選択される１種以上で修飾されていることが好ましく、３，５−ジメチルフェニルイソシアナートで修飾されていることが特に好ましい。

本発明の高分子化合物誘導体において、上記一般式（Ｉ）で表された化合物の導入率と上記官能基を有する化合物の導入率との合計は、９０〜１００％が好ましく、９７〜１００％がより好ましく、１００％が特に好ましい。

＜２＞本発明に用いる高分子化合物誘導体の製造方法
本発明の複合体の作製に用いられる高分子化合物誘導体は、次のようにして製造することができる。すなわち、本発明に用いる高分子化合物誘導体の第一の製造方法は、少なくとも、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物を、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物以外の化合物で水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基を修飾する第１修飾工程と、
上記第１修飾工程において、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物以外の化合物で修飾されていない上記高分子化合物の水酸基又はアミノ基を上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾する第２修飾工程とを含む。
上記第１修飾工程及び第２修飾工程は、第１修飾工程、第２修飾工程の順番に実施することが、上記一般式（Ｉ）で表された化合物を、上記高分子化合物に効率的かつ制御的に導入するために好ましい。

尚、上記製造方法は、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物を得るために、該高分子化合物の溶解工程を更に含んでも良い。上記溶解工程では、高分子化合物を溶解させるために公知の方法を用いることができ、溶媒等に難溶な高分子化合物を溶解させる場合には、高分子化合物を膨潤する膨潤工程を含むことが好ましい。また、溶解された高分子化合物が市販されている場合には、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物を購入して用いても良い。

上記膨潤工程で高分子化合物（例えば多糖）を膨潤させる溶媒としてはアミド系溶媒が好ましく用いられ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド／塩化リチウム、Ｎ-メチル−２−ピロリドン／塩化リチウム又は１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン／塩化リチウム等の混合溶液が例示でき、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド／塩化リチウム混合溶液が特に好ましく用いられる。

上記溶解工程は、窒素雰囲気下で実施することが好ましい。また、上記高分子が多糖である場合、その溶解化条件としては、２０〜１００℃、１〜２４時間が例示できるが、当業者であれば用いる高分子化合物によって該条件は適宜調整することができる。

上記第１修飾工程は、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基を、少なくとも光学異性体に作用する官能基と水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基とを有する化合物で修飾する工程である。この修飾は、公知の方法を用いることが可能である。特に、高分子化合物の水酸基又はアミノ基の６０〜１００モル％相当量の光学異性体に作用する官能基を有する化合物を用いて、ジメチルアセトアミド／塩化リチウム／ピリジン混合溶液中で、８０〜１００℃、１〜２４時間、窒素雰囲気下で、高分子化合物の水酸基又はアミノ基の修飾を行うことが官能基の導入率を制御する点から好ましい。特に、反応温度と反応時間、光学異性体に作用する官能基を有する化合物の添加量は上記官能基の導入率を調整する上で重要である。
なお、本発明における高分子化合物誘導体における、少なくとも光学異性体に作用する官能基と水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基とを有する化合物の導入位置は、特に限定されるものではない。

上記第２修飾工程は、上記第１修飾工程において、少なくとも光学異性体に作用する官能基と水酸基又はアミノ基と反応し得る官能基とを有する化合物で水酸基又はアミノ基が修飾されていない高分子化合物の水酸基又はアミノ基を上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾する工程である。この修飾は、公知の方法を用いることが可能である。特に、高分子化合物の修飾前の水酸基又はアミノ基の１〜１０モル％相当量の上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物を用いて、ジメチルアセトアミド／塩化リチウム／ピリジン混合溶媒中で、８０〜１００℃、１〜２４時間、窒素雰囲気下で修飾を行うことが、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の導入率を制御する点から好ましい。このうち、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の添加量は、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の導入率を制御する点から特に重要である。
なお、本発明における高分子化合物誘導体における、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の導入位置は、特に限定されるものではない。上記、第２修飾工程終了時に未反応の水酸基又はアミノ基が存在する場合は、第１修飾工程で使用した官能基を有する化合物と反応させる。

また、本発明に用いられる高分子化合物誘導体の製造方法は、少なくとも、溶解された水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物の水酸基又はアミノ基の一部に保護基を導入する保護基導入工程と、該保護基が導入された高分子化合物に残存する水酸基又はアミノ基を、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物以外の化合物で修飾する第１修飾工程と、導入された保護基を脱離させて水酸基を再生させる脱離工程と、再生された該水酸基又はアミノ基を上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾する第２修飾工程とを含む方法であってもよい。上記保護基導入工程及び脱離工程を含む製造方法では、高分子化合物の水酸基又はアミノ基の特定の位置を上記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾することが可能である。

上記保護基導入工程及び脱離工程を含む製造方法では、保護基導入工程において導入される保護基は、修飾工程において水酸基又はアミノ基を修飾する化合物よりも容易に水酸基又はアミノ基から脱離させることが可能な基であれば特に限定されない。保護基を導入するための化合物は、保護や修飾の対象となる水酸基又はアミノ基の反応性や前記化合物の水酸基又はアミノ基に対する反応性に基づいて決定することができ、例えばトリフェニルメチル基（トリチル基）、ジフェニルメチル基、トシル基、メシル基、トリメチルシリル基、ジメチル（ｔ−ブチル）シリル基等を有する化合物であり、好適には、トリチル基、トリメチルシリル基を有する化合物が用いられる。
水酸基又はアミノ基への保護基の導入、修飾する化合物による水酸基又はアミノ基の修飾は、水酸基又はアミノ基と反応させる化合物の種類に応じた公知の適当な反応によって行うことができる。また脱離工程における前記保護基の水酸基又はアミノ基からの脱離は、特に限定されず、例えば酸やアルカリによる加水分解等の公知の方法によって行うことができる。

上記第一の製造方法によれば、保護基をわざわざ導入する必要がなく、工程数を減らすことができる。このため、製造コストの低廉化を図ることができる。また、上記第二の製造工程によれば、高分子化合物の所定の水酸基の位置に、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物を確実に導入することが可能となる。

なお、本発明の上記第一の製造方法を用いると、第１修飾工程において上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物以外の化合物により修飾されていない高分子化合物誘導体の水酸基又はアミノ基の所定量を、第２修飾工程において上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物により修飾できる。従って、上記式（Ｉ）で表された化合物の水酸基又はアミノ基を有する高分子化合物への導入率は、第２修飾工程において上記一般式（Ｉ）で表された化合物の量を調整することで制御が可能である。

