JP5501358B2 - 電荷感知セルおよび画素の幾何形状が改良された、cmosフォトゲート3dカメラシステム - Google Patents
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Description
本出願は、参照により全内容が本明細書に組み込まれる2008年7月17日に出願された米国仮出願第61/081,400号の利益を米国特許法119条(e)に従って主張する。
転送ゲート環状幅:0.3〜1.0μm(例えば0.6μm)
フォトゲート穴と転送ゲートとの隙間:0.25〜0.4μ(例えば0.25μ)
浮遊拡散部の直径:0.6〜1.5μ(例えば0.6μ)
しかし、適切な寸法は、当業者にはすぐに明らかとなるように、適用例、製造技術の進歩、および他の要因に依存し、前述のパラメータは限定とするものではないことを理解されたい。
Claims (20)
- 場面(scene)からの光を受け取って(receiving)記録する(registering)ための感光面(photosurface)であって、
前記感光面に入射する(incident on)光に応答して電子−正孔の対が生成される第1の半導体領域(124)と、
前記第1の半導体領域の全てをほぼ(substantially)覆う(overlaying)単一の(single)第1の導電領域(conductive region)(134)と、
前記第1の半導体領域によって囲まれる複数の第2の半導体領域(122a-c,122a'-c')と、
複数の第2の導電領域(126a-c,126a'-c')であって、各第2の導電領域が、対応する、第2の半導体領域の1つを囲み、前記第1の導電領域から電気的に分離され、各第2の導電領域が、開口(136a-c,136a'-c')を有し、前記対応する第2の半導体領域が、完全に、前記開口を埋める(fills)ものと、
を備え、
前記第2の導電領域の、それぞれの1つが、前記第1の導電領域に対して正に荷電されたときに、前記第1の半導体領域への入射光によって生成された電子が、それぞれの、第2の半導体領域に収集され、
前記第1の半導体領域への入射光によって生成された電子が、前記第2の半導体領域に対する、ほぼ全ての方位方向から、それぞれの、第2の半導体領域に移動する、
感光面。 - 前記第2の半導体領域が約0.6ミクロンの特性半径範囲(characteristic radial extent)を有する、請求項1に記載の感光面。
- 前記第2の半導体領域が約0.4ミクロンの特性半径範囲を有する、請求項1に記載の感光面。
- 前記第2の半導体領域が約0.3ミクロンの特性半径範囲を有する、請求項1に記載の感光面。
- 最も近い2つの第2の半導体領域間の距離が約9ミクロン以下である、請求項1に記載の感光面。
- 最も近い2つの第2の半導体領域間の距離が約6ミクロン以下である、請求項1に記載の感光面。
- 最も近い2つの第2の半導体領域間の距離が約4ミクロン以下である、請求項1に記載の感光面。
- 前記複数の第2の半導体領域のうちの少なくとも2つが導体によって電気的に接続された、請求項1に記載の感光面。
- 前記複数の第2の半導体領域に移動する電子の総数に応じた信号を生成するように構成された、前記複数の半導体領域に電気的に接続された回路を備える、請求項8に記載の感光面。
- 約40%以上のフィルファクタ(fill factor)を有する、請求項1に記載の感光面。
- 約50%以上のフィルファクタを有する、請求項1に記載の感光面。
- 約60%以上のフィルファクタを有する、請求項1に記載の感光面。
- 約75%以上のフィルファクタを有する、請求項1に記載の感光面。
- 前記複数の第2の半導体領域が浮遊拡散部(floating diffusion)を備える、請求項1に記載の感光面。
- 場面を撮像するためのフォトゲートタイプの感光面であって、
前記感光面に入射する光に応答して電子−正孔の対が生成される感光領域と、
前記感光領域の上に配置される単一のフォトゲートと、
複数の電荷収集領域であって、各電荷収集領域が前記感光領域によって囲まれ、その中に、前記感光領域で生成された電荷が、蓄積されるものと、
前記電荷収集領域の各々に対しての、転送ゲートであって、当該転送ゲートが前記電荷収集領域を完全に囲み、各転送ゲートが開口を有し、それぞれの、電荷収集領域が、前記開口を完全に埋め(fills)、各転送ゲートが、前記感光領域から前記電荷収集領域であって、前記それぞれの転送ゲートの前記開口内の電荷収集領域に電荷を転送するものと、
を備える感光面。 - 約40%以上のフィルファクタを有する、請求項15に記載の感光面。
- フォトゲートと、
前記フォトゲートの基礎をなす構造中のチャネルインプラント(channel implant)と、
前記チャネルインプラント内に形成された、複数の浮遊拡散部と、
複数の転送ゲートであって、当該転送ゲートの各々が、完全に、前記浮遊拡散部の、対応する1つを囲み、前記フォトゲートの下(under)に蓄積された電子が、前記チャネルインプラントを通じて、対応する浮遊拡散部に移動することを許容するように動作可能であり、前記フォトゲートが、実質的に連続体であり、前記チャネルインプラントの上(over)に亘って延在し、複数の別個の開口を含み、当該開口の各々が、前記浮遊拡散部の1つ、及び、それに対応する転送ゲートを囲み、前記転送ゲートの各々と、それに対応する開口が、同心円リングとして、又は、多角形状として、整列され(aligned)、各転送ゲートが、内側開口を有し、また、それに伴った、その下(below)に配置され、前記内側開口を完全に埋める(filling)、対応する浮遊拡散部を有するものと、
を備える、CMOSタイプの光検出器セル。 - 請求項17に記載のCMOSタイプの光検出器セルであって、各転送ゲート及び対応する開口が、同心円状リングとして整列され、前記光検出器セルが、複数の別個の同心円状のリングを含む、CMOSタイプの光検出器セル。
- 請求項17に記載のCMOSタイプの光検出器セルであって、各転送ゲート及び対応する開口が、8角形リングとして整列され、前記光検出器セルが、複数の別個の同心状の8角形リングを含む、CMOSタイプの光検出器セル。
- 請求項17に記載のCMOSタイプの光検出器セルであって、前記転送ゲートの第1のものと、それに対応する浮遊拡散部が、電荷検出要素を形成し、前記転送ゲートの第2のものと、それに対応する浮遊拡散部が、電荷排出要素を形成する、CMOSタイプの光検出器セル。