本発明の高分子化合物誘導体において、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の導入率を求める際には、¹Ｈ ＮＭＲを用いる以下の２つの方法が好ましく用いられる。反応が完結している場合には、各方法により求めた上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の導入率は一致した値を示す。本発明では下記（２）の方法を用いた。
（１）上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物を導入する前の高分子化合物誘導体の元素分析値から、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物以外の化合物の高分子化合物誘導体における導入率を求める。その後、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物を導入した高分子化合物誘導体の上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物以外の化合物の官能基のプロトンと、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物のケイ素に直接結合している官能基のプロトンの比から、高分子化合物誘導体におけるシリル基の導入率を算出し、これを高分子化合物誘導体における上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の導入率とする。
（２）修飾工程の終了後、本発明の高分子化合物誘導体の水酸基又はアミノ基が修飾基により完全に修飾されていると仮定して、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物以外の化合物の官能基のプロトンと、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物のケイ素に直接結合している官能基のプロトンの比を求め、高分子化合物誘導体における上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物の導入率を計算する。

＜３＞
（１）一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物
本発明に用いられる下記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物は、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物のＹの基と反応可能なものであって、本発明の複合体の作製に用い得るものであれば特段の限定なく使用できる。

（式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、またはクロム（Ｃｒ）を示し、Ａｌはアルミニウムを示し、Ｍｇはマグネシウムを示し、Ｒ¹は、水素または炭素数１〜１２のアルキルを示し、Ｒ²は、炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｐは１〜３の整数を示し、ｑは１または２の整数を示す。）

上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物は、一種を単独で用いてもよいし、複数種を組み合わせて用いることもでき、上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物の一種以上を用いることが好ましく例示できる。
上記一般式（ＩＩ）において、Ｍはケイ素（Ｓｉ）が好ましく、Ｒ¹は炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。また、Ｒ²のアリール基が有してもよい置換基には、例えば、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数１〜１２のアルキルチオ、シアノ、ハロゲン、炭素数１〜８のアシル、炭素数１〜８のアシルオキシ、ヒドロキシ、炭素数１〜１２のアルコキシカルボニル、ニトロ、アミノ、及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノ基等が挙げられる。Ｒ²はメチル基またはフェニル基が好ましく、ｎは３または４が好ましい。

上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物の具体例としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトライソブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、テトラペンチルオキシシラン、テトラヘキシルオキシシラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシフェニルシラン等が挙げられ、これらの中で、テトラエトキシシランが特に好ましく挙げられる。
本発明の複合体の作製時に用いる上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物の量については、後述するように複合体中の有機物の含有量が好適なものとなるように、適宜調節して用いることができる。

（２）一般式（Ｖ）で表わされた化合物
本発明に用いられる下記一般式（Ｖ）で表わされた化合物は、上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物のＹの基と反応可能なものであって、本発明の複合体の作製に用い得るものであれば特段の限定なく使用できる。

（式中、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立して炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有しても良いアルキレン基または置換基を有してもよいアリーレン基を示す。）
上記Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のアリール基及びＸのアルキレン基またはアリーレン基が有してもよい置換基には、例えば、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数１〜１２のアルキルチオ、シアノ、ハロゲン、炭素数１〜８のアシル、炭素数１〜８のアシルオキシ、ヒドロキシ、炭素数１〜１２のアルコキシカルボニル、ニトロ、アミノ、及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノ基等が挙げられる。

上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物には、例えば、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，１−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，１−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）プロパン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）プロパン、２，２−ビス（トリメトキシシリル）プロパン、２，２−ビス（トリエトキシシリル）プロパン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビストリエトキシシリルエタン等が上げられ、１，２−ビストリエトキシシリルエタンを用いることが特に好ましい。

上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物は、一種を単独で用いてもよいし、複数種を組み合わせて用いることもできる。
本発明の複合体の作製時に用いる上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物の量については、後述するように複合体中の有機物の含有量が好適なものとなるように、適宜調節して用いることができる。

後述する本発明の複合体の製造において、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされた化合物は、それぞれ単独で用いてもよく、組み合わせて用いることもできる。特に好ましい組み合わせとして、上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物の一種以上と、上記一般式（Ｖ）表わされた化合物の一種以上の組み合わせが挙げられる。本発明の複合体の製造において、上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物の一種以上と上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物の一種以上とを組み合わせて用いる場合には、モル比が、上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物の一種以上：上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物の一種以上＝０．１〜１０：１となるように組み合わせることが好ましく、０．２〜５：１となるように組み合わせることが特に好ましい。
上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物の一種以上と上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物の一種以上とを組み合わせて用いる場合における、これらの化合物の総量は、後述するように複合体中の有機物の含有量が好適なものとなるように、適宜調節して用いることができる。

＜４＞本発明の複合体
本発明の複合体は、上記高分子化合物誘導体と、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種以上と、を反応させてなる。本発明の複合体における上記高分子化合物誘導体の含有量は、光学異性体の分離能力の観点から、複合体全量に対して１０〜９０重量％が好ましく、２０〜８０重量％がより好ましく、３０〜７０重量％が特に好ましい。

ここで、本発明の複合体における上記高分子化合物誘導体の含有量は、下記に示すように、熱重量分析により、複合体を８００℃まで加熱したときの重量減少分を有機物の重量と考え、その重量から複合体の有機物の含有量を求め、その値を用いて見積もることができる。具体的には、本発明の複合体における高分子化合物誘導体の含有量（重量％）は以下の式を用いて求めることができる。なお、本発明の複合体における高分子化合物誘導体の含有量は、上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物を単独で用いる場合には、下記式で示されるとおり、本発明で用いる上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物に由来する有機物の含有量（重量％）（下記実施例４参照）を考慮して算出される。
［数１］
高分子化合物誘導体の含有量（重量％）＝ Ａ−Ｂ（１００−Ａ）／（１００−Ｂ）
上記Ａは、複合体における有機物の含有量（重量％）を示し、上記Ｂは、複合体の作製に用いた上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物に由来する有機物の含有量（重量％）を示す。

また、本発明の複合体における高分子化合物誘導体の含有量は、上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物を単独で用いる場合には、下記式で示されるとおり、下記実施例４に記載の方法と同じ方法を用いて算出される上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物に由来する有機物の含有量（重量％）を考慮して算出される。
［数２］
高分子化合物誘導体の含有量（重量％）＝ Ａ−Ｃ（１００−Ａ）／（１００−Ｃ）
上記Ａは、複合体における有機物の含有量（重量％）を示し、上記Ｃは、複合体の作製に用いた上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物に由来する有機物の含有量（重量％）を示す。

また、本発明の複合体における高分子化合物誘導体の含有量は、例えば上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物の一種と上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物の一種とを組み合わせて用いる場合には、下記式で示されるとおり、上述した上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物と上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物に由来する有機物の含有量（重量％）をそれぞれ考慮して算出される。
［数３］
高分子化合物誘導体の含有量（重量％）＝ Ａ−｛Ｂ［ａ／（ａ＋ｂ）］＋Ｃ［ｂ／（ａ＋ｂ）］｝（１００−Ａ）／〔１００−｛Ｂ［ａ／（ａ＋ｂ）］＋Ｃ［ｂ／（ａ＋ｂ）］｝〕
上記Ａは、複合体における有機物の含有量（重量％）を示し、上記Ｂは、複合体の作製に用いた上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物に由来する有機物の含有量（重量％）を示し、上記Ｃは、複合体の作製に用いた上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物に由来する有機物の含有量（重量％）を示し、ａ及びｂは、それぞれ、複合体の作製時に混合される上記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物と上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物のモル比を示す。
なお、上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表わされた化合物と上記一般式（Ｖ）で表わされた化合物をそれぞれ二種以上用いる場合でも、各化合物に由来する有機物の含有量を同様の方法で算出し、各化合物のモル比を用いて上記と同様の計算方法により、複合体における有機物の含有量を算出することができる。

本発明の複合体の形態としては例えば粉砕状のもの等が考えられるが、具体的には後述するようにビーズとすることが好ましい。本発明の複合体の形態がビーズである場合には、そのまま光学異性体用分離剤として用いることが可能である。本発明でいう複合体は、上記のように上記高分子化合物誘導体と、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種以上とを反応させてなるものである。該複合体ではその形成時に、上記高分子化合物誘導体に導入されたＹの基と上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種以上とが反応する。この反応により、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種以上の一部と上記高分子化合物誘導体の一部とが結合し、さらに、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種以上の化合物同士が結合することにより、該複合体において、Ｍ−Ｏ結合の繰り返し単位（Ｍは上記一般式（ＩＩ）の説明で示したものと同じものを示し、Ｏは酸素を示す）、Ａｌ−Ｏ結合の繰り返し単位、Ｍｇ−Ｏ結合の繰り返し単位、及び／またはＳｉ−Ｘ−Ｓｉ−Ｏ（Ｘは上記一般式（Ｖ）の説明で示したものと同じもの）が形成され、これらが三次元的に架橋した構造を有するものができると考えられる。
本発明の複合体は、例えば、上記高分子化合物誘導体と、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表される化合物の一種以上とを、あらかじめ酸と混合し部分架橋を行い、これらを界面活性剤水溶液に滴下することによって作製することができる。

なお、本願発明では、上記界面活性剤として、アニオン系界面活性剤またはカチオン系界面活性剤を用いることができる。これらの界面活性剤は、上記界面活性剤水溶液における界面活性剤の濃度がアニオン系界面活性剤を用いる場合には、０．０２〜２重量％となるように水に添加されることが好ましく、０．０４〜１重量％となるように水に添加されることが特に好ましい。カチオン系界面活性剤を用いる場合についても、０．０２〜２重量％となるように水に添加されることが好ましく、０．０４〜１重量％となるように水に添加されることが特に好ましい。

上記アニオン系界面活性剤としては、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム、アリールアルキルポリエーテルスルホン酸ナトリウム、３，３−ジスルホンジフェニル尿素−４，４−ジアゾ−ビス−アミノ−８−ナフトール−６−スルホン酸ナトリウム、オルト−カルボキシベンゼン−アゾ−ジメチルアニリン、２，２，５，５−テトラメチル−トリフェニルメタン−４，４−ジアゾ−ビス−β−ナフトール−６−スルホン酸ナトリウム、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウム、テトラデシル硫酸ナトリウム、ペンタデシル硫酸ナトリウム、オクチル硫酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム、ドデカン酸ナトリウム、カプリン酸ナトリウム、カプリル酸ナトリウム、カプロン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、オレイン酸カルシウム等などが挙げられ、この中でもドデシル硫酸ナトリウムを用いることが好ましい。

上記カチオン界面活性剤としては、例えば、塩化アルキルベンゼンジメチルアンモニウム、塩化アルキルトリメチルアンモニウム、塩化ジステアリルアンモニウムなどが挙げられ、この中でもアルキル基の炭素数が１２〜１８の塩化アルキルトリメチルアンモニウムを用いることが好ましい。

＜５＞本発明のビーズ
本発明は、上記高分子化合物誘導体と上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表された化合物の一種以上とを反応させてなる複合体の具体的な一つの形態としてビーズを提供する。本発明におけるビーズとは、ほぼ球状又は球状の形状の粒子であり、例えば２０個程度の粒子の最長直径と最短直径とを測定したときに、最長直径と最短直径との比の平均値が１．０〜５．０、好ましくは１．０〜２．０、より好ましくは１．０〜１．３となる形状を有する。本発明において、ビーズの粒子形状や粒径は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影された画像から求めることが可能である。
なお、以下の記載において、本願発明で得られるビーズのことを「ハイブリッドビーズ」と称することもある。
上記本発明によるビーズは、有機溶媒に溶解している上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾された多糖誘導体等の高分子化合物誘導体と、上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表された化合物の一種以上とを、充分に攪拌している界面活性剤水溶液やメタノール等のプロトン供与性溶媒を含む溶媒に徐々に加えて架橋反応を起こさせて、不溶部を単離して得られる。ここで用いられる有機溶媒は、多糖誘導体等の高分子化合物誘導体と上記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表された化合物の一種以上とが溶解するものであればいかなるものであってもよいが、特に疎水性のものが好ましい。また、親水性のものであっても、疎水性の溶媒と混合して使用することが可能である。

このような有機溶媒として、疎水性の溶媒として１−ヘプタノールが含まれ、親水性の溶媒としてテトラヒドロフランが含まれている態様が好ましく例示できる。上記有機溶媒にテトラヒドロフランと１−ヘプタノールが含まれる場合には、体積比が、テトラヒドロフラン：１−ヘプタノール＝０．１〜１０：１であることが、本発明のビーズの形状や有機物の含有量を調整する観点から好ましく、体積比がテトラヒドロフラン：１−ヘプタノール＝４：１であることが特に好ましい。
また、プロトン供与性溶媒としては、例えば、エタノール、１-プロパノール、２-プロパノール、１-ブチルアルコール、２-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、シクロヘキサノール、メタノール等が挙げられる。

また、上記した操作に加え、ビーズの耐溶剤性と機械的強度を高め、光学異性体の分離能を保つ観点から、得られたビーズを乾燥させ、適当な溶媒中に分散させてビーズ内での架橋反応を行わせる操作を行った後、あるいは、このような架橋反応を行わずに適当な溶媒とシランカップリング剤を用いてビーズに残存するシラノール基をエンドキャップする操作をさらに行ってもよい。

本発明におけるビーズの粒径は、通常１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは５〜１００μｍである。このような粒径の範囲であれば、カラム等に充填したときの充填率を高めることができ、ひいては、光学異性体の分離能力を高いものとすることができる。また、本願におけるビーズは多孔性、無孔性を問わないが好ましくは多孔性のものであり、平均細孔径は１０〜１００００Å、好ましくは５０〜５０００Åである。このような平均細孔径の範囲であれば、光学異性体を含む溶液が細孔内に充分に浸透し、光学異性体の分離能力を高めることができ、好ましい。