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US9602804B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-03-21 | Intel Corporation | Methods of forming integrated package structures with low Z height 3D camera |
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US10638061B2 (en) * | 2018-09-18 | 2020-04-28 | Analog Devices Global Unlimited Company | Active-pixel image sensor |
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KR102314944B1 (ko) | 2020-09-07 | 2021-10-21 | 울산과학기술원 | 실리콘 링 전계효과트랜지스터 어레이에 의한 활성 안테나 장치 |
CN114896927B (zh) * | 2022-05-17 | 2024-04-30 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种不同光强对辐照后cmos图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法 |
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Family Cites Families (23)
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JPH0666446B2 (ja) * | 1984-03-29 | 1994-08-24 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像素子 |
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JP3031606B2 (ja) * | 1995-08-02 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置と画像撮像装置 |
US6320617B1 (en) | 1995-11-07 | 2001-11-20 | Eastman Kodak Company | CMOS active pixel sensor using a pinned photo diode |
JP3752773B2 (ja) | 1997-04-15 | 2006-03-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
US6008486A (en) * | 1997-12-31 | 1999-12-28 | Gentex Corporation | Wide dynamic range optical sensor |
US6239456B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-05-29 | Photobit Corporation | Lock in pinned photodiode photodetector |
JP4165250B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2004259733A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
US6897519B1 (en) * | 2003-02-26 | 2005-05-24 | Dialog Semiconductor | Tunneling floating gate APS pixel |
JP2004349430A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 固体撮像素子とその駆動方法 |
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US7115855B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having pinned floating diffusion diode |
JP2005244434A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JP2006041189A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像素子 |
JP4389737B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2009-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
US7910964B2 (en) * | 2005-08-30 | 2011-03-22 | National University Corporation Shizuoka University | Semiconductor range-finding element and solid-state imaging device |
JP2007081083A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | ラインセンサ及び画像情報読取装置 |
JP2007174289A (ja) | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Fujitsu Ltd | センサ用アナログ多段増幅回路 |
US8031249B2 (en) * | 2007-01-11 | 2011-10-04 | Micron Technology, Inc. | Missing pixel architecture |
US20080258187A1 (en) * | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Ladd John W | Methods, systems and apparatuses for the design and use of imager sensors |
TWI479887B (zh) * | 2007-05-24 | 2015-04-01 | Sony Corp | 背向照明固態成像裝置及照相機 |
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