上記記載の方法により得られるビーズの粒径は、上記記載の方法において、有機溶媒と界面活性剤水溶液又はプロトン供与性溶媒を含む溶媒の量の比率、多糖誘導体等の高分子化合物誘導体の濃度、有機溶媒の界面活性剤水溶液又はプロトン供与性溶媒を含む溶媒への添加速度を調整したり、攪拌容器の容量及び形状、攪拌羽根の形状を考慮し、攪拌速度を例えば８００〜３０００ｒｐｍの範囲で適宜変えることより調整することができる。

本発明のビーズは、ＨＰＬＣ用に限られるものではなく、超臨界流体クロマトグラフィー等の耐高圧性を要する光学異性体用分離剤としても用いることができる。本発明の複合体をビーズとして用いた場合は、上述のとおり、その形成時に架橋反応が起こり、ビーズの内部に三次元架橋した構造が存在すると考えられ、このことから、機械的強度が向上している。また、該ビーズを公知の方法により光学異性体用分離剤として充填した光学異性体分離カラムでは、上述したように、当該ビーズに含有される上記高分子化合物誘導体の含有量が従来に比べて大きいため、一度に光学分割できる量も多くなる。そのため、該光学異性体分離カラムは光学異性体の分取能力に優れている。

また、上記の通りビーズの架橋反応は、ビーズの形成と同時に起こっており、ビーズ形成後に架橋反応を起こさせなくてもよいので、製造工程が大幅に短縮されている。上述のとおり、必要に応じて、ビーズ調製後にビーズを適切に処理することで、高分子化合物誘導体に導入された上記一般式（Ｉ）で表わされた化合物中の未反応のＹ同士の架橋反応を促進させ、耐溶剤性と機械的強度をさらに高めることも可能である。

＜６＞本発明の複合体からなる光学異性体用分離剤
本発明の複合体は、上述の操作を経ることによりビーズとして作製されることが好ましく、これを光学異性体用分離剤として用いることができる。上記ビーズをＨＰＬＣや超臨界流体クロマトグラフィーの光学異性体用分離剤として用いる場合には公知の方法（例えばスラリー法など）によりカラムに充填して用いることができる。

本発明の複合体をビーズとして作製し、これを用いた光学異性体用分離剤は、上述したＨＰＬＣや超臨界流体クロマトグラフィーに加え、ガスクロマトグラフィー、電気泳動用、特にキャピラリーエレクトロクロマトグラフィー用（ＣＥＣ用）、ＣＺＥ（キャピラリーゾーン電気泳動）法、ＭＥＫＣ（ミセル動電クロマト）法のキャピラリーカラムの充填剤としても使用することができる。
以下、本発明を具体化した実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
（１−１）アルコキシシリル基を有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース４．００ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１２０ｍｌ、脱水ピリジン６０ｍｌ、塩化リチウム８．００ｇの混合溶液に溶解させた。
得られた溶解物に３，５−ジメチルフェニルイソシアナート９．０８ｇ(６１．８ｍｍｏｌ)を加え８０℃で１５時間反応させた後、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン０．５２ｇ(２．１ｍｍｏｌ)を加え、８０℃で１２時間反応させ、さらに３，５−ジメチルフェニルイソシアナート９．０８ｇ（６１．８ｍｍｏｌ）を加え８０℃で１１時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ａ、１３．１３ｇを得た。下記に記載の分析により、３，５−ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率がそれぞれ９７．７％、２．３％であることを確認した（図６参照）。

（１−２）セルロース誘導体における３−イソシアナートプロピルトリエトキシシランの導入率の測定
¹Ｈ ＮＭＲスペクトル（４００ ＭＨｚ、Ｇｅｍｉｎｉ−２０００（Ｖａｒｉａｎ社製）、ＤＭＳＯ-ｄ₆中、８０℃）から求めた、シリル基を導入したセルロース誘導体の３，５−ジメチルフェニル基のフェニル基のプロトンと、３−トリエトキシシリルプロピル基のケイ素に直接結合しているメチレンプロトンの比から、高分子化合物誘導体におけるシリル基の導入率を算出し、これを高分子化合物誘導体における３−イソシアナートプロピルトリエトキシシランの導入率とした。図６に当該誘導体−Ａの¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す。該¹Ｈ ＮＭＲスペクトルから、フェニル基のプロトン由来のシグナルが６．０〜７．０ｐｐｍ付近に、シリル基に結合したメチレンのプロトン由来のシグナルが０．５ｐｐｍ付近に出ていることが分かる。¹Ｈ ＮＭＲの結果から、３，５−ジメチルフェニルイソシアナートと３−イソシアナートプロピルトリエトキシシランの導入率がそれぞれ９７．７％、２．３％であることが確認された。

（１−３）セルロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ａ ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）４ｍｌ、水１ｍｌ及びクロロトリメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（4／１、ｖ／ｖ）混合溶媒３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱したあと、８０℃の水浴で加熱した０．２％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで攪拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で一時間撹拌をおこない、得られた懸濁液を２０μｍのフィルターに通し粒子径の大きいビーズを除いた。フィルターを通した後の懸濁液を吸引ろ過することによりハイブリッドビーズを回収し、水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズ３６８ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径１０μｍ程度のハイブリッドビーズ−Ａ−１を回収した。得られたハイブリッドビーズ−Ａ−１の熱重量分析（ＳＳＣ−５２００、セイコー電子工業）を行ったところ、有機物の割合が４５重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。
乾燥させたハイブリッドビーズＡ−１、２．１ｇをエタノール／水／クロロトリメチルシラン（２１ｍｌ／５．２５ｍｌ／０．３５ｍｌ）に分散させ、１００℃のオイルバスで還流しながら１時間反応を行いビーズ内の架橋を行った。このようにして得られたハイブリッドビーズＡ−２、２．０ｇをトルエン／ピリジン／クロロトリメチルシラン／ヘキサメチルジシラザン（１６．７ｍｌ／１６．７ｍｌ／０．３１ｍｌ／０．６４ｍｌ）に分散させ、８０℃のオイルバスで３０分間反応を行い残されたシラノール基をエンドキャップした。得られたハイブリッドビーズＡ−３を１．９５ｇアセトンで洗浄したところ、セルロース誘導体が２８ｍｇ溶け出したが、有機物の割合は４５重量％のままであった（熱重量分析により確認）。アセトンで洗浄後のビーズをハイブリッドビーズＡ−４とする。得られたビーズについて走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（ＪＳＭ−５６００、ＪＥＯＬ社製）による観察を行った結果、アセトンに含浸処理後でもビーズの大きさや表面の状態に変化が見られないことがわかった。ハイブリッドビーズＡ−４のアセトンで洗浄前後のＳＥＭ画像を図２に示す。

（１−４）カラムへの充填
得られたハイブリッドビーズＡ−４を粒径分別後、長さ２５ｃｍ、内径０．２ｃｍのステンレス−スチール製のカラムにスラリー法により充填しカラム−１を得た。
カラム−１の理論段数（Ｎ）はＮ＝８５０であった。

（１−５）ＨＰＬＣを用いた光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラム−１（カラム温度：約２０℃）を用いて、図４に記載の１０種類のラセミ体（１〜１０）の光学分割を行った。ＨＰＬＣは製品名ＰＵ−９８０、日本分光社製のものを用いた。溶離液にはヘキサン／２−プロパノール（９０／１０、ｖ／ｖ）を用いて、流速は０．２ｍｌ／ｍｉｎとし、ＵＶ検出器（波長：２５４ｎｍ、製品名：ＵＶ−９７０、日本分光社製）と旋光検出器（製品名：ＯＲ−９９０、日本分光社製）を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Ｎはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ₀は１，３，５−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。なお、光学分割能の評価に用いたＨＰＬＣ及び検出器等の条件については、下記の実施例及び比較例においても上記と同じ条件を用いた。
カラム−１の光学分割結果を表１に示す。表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。
なお、容量比ｋ１'、分離係数αは下式で定義される。以下の実施例及び比較例においても同じ式を用いて容量比及び分離係数を算出した。
［数４］
容量比ｋ１'
ｋ１'＝［（対掌体の保持時間）−（ｔ₀）］／ｔ₀
［数５］
分離係数α
α＝（より強く保持される対掌体の容量比）／（より弱く保持される対掌体の容量比）

（１−６）超臨界流体クロマトグラフィー（ＳＦＣ）を用いた光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラム−１を用いて、図４に示すラセミ体１１（ワルファリン）のＳＦＣによる光学分割を行った。ＳＦＣ装置として、ポンプは製品名ＰＵ−２０８０とＰＵ−２０８６、日本分光社製、カラム恒温槽は製品名ＣＯ−１５６０、日本分光社製、背圧制御器は製品名８８０−８１、日本分光社製のものを用いた。溶離液には、二酸化炭素を用い、モディファイヤーとしてエタノールを添加した。流速は、それぞれ０．５ｍｌ／ｍｉｎ、０．１ｍｌ／ｍｉｎとし、カラム温度は４０℃に、背圧は１００ｋｇ／ｃｍ²に設定した。ピークの検出、同定はＵＶ検出器（波長：２５４ｎｍ、製品名：ＵＶ−２０７５、日本分光社製）を用いて行った。カラム−１の光学分割結果を図５に示す。また、超臨界流体クロマトグラフィー（ＳＦＣ）で使用する前と後のビーズＡ−４のＳＥＭ画像を図３に示す。

＜実施例２＞
（２−１）アルコキシシリル基を有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース４．００ｇ(２４．７ｍｍｏｌ)を脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１２０ｍｌ、脱水ピリジン６０ｍｌ、塩化リチウム８．００ｇの混合溶液に溶解させた。
得られた溶解物に３，５−ジメチルフェニルイソシアナート９．０８ｇ(６１．８ｍｍｏｌ)を加え８０℃で１５時間反応させた後、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン０.３４ｇ（１.４ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１２時間反応させ、さらに３，５−ジメチルフェニルイソシアナート９．０８ｇ(６１．８ｍｍｏｌ)を加え８０℃で１１時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｂ、１３．２９ｇを得た。¹Ｈ ＮＭＲの結果から、３，５−ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が、それぞれ９８．６％、１．４％であることを確認した（図７参照）。

（２−２）セルロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ｂ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）３．５ｍｌ、水１ｍｌ及びクロロトリメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（４／１、ｖ／ｖ）混合溶媒３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱したあと、８０℃の水浴で加熱した０．２％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで攪拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で１時間撹拌をおこない、得られた懸濁液を２０μｍのフィルターに通し粒子径の大きいビーズを除いた。フィルターを通した後の懸濁液を吸引ろ過することによりハイブリッドビーズを回収し、水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズ２８５ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径１０μｍ程度のハイブリッドビーズ−Ｂ−１を回収した。得られたハイブリッドビーズ−Ｂ−１の熱重量分析を行ったところ、有機物の割合が５５重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。
乾燥させたハイブリッドビーズＢ−１、０．７５ｇをエタノール／水／クロロトリメチルシラン（７．５ｍｌ／１．９ｍｌ／０．１３ｍｌ）に分散させ、１００℃のオイルバスで還流しながら１時間反応を行いビーズ内の架橋を行った。このようにして得られたハイブリッドビーズＢ−２、０．６ｇをトルエン／ピリジン／クロロトリメチルシラン／ヘキサメチルジシラザン（５．０ｍｌ／５．０ｍｌ／１．２５ｍｌ／０．０７ｍｌ）に分散させ、１１０℃のオイルバスで１５分間反応を行い残されたシラノール基をエンドキャップした。得られたビーズをハイブリッドビーズＢ−３とする。ハイブリッドビーズＢ−３のＳＥＭ画像を図２に示す。

（２−３）カラムへの充填
得られたハイブリッドビーズＢ−３を粒径分別後、長さ２５ｃｍ、内径０．２ｃｍのステンレス−スチール製のカラムにスラリー法により充填しカラム−２を得た。
カラム−２の理論段数（Ｎ）はＮ＝１１００であった。

（２−４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラム−２を用いて、図４に示す１０種類のラセミ体（１〜１０）の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／２−プロパノール（９０／１０、ｖ／ｖ）を用いて、流速は０．２ｍｌ／ｍｉｎとし、ＵＶ検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Ｎはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ₀は１，３，５−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−２の光学分割結果を表１に示す。表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。

＜実施例３＞
（３−１）アルコキシシリル基を有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース０．５０ｇ（３．０９ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５ｍｌ、脱水ピリジン７．５ｍｌ、塩化リチウム１．００ｇの混合溶液に溶解させた。
得られた溶解物に３，５−ジメチルフェニルイソシアナート１．１３ｇ（７．７２ｍｍｏｌ）を加え８０℃で６時間反応させた後、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン８４ｍｇ（０．３４ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１３時間反応させ、さらに３，５−ジメチルフェニルイソシアナート１．３６ｇ（９．２６ｍｍｏｌ）を加え８０℃で７時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行い、アルコキシシリル基を導入したセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｃ１．６５ｇを得た。¹Ｈ ＮＭＲの結果から、３，５−ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率が、それぞれ９７．３％、２．７％であることを確認した（図８参照）。

（３−２）セルロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ｃ ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）２．２５ｍｌ、水１ｍｌ及びクロロトリメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（４／１、ｖ／ｖ）混合溶媒３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱したあと、８０℃の水浴で加熱した０．２％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで攪拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で１時間撹拌をおこない、得られた懸濁液を２０μｍのフィルターに通し粒子径の大きいビーズを除いた。フィルターを通した後の懸濁液を吸引ろ過することによりハイブリッドビーズを回収し、水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズ２９７ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径３〜１０μｍ程度のハイブリッドビーズ−Ｃ−１を回収した。得られたハイブリッドビーズ−Ｃ−１の熱重量分析を行ったところ、有機物の割合が６２重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。
乾燥させたハイブリッドビーズＣ−１ ０．８５ｇをエタノール／水／クロロトリメチルシラン（９．０ｍｌ／２．２５ｍｌ／０．１５ｍｌ）に分散させ、１００℃のオイルバスで還流しながら１時間反応を行いビーズ内の架橋を行った。このようにして得られたハイブリッドビーズＣ−２０．７ｇをトルエン／ピリジン／クロロトリメチルシラン／ヘキサメチルジシラザン（５．０ｍｌ／５．０ｍｌ／０．０８ｍｌ／１．３０ｍｌ）に分散させ、１１０℃のオイルバスで３０分間反応を行い残されたシラノール基をエンドキャップした。得られたビーズをハイブリッドビーズＣ−３とする。ハイブリッドビーズＣ−３のＳＥＭ画像を図２に示す。

（３−３）カラムへの充填
得られたハイブリッドビーズＣ−３を粒径分別後、長さ２５ｃｍ、内径０．２ｃｍのステンレス−スチール製のカラムにスラリー法により充填しカラム−３を得た。
カラム−３の理論段数（Ｎ）はＮ＝２００であった。

（３−４）光学分割能の評価
上記の操作で得られたカラム−３を用いて、図４に示す１０種類のラセミ体（１〜１０）の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／２−プロパノール（９０／１０、ｖ／ｖ）を用いて、流速は０．２ｍｌ／ｍｉｎとし、ＵＶ検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。なお、理論段数Ｎはベンゼンのピークから、また溶離液がカラムを素通りする時間ｔ₀は１，３，５−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンの溶出時間から求めた。カラム−３の光学分割結果を表１に示す。表中の値は容量比ｋ１'と分離係数αで、かっこの中の符号は先に溶出したエナンチオマーの旋光性である。

＜実施例４＞
高分子化合物誘導体を用いない場合のビーズにおける有機物の含有量を算出するため、以下の実験を行った。
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）５ｍｌ、水１ｍｌ及びクロロトリメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（4／１、ｖ／ｖ）混合溶媒３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱したあと、８０℃の水浴で加熱した０．２％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで攪拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で一時間撹拌をおこなった。得られた懸濁液を吸引ろ過することによりシリカゲル−１を回収し、水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、シリカゲル−１３６０ｍｇを得た。得られたシリカゲル−１の熱重量分析（ＳＳＣ−５２００、セイコー電子工業）を行ったところ、有機物の割合が１０重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。

＜実施例５＞
（５−１）アルコシキシリル基を有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース４．００ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１２０ｍｌ、脱水ピリジン６０ｍｌ、塩化リチウム８．００ｇの混合溶液に溶解させた。
得られた溶解物に３，５−ジメチルフェニルイソシアナート９．０８ｇ（６１．８ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１１時間反応させた後、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン０．３８ｇ（１．５６ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１２時間反応させ、さらに３，５−ジメチルフェニルイソシアナート１２．７ｇ（８６．４ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１０時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行いアルコシキシリル基を導入したセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｄ１２．９ｇを得た。３，５−ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率は、それぞれ９８．３％、１．７％であった。

（５−２） セルロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ｄ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）３ｍｌ、水１ｍｌ及びクロロメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（４／１、ｖ／ｖ）混合溶液３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱した後、８０℃の水浴で加熱した０．４％塩化トリメチルオクタデシルアンモニウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで撹拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で一時間撹拌を行い、得られた懸濁液を吸引ろ過することにより、回収し、ハイブリッドビーズを水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズＤ−１、１４５２ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径１０μｍ程度のハイブリッドビーズＤ−２を回収した。得られたハイブリッドビーズＤ−２の熱重量測定（ＳＳＣ−５２００、セイコー電子工業）を行ったところ、有機物の割合が２８重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。
乾燥させたハイブリッドビーズＤ−２、１．０ｇをトルエン／ピリジン／クロロトリメチルシラン／ヘキサメチルジシラザン（１５ｍｌ／１５ｍｌ／０．２０ｍｌ／０．４２ｍｌ）に分散させ、８０℃のオイルバスで３０分間反応を行い、残されたシラノール基をエンドキャップした。得られたハイブリッドビーズＤ−３を水とメタノールで洗浄し、最終生成物（ハイブリッドビーズＤ−４）を１．０２ｇ得た。ハイブリッドビーズＤ−４の有機物の割合は３０％であった。

（５−３） カラムへの充填
得られたハイブリッドビーズＤ−４を（１−４）と同様の方法にて充填し、カラム−４を得た。

（５−４）光学分割能の評価
上記操作で得られたカラム−４を用いて、（１−５）と同様の方法にて光学分割能の評価を行った。評価結果を表２に示す。

＜実施例６＞

（６−１）セルロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ｄ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）２ｍｌ、水１ｍｌ及びクロロメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（４／１、ｖ／ｖ）混合溶液３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱した後、８０℃の水浴で加熱した０．４％塩化トリメチルオクタデシルアンモニウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで撹拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で一時間撹拌を行い、得られた懸濁液を吸引ろ過することにより回収し、ハイブリッドビーズを水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズＤ−５、１０５４ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径１０μｍ程度のハイブリッドビーズＤ−６を回収した。得られたハイブリッドビーズＤ−６の熱重量測定（ＳＳＣ−５２００、セイコー電子工業）を行ったところ、有機物の割合が３５重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。
乾燥させたハイブリッドビーズＤ−６、３．０ｇをトルエン／ピリジン／ヘキサメチルジシラザン（１５ｍｌ／１５ｍｌ／８．９ｍｌ）に分散させ、８０℃のオイルバスで１５時間反応を行い、残されたシラノール基をエンドキャップした。得られたハイブリッドビーズＤ−７を水とメタノールで洗浄し、最終生成物（ハイブリッドビーズＤ−８）を２．８９ｇ得た。ハイブリッドビーズＤ−８の有機物の割合は３４％であった。

（６−２）カラムへの充填
得られたハイブリッドビーズＤ−８を粒径分別後、長さ２５ｃｍ、内径０．４６ｃｍのステンレス−スチール製のカラムにスラリー法により充填しカラム−５を得た。

（６−３）光学分割能の評価
上記操作で得られたカラム−５を用いて、図４に示す１０種類のラセミ体（１〜１０）の光学分割を行った。溶離液にはヘキサン／２−プロパノール（９０／１０、ｖ／ｖ）を用いて、流速は１．０ｍｌ／ｍｉｎとし、（１−５）と同様のＵＶ検出器と旋光検出器を用いてピークの検出、同定を行った。評価結果を表２に示す。

＜実施例７＞
（７−１）アルコシキシリル基を有するアミロース３，５−ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたアミロース１．５０ｇ（９．２６ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド４５ｍｌ、脱水ピリジン２２．５ｍｌ、塩化リチウム３．００ｇの混合溶液に溶解させた。
得られた溶解物に３，５−ジメチルフェニルイソシアナート３．４１ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で６時間反応させた後、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン０．１６ｇ（０．６５ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１３時間反応させ、さらに３，５−ジメチルフェニルイソシアナート３．４１ｇ（２３．２ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１０時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行いアルコシキシリル基を導入したアミロース３，５-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｅ、５．４０ｇを得た。３，５−ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率は、それぞれ９８．３％、１．７％であった。

（７−２）アミロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ｅ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）４ｍｌ、水１ｍｌ及びクロロメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（４／１、ｖ／ｖ）混合溶液３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱した後、８０℃の水浴で加熱した０．２％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで撹拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で一時間撹拌を行い、得られた懸濁液を２０μｍのフィルターも通し粒子径の大きいビーズを除いた。フィルターを通した後の懸濁液を吸引ろ過することにより回収し、ハイブリッドビーズを水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズＥ−１、７７５ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径１０μｍ程度のハイブリッドビーズＥ−２を回収した。得られたハイブリッドビーズＥ−２の熱重量測定（ＳＳＣ−５２００、セイコー電子工業）を行ったところ、有機物の割合が３１重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。
乾燥させたハイブリッドビーズＥ−２、０．７５ｇをエタノール／水／クロロトリメチルシランの混合溶液９．５ｍｌ（６／１．５／０．１（ｖ／ｖ／ｖ））に分散させ、１００℃のオイルバスで還流しながら１時間反応を行いビーズ内の架橋を行った。このようにして得られたハイブリッドビーズＥ−３、０．７０ｇをトルエン／ピリジン／クロロトリメチルシラン／ヘキサメチルジシラザン（５．８ｍｌ／５．８ｍｌ／０．２８ｍｌ／０．１４ｍｌ）に分散させ、８０℃のオイルバスで３０分間反応を行い、残されたシラノール基をエンドキャップした。得られたハイブリッドビーズＥ−４を水とメタノールで洗浄し、最終生成物（ハイブリッドビーズＥ−５）を０．６８ｇ得た。

（７−３）カラムへの充填
得られたハイブリッドビーズＥ−５を（１−４）と同様の方法にて充填し、カラム−６を得た。

（７−４）光学分割能の評価
上記操作で得られたカラム−６を用いて、（１−５）と同様の方法にて光学分割能の評価を行った。評価結果を表３に示す。

＜実施例８＞

（８−１）アミロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ｅ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）３ｍｌ、水１ｍｌ及びクロロメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（４／１、ｖ／ｖ）混合溶液３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱した後、８０℃の水浴で加熱した０．２％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで撹拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で一時間撹拌を行い、得られた懸濁液を２０μｍのフィルターも通し粒子径の大きいビーズを除いた。フィルターを通した後の懸濁液を吸引ろ過することにより回収し、ハイブリッドビーズを水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズＥ−６、０．６１ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径１０μｍ程度のハイブリッドビーズＥ−７を回収した。得られたハイブリッドビーズＥ−７の熱重量測定（ＳＳＣ−５２００、セイコー電子工業）を行ったところ、有機物の割合が４８重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。
乾燥させたハイブリッドビーズＥ−７、０．６０ｇをエタノール／水／クロロトリメチルシランの混合溶液７．６ｍｌ（６／１．５／０．１（ｖ／ｖ／ｖ））に分散させ、１００℃のオイルバスで還流しながら１時間反応を行いビーズ内の架橋を行った。このようにして得られたハイブリッドビーズＥ−８、０．５８ｇをトルエン／ピリジン／クロロトリメチルシラン／ヘキサメチルジシラザン（４．８ｍｌ／４．８ｍｌ／０．１８ｍｌ／０．０９ｍｌ）に分散させ、８０℃のオイルバスで３０分間反応を行い、残されたシラノール基をエンドキャップした。得られたハイブリッドビーズＥ−９を水とメタノールで洗浄し、最終生成物（ハイブリッドビーズＥ−１０）を０．５５ｇ得た。

（８−２）カラムへの充填

得られたハイブリッドビーズＥ−１０を（１−４）と同様の方法にて充填し、カラム−７を得た。

（８−３）光学分割能の評価
上記操作で得られたカラム−７を用いて、（１−５）と同様の方法にて光学分割能の評価を行った。評価結果を表３に示す。

＜実施例９＞
（９―１）アルコシキシリル基を有するセルロース３，５−ジメチルフェニルカルバメートの合成
乾燥させたセルロース８．００ｇ（４９．４ｍｍｏｌ）を脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２４０ｍｌ、脱水ピリジン１２０ｍｌ、塩化リチウム１６．０ｇの混合溶液に溶解させた。
得られた溶解物に３，５−ジメチルフェニルイソシアナート１８．２ｇ（１２４ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で６時間反応させた後、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン０．７３ｇ（２．９７ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１２時間反応させ、さらに３，５−ジメチルフェニルイソシアナート２５．４ｇ（１７３ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で８時間反応させた。ピリジン可溶部をメタノール中に滴下し、不溶部として回収した後、真空乾燥を行いアルコシキシリル基を導入したセルロース３，５-ジメチルフェニルカルバメート誘導体Ｆ、２５．１ｇを得た。３，５-ジメチルフェニルイソシアナートとアルコキシシリル基の導入率は、それぞれ９８．３％、１．７％であった。

（９−２）セルロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ｆ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１ｍｌ、１，２−ビストリエトキシシリルエタン（ＢＴＳＥ）０．８３ｍｌを水１ｍｌ及びクロロメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（４／１、ｖ／ｖ）混合溶液３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱した後、８０℃の水浴で加熱した０．２％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで撹拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で一時間撹拌を行い、得られた懸濁液を吸引ろ過することにより回収し、ハイブリッドビーズを水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズＦ−１、６８０ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径１０μｍ程度のハイブリッドビーズＦ−２を回収した。得られたハイブリッドビーズＦ−２の熱重量測定（ＳＳＣ−５２００、セイコー電子工業）を行ったところ、有機物の割合が４８重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。

（９−３）カラムへの充填
得られたハイブリッドビーズＦ−２を（１−４）と同様の方法にて充填し、カラム−８を得た。

（９−４）光学分割能の評価
上記操作で得られたカラム−８を用いて、（１−５）と同様の方法にて光学分割能の評価を行った。評価結果を表４に示す。

＜実施例１０＞

（１０−１）セルロース誘導体ビーズの調製
誘導体Ｆ２５０ｍｇ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１．５ｍｌ、１,２−ビストリエトキシシリルエタン（ＢＴＳＥ）０．４２ｍｌを水１ｍｌ及びクロロメチルシラン０．５ｍｌをテトラヒドロフラン／１−ヘプタノール（４／１、ｖ／ｖ）混合溶液３０ｍｌに溶かした。この溶液を、８０℃で９時間加熱した後、８０℃の水浴で加熱した０．２％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液５００ｍｌへディスパーザーでシャフト回転数１１００ｒｐｍで撹拌しながら滴下した。滴下後、８０℃で一時間撹拌を行い、得られた懸濁液を吸引ろ過することにより回収し、ハイブリッドビーズを水とメタノールで洗浄した。洗浄後、真空乾燥を行い、ハイブリッドビーズＦ−３、５４７ｍｇを得た。この操作を繰り返し粒径１０μｍ程度のハイブリッドビーズＦ−４を回収した。得られたハイブリッドビーズＦ−４の熱重量測定（ＳＳＣ−５２００、セイコー電子工業）を行ったところ、有機物の割合が５５重量％であることが確認された。ビーズの調製には、６枚羽根型ディスパーザーシャフトと、１リットルビーカーを用いた。

（１０−２）カラムへの充填
得られたハイブリッドビーズＦ−４を（１−４）と同様の方法にて充填し、カラム−９を得た。

（１０−３）光学分割能の評価
上記操作で得られたカラム−９を用いて、（１−５）と同様の方法にて光学分割能の評価を行った。評価結果を表４に示す。

Claims (11)

1. セルロースまたはアミロースの水酸基の一部が下記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾されてなるセルロースまたはアミロース誘導体と、下記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされた化合物の一種以上と、を反応させてなる、形態がビーズである複合体。
   

   

   （式中、Ａは水酸基と反応する反応性基を示し、クロロカルボニル基、カルボキシル基、イソシアナート基、グリシジル基又はチオシアナート基であり、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキレン基または置換基を有してもよいアリーレン基を示し、Ｙはシラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基を示し、炭素数１〜１２のアルコキシ基、又はハロゲンであり、Ｒは炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）
   

   

   

   

   （式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、またはクロム（Ｃｒ）を示し、Ａｌはアルミニウムを示し、Ｍｇはマグネシウムを示し、Ｒ¹は、水素ま
   たは炭素数１〜１２のアルキルを示し、Ｒ²は、炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｐは１〜３の整数を示し、ｑは１または２の整数を示す。）
   

   

   （式中、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立して炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキレン基または置換基を有してもよいアリーレン基を示す。）
2. 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルジエトキシメチルシラン、２−イソシアナートエチルトリエトキシシラン、４−イソシアナートフェニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン又は３−チオシアナートプロピルトリエトキシシランである、請求項１に記載の複合体。
3. 前記一般式（Ｉ）で表される化合物の、セルロースまたはアミロースの水酸基への導入率が１．０〜３５％である、請求項１又は２に記載の複合体。
4. 前記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾された水酸基以外の水酸基の少なくとも一部が、更に、光学異性体に作用する官能基を有する化合物で修飾されてなり、
   前記光学異性体に作用する官能基を有する化合物が、下記一般式（ＶＩ）又は（ＶＩＩ）で表わされた原子団を含む化合物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の複合体。
   

   

   （式中、Ｒ’はヘテロ原子を含んでもよい脂肪族又は芳香族炭化水素基であり、非置換であっても、又は炭素数１〜１２のヘテロ原子を含んでもよい炭化水素、シアノ、ハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、アミノ及びジ（炭素数１〜８のアルキル）アミノ基からなる群から選ばれた１つ以上の基によって置換されていてもよい。）
5. 前記一般式（Ｉ）で表わされた化合物で修飾された水酸基以外の水酸基の少なくとも一部に、前記光学異性体に作用する官能基を有する化合物が、ウレタン結合、尿素結合、エステル結合又はエーテル結合を介して導入されてなる、請求項４に記載の複合体。
6. 前記光学異性体に作用する官能基を有する化合物が、３，５−ジメチルフェニルイソシアナートである、請求項４に記載の複合体。
7. 前記セルロースまたはアミロース誘導体の含有量が、複合体全量に対し１０〜９０重量％であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の複合体。
8. 前記一般式（ＩＩ）で表わされた化合物が、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトライソブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、テトラペンチルオキシシラン、テトラヘキシルオキシシラン、トリエトキシメチルシラン及びトリエトキシフェニルシランからなる群から選ばれた１つ以上であ
   ることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の複合体。
9. 前記一般式（Ｖ）で表わされた化合物が、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，１−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，１−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）プロパン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）プロパン、２，２−ビス（トリメトキシシリル）プロパン、２，２−ビス（トリエトキシシリル）プロパン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン及び１，２−ビストリエトキシシリルエタンからなる群から選ばれた１つ以上であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の複合体。
10. セルロースまたはアミロースの水酸基の一部が下記一般式（Ｉ）で表された化合物で修飾されてなるセルロースまたはアミロース誘導体と、下記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされた化合物の一種以上とが有機溶媒に溶解した溶液を作製する工程と、該溶液を界面活性剤水溶液又はプロトン供与性溶媒に攪拌しながら滴下する工程とを含む、形態がビーズである複合体の製造方法。
    

    

    （式中、Ａは水酸基と反応する反応性基を示し、クロロカルボニル基、カルボキシル基、イソシアナート基、グリシジル基又はチオシアナート基であり、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキレン基または置換基を有してもよいアリーレン基を示し、Ｙはシラノール基と反応してシロキサン結合を形成する反応性基を示し、炭素数１〜１２のアルコキシ基、又はハロゲンであり、Ｒは炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）
    

    

    

    

    （式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、またはクロム（Ｃｒ）を示し、Ａｌはアルミニウムを示し、Ｍｇはマグネシウムを示し、Ｒ¹は、水素または炭素数１〜１２のアルキルを示し、Ｒ²は、炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１〜４の整数を示し、ｐは１〜３の整数を示し、ｑは１または２の整数を示す。）
    

    

    （式中、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立して炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｘは炭素数１〜１８の分岐を有してもよいアルキレン基または置換基を有してもよいアリーレン基を示す。）
11. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の複合体を含む光学異性体用分離剤。

